N型半導(dǎo)體也稱(chēng)為電子型半導(dǎo)體。N型半導(dǎo)體即自由電子濃度遠(yuǎn)大于空穴濃度的雜質(zhì)半導(dǎo)體?！?在純凈的電子發(fā)燒友體中摻入五價(jià)元素（如磷），使之取代晶格中硅原子的位置，就形成了N型半導(dǎo)體。在N型半導(dǎo)體中
2016-10-14 15:11:56
N型半導(dǎo)體和P型半導(dǎo)體通過(guò)工藝做成PN結(jié)就是二級(jí)管。二極管只有一個(gè)PN結(jié)，為什么二極管型號(hào)要分N型二極管和P型二極管？二者有什么區(qū)別?謝謝！[此貼子已經(jīng)被作者于2009-3-10 17:19:59編輯過(guò)]
2009-03-08 17:01:37
第一部分 晶體管的工作原理 N型場(chǎng)效應(yīng)管（N-Channel Field Effect Transistor，F(xiàn)ET）是一種電極介質(zhì)驅(qū)動(dòng)的晶體管，通常用來(lái)將微弱的輸入信號(hào)增強(qiáng)到數(shù)千或數(shù)萬(wàn)次。其
2023-03-08 14:21:22
的選擇選型之前我們要清楚MOS管的原理：MOS管有兩種結(jié)構(gòu)形式，即N溝道型和P溝道型，結(jié)構(gòu)不一樣，使用的電壓極性也會(huì)不一樣，因此，在確定選擇哪種產(chǎn)品前，首先需要確定采用N溝道還是P溝道MOS管。MOS管
2023-02-17 14:12:55
壓，則會(huì)在氧化層下方形成空穴通道。增強(qiáng)模式 N 通道N 通道耗盡和增強(qiáng)類(lèi)型的符號(hào)加工n溝道MOSFET的工作原理是假設(shè)大多數(shù)載流子是電子。電子在通道中的運(yùn)動(dòng)負(fù)責(zé)晶體管中的電流。柵極端子的形成需要使用p
2023-02-02 16:26:45
P型MOS管開(kāi)關(guān)電路圖PMOS是指n型襯底、p溝道，靠空穴的流動(dòng)運(yùn)送電流的MOS管。P溝道MOS晶體管的空穴遷移率低，因而在MOS晶體管的幾何尺寸和工作電壓絕對(duì)值相等的情況下，PMOS晶體管的跨導(dǎo)
2021-10-28 10:07:00
本帖最后由 夜孤影 于 2019-2-2 16:25 編輯
如題所示，我設(shè)計(jì)了一個(gè)用P型，N型mosfet管來(lái)控制電機(jī)的的電路，但是在我實(shí)際所搭的電路中，N型MOSFET管控制正常，G端高電平
2019-02-02 16:24:33
的B和C對(duì)稱(chēng)、和E極同樣是N型。也就是說(shuō)，逆接C、E也同樣有晶體管的功效。即電流由E→C流動(dòng)。3. 逆向晶體管有如下特點(diǎn)。hFE低（正向約10%以下）耐壓低 (7 to 8Ｖ 與VEBO一樣低)↑通用
2019-04-09 21:27:24
晶體管并聯(lián)時(shí)，當(dāng)需要非常大的電流時(shí)，可以將幾個(gè)晶體管并聯(lián)使用。因?yàn)榇嬖赩BE擴(kuò)散現(xiàn)象，有必要在每一個(gè)晶體管的發(fā)射極上串聯(lián)一個(gè)小電阻。電阻R用以保證流過(guò)每個(gè)晶體管的電流近似相同。電阻值R的選擇依據(jù)
2024-01-26 23:07:21
晶體管分類(lèi) 按半導(dǎo)體材料和極性分類(lèi) 按晶體管使用的半導(dǎo)體材料可分為硅材料晶體管和鍺材料晶體管。按晶體管的極性可分為鍺NPN型晶體管、鍺PNP晶體管、硅NPN型晶體管和硅PNP型晶體管?！ “唇Y(jié)構(gòu)
2010-08-12 13:59:33
本帖最后由 gongddz 于 2017-3-29 09:06 編輯
晶體管作為電流單方向通過(guò)的電子開(kāi)關(guān)使用晶體管也可以作為電子開(kāi)關(guān)使用。但這個(gè)開(kāi)關(guān)的電流方向只能是單向的，pnp型管和npn型
2017-03-28 15:54:24
。需要說(shuō)明的是，晶體管有很多種類(lèi)型，每種類(lèi)型又分為N型和P型，下面圖中的電路符號(hào)就是一個(gè)N型晶體管?！ ?b class="flag-6" style="color: red">晶體管電路有導(dǎo)通和截止兩種狀態(tài)，這兩種狀態(tài)就可以作為“二進(jìn)制”的基礎(chǔ)。從模電角度來(lái)說(shuō)晶體管還有
2021-01-13 16:23:43
場(chǎng)效應(yīng)晶體管，英語(yǔ)名稱(chēng)為Field Effect Transistor，簡(jiǎn)稱(chēng)為場(chǎng)效應(yīng)管，是一種通過(guò)對(duì)輸入回路電場(chǎng)效應(yīng)的控制來(lái)控制輸出回路電流的器件。可分為結(jié)型和絕緣柵型、增強(qiáng)型和耗盡型、N溝道和P溝道
2016-06-29 18:04:43
1．反向擊穿電流的檢測(cè) 普通晶體管的反向擊穿電流（也稱(chēng)反向漏電流或穿透電流），可通過(guò)測(cè)量晶體管發(fā)射極E與集電極C之間的電阻值來(lái)估測(cè)。測(cè)量時(shí)，將萬(wàn)用表置于R×1k檔， NPN型管的集電極C接黑表筆
2012-04-26 17:06:32
雙極性晶體管是利用兩種離子導(dǎo)電，空穴和自由電子，但是對(duì)于一個(gè)實(shí)際存在的系統(tǒng)，其整體上是呈現(xiàn)電中性的，當(dāng)其中的電子或者空穴移動(dòng)形成電流時(shí)，與之對(duì)應(yīng)的空穴或者電子為什么不會(huì)一起隨著移動(dòng)？
這個(gè)問(wèn)題困擾
2024-02-21 21:39:24
《晶體管電路設(shè)計(jì)與制作》是“圖解實(shí)用電子技術(shù)叢書(shū)”之一。本書(shū)首先對(duì)各種模擬電路的設(shè)計(jì)和制作進(jìn)行詳細(xì)敘述；然后利用可在微機(jī)上使用的模擬器“SPICE”對(duì)設(shè)計(jì)的結(jié)果進(jìn)行模擬。《晶體管電路設(shè)計(jì)與制作》中介
2018-01-15 12:46:03
晶體管的主要參數(shù)有哪些？晶體管的開(kāi)關(guān)電路是怎樣的？
2021-06-07 06:25:09
晶體管的半導(dǎo)體的電流由空穴（正極性）和電子（負(fù)極性）產(chǎn)生。一般而言的晶體管是指這種由硅構(gòu)成的晶體管。FETField Effect Transistor的簡(jiǎn)稱(chēng)，是指場(chǎng)效應(yīng)晶體管。有接合型FET和MOS型
2019-04-10 06:20:24
與漏極間流過(guò)電流，而IGBT是從P型的集電極向N型的發(fā)射極流過(guò)電流，也就是與雙極晶體管相同。因此，具有MOSFET的柵極相關(guān)的參數(shù)，以及雙極晶體管的集電極-發(fā)射極相關(guān)的參數(shù)?；竟ぷ魈匦员容^這三種晶體管
2018-11-28 14:29:28
給柵極施加電壓形成通道來(lái)流過(guò)電流。結(jié)構(gòu)上MOSFET（以Nch為例）是相同N型的源極與漏極間流過(guò)電流，而IGBT是從P型的集電極向N型的發(fā)射極流過(guò)電流，也就是與雙極晶體管相同。因此，具有MOSFET的柵極
2020-06-09 07:34:33
間電壓 (VBE) 成比例的電流 (IB) 的hFE※1 倍的電流 (IC) 流經(jīng)集電極。這一集電極電流IC流經(jīng)電阻RL，從而IC×RL的電壓反映在電阻RL兩端。最終，輸入電壓e被轉(zhuǎn)換（增幅）成ICRL電壓反映在輸出。※1：hFE晶體管的直流電流增幅率。
2019-05-05 00:52:40
之間）和發(fā)射結(jié)（B、E極之間），發(fā)射結(jié)與集電結(jié)之間為基區(qū)。 根據(jù)結(jié)構(gòu)不同，晶體管可分為PNP型和NPN型兩類(lèi)。在電路圖形符號(hào)上可以看出兩種類(lèi)型晶體管的發(fā)射極箭頭（代表集電極電流的方向）不同。PNP型
2013-08-17 14:24:32
、S9012、S9014、S9015、2N5551、2N5401、BC337、BC338、BC548、BC558等型號(hào)的小功率晶體管，可根據(jù)電路的要求選擇晶體管的材料與極性，還要考慮被選晶體管的耗散
2012-01-28 11:27:38
能使晶體管的Ic隨之增大時(shí)（即（Vce-Ic*Rc）-Vb=常數(shù)時(shí)），我們就稱(chēng)此晶體管“進(jìn)入深飽和狀態(tài)”。此時(shí)，晶體管的基極電位為最高（此現(xiàn)象，對(duì)N-P-N晶體管而言。如果是P-N-P型晶體管，則只要
2012-02-13 01:14:04
1. 晶體管的結(jié)構(gòu)及類(lèi)型 晶體管有雙極型和單極型兩種，通常把雙極型晶體管簡(jiǎn)稱(chēng)為晶體管，而單極型晶體管簡(jiǎn)稱(chēng)為場(chǎng)效應(yīng)管。 晶體管是半導(dǎo)體器件，它由摻雜類(lèi)型和濃度不同的三個(gè)區(qū)（發(fā)射區(qū)、基區(qū)和集電區(qū)
2021-05-13 06:43:22
的B和C對(duì)稱(chēng)、和E極同樣是N型。也就是說(shuō)，逆接C、E也同樣有晶體管的功效。即電流由E→C流動(dòng)。3. 逆向晶體管有如下特點(diǎn)。hFE低（正向約10%以下）耐壓低 (7 to 8Ｖ 與VEBO一樣低)↑通用
2019-05-09 23:12:18
很相似，兩者的區(qū)別主要是基區(qū)引出電極的區(qū)別（基極與源極和漏極）。晶體管把中間的一層（N區(qū)）當(dāng)成一個(gè)電極引出稱(chēng)為基極，其余上下兩層（P-P區(qū)）分別當(dāng)發(fā)射極和集電極引出；而場(chǎng)效應(yīng)管則是把基區(qū)當(dāng)成一個(gè)導(dǎo)電
2012-05-22 09:38:48
P,N型晶體管H橋上橋發(fā)熱問(wèn)題怎么解決
2013-05-12 22:59:18
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)...
2022-02-16 06:48:11
）的三層結(jié)構(gòu)的Field-Effect Transistor（場(chǎng)效應(yīng)晶體管）。BIPOLAR是指使用了雙極性元件，將稱(chēng)為p型和n型的兩種半導(dǎo)體構(gòu)成n-p-n及p-n-p結(jié)構(gòu)的電流工作型晶體管。
2019-05-06 05:00:17
）的三層結(jié)構(gòu)的Field-Effect Transistor（場(chǎng)效應(yīng)晶體管）。BIPOLAR是指使用了雙極性元件，將稱(chēng)為p型和n型的兩種半導(dǎo)體構(gòu)成n-p-n及p-n-p結(jié)構(gòu)的電流工作型晶體管。
2019-03-27 06:20:04
,使指針對(duì)準(zhǔn)300 hFE刻度線上,然后轉(zhuǎn)動(dòng)開(kāi)關(guān)到hFE位置,將要測(cè)的晶體管腳分別插入晶體管測(cè)試座的ebc管座內(nèi),指針偏轉(zhuǎn)所示數(shù)值約為晶體管的直流放大倍數(shù) 值.N型晶體管應(yīng)插入N型管孔內(nèi),P型晶體管應(yīng)
2017-08-23 13:57:15
的不同，結(jié)型和絕緣柵型各分溝道和P溝道兩種。若按導(dǎo)電方式來(lái)劃分，場(chǎng)效應(yīng)管又可分紅耗盡型與加強(qiáng)型。結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管均為耗盡型，絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管既有耗盡型的，也有加強(qiáng)型的。場(chǎng)效應(yīng)晶體管可分為結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管和MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管。而MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管又分為N溝耗盡型和加強(qiáng)型；P溝耗盡型和加強(qiáng)型四大類(lèi)。見(jiàn)下圖。
2018-10-29 22:20:31
編輯-Z場(chǎng)效應(yīng)晶體管是一種電壓控制器件，根據(jù)場(chǎng)效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)分為結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)（簡(jiǎn)稱(chēng)JFET）和絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)（簡(jiǎn)稱(chēng)MOSFET）兩大類(lèi)。按溝道材料：結(jié)型和絕緣柵型分為N溝道和P溝道。根據(jù)導(dǎo)電方式：耗盡型
2021-12-28 17:08:46
的分類(lèi)還沒(méi)結(jié)束，每種類(lèi)型的管子又可分為N型管和P型管，所以說(shuō)場(chǎng)效應(yīng)晶體管下面可以分為6種類(lèi)型的管子，分別是N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管、P溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管、N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管、P溝道增強(qiáng)型
2019-04-15 12:04:44
用NPN型功率晶體管擴(kuò)流的CW200集成穩(wěn)壓電源
2008-11-12 14:50:56
NPN晶體管的b處沒(méi)有電壓輸入時(shí)，c和e之間沒(méi)有電流流動(dòng)，三極管處于截止?fàn)顟B(tài)。在圖（b）中，當(dāng)正電壓輸入到NPN晶體管的b時(shí)，e的N區(qū)的負(fù)電子被b中P區(qū)的正電子吸引。 由于發(fā)電廠的作用，它們沖向（擴(kuò)散
2023-02-15 18:13:01
兩個(gè)N型半導(dǎo)體和一個(gè)P型半導(dǎo)體組成。通常，NPN晶體管將一塊P型硅（基極）夾在兩塊N型（集電極和發(fā)射極）之間。排列如圖1所示。NPN晶體管如何工作？以下是說(shuō)明NPN晶體管的基本原理和功能的主要描述。1
2023-02-08 15:19:23
一、引言PNP 晶體管是雙極結(jié)型晶體管（BJT）。PNP晶體管具有與NPN晶體管完全不同的結(jié)構(gòu)。在PNP晶體管結(jié)構(gòu)中，兩個(gè)PN結(jié)二極管相對(duì)于NPN晶體管反轉(zhuǎn)，使得兩個(gè)P型摻雜半導(dǎo)體材料被一層薄薄的N
2023-02-03 09:44:48
PNP雙極型晶體管的設(shè)計(jì)
2012-08-20 08:29:56
工作電壓的極性而可分為NPN型或PNP型。雙極結(jié)型晶體管 雙極結(jié)型晶體管（Bipolar Junction Transistor—BJT）又稱(chēng)為半導(dǎo)體三極管，它是通過(guò)一定的工藝將兩個(gè)PN結(jié)結(jié)
2010-08-13 11:36:51
路，包括矩形波振蕩器，射極跟隨器，寬帶放大器，電子電位器，OP放大器，帶自舉電路的射極跟隨器，Sallen-Key型低通濾波器，帶隙型穩(wěn)壓電路，三角波→正弦波變換器，低失真系數(shù)振蕩器，移相器，串聯(lián)調(diào)節(jié)器，斬波放大器等。 點(diǎn)擊鏈接進(jìn)入舊版 ：晶體管電路設(shè)計(jì)與制作
2020-08-19 18:24:17
本帖最后由 王棟春 于 2021-1-5 22:40 編輯
《晶體管電路設(shè)計(jì)與制作》是“圖解實(shí)用電子技術(shù)叢書(shū)”之一。本書(shū)首先對(duì)各種模擬電路的設(shè)計(jì)和制作進(jìn)行詳細(xì)敘述；然后利用可在微機(jī)
2021-01-05 22:38:36
源電流IDSS是指結(jié)型或耗盡型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管中，柵極電壓UGS＝0時(shí)的漏源電流。（2）夾斷電壓夾斷電壓UP是指結(jié)型或耗盡型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管中，使漏源間剛截止時(shí)的柵極電壓。如同4-25所示為N溝道
2019-04-04 10:59:27
??所謂晶體管是指用硅和鍺材料做成的半導(dǎo)體元器件，研制人員在為這種器件命名時(shí)，想到它的電阻變換特性，于是取名為trans-resister(轉(zhuǎn)換電阻)，后來(lái)縮寫(xiě)為transistor，中文譯名就是
2019-12-16 13:33:31
及其應(yīng)用。
什么是晶體管
晶體管是電子設(shè)備。它是通過(guò)p型和n型半導(dǎo)體制成的。當(dāng)半導(dǎo)體放置在相同類(lèi)型半導(dǎo)體之間的中心時(shí)，這種排列稱(chēng)為晶體管。我們可以說(shuō)晶體管是兩個(gè)二極管的組合，它是背靠背連接的。晶體管是一種
2023-08-02 12:26:53
有一個(gè)圖表代表一個(gè)電路，其目的是根據(jù)微控制器中編程的邏輯啟用/禁用兩個(gè)LED。在下面的電路中，據(jù)我所知，有兩個(gè)n型晶體管，它們分別有一個(gè)電阻連接它們的柵極和它們的源極。我的問(wèn)題是：為什么需要標(biāo)記電阻？（紅圈）
2018-08-21 10:35:11
互補(bǔ)晶體管的匹配
2019-10-30 09:02:03
制成的二極管、晶體管、場(chǎng)效應(yīng)晶體管、晶閘管等。晶體管大多是指晶體三極管。晶體管分為兩大類(lèi)：雙極晶體管（BJT）和場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET）。晶體管的結(jié)構(gòu)晶體管有三極：雙極晶體管的三極分別由N型和P型組成
2023-02-03 09:36:05
編輯-ZMOS管7N60一般為金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，或金屬-絕緣體-半導(dǎo)體。MOS管7N60的源極（source）和漏極（drain）是可以對(duì)調(diào)的，都是形成在P型背柵中的N型區(qū)。大多數(shù)
2021-12-01 16:39:41
二極管的管壓降0.5v左右，同樣也應(yīng)該可以測(cè)得到電阻一般為幾千歐以內(nèi)。1.2 如何判斷MOS管是N型還是P型?2. MOS管驅(qū)動(dòng)電路分析下面是常見(jiàn)的MOS管驅(qū)動(dòng)電路（1）二極管D1的作用是什么？二極管D1在驅(qū)動(dòng)信號(hào)是低電平時(shí)起到快速關(guān)斷的作用。一般在H橋驅(qū)動(dòng)電路中需要加此二極管起到“慢開(kāi)快關(guān)
2021-12-31 06:20:08
的區(qū)別。什么是PNP和NPN晶體管？晶體管是通過(guò)混合兩種不同類(lèi)型的半導(dǎo)體而創(chuàng)建的：n型和p型。電子給體原子由n型半導(dǎo)體攜帶。而電子受體原子由p型半導(dǎo)體（空穴）攜帶。NPN 晶體管NPN型晶體管由具有低
2023-02-03 09:50:59
本文將重點(diǎn)討論使用雙極性結(jié)型晶體管(BJT)和NMOS晶體管的穩(wěn)定電流源。穩(wěn)定電流源(BJT)目標(biāo)本實(shí)驗(yàn)旨在研究如何利用零增益概念來(lái)產(chǎn)生穩(wěn)定（對(duì)輸入電流電平的變化較不敏感）的輸出電流。材料
2021-11-01 09:53:18
的規(guī)則，則可以互換使用NPN和PNP晶體管。雙極晶體管實(shí)際上是兩個(gè)背靠背連接的二極管，基極用作公共連接。PNP 結(jié)點(diǎn)如何工作？PNP晶體管是由夾在兩個(gè)P型半導(dǎo)體之間的N型半導(dǎo)體組成的雙極結(jié)型晶體管
2023-02-03 09:45:56
導(dǎo)電，故稱(chēng)為單極型晶體管?！ 螛O型晶體管的工作原理 以N溝道增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管為例說(shuō)明其工作原理。N溝道增強(qiáng)型MOS管的結(jié)構(gòu)模型如圖1所示，它由兩個(gè)背靠背的PN結(jié)組成?！ D2是實(shí)際結(jié)構(gòu)
2020-06-24 16:00:16
“步”。有兩種類(lèi)型的步進(jìn)電機(jī)，單極型和雙極型晶體管，而且知道你正在使用哪種類(lèi)型是非常重要的。每種電機(jī)，都有一個(gè)不同的電路。示例代碼將控制兩種電機(jī)?？纯磫螛O性和雙極性電機(jī)的原理圖，和關(guān)于如何連接你的電...
2021-07-08 09:14:42
單結(jié)晶體管有一個(gè)PN結(jié)和三個(gè)電極，一個(gè)發(fā)射極和兩個(gè)基極，所以又稱(chēng)雙基極二極管。其結(jié)構(gòu)、等效電路及電路符號(hào)如下圖所示。a、單結(jié)晶體管的結(jié)構(gòu)；b、等效電路；c、電路符號(hào)它是在一塊高電阻率(低摻雜)的N型
2018-01-09 11:39:27
，是另一種固態(tài)三端設(shè)備，可用于柵極脈沖、定時(shí)電路和觸發(fā)發(fā)生器，用于交流功率控制型應(yīng)用中開(kāi)關(guān)和控制晶閘管和 triac。像二極管一樣，單結(jié)晶體管是由單獨(dú)的 p 型和 n 型半導(dǎo)體材料構(gòu)成的，在器件的主導(dǎo) n
2022-04-26 14:43:33
雙極型晶體管工作原理
2012-08-20 08:53:35
NPN型雙極性晶體管可以視為共用陽(yáng)極的兩個(gè)二極管接合在一起。在雙極性晶體管的正常工作狀態(tài)下，基極-發(fā)射極結(jié)（稱(chēng)這個(gè)PN結(jié)為“發(fā)射結(jié)”）處于正向偏置狀態(tài)，而基極-集電極（稱(chēng)這個(gè)PN結(jié)為“集電結(jié)”）則處于反向偏置狀態(tài)。
2019-09-26 09:00:23
放大，似于多路比較器的輸出，NPN型晶體管多發(fā)射極分別接到比較器的輸出端，集電極共用一路上拉電阻連接至電源，如果多路比較器有一路導(dǎo)通，則該多發(fā)射極晶體管集電極輸出導(dǎo)通拉低，電平為低電平。
不知是否是我理解的這樣？
2024-01-21 13:47:56
本帖最后由 godiszc 于 2012-8-3 21:54 編輯
場(chǎng)效應(yīng)晶體管是一種改變電場(chǎng)來(lái)控制固體材料導(dǎo)電能力的有源器件，屬于電壓控制性半導(dǎo)體器件，具有輸入電阻高，噪聲小，功耗低，沒(méi)有
2012-08-03 21:44:34
的，也有增強(qiáng)型的。 場(chǎng)效應(yīng)晶體管可分為結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管和MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管。而MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管又分為N溝耗盡型和增強(qiáng)型；P溝耗盡型和增強(qiáng)型四大類(lèi)。見(jiàn)下圖。二、場(chǎng)效應(yīng)三極管的型號(hào)命名方法 現(xiàn)行有兩種
2011-12-19 16:30:31
運(yùn)動(dòng)的少子擴(kuò)散引起的散粒噪聲，所以噪聲低。場(chǎng)效應(yīng)晶體管有哪幾種分類(lèi)場(chǎng)效應(yīng)管分為結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（JFET）和絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管（MOS管）兩大類(lèi)。按溝道材料型和絕緣柵型各分N溝道和P溝道兩種；按導(dǎo)電方式：耗盡
2019-05-08 09:26:37
音頻放大器的差分輸入電路及調(diào)制、較大、阻抗變換、穩(wěn)流、限流、自動(dòng)保護(hù)等電路，可選用結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管。音頻功率放大、開(kāi)關(guān)電源、逆變器、電源轉(zhuǎn)換器、鎮(zhèn)流器、充電器、電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)、繼電器驅(qū)動(dòng)等電路，可選
2021-05-13 07:10:20
場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor縮寫(xiě)(FET)）簡(jiǎn)稱(chēng)場(chǎng)效應(yīng)管。一般的晶體管是由兩種極性的載流子,即多數(shù)載流子和反極性的少數(shù)載流子參與導(dǎo)電,因此稱(chēng)為雙極型晶體管,而FET
2021-05-24 06:27:18
載流子導(dǎo)電，所以稱(chēng)之為單極型器件，而晶體管是即有多數(shù)載流子，也利用少數(shù)載流子導(dǎo)電。被稱(chēng)之為雙極型器件。（3）有些場(chǎng)效應(yīng)管的源極和漏極可以互換使用，柵壓也可正可負(fù)，靈活性比晶體管好。（4）場(chǎng)效應(yīng)管能在很小
2021-05-13 07:09:34
。（2）場(chǎng)效應(yīng)管是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電，所以稱(chēng)之為單極型器件，而晶體管是即有多數(shù)載流子，也利用少數(shù)載流子導(dǎo)電。被稱(chēng)之為雙極型器件。（3）有些場(chǎng)效應(yīng)管的源極和漏極可以互換使用，柵壓也可正可負(fù)，靈活性比晶體管
2017-05-06 15:56:51
）場(chǎng)效應(yīng)管是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電，所以稱(chēng)之為單極型器件，而晶體管是即有多數(shù)載流子，也利用少數(shù)載流子導(dǎo)電。被稱(chēng)之為雙極型器件。（3）有些場(chǎng)效應(yīng)管的源極和漏極可以互換使用，柵壓也可正可負(fù)，靈活性比晶體管
2009-04-25 15:43:51
）場(chǎng)效應(yīng)管是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電，所以稱(chēng)之為單極型器件，而晶體管是即有多數(shù)載流子，也利用少數(shù)載流子導(dǎo)電。被稱(chēng)之為雙極型器件。（4）場(chǎng)效應(yīng)管能在很小電流和很低電壓的條件下工作，而且它的制造工藝可以很方便地把很多場(chǎng)效應(yīng)管集成在一塊硅片上，因此場(chǎng)效應(yīng)管
2018-11-05 17:16:04
制作材料分，晶體管可分為鍺管和硅管兩種。 按極性分，三極管有PNP和NPN兩種，而二極管有P型和N型之分。多數(shù)國(guó)產(chǎn)管用xxx表示，其中每一位都有特定含義：如 3 A X 31，第一位3代表三極管，2
2012-07-11 11:36:52
場(chǎng)效應(yīng)晶體管和MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管。而MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管又分為N溝耗盡型和增強(qiáng)型；P溝耗盡型和增強(qiáng)型四大類(lèi)。見(jiàn)下圖。
2009-04-25 15:38:10
。對(duì)于NPN，它是灌電流?！ ∵_(dá)林頓晶體管開(kāi)關(guān) 這涉及使用多個(gè)開(kāi)關(guān)晶體管，因?yàn)橛袝r(shí)單個(gè)雙極晶體管的直流增益太低而無(wú)法切換負(fù)載電壓或電流。在配置中，一個(gè)小輸入雙極結(jié)型晶體管（BJT）晶體管參與打開(kāi)和關(guān)閉
2023-02-20 16:35:09
。場(chǎng)效應(yīng)晶體管是防護(hù)電壓的一種，可以被制造為增強(qiáng)型或者耗盡型，P溝道或N溝道共四種類(lèi)型，但實(shí)際應(yīng)用的只有增強(qiáng)型的N溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管和增強(qiáng)型的P溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管。實(shí)際應(yīng)用中，N場(chǎng)效應(yīng)晶體管居多。N溝道
2019-03-29 12:02:16
IGBT是由哪些部分組成的？絕緣柵雙極型晶體管IGBT有哪些特點(diǎn)？如何去使用絕緣柵雙極型晶體管IGBT呢？
2021-11-02 06:01:06
結(jié)型晶體管（BJT）和場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET）。前者是本次討論的重點(diǎn)?！ ‰p極結(jié)型晶體管的類(lèi)型 BJT安排有兩種基本類(lèi)型：NPN和PNP。這些名稱(chēng)是指構(gòu)成組件的P型（正極）和N型（負(fù)極）半導(dǎo)體材料
2023-02-17 18:07:22
明原先假定是正確的。再次測(cè)量的阻值均很小，說(shuō)明是正向電阻，屬于P溝道場(chǎng)效應(yīng)管，黑表筆所接觸的也是柵極G。若不出現(xiàn)上述情況，可以互換紅黑表筆，按上述方法進(jìn)測(cè)試，直至判別柵極爲(wèi)止。普通結(jié)型效應(yīng)晶體管的源極
2019-03-21 16:48:50
的開(kāi)關(guān)動(dòng)作關(guān)于數(shù)字晶體管的用語(yǔ)選定方法①使TR達(dá)到飽和的IC/IB的比率是IC/IB=20/1②輸入電阻：R1是±30% E-B間的電阻：R2/R1=±20%③VBE是0.55~0.75V數(shù)字晶體管具有
2019-04-09 21:49:36
選定方法①使TR達(dá)到飽和的IC/IB的比率是IC/IB=20/1②輸入電阻：R1是±30% E-B間的電阻：R2/R1=±20%③VBE是0.55~0.75V數(shù)字晶體管具有下面的關(guān)系式?！鰯?shù)字晶體管
2019-04-22 05:39:52
晶體管的半導(dǎo)體的電流由空穴（正極性）和電子（負(fù)極性）產(chǎn)生。一般而言的晶體管是指這種由硅構(gòu)成的晶體管。FETField Effect Transistor的簡(jiǎn)稱(chēng)，是指場(chǎng)效應(yīng)晶體管。有接合型FET和MOS型
2019-05-05 01:31:57
，LLC初級(jí)側(cè)電流ILr由次級(jí)側(cè)電流除以變壓器匝數(shù)比n和磁化電流ILm的疊加組成。磁化電流不會(huì)傳遞到輸出端，而是需要對(duì)晶體管的寄生輸出電容以及變壓器繞組內(nèi)和繞組間電容的組合放電，從而實(shí)現(xiàn)晶體管導(dǎo)通的零
2023-02-27 09:37:29
我想做一個(gè)晶體管功放電路，但是不知道怎么選晶體管型，然后有有些型號(hào)multisim里面又沒(méi)有，怎么仿真？求高手解答
2013-12-18 12:36:20
特性，我們將首先從GaN器件驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)開(kāi)始介紹。 正確設(shè)計(jì)驅(qū)動(dòng)電路 諸如英飛凌科技 CoolGaN?600 V HEMT之類(lèi)的GaN晶體管采用了柵極p型摻雜工藝，這會(huì)將器件的柵極閾值電壓轉(zhuǎn)換
2021-01-19 16:48:15
不導(dǎo)通。當(dāng)UA＞UG時(shí)，P1N1結(jié)正偏將發(fā)生空穴注入，P1N1P2N2結(jié)構(gòu)開(kāi)通，A-K間導(dǎo)通并出現(xiàn)負(fù)阻現(xiàn)象。其過(guò)程及伏安特性與單結(jié)晶體管十分相似，區(qū)別僅在于：?jiǎn)谓Y(jié)晶體管的負(fù)阻特性出現(xiàn)在E-B1之間，而
2018-01-22 15:23:21
2000一5000（α＝0.995-0.9998）。 是以P型襯底作為集電極，因此只有集成元器件之間采用PN結(jié)隔離槽的集成電路才能制作這種結(jié)構(gòu)的管子。由于這種結(jié)構(gòu)管子的載流子是沿著晶體管斷面的垂直
2019-04-30 06:00:00
絕緣柵雙極型晶體管檢測(cè)方法
2009-12-10 17:18:39
絕緣柵極雙極性晶體管(IGBT)是適用于高壓應(yīng)用的經(jīng)濟(jì)高效型解決方案，如車(chē)載充電器、非車(chē)載充電器、DC-DC快速充電器、開(kāi)關(guān)模式電源(SMPS)應(yīng)用。開(kāi)關(guān)頻率范圍：直流至100 kHz。IGBT可以
2020-10-27 09:07:21
場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor, FET）簡(jiǎn)稱(chēng)場(chǎng)效應(yīng)管，是一種由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電的半導(dǎo)體器件，也稱(chēng)為單極型晶體管，它主要分型場(chǎng)效應(yīng)管（Junction FET
2023-02-10 15:58:00
請(qǐng)問(wèn)BJT工藝的線性穩(wěn)壓源為什么多是PNP型晶體管呢？
2023-03-31 11:56:49
沒(méi)事看看了電力電子，看到這個(gè)原理圖，有點(diǎn)迷糊了，按圖所示，如果集電極C處為N型半導(dǎo)體，按照?qǐng)D中來(lái)C極應(yīng)該接負(fù)極才對(duì)呀？為什么還接正極？這樣如何導(dǎo)通？有沒(méi)有大神指導(dǎo)下GTR的雙晶體管模型是什么樣的？
2020-06-11 09:03:42
本帖最后由 一只耳朵怪 于 2018-6-1 09:25 編輯
請(qǐng)問(wèn)各大大有無(wú) Multisim 14 基本晶體管模型數(shù)據(jù)庫(kù)以外,更多更多晶體管模型數(shù)據(jù)庫(kù) ,(例如日本型號(hào) 2SAxxx 2SCxxx 晶體管模型數(shù)據(jù)庫(kù)) 下載.如能幫忙非常感謝
2018-05-31 18:21:56
保護(hù)的二極管必須選用快速恢復(fù)型二極管，以保證二極管能夠迅速反應(yīng)得以保護(hù)晶體管。對(duì)于二極管的耐壓要求，一般其截止電壓為開(kāi)關(guān)晶體管C-E間電壓的2倍。 2、RC阻尼電路 圖二 圖二中，在晶體管關(guān)斷
2020-11-26 17:26:39
是溝道區(qū)，n+區(qū)是漏區(qū)。對(duì)于p型TFET來(lái)說(shuō)，p+區(qū)是漏區(qū)，i區(qū)是溝道區(qū)，n+區(qū)是源區(qū)。漏極電壓用Vd表示，柵極電壓用Vs表示，柵極電壓用Vg表示。隧穿場(chǎng)效應(yīng)晶體管是什么----隧穿場(chǎng)效應(yīng)晶體管工作原理隧
2018-10-19 11:08:33
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