2G信號(hào)放大器：提升通信質(zhì)量的利器？|深圳市特信電子有限公司2G信號(hào)放大器是一種用于增強(qiáng)2G網(wǎng)絡(luò)信號(hào)的設(shè)備，能夠有效提升手機(jī)信號(hào)覆蓋范圍和通話(huà)質(zhì)量。在如今普遍普及的移動(dòng)通信時(shí)代，信號(hào)放大器的作用愈發(fā)
2024-03-22 09:06:38
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《完整的DDR2、DDR3和DDR3L內(nèi)存電源解決方案同步降壓控制器TPS51216數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-13 13:58:12
0 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《適用于DDR2、DDR3、DDR3L和DDR4且具有VTTREF緩沖基準(zhǔn)的TPS51206 2A峰值灌電流/拉電流DDR終端穩(wěn)壓器數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-13 13:53:030 該內(nèi)存速度高達(dá)5600MT/s，并可同時(shí)兼容5200和4800 MT/s。據(jù)詳情頁(yè)介紹，其工作電壓僅為1.1V，相較于DDR4 3200內(nèi)存，性能提升幅度為1.5倍，且將于本月底開(kāi)始出貨。
2024-03-13 11:43:05
89 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《具有同步降壓控制器、2A LDO和緩沖基準(zhǔn)的TPS51916完整DDR2、DDR3、DDR3L和DDR4存儲(chǔ)器電源解決方案數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-13 11:24:340 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《具有同步降壓控制器、2A LDO和緩沖基準(zhǔn)的TPS51716完整DDR2、DDR3、DDR3L、LPDDR3和DDR4內(nèi)存電源解決方案數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-13 11:13:440 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《完整的DDR、DDR2和DDR3內(nèi)存電源解決方案同步降壓控制器數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-13 10:16:450 此代碼示例說(shuō)明如何使用 UART 將 TRAVEOTM T 2G 設(shè)備從深度睡眠中喚醒。 在活動(dòng)模式下，TRAVEOTM T 2G 設(shè)備通過(guò) UART 接收數(shù)據(jù)并回顯接收到的數(shù)據(jù)。 MCU 在接收
2024-01-31 06:08:32
和2個(gè)FTC310核，其中FTC664核主頻可達(dá)1.8GHz，F(xiàn)TC310核主頻可達(dá)1.5GHz。主板板載64位 DDR4內(nèi)存，分2G和4G兩個(gè)版本，支持SD或者eMMC外部存儲(chǔ)。主板板載WiFi藍(lán)牙
2024-01-22 00:47:47
四大特點(diǎn)。
根據(jù)飛騰公布的參數(shù)顯示，飛騰派的CPU采用的是飛騰四核處理器，兼容ARM v8指令集，兩顆1.8GHz的FTC664和兩顆1.5GHz的FTC310，64位DDR內(nèi)存，且分為2G版本和4G
2024-01-22 00:34:27
，其中 FTC664 核主頻可達(dá) 1.8GHz，F(xiàn)TC310 核主頻可達(dá) 1.5GHz。主板板載 64 位 DDR4 內(nèi)存，有 2G 和 4G 兩個(gè)版本，支持 SD 或者 eMMC 外部存儲(chǔ)。主板板載
2024-01-13 22:02:08
DDR6和DDR5內(nèi)存的區(qū)別有多大？怎么選擇更好？ DDR6和DDR5是兩種不同的內(nèi)存技術(shù)，它們各自在性能、功耗、帶寬等方面都有不同的特點(diǎn)。下面將詳細(xì)比較這兩種內(nèi)存技術(shù)，以幫助你選擇更適合
2024-01-12 16:43:052848 硬件世界拉斯維加斯現(xiàn)場(chǎng)報(bào)道：CES 2024大展期間，雷克沙帶來(lái)了豐富的存儲(chǔ)方案，涵蓋SSD、內(nèi)存、存儲(chǔ)卡等，包括頂級(jí)的PCIe 5.0 SSD、DDR5高頻內(nèi)存。
2024-01-12 10:32:27282 
DDR2 內(nèi)存空間，中間要是錯(cuò)了一個(gè) Bytes，進(jìn)異常了問(wèn)題都不好找，不知道有沒(méi)有大佬遇見(jiàn)過(guò)類(lèi)似的問(wèn)題
以下是 G2D 初始化代碼：
2024-01-04 21:56:29
關(guān)于2023年第三季度毛利率增長(zhǎng)原因，瀾起科技指出，主要是因?yàn)?DDR5內(nèi)存接口芯片出貨量占比提升，特別是 DDR5 第二子代 RCD 芯片出貨量及其占比顯著提升。
2024-01-03 13:52:11270 國(guó)產(chǎn)高性能、低功耗通用計(jì)算微處理器的設(shè)計(jì)研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化推廣。飛騰派是一款面向行業(yè)工程師、學(xué)生和愛(ài)好者的開(kāi)源硬件，采用飛騰嵌入式四核處理器，兼容ARM V8架構(gòu)，板載64位 DDR4內(nèi)存，分為2G和4G兩個(gè)版本
2024-01-02 22:43:09
FTC310核，其中FTC664核主頻可達(dá)1.8GHz，F(xiàn)TC310核主頻可達(dá)1.5GHz。主板板載64位 DDR4內(nèi)存，分2G和4G兩個(gè)版本，支持SD或者eMMC外部存儲(chǔ)。主板板載WiFi藍(lán)牙，陶瓷天線
2024-01-02 22:23:36
在最為重要的內(nèi)存顆粒上，根據(jù)軟件檢測(cè)，這款內(nèi)存采用了編號(hào)為“H5CG48AEBDX018”的SK海力士A-die顆粒，與市面上大部分DDR5 7600、DDR5 8000等高速率內(nèi)存使用的顆粒相同，這也意味著該內(nèi)存可能具備優(yōu)秀的超頻潛力。
2024-01-02 14:37:01192 
在DDR4年代，芝奇與阿斯加特成功完成逆襲，從原先的落落無(wú)名轉(zhuǎn)變?yōu)槿缃袷艿綇V大DIY玩家追捧的內(nèi)存廠商。
2023-12-29 10:41:00247 
時(shí)鐘頻率：可通過(guò)倍頻技術(shù)升級(jí)的核心頻率。時(shí)鐘頻率可以理解為IO Buffer的實(shí)際工作頻率，DDR2中時(shí)鐘頻率為核心頻率的2倍，DDR3 DDR4中時(shí)鐘頻率為核心頻率的4倍。
2023-12-25 18:18:471188 
的引腳介紹
DDR內(nèi)存條的引腳數(shù)，取決于內(nèi)存條的類(lèi)型和規(guī)格。以下是一些常見(jiàn)的 DDR內(nèi)存條類(lèi)型和它們的引腳數(shù) ：
DDR1內(nèi)存條，184引腳（92針對(duì)每側(cè)）
DDR2內(nèi)存條，240引腳（120針對(duì)每側(cè)
2023-12-25 14:02:58
的引腳介紹
DDR內(nèi)存條的引腳數(shù)，取決于內(nèi)存條的類(lèi)型和規(guī)格。以下是一些常見(jiàn)的 DDR內(nèi)存條類(lèi)型和它們的引腳數(shù) ：
DDR1內(nèi)存條，184引腳（92針對(duì)每側(cè)）
DDR2內(nèi)存條，240引腳（120針對(duì)每側(cè)
2023-12-25 13:58:55
請(qǐng)問(wèn)FM350-2可以帶8路增量式編碼器采集速度嗎? FM350-2是8 通道智能計(jì)數(shù)器模塊,我想用來(lái)采集8路增量式編碼器,采用速度測(cè)量模式來(lái)得到轉(zhuǎn)速信號(hào),請(qǐng)問(wèn)各位高手,可以實(shí)現(xiàn)嗎?
2023-12-20 08:19:17
通過(guò)在時(shí)鐘上升沿和下降沿的同時(shí)傳輸數(shù)據(jù)，實(shí)現(xiàn)了比傳統(tǒng)SDRAM更高的傳輸速率。目前，市場(chǎng)上主要有DDR、DDR2、DDR3、DDR4等幾代DDR內(nèi)存。
2023-12-11 09:27:49320 ，其中 FTC664 核主頻可達(dá) 1.8GHz，F(xiàn)TC310 核主頻可達(dá) 1.5GHz。
板載 64 位 DDR4 內(nèi)存，有 2G 和 4G 兩個(gè)版本，支持 SD 或者 eMMC 外部存儲(chǔ)。主板板載
2023-12-10 21:27:03
追風(fēng)A60采用新一代DDR5內(nèi)存規(guī)格，相較DDR4，性能提升接近1倍。高配6000MHz頻率實(shí)現(xiàn)DDR4 3200MHz的1.6倍傳輸速度和1.9倍傳輸帶寬，讓用戶(hù)在使用臺(tái)電內(nèi)存條時(shí)獲得更快速、更流暢的電腦體驗(yàn)。
2023-12-05 15:52:49403 
為滿(mǎn)足對(duì)高效內(nèi)存性能日益增長(zhǎng)的需求，DDR5相比其前身DDR4實(shí)現(xiàn)了性能的大幅提升，具體為傳輸速度更快、能耗更低、穩(wěn)定性提高、內(nèi)存密度更大和存取效率提高等。
2023-12-05 10:50:40211 
香蕉派BPI-R3 Mini路由器板開(kāi)發(fā)板采用聯(lián)發(fā)科MT7986A(Filogic 830)四核ARM A53芯片設(shè)計(jì)，板載2G DDR 內(nèi)存，8G eMMC和128MB SPI NAND存儲(chǔ)
2023-11-30 16:06:19
香蕉派 BPI-M4 Zero是BPI-M2 Zero的最新升級(jí)版本。它在性能上有很大的提高。主控芯片升級(jí)為全志科技H618 四核A53, CPU主頻提升25%。內(nèi)存升級(jí)為2G
2023-11-30 15:46:09
DDR4和DDR3內(nèi)存都有哪些區(qū)別？ 隨著計(jì)算機(jī)的日益發(fā)展，內(nèi)存也越來(lái)越重要。DDR3和DDR4是兩種用于計(jì)算機(jī)內(nèi)存的標(biāo)準(zhǔn)。隨著DDR4內(nèi)存的逐漸普及，更多的人開(kāi)始對(duì)兩者有了更多的關(guān)注。 DDR
2023-10-30 09:22:003885 飛騰派是由飛騰攜手中電港螢火工場(chǎng)研發(fā)的一款面向行業(yè)工程師、學(xué)生和愛(ài)好者的開(kāi)源硬件，采用飛騰嵌入式四核處理器，兼容ARM V8架構(gòu)，板載64位 DDR4內(nèi)存，分為2G和4G兩個(gè)版本。主板板載WiFi
2023-10-25 11:44:22
。
關(guān)鍵特性
全志H618，四核ARM Cortex?-A53處理器
ARM Mali G31圖形處理器
WIFI & 藍(lán)牙
2G LPDDR4 RAM
8G eMMC閃存
1x
2023-10-08 15:25:13
摘要：本文將對(duì)DDR3和DDR4兩種內(nèi)存技術(shù)進(jìn)行詳細(xì)的比較，分析它們的技術(shù)特性、性能差異以及適用場(chǎng)景。通過(guò)對(duì)比這兩種內(nèi)存技術(shù)，為讀者在購(gòu)買(mǎi)和使用內(nèi)存產(chǎn)品時(shí)提供參考依據(jù)。
2023-09-27 17:42:101088 我們?cè)谫I(mǎi)DDR內(nèi)存條的時(shí)候，經(jīng)常會(huì)看到這樣的標(biāo)簽DDR3-1066、DDR3-2400等，這些名稱(chēng)都有什么含義嗎？請(qǐng)看下表。
2023-09-26 11:35:331922 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《具有最大1Gb DDR2 SDRAM的SAMA5D2 SIP MPU.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-09-25 10:11:120 相對(duì)于DDR3, DDR4首先在外表上就有一些變化，比如DDR4將內(nèi)存下部設(shè)計(jì)為中間稍微突出，邊緣變矮的形狀，在中央的高點(diǎn)和兩端的低點(diǎn)以平滑曲線過(guò)渡，這樣的設(shè)計(jì)可以保證金手指和內(nèi)存插槽有足夠的接觸面
2023-09-19 14:49:441478 
在全默認(rèn)設(shè)置的情況下，影馳HOF OC Lab幻跡S DDR5 8000內(nèi)存的工作速率為DDR5 4800，延遲設(shè)定為40-40-40-76，因此在這個(gè)設(shè)置下它的內(nèi)存性能并不突出，與普通的DDR5 4800內(nèi)存相當(dāng)。
2023-09-15 10:40:42750 
：ArmSoM P2 Pro 物聯(lián)網(wǎng)開(kāi)發(fā)板評(píng)測(cè)，支持PoE供電[]()
硬件說(shuō)明
SoC 旁邊是 512 MB DDR3 內(nèi)存。規(guī)格表明SoC的DDR接口支持DDR2、LPDDR2和DDR3內(nèi)存
2023-09-13 12:21:21
PL341內(nèi)存控制器是一款高性能、面積優(yōu)化的DDR2 SDRAM內(nèi)存控制器，兼容高級(jí)微控制器總線架構(gòu)(AMBA)AXI協(xié)議。
有關(guān)AXI協(xié)議的詳細(xì)說(shuō)明，請(qǐng)參閱AMBA AXI協(xié)議規(guī)范。
本節(jié)總結(jié)了周期模型的功能與硬件的功能，以及周期模型的性能和準(zhǔn)確性。
2023-08-12 06:01:49
DDR5的主板不支持使用DDR4內(nèi)存。DDR5（第五代雙倍數(shù)據(jù)率）和DDR4（第四代雙倍數(shù)據(jù)率）是兩種不同規(guī)格的內(nèi)存技術(shù)，它們?cè)陔姎馓匦院鸵_布局上存在明顯差異。因此，DDR5內(nèi)存模塊無(wú)法插入DDR4主板插槽中，也不兼容DDR4內(nèi)存控制器。
2023-08-09 15:36:2512789 CoreLink DDR2動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器控制器(DMC-341)技術(shù)參考手冊(cè)
2023-08-02 15:28:28
隨著制程工藝的進(jìn)步，DRAM內(nèi)存芯片也面臨著CPU/GPU一樣的微縮難題，解決辦法就是上EUV光刻機(jī)，但是設(shè)備實(shí)在太貴，現(xiàn)在還要榨干DUV工藝最后一滴，DDR5內(nèi)存有望實(shí)現(xiàn)單條1TB。
2023-07-31 17:37:07875 
/存儲(chǔ)：2 GB DDR4 SDRAM128MB SPI 閃存板載 8GB eMMC
連接性：2 個(gè) 2.5GbE 以太網(wǎng)端口Wi-Fi 6 4×4 2.4G Wi-Fi (MT7975N) + 4×4
2023-07-29 12:42:32
解一下米爾瑞薩RZ/G2L開(kāi)發(fā)板的核心板：
MYC-YG2LX核心板采用高密度高速電路板設(shè)計(jì)，在大小為43mm*45mm的板卡上集成了RZ/G2L、DDR4、eMMC、E2PROM、PMIC電源管理等電路
2023-07-29 00:21:11
DDR是運(yùn)行內(nèi)存芯片，其運(yùn)行頻率主要有100MHz、133MHz、166MHz三種，由于DDR內(nèi)存具有雙倍速率傳輸數(shù)據(jù)的特性，因此在DDR內(nèi)存的標(biāo)識(shí)上采用了工作頻率×2的方法。 ? DDR芯片
2023-07-28 13:12:061877 
DDR是Double Data Rate的縮寫(xiě)，即“雙倍速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器”。DDR是一種技術(shù)，中國(guó)大陸工程師習(xí)慣用DDR稱(chēng)呼用了DDR技術(shù)的SDRAM，而在中國(guó)臺(tái)灣以及歐美，工程師習(xí)慣用DRAM來(lái)稱(chēng)呼。
2023-07-16 15:27:103362 
今天我們測(cè)試的這款芝奇幻鋒戟Z5 RGB DDR5內(nèi)存，在1.35V的電壓上就上到了7200MHz高頻，時(shí)序也控制在CL36-46-46-115 CR2，并且單條容量達(dá)到了24GB。
2023-06-26 10:39:41869 
本設(shè)計(jì)筆記顯示了用于工作站和服務(wù)器的高速內(nèi)存系統(tǒng)的雙倍數(shù)據(jù)速率 （DDR） 同步 DRAM （SDRAM）。使用MAX1864 xDSL/電纜調(diào)制解調(diào)器電源，電路產(chǎn)生等于并跟蹤VREF的終止電壓（VTT）。
2023-06-26 10:34:36549 
這里介紹兩種方式改善帶有ECC的奇數(shù)負(fù)載的DDR2信號(hào)質(zhì)量。一種不需要改變拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，另一種需要對(duì)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)進(jìn)行調(diào)整。
2023-06-15 17:39:34474 
★ DDR內(nèi)存條治具六大特點(diǎn) 有哪些呢？
讓凱智通小編為你解答~
①通用性高：只需換顆粒限位框，即可測(cè)試尺寸不同的顆粒；
②操作省力方便：采用手動(dòng)翻蓋滾軸式結(jié)構(gòu)，相比同類(lèi)產(chǎn)品減少磨損，達(dá)到更高的機(jī)械
2023-06-15 15:45:22
我嘗試使用S32DS 3.5的DDR驗(yàn)證工具測(cè)試S32G274A-RDB2板，但顯示串行連接存在通信問(wèn)題。
這些問(wèn)題應(yīng)該如何解決？
2023-06-05 07:16:27
和筆記本。內(nèi)存模組的類(lèi)型決定了所需的內(nèi)存接口芯片和內(nèi)存模組配套芯片。 ? ? ? 內(nèi)存進(jìn)入 DDR5 新世代，標(biāo)準(zhǔn)升級(jí)拉動(dòng)相關(guān)芯片需求。與 DDR4 相比， DDR5 的優(yōu)勢(shì)可簡(jiǎn)單地概括為： （ 1）速度
2023-05-29 14:07:381359 
大家好，
請(qǐng)幫助我了解 S32G2 是否支持雙內(nèi)存進(jìn)行 OTA 更新?；旧显谶@里我們期待雙分區(qū)。
2023-05-29 08:51:39
、時(shí)序和可編程參數(shù)。DFI 適用于所有 DRAM 協(xié)議，包括 DDR4、DDR3、DDR2、DDR、LPDDR4、LPDDR3、LPDDR2 和 LPDDR。
2023-05-26 15:27:314564 
S32G3開(kāi)發(fā)板上使用的ddr芯片是micro MT53E1G32D2FW-046 AUT: B
但是我們的開(kāi)發(fā)板使用的是三星的芯片（K4FBE3D4HM THCL）。
如何查看 S32G3 支持的 DDR 芯片？。以及如何支持新的DDR芯片？
2023-05-23 07:15:48
我對(duì)從 S32G274A 控制 Micron MT35XU512ABA QSPI 串行 NOR 閃存感到頭疼。
該板是定制板（不是 NXP RDB2 或 EVP 之一）。
我使用 NXP
2023-05-18 08:48:37
感謝
感謝電子發(fā)燒友論壇、感謝米爾電子，把米爾瑞薩RZ/G2L開(kāi)發(fā)板試用話(huà)動(dòng)的機(jī)會(huì)給了我。雖然周五就收到了開(kāi)發(fā)板，但是由于復(fù)陽(yáng)了，為了能及時(shí)的完成試用活動(dòng)，所以今天努力的爬起來(lái)完成開(kāi)箱報(bào)告。
開(kāi)箱
2023-05-14 19:41:46
我嘗試將 MPC5748G（硅版本 1N81M）與 freemaster 版本 3.0.2.6 一起使用，并帶有選項(xiàng)“BDM 連接 Nexus2+ 內(nèi)存訪問(wèn)”。我使用 PE micro
2023-05-12 08:19:46
我正在尋找 S32G2 中內(nèi)存映射系統(tǒng)計(jì)數(shù)器的地址。
Armv8 參考手冊(cè)（DDI 0487H.a，D7 章，尤其是 D7.1.2 節(jié)）提供了系統(tǒng)計(jì)數(shù)器的定義。引用其中的一點(diǎn)：
通用
2023-05-12 06:18:27
應(yīng)用處理器
ARM Cortex的高級(jí)實(shí)現(xiàn)?-A8核心，針對(duì)最低功耗進(jìn)行了優(yōu)化。
i.MX53xD處理器采用ARM Cortex?-A8核心，其工作時(shí)鐘速度高達(dá)1.2千兆赫。
它提供DDR2
2023-05-11 11:04:19
錄像機(jī) NVR/XVR 芯片方案
核心板： 提供連接器與郵票孔兩種，商業(yè)級(jí)2G、商業(yè)級(jí)4G、商業(yè)級(jí)8G工業(yè)級(jí)2G、工業(yè)級(jí)4G、國(guó)產(chǎn)化工業(yè)級(jí)2G多種核心板引腳兼容，適用于同一底板，產(chǎn)品升級(jí)自如，適用于各個(gè)
2023-05-10 10:58:28
DDR4內(nèi)存模塊支持單個(gè)64位通道(如果考慮ECC，則為72位通道)。相比之下，DDR5內(nèi)存模塊配備了兩個(gè)獨(dú)立的32位通道(40位ECC)。
2023-05-08 10:27:441330 內(nèi)存是數(shù)據(jù)中心、服務(wù)器以及個(gè)人計(jì)算機(jī)等技術(shù)發(fā)展的重要組成。目前內(nèi)存的發(fā)展是由DDR技術(shù)路線引導(dǎo)，TE Connectivity(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“TE”)經(jīng)歷了DDR1、DDR2、DDR3、DDR4的迭代
2023-05-06 17:33:421392 
我有一塊使用基于 i.MX8QM MEK 板的 i.MX8QM 的板。我使用了 2 x MT53D512M32D2（總計(jì) 4GB DDR 內(nèi)存）并且它可以正常工作。
現(xiàn)在我想把內(nèi)存加倍到 8GB。我
2023-05-04 06:39:14
我正在嘗試從 Integration_Reference_Examples_S32G2_2023_01 編譯 Bootloader_S32G2XX_ASR_4.4_M7 項(xiàng)目。在 Eb Tresos
2023-04-11 09:02:06
ls1046a ddr 內(nèi)存 8G 升級(jí)到 16G 硬件和軟件需要哪些改動(dòng) ..?
2023-04-10 06:21:57
社會(huì)：ls1043aDDR：MT40A2G8VA-062E：B，x5，4 個(gè)用于 8GB，1 個(gè)用于 ECC。我使用 CW 獲取配置文件： 我嘗試了兩個(gè)文件來(lái)生成 img他們都在 BL2 運(yùn)行時(shí)遇到問(wèn)題：使用 (0-2GB) DDR 數(shù)據(jù)顯示不正確：（寫(xiě)入≠讀取） 我該如何解決？謝謝
2023-04-07 06:44:48
DDR內(nèi)存1代已經(jīng)淡出市場(chǎng)，直接學(xué)習(xí)DDR3 SDRAM感覺(jué)有點(diǎn)跳躍；如下是DDR1、DDR2以及DDR3之間的對(duì)比。
2023-04-04 17:08:472867 
]: 無(wú)法打開(kāi) pfe_ddr: 2 ERR[ hw/s32g/pfe_platform_master.c:1623]：無(wú)法獲取 BMU2 池內(nèi)存ERR[src/pfe_drv.c:1456]：無(wú)法初始化
2023-04-03 08:23:52
我們使用 10*MT40A1G16 獲得 16GB 內(nèi)存，一個(gè) ddr 控制器連接 8GB。三個(gè)問(wèn)題：1)在codewarrior ddr config上，我們應(yīng)該選擇什么dram類(lèi)型？NoDimm
2023-04-03 07:24:21
大家好，請(qǐng)問(wèn)大家知道如何在SDK1.9中修改U-Boot for P2020的2G DRAM大小嗎？我嘗試更改p1_p2_rdb_pc.h，但是uboot 無(wú)法運(yùn)行，見(jiàn)日志如下。還有一個(gè)
2023-04-03 06:40:26
IP CORE DDR2 SDRAM XO2
2023-03-30 12:02:09
SITE LICENSE DDR2 SDRAM ECP3
2023-03-30 12:01:46
SITE LICENSE DDR2 SDRAM ECP2
2023-03-30 12:01:46
SITE LICENSE DDR2 SDRAM ECP2M
2023-03-30 12:01:46
IP CORE DDR2 SDRAM XO2
2023-03-30 12:01:19
IP CORE DDR2 SDRAM CTLR ECP2M
2023-03-30 12:01:17
IP CORE DDR2 SDRAM CTLR ECP3
2023-03-30 12:01:16
IP CORE DDR2 SDRAM CTLR ECP2
2023-03-30 12:01:16
IP CORE DDR2 SDRAM CTLR SC/SCM
2023-03-30 12:01:16
的操作，但我仍然無(wú)法訪問(wèn)內(nèi)存區(qū)域。我是如何一步一步粗略地做到這一點(diǎn)的：初始化 DDR 控制器 1 和 2 -> 為每個(gè)控制器開(kāi)啟 TZC 網(wǎng)守 -> 應(yīng)用內(nèi)存區(qū)域信息 -> 設(shè)置操作
2023-03-29 07:58:56
基于全志科技D1-H芯片定制的AIoT開(kāi)發(fā)板，是全球首款支持64bit RISC-V指令集并支持Linux系統(tǒng)的可量產(chǎn)開(kāi)發(fā)板
2023-03-28 12:58:34
我一直在研究 BL2 上的 DDR 驅(qū)動(dòng)程序，并注意到 *** 設(shè)置了對(duì)內(nèi)存區(qū)域的訪問(wèn)，在研究 CW 腳本時(shí)也是如此。是否需要初始化 *** 才能訪問(wèn) DDR 內(nèi)存？我知道它不需要 MMU，但它與 TZ 一樣嗎？
2023-03-27 07:13:46
你好 我們正在使用 4 * 2GB DDR4 芯片構(gòu)建我們的定制 ls1046a 板。（我們參考LS1046AFRWY，容量翻倍，去掉ECC）首先我生成了 BL2 二進(jìn)制文件制作 PLAT
2023-03-24 08:50:43
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