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電子發(fā)燒友網(wǎng)>制造/封裝>電子技術(shù)>關(guān)于SiC和GaN的一些技術(shù)比較

關(guān)于SiC和GaN的一些技術(shù)比較

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2012-11-29 19:55:32

記錄一些關(guān)于電路設(shè)計(jì)上的一些知識(shí)

首先我說(shuō)下,這篇文章不是系統(tǒng)地講述某個(gè)電路設(shè)計(jì),而是為了記錄一些關(guān)于電路設(shè)計(jì)上的一些知識(shí),方便我查看。電源設(shè)計(jì)輸出端采用了常見的電容去耦方法,一大一小兩電容(相差兩個(gè)數(shù)量級(jí))。(目的:降低電源噪聲
2021-11-11 06:48:22

請(qǐng)教一些關(guān)于CC2541F256這顆芯片的一些問題

請(qǐng)教一些關(guān)于CC2541F256這顆芯片的一些問題。 1、該芯片是使用32M的外部晶振作為時(shí)鐘倍頻到2.4G作為藍(lán)牙信號(hào)發(fā)射出去,我們的整機(jī)做了500套發(fā)現(xiàn)所有整機(jī)頻率有偏移,落在-20KHZ到
2021-08-02 11:44:05

請(qǐng)教關(guān)于GAL的一些問題

次在論壇發(fā)帖,心里有點(diǎn)激動(dòng),剛看過論壇的名人堂,這里真是高手云集,反觀自己,真是只不折不扣的菜鳥。所以來(lái)請(qǐng)教一些問題。最近在看關(guān)于全數(shù)字鎖相環(huán)的資料,不知道有沒有前輩研究過,般的鎖相環(huán)電路
2012-10-31 10:07:36

請(qǐng)問SiCGaN具有的優(yōu)勢(shì)主要有哪些

請(qǐng)問SiCGaN具有的優(yōu)勢(shì)主要有哪些?
2021-08-03 07:34:15

適用于5G毫米波頻段等應(yīng)用的新興SiCGaN半導(dǎo)體技術(shù)

  本文介紹了適用于5G毫米波頻段等應(yīng)用的新興SiCGaN半導(dǎo)體技術(shù)。通過兩個(gè)例子展示了采用這種GaN工藝設(shè)計(jì)的MMIC的性能:Ka頻段(29.5至36GHz)10W的PA和面向5G應(yīng)用的24至
2020-12-21 07:09:34

驅(qū)動(dòng)新SiC/GaN功率轉(zhuǎn)換器的IC生態(tài)系統(tǒng)

Stefano GallinaroADI公司各種應(yīng)用的功率轉(zhuǎn)換器正從純硅IGBT轉(zhuǎn)向SiC/GaN MOSFET。一些市場(chǎng)(比如電機(jī)驅(qū)動(dòng)逆變器市場(chǎng))采用新技術(shù)的速度較慢,而另一些市場(chǎng)(比如太陽(yáng)能
2018-10-22 17:01:41

SiC上沉積的GaN最新技術(shù)

為什么GaN可以在市場(chǎng)中取得主導(dǎo)地位?簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō),相比LDMOS硅技術(shù)而言,GaN這一材料技術(shù),大大提升了效率和功率密度。
2011-12-01 10:13:101513

PEC-電力電子帶你看SiCGaN技術(shù)與發(fā)展展望

據(jù)權(quán)威媒體分析,SiCGaN器件將大舉進(jìn)入電力電子市場(chǎng),預(yù)計(jì)到2020年,SiCGaN功率器件將分別獲得14%和8%市場(chǎng)份額。未來(lái)電力電子元器件市場(chǎng)發(fā)展將更多地集中到SiCGaN技術(shù)創(chuàng)新上。
2013-09-18 10:13:112464

采用GaNSiC技術(shù)的新一代半橋逆變器的性能分析

新一代逆變器採(cǎi)用GaNSiC等先進(jìn)開關(guān)技術(shù)。寬帶隙功率開關(guān),具有更出色的功效、更高的功率密度、更小巧的外形和更輕的重量,通過提高開關(guān)頻率來(lái)實(shí)現(xiàn)。
2019-07-25 06:05:001892

采用GaNSiC先進(jìn)開關(guān)技術(shù)的逆變器

新一代逆變器采用GaNSiC等先進(jìn)開關(guān)技術(shù)。寬帶隙功率開關(guān),具有更出色的功效、更高的功率密度、更小巧的外形和更輕的重量,通過提高開關(guān)頻率來(lái)實(shí)現(xiàn)。
2019-06-21 06:16:002723

GaNSiC功率器件的基礎(chǔ)知識(shí)

在基本半導(dǎo)體特性(帶隙、臨界電場(chǎng)和電子遷移率)的材料比較中,GaN 被證明是一種優(yōu)異的材料?!癝i 的帶隙略高于一個(gè)電子伏特,臨界電子場(chǎng)為 0.23 MV/cm,而 GaN 的電子遷移率和帶隙更寬
2022-08-03 08:04:292748

SiCGaN,會(huì)把硅功率器件趕出歷史舞臺(tái)?

云計(jì)算、虛擬宇宙的大型數(shù)據(jù)中心以及新型智能手機(jī)等各種小型電子設(shè)備將繼續(xù)投資。SiCGaN 都可以提供更小的尺寸和更低的熱/功耗,但它們成為標(biāo)準(zhǔn)技術(shù)還需要一些時(shí)間。
2023-01-11 14:23:18348

GaNSiC功率器件的特點(diǎn) GaNSiC技術(shù)挑戰(zhàn)

 SiCGaN被稱為“寬帶隙半導(dǎo)體”(WBG),因?yàn)閷⑦@些材料的電子從價(jià)帶炸毀到導(dǎo)帶所需的能量:而在硅的情況下,該能量為1.1eV,SiC(碳化硅)為3.3eV,GaN(氮化鎵)為3.4eV。這導(dǎo)致了更高的適用擊穿電壓,在某些應(yīng)用中可以達(dá)到1200-1700V。
2023-08-09 10:23:39431

SiCGaN 的興起與未來(lái) .zip

SiCGaN的興起與未來(lái)
2023-01-13 09:06:226

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