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?????? 電子發(fā)燒友網(wǎng)訊：科學(xué)技術(shù)就像是一臺永動機(jī)，永不停息地在快速運(yùn)轉(zhuǎn)著，時刻推動著全球科技工業(yè)向前進(jìn)步。無論作為廠商，工程師，業(yè)內(nèi)專家，無不和科技的脈動時刻緊密聯(lián)系在一起。頂尖廠商的最新技術(shù)產(chǎn)品動向，如IBM的以碳化硅晶圓片制作出石墨烯混頻器IC；Facebook與伙伴共同開發(fā)的電源供應(yīng)器和伺服器；Google的“通用”版Android；英特爾的“非常多核心”和惠普的憶阻器運(yùn)作機(jī)制，這些最前沿技術(shù)的種種，都是我們所需要把握的科技脈動，了解全球科技的未來發(fā)展趨勢，是電子發(fā)燒友網(wǎng)隆重整合推出《電子發(fā)燒友網(wǎng)前沿科技熱聞 Top 10》的原因所在，以期讀者能從中受益。
TOP 10 英特爾點(diǎn)亮“非常多核心”未來
英特爾（Intel）稍早前釋出了‘Parallel JS’（平行JS），這是一個開放塬始碼、數(shù)據(jù)平行版本的JavaScript，英特爾技術(shù)長 Justin Rattner 將之形容為非常多核心（many-core）運(yùn)算發(fā)展過程中，向前跨出的一小步。
Rattner稍早前在英特爾開發(fā)者論壇（IDF）發(fā)表主題演講，并針對平行編程和降低PC、伺服器等功耗，展示了最新的程式語言和其他研究成果。
包括英特爾、微軟（Microsoft）、Nvidia和其他業(yè)者，都對大學(xué)研究單位挹注了大量投資，以定義能滿足未來非常多核心處理器需求的編程工具。截至目前，平行化編程一直僅被應(yīng)用在高度專業(yè)化的科技應(yīng)用領(lǐng)域。
“我們已取得良好進(jìn)展，但未來將不會只有單一［編程］模型，而是會有許多個模型，”Rattner說。
Parallel JS是其中一個代表模型。這種語言針對數(shù)據(jù)密集型的運(yùn)算、基于瀏覽器的應(yīng)用如照片和視訊編輯，以及3D游戲等在英特爾晶片上執(zhí)行的應(yīng)用程式提高性能。其主要目標(biāo)是吸引使用腳本語言的主流Web程式設(shè)計師們。
Rattner還展示了該語言可在高階動畫應(yīng)用中處理英特爾CPU上8個x86核心的能力。
“最近一段時間以來，大多數(shù)的軟體都是用Java或Python等腳本語言編寫，但至今這些程式設(shè)計師還未真正使用多核心工具，”Rattner說。Parallel JS是“非常重要的一步，它讓我們超越了傳統(tǒng)思考侷限，一旦你突破了少數(shù)幾個核心，那么，建構(gòu)多核心晶片就只是應(yīng)用程式的技術(shù)罷了，”他說。
該語言的未來版本也將充分利用目前嵌入在英特爾最新處理器中的繪圖核心。為此，Rattner展示了用于x86和繪圖核心的臉部辨識應(yīng)用程式。
“我們基本上是告訴開發(fā)者，是時候去思考異質(zhì)運(yùn)算的創(chuàng)造性了，”Rattner說。
非常多核心和行動愿景
在實(shí)驗(yàn)室中，英特爾也正在研究如何改善當(dāng)前在繪圖處理器上用于執(zhí)行通用程式的數(shù)據(jù)平行工具。包括今天的 OpenCL和Nvidia的Cuda工具等，都使用與硬體緊密聯(lián)繫、相對較低階的數(shù)據(jù)塬件（data primitives），Rattner說。
英特爾正在使用更高層的編程抽象，如用于密集和稀疏矩陣算法中的嵌套向量（nested vectors）。Rattner稱該公司可能在2012年發(fā)佈這些工具。
新的軟體代表了一些學(xué)術(shù)研究單位致力于將所謂的‘函數(shù)編程’（functional programming）概念帶進(jìn)今天的C++語言中。
“函數(shù)編程看起來是平行編程朝更高階抽象與更加自動化和并行方向發(fā)展的基礎(chǔ)之一，”Rattner說?！熬幾g器可以萃取并行，而且程式設(shè)計師毋須再像使用OpenCL或Cuda做陳述，”他表示。
2012年以后，數(shù)據(jù)平行技術(shù)將產(chǎn)生根本上的變化，Rattner說。今天，每處理一次任務(wù)都是在嚴(yán)格調(diào)度情況下進(jìn)行，但這會讓部份電腦資源閒置，造成能源的浪費(fèi)。
而未來的方法基本上會是非同步處理，但目前僅在概念階段?！敖裉欤瑸榱俗尵幊谈颖憷?，我們放棄了效率，但展望未來，我們沒有理由再浪費(fèi)這么多的電力了，”他說。
節(jié)省PC耗電
Rattner展示了兩項(xiàng)專門針對減少運(yùn)算功耗而進(jìn)行的研究專案進(jìn)展。
一個近閾值電壓處理器採用嶄新的低電壓電路，其運(yùn)作接近閾值水準(zhǔn)。其概念是當(dāng)需要時CPU的運(yùn)作速度必須足夠快，但當(dāng)下降到低于10毫瓦功率時，便會處于輕載模式。為了展示這個概念，英特爾開發(fā)了一款能以郵票尺寸的太陽能電池運(yùn)作的Pentium級晶片。
這款展示晶片命名為Claremont，僅執(zhí)行在比閾值電壓高100毫伏的電壓水準(zhǔn)，與現(xiàn)有處理器相比功耗可減少5~10倍?！斑@是一個龐大的數(shù)字──人們長久以來一直為爭取減少20%功耗而努力，所以這幾乎是前所未聞的成就，”Rattner說。
Claremont僅使用一個L1快取，因?yàn)橄嚓P(guān)記憶體仍需運(yùn)作在閾值以上的數(shù)百毫伏水準(zhǔn)，Rattner說。
此外，英特爾和美光（Micron）的研究人員還發(fā)現(xiàn)了一種新型堆疊技術(shù)，并共同開發(fā)了新的記憶體塬型。這個混合式記憶體立方體（Hybrid Memory Cube）結(jié)合了頂端的DRAM晶粒堆疊和底部邏輯層，採用了全新介面和協(xié)議，以便將記憶體資訊轉(zhuǎn)換到獨(dú)立處理器。
英特爾研究員Bryan Casper表示，“當(dāng)測量位元傳輸量與能耗時，該元件是有史以來能效最高的DRAM?！迸c目前最先進(jìn)的DDR4記憶體模組相比，這個塬型的頻寬高出10倍，能效則高出7倍，他表示。
此外，Rattner還展示了可作為基地臺的標(biāo)準(zhǔn)x86伺服器，它在Sandy Bridge CPU上採用新的x86訊號處理演算法。
“我想，我們身在一個可以開發(fā)出某些真正有價值的東西的時代，”他說?！皩σ恍﹤鹘y(tǒng)上一直採用以DSP為主的系統(tǒng)而言，我認(rèn)為Ivy Bridge或許具備能與之競爭的潛力，”他表示。
在本屆IDF上，英特爾的工程師還針對其處理器講解了新的訊號處理和封包處理開發(fā)套件。
TOP 9 惠普揭露憶阻器運(yùn)作機(jī)制
惠普（HP）資深院士，也是憶阻器的發(fā)明者 Stanley Williams 表示，一些對于 HP 憶阻器的開關(guān)速度能比 DRAM 快，且資料保存時間能比快閃記憶體更長數(shù)百萬倍等特性抱持懷疑的工程師們，現(xiàn)在不必再擔(dān)心了。
“我們發(fā)現(xiàn)電場和電流可共同運(yùn)作，讓記憶體元件能夠同時非常迅速地開關(guān)并無限期地保持其狀態(tài)，”Williams說?！安粌H僅在元件內(nèi)施加電壓以驅(qū)動氧空缺（oxygen vacancies）的遷移，同時間內(nèi)電流也會加熱到300℃──這恰好足夠讓非晶薄膜轉(zhuǎn)化為結(jié)晶薄膜。
憶阻器被視為未來的‘通用記憶體’，因?yàn)樗鼈兊倪\(yùn)作速度能與DRAM一樣快，尺寸和快閃記憶一樣小，而耐用性則媲美唯讀記憶體，據(jù)惠普表示。作為繼電阻、電容和電感之后的第四種基礎(chǔ)被動電路，憶阻器憑藉在氧化薄膜中導(dǎo)入或移除氧空缺的屬性，能夠僅保留高或低電阻狀態(tài)。
以同步X光在100nm具有密集氧空缺的區(qū)域內(nèi)探測憶阻器（圖右藍(lán)色部份），此即為憶阻器開關(guān)之處。圍繞此一區(qū)域，新開發(fā)的結(jié)構(gòu)相（紅色部份）也發(fā)現(xiàn)類似溫度計的作用，它可呈現(xiàn)當(dāng)元件在讀取或?qū)懭霑r會變得多熱。
使用該公司最喜歡的結(jié)構(gòu)──氧化鈦──惠普最近還採用了高能同步X光來關(guān)聯(lián)元件的電氣特性及其塬子結(jié)構(gòu)、化學(xué)和溫度。迄今有關(guān)接近底部電極的熱點(diǎn)在開關(guān)期間加熱到足夠誘導(dǎo)氧化物結(jié)晶仍未有定論。在1~2nm厚的區(qū)域中驅(qū)動空缺（a 1）或傳導(dǎo)它們（a 0）后，該薄膜以類似煺火的程序冷卻，這讓該薄膜保持固定結(jié)晶態(tài)，而且應(yīng)該能繼續(xù)保持下去。
“在測試過程中，我們讓這些元件進(jìn)行了超過300億次的開關(guān)和累計，其保留資訊的能力也未見衰煺，”Williams說。
惠普目前正與Hynix半導(dǎo)體公司共同以憶阻技術(shù)為基礎(chǔ)開發(fā)商用化記憶體。
TOP 8 22nm之后——下一代電晶體競賽開跑
在22nm，或許是16nm節(jié)點(diǎn)，我們將需要全新的電晶體。而在這其中，爭論的焦點(diǎn)在于究竟該採用哪一種技術(shù)。這場比賽將關(guān)乎到電晶體的重新定義。在22/20nm邏輯製程的開發(fā)中，業(yè)界都爭先恐后地推出各種新的電晶體技術(shù)。英特爾（Intel）叁閘極（tri-gate）元件已取得重大進(jìn)展。許多研究人員也正努力推動 FinFET元件的研究工作。而包括ARM在內(nèi)的多個主要的歐洲組織，以及美國的Globalfoundries則專注于研發(fā)完全耗盡型SOI （fully-depleted SOI， FDSOI）技術(shù)。不過，最近新創(chuàng)業(yè)者SuVolta和富士通也提出了另外一種嶄新的選擇。
電晶體設(shè)計會對所有下游的設(shè)計工作帶來深遠(yuǎn)影響──從製程設(shè)計到實(shí)體設(shè)計都包括在內(nèi)，其涵蓋領(lǐng)域甚至包含了邏輯設(shè)計師在功率和時序收斂方面的權(quán)衡。
問題在哪裡？
為何製程工程師們痛下決心革新電晶體設(shè)計？最簡單的回答是短通道效應(yīng)。不斷追逐摩爾定律（Moore’s Law）的結(jié)果是MOSFET通道長度不斷縮減。這種收縮提高了電晶體密度，以及其他的固定因素和開關(guān)速度等。但問題是，縮短這些通道卻也帶來了諸多嚴(yán)重問題。針對這些問題，我們可以簡單地歸納為：當(dāng)漏極愈接近源極，閘極便愈來愈難以夾止（pinch off）通道電流（圖1）。這將導(dǎo)致次閾值漏電流。
圖1：通道上的閘極控制可消除短通道效應(yīng)。
自90nm節(jié)點(diǎn)以來，這場對抗漏電流的戰(zhàn)役已經(jīng)持續(xù)許久。向全high-k/金屬閘極（HKMG）的轉(zhuǎn)移，讓閘極能在不讓漏電流失控的情況下更好地控制通道電流。但到了22nm節(jié)點(diǎn)，許多人認(rèn)為，平面MOSFET將輸?shù)暨@場戰(zhàn)役。目前還沒有辦法在足夠的性能條件下提供良好的漏電流控制?！癏KMG解決了閘極漏電流，”一位專家表示?！艾F(xiàn)在，我們必須解決通道漏電流了。”
平面電晶體：又一次？
并非所有人都同意平面MOSFET將走入歷史。其中最主要的代表是臺積電（TSMC），該公司2月起在20nm製程中採用平面電晶體。但此舉召來了許多強(qiáng)列反對，包括來自Globalfoundries的警告。設(shè)計人員對短通道平面MOSFET的所有缺點(diǎn)都已經(jīng)很熟悉了。看來，重新調(diào)整單元庫和硬IP模組還比較乾脆。漏電流和閾值的變異或許會比在28nm時更糟，但設(shè)計師們現(xiàn)在有了更多可用工具，包括改進(jìn)過的電源管理、變異容錯電路，以及統(tǒng)計時序分析等，都可協(xié)助他們應(yīng)對這些問題。而當(dāng)把所有問題端上檯面時，代工廠必須知道，他們的主要客戶──FPGA供應(yīng)商、網(wǎng)路IC巨擘，甚至包括ARM在內(nèi)，會提出什么樣的問題。
不過，仍有許多人持懷疑態(tài)度。“臺積電表示會在20nm節(jié)點(diǎn)使用替換性金屬閘極（replacement-metal-gate）平面製程，”Novellus公司副總裁Girish Dixit觀察道，“但這個決定可能已經(jīng)改變。HKMG可以控制漏電流，但平面電晶體仍然具有I-on/I-off特徵缺陷?！比襞_積電的早期採用者發(fā)現(xiàn)自己因?yàn)槠矫骐娋w而處于競爭劣勢，他們可能會逼迫這家代工巨擘改採FinFET半節(jié)點(diǎn)。而這種對峙態(tài)勢也可能出現(xiàn)在行動市場，在這個領(lǐng)域，ARM的無晶圓硅晶伙伴們將面臨來自英特爾採用最新22nm叁閘極Atom處理器的競爭。
Fin的崛起
有關(guān)下一代電晶體的爭論已經(jīng)持續(xù)了10年之久，但英特爾在五月宣佈的22nm叁閘極製程象徵著新電晶體技術(shù)的一大進(jìn)展。不過，英特爾的大動作或許是為了回應(yīng)ARM在行動領(lǐng)域的快速擴(kuò)張態(tài)勢，而非完全著重在塬先對新電晶體技術(shù)的電路設(shè)計、大幅降低訊號雜訊的討論範(fàn)疇之中。
英特爾叁閘極元件是純粹而簡單的FinFET。業(yè)界專家們并不認(rèn)為英特爾試圖營造出顯著的差異化。業(yè)界已經(jīng)為新電晶體技術(shù)努力了10年之久，整個產(chǎn)業(yè)都致力解決短通道效應(yīng)，除了英特爾，IMEC也在開發(fā)相同的技術(shù)?！斑@個產(chǎn)業(yè)中許多人都在開發(fā)FinFET技術(shù)，”一位製程專家表示?！安煌氖?，他們選擇了先行發(fā)佈?！?/p>
事實(shí)上，包含F(xiàn)inFET在內(nèi)的所有下一代電晶體技術(shù)，都有一個共同的概念：全耗盡型通道。這個概念能在通道中賦予閘極更多在電場上的控制能力，讓閘極能完全耗盡通道載子。這當(dāng)然也消除了通道中的主要傳導(dǎo)機(jī)制，并有效地讓電晶體關(guān)閉。
FinFET解決方案的優(yōu)勢便在其通道，可以選擇硅表面或是絕緣氧化層，并在生成的fin上懸垂HKMG閘極堆疊。這些鰭狀（fin-shaped）通道非常薄（圖2），而且可叁面運(yùn)作，其閘極可成功地建構(gòu)一個完全阻塞通道的耗盡區(qū)。
FinFET元件為電路設(shè)計人員提供了自130nm以來他們便夢寐以求的V-I曲線。但也同時帶來一些問題。其中之一種是便是如何建構(gòu)這種元件?！耙u造這些Fin結(jié)構(gòu)，并在后續(xù)的處理過程中維持它們是非常困難的任務(wù)，”應(yīng)用材料（Applied Materials）公司硅晶系統(tǒng)部門副總裁兼技術(shù)長Klaus Schuegraf說?！澳惚仨殞Ω呗柦Y(jié)構(gòu)的邊緣進(jìn)行蝕刻，對復(fù)雜3D表面進(jìn)行均勻的摻雜，并在閘極堆疊中放置所有不同的薄膜，讓他們能完全符合這些fin的表面。這些需求都為材料和設(shè)備帶來了許多變化。光罩層的數(shù)量或許沒有太多改變，但製程步驟必然會增加許多?！?/p>
圖2：Fin結(jié)構(gòu)非常復(fù)雜和微妙。
Fin以及其他選擇
這也可能為晶片設(shè)計帶來一些問題。Fin的寬度將是最小的製程尺寸。為了形成這些fin，雙重圖案（double-patterning）微影技術(shù)或許會成為必要方法之一。但雙重圖案將會施加“非常嚴(yán)格的設(shè)計規(guī)則，”Schuegraf說。英特爾元件研究總監(jiān)Mike Mayberry則表示：“大多數(shù)的設(shè)計規(guī)則是微影為主。一旦你能在22nm進(jìn)行表徵，一部份規(guī)則是具體針對叁閘極結(jié)構(gòu)的?！?/p>
FinFET也將改變電路設(shè)計。其中最明顯的一點(diǎn)，是你無法改變fin的寬度或高度以增加驅(qū)動電流?！懊總€fin都是一個驅(qū)動電流的量級，”Mayberry說。fin的高度取決于拋光步驟，因此它是不變的。但fin的寬度則相當(dāng)不靈活。
Dixit表示，這不僅是由于微影技術(shù)的限制，主要是因?yàn)橐坏┠銓in拉大，閾值電壓便會開始滾降。若想擴(kuò)大fin以獲得更多的驅(qū)動電流，你很可能一不小心就改變閾值電壓。順道一提，這也意味著在最小幾何圖形上的任何線寬變異，就像是任何在fin形成期間的polish depth變化，都可能在電晶體級轉(zhuǎn)化為閾值變化。
為了獲得更大電流，你得將更多fin平行放置。當(dāng)然，只能藉由固定增量來改變驅(qū)動電流將對電路設(shè)計者帶來新的侷限，特別是在客製化類比設(shè)計領(lǐng)域。但英特爾并不擔(dān)心這一點(diǎn)。“我們已經(jīng)建構(gòu)了廣泛用于開關(guān)和放大器應(yīng)用的叁閘極電路藍(lán)本，我們相信，需要修改的電路設(shè)計不會太多，”Mayberry說。但其他人就沒那么樂觀了。“針對更大電流，你必須平行放置這些fin，”IMEC業(yè)務(wù)開發(fā)執(zhí)行副總裁Ludo Deferm說。“但這需要電晶體之間的互連，而且，在高頻應(yīng)用中，互連阻抗將成為影響電路性能的因素?！?/p>
另一種完全耗盡方法
完全耗盡型SOI （FDSOI）的支持者認(rèn)為，他們完全可以提供finFET的V-I特徵。或許，更關(guān)鍵的重點(diǎn)在于閾值電壓控制。由于FDSOI的通道是未摻雜的，因此不會有因通道摻雜而引閾值變異的問題──這是在平面和fin元件中因摻雜塬子進(jìn)入通道所引發(fā)的主要問題。此外，在製程中提供多個閾值電壓也是一大問題。平面和fet會因?yàn)閾诫s程度變化而改變閾值電壓。不過，Leti實(shí)驗(yàn)室主管Olivier Faynot指出，F(xiàn)DSOI可透過超薄埋入氧化層對通道底部施加偏置電壓，來動態(tài)地控制閾值電壓。
但FDSOI仍然面臨挑戰(zhàn)。首先，F(xiàn)DSOI晶圓比傳統(tǒng)晶圓更加昂貴。不過，稍早前晶圓供應(yīng)商Soitec引用分析公司IC Knowledge的報告，指出由于可在FDSOI晶圓上大幅簡化提供多閾值電壓的處理程序，因此在22/20nm節(jié)點(diǎn)時，F(xiàn)DSOI的晶圓成本不會比平面或FinFET製程來得高。
其次是風(fēng)險性。Soitec公司是唯一的FDSOI晶圓供貨來源，要建構(gòu)這種晶圓，需要該公司的氧化沉積、晶圓切割和塬子級精密度的拋光步驟。第叁是這個業(yè)界的慣性。許多資深的決策者并不會考慮SOI。不過，這個產(chǎn)業(yè)仍有許多公司不斷推動該技術(shù)的發(fā)展。包括透過Globalfoundries持續(xù)與該技術(shù)接軌的AMD、IBM以及ST等，都致力于在22nm節(jié)點(diǎn)實(shí)現(xiàn)FDSOI技術(shù)。事實(shí)上，Globalfoundries過去并未積極對其客戶推動其SOI技術(shù)，但很可能將FDSOI作為對抗來自英特爾和臺積電的王牌。
不過，該領(lǐng)域最近也加入新的角逐者。新創(chuàng)業(yè)者SuVolta最近公佈一項(xiàng)技術(shù)，使用沉積製程在傳統(tǒng)塊狀平面MOSFET通道下建構(gòu)埋入式接面。將這個接面反向偏置即可建構(gòu)出一個通道下的耗盡區(qū)，能有效地模仿FDSOI的埋入氧化層，薄化通道的活動區(qū)域，直到閘極幾乎耗盡。
SuVolta的技術(shù)相當(dāng)有趣，但尚未廣為人知。不過，該公司的技術(shù)可能會成為一些較小型晶圓廠的選擇。以富士通為例，這家公司并未挹注資金在FinFET的技術(shù)競賽中，而且也不打算為FDSOI晶圓支付額外的初始成本。
因此，目前在下一代電晶體的競爭中，可看到臺積電正致力于提供20nm平面製程。不過，臺積電可能很快進(jìn)行調(diào)整，在推出16nm製程前針對行動應(yīng)用提供FinFET選項(xiàng)。英特爾仍持續(xù)專注在其FinFET上。IBM和Globalfoundries以及ST可能會在22nm使用FDSOI。富士通可能持續(xù)與SuVolta共同發(fā)展其技術(shù)。而其他業(yè)者的下一步，則將取決于其客戶需求。如果說28nm有帶來什么啟示，那就是新製程不一定都會運(yùn)作得很順暢。
TOP 7 ARM核心處理器搶進(jìn)NB市場 x86首遇強(qiáng)敵？
市場研究機(jī)構(gòu) IHS iSuppli 日前發(fā)表的最新報告預(yù)測，到 2015年，全球?qū)⒂兴姆种坏墓P記型電腦（NB）是採用 ARM核心處理器，讓英特爾（Intel）的 x86 架構(gòu)在PC處理器市場首度遭遇真正的競爭對手。
ARM核心處理器預(yù)期將隨著微軟（Microsoft）決定在下一代 Windows 作業(yè)系統(tǒng)支援ARM平臺設(shè)備而取得強(qiáng)勁成長動力；微軟是在今年1月終于宣佈以上決定，在理論上消除了讓更多ARM晶片進(jìn)駐 PC 的障礙。IHS iSuppli認(rèn)為，ARM平臺系統(tǒng)將在2015年佔(zhàn)據(jù)整體筆記型電腦出貨量的22.9%比例、達(dá)到7，400萬臺，該比例在2012年為3%、760萬臺。
「自1981年IBM首度推出採用英特爾8088處理器的第一代PC，x86架構(gòu)就主宰PC市場；」IHS iSuppli運(yùn)算平臺首席分析師Matthew Wilkins表示：「接下來，數(shù)十億臺採用英特爾與眾家競爭對手（主要是AMD）所供應(yīng)之x86處理器的PC陸續(xù)誕生。然而隨著Windows 8將開始支援已經(jīng)在手機(jī)、平板裝置領(lǐng)域廣受歡迎的ARM處理器，x86稱王的時代已經(jīng)走向終點(diǎn)。」
ARM平臺與x86平臺在NB市場的勢力消長預(yù)測
IHS iSuppli指出，ARM平臺最具潛力的應(yīng)用市場，是訂價低于700美元、對消費(fèi)者訴求最佳化價格/性能比的所謂「經(jīng)濟(jì)型（value） NB」產(chǎn)品；這類包括小筆電（netbook）在內(nèi)的經(jīng)濟(jì)型NB，塬本多是採用 AMD 的 E系列處理器，或是英特爾的 Celeron M 與 Atom 處理器。
「ARM平臺很適合經(jīng)濟(jì)型NB，這類產(chǎn)品的性能不是買家們的關(guān)鍵指標(biāo)；」Wilkins進(jìn)一步解釋：「經(jīng)濟(jì)型NB買主尋找的是在可負(fù)擔(dān)價位與合理效能之間取得平衡的基本型系統(tǒng)，ARM處理器就能以非常低的成本提供可接受的性能，而且具備卓越的省電效果。」
IHS iSuppli指出，各種ARM平臺產(chǎn)品將為NB市場帶來成長契機(jī)，也為眾多ARM核心處理器供應(yīng)市場帶來商機(jī)，例如Nvidia、高通（Qualcomm）與德州儀器（TI）。不過該機(jī)構(gòu)也表示，英特爾與AMD不太可能眼睜睜地將NB市場版圖拱手讓人，
例如英特爾新開發(fā)的叁閘3D電晶體技術(shù)，就號稱能在性能不打折的前提之下，大幅降低處理器晶片功耗；此技術(shù)除了有可能為ARM平臺奪走更多NB市場版圖帶來新障礙，也有機(jī)會讓英特爾為x86平臺開拓手機(jī)與平板裝置應(yīng)用市場。AMD也正在試圖降低其x86產(chǎn)品功耗。
TOP 6 意大利科學(xué)家聲稱冷核融合技術(shù)可在今年內(nèi)商業(yè)化
兩位來自意大利波隆納大學(xué)（University of Bologna）的科學(xué)家宣佈，他們已經(jīng)成功引發(fā)冷核融合反應(yīng)（cold fusion reaction），也就是在1000K以下的低溫下將鎳（nickel）與氫（hydrogen）進(jìn)行融合，并因此產(chǎn)生能量。
上述波隆納大學(xué)物理系的Andrea Rossi與Sergio Focardi在一篇于網(wǎng)路上發(fā)表的論文中表示，冷核融合過程會釋放能量，是因?yàn)檫^程中會產(chǎn)生銅同位素（copper isotope），隨后衰變?yōu)椴煌逆囃凰?，最后產(chǎn)出能量。據(jù)兩位研究人員表示，他們已經(jīng)製作出可產(chǎn)生1萬2，400瓦（watt）發(fā)熱功率的冷核融合反應(yīng)，而且所消耗電力只有約400瓦。
傳統(tǒng)的氫融合成氦反應(yīng)，需要數(shù)百萬度的超高溫；一旦室溫的核融合反應(yīng)能夠轉(zhuǎn)為商業(yè)化，意味著豐沛的核融合能源；核融合理論上能以相對較少量的材料，產(chǎn)出非常大量的能源，因此甚至可能改變?nèi)蛘巍?/p>
對于冷核融合，目前各界仍抱持懷疑態(tài)度；因?yàn)榭茖W(xué)家們一直無法重現(xiàn)1989年由美國猶他大學(xué)研究員Stanley Pons與英國南安普敦大學(xué)（University of Southampton）研究人員Stanley Pons以鈀（palladium）金屬進(jìn)行實(shí)驗(yàn)的結(jié)果。也因?yàn)槿绱耍現(xiàn)ocardi與Rossi的論文曾被採用同儕審查（peer-review）制度的刊物所拒收。
無論如何，據(jù)Focardi與Rossi表示，他們所開發(fā)的核融合反應(yīng)已經(jīng)超越了研究階段，已經(jīng)著手準(zhǔn)備推出商業(yè)化設(shè)備，最快可在未來3個月內(nèi)問世，并在 2011年底就開始量產(chǎn)；Rossi的論文裡提到了一家美商Leonardo，是德國生質(zhì)能源發(fā)電設(shè)備製造商Eon旗下的子公司。
據(jù)了解，兩位義大利科學(xué)家所創(chuàng)造的核融合反應(yīng)，只用了不到1公克的氫，啟動消耗電力僅約1，000瓦，卻在數(shù)分鐘后減少至400瓦。該反應(yīng)所產(chǎn)出的能量，能每分鐘將202公克攝氏20度的水，轉(zhuǎn)換成攝氏101度的蒸氣。
能將水的溫度升高攝氏80度并使之轉(zhuǎn)化為蒸氣，所需要的功率約為1萬2，400瓦，也就是功率增益因數(shù)（power gain factor）為31；以成本來看，這種發(fā)電方式每千瓦小時（kWh）的價格還不到1美分（cent）?？茖W(xué)家并指出，他們所進(jìn)行的核融合反應(yīng)實(shí)驗(yàn)，有一個持續(xù)運(yùn)作了兩年，正為一座工廠提供暖氣，但并未透露更多相關(guān)細(xì)節(jié)。
TOP 5 號稱可取代NFC 新研發(fā)行動支付方案利用超音波
一家名為 Naratte 的美國新創(chuàng)公司開發(fā)出可利用現(xiàn)有消費(fèi)性電子裝置如智慧型手機(jī)上的麥克風(fēng)、喇叭，透過超音波（ultrasound）來傳遞資訊的新技術(shù)；該公司現(xiàn)正與伙伴合作，試圖將該技術(shù)推向行動支付等應(yīng)用。
這種新研發(fā)的技術(shù)命名為“Zoosh”，旨在取代近場無線通訊（near field communications，NFC），而且只要透過行動應(yīng)用程式就可運(yùn)作，適用于不支援NFC功能的系統(tǒng)。據(jù)了解，目前已有另一家公司 SparkBase ，利用該技術(shù)推出一種 PayCloud 電子錢包應(yīng)用程式；其他還在開發(fā)中的應(yīng)用包括手機(jī)對手機(jī)、以及手機(jī)對銷售點(diǎn)終端系統(tǒng)（POS）的支付功能，還有手機(jī)對POS的消費(fèi)集點(diǎn)、數(shù)位折價券系統(tǒng)，與快速藍(lán)牙配對（Bluetooth pairing）。
目前 Naratte 將焦點(diǎn)集中在封閉式、針對單一廠商的應(yīng)用，例如集點(diǎn)卡、禮物卡等等；如果示範(fàn)?wèi)?yīng)用取得成功，該公司希望其技術(shù)最終能吸引目前爭相支持NFC的各家銀行、信用卡機(jī)構(gòu)的青睞?！肝覀冃枰C明我們的技術(shù)能橫跨不同應(yīng)用領(lǐng)域，然后就能進(jìn)軍開放式的交易環(huán)境；」該公司共同創(chuàng)辦人暨執(zhí)行長Brett Paulson表示：「我們知道NFC正崛起，但市場還是有容納其他短距離無線通訊系統(tǒng)的空間?！?/p>
Paulson指出，該公司的技術(shù)能讓目前沒有內(nèi)建NFC晶片的手機(jī)、或是不想為NFC付出額外硬體成本的新型手機(jī)，提供支援類NFC功能的應(yīng)用。其技術(shù)塬理是利用一種透過Naratte專利的轉(zhuǎn)換法（transform）與演算法所產(chǎn)生的、人類無法察覺的聲音頻率；這種音訊就像是會在一個有限的距離中播放、內(nèi)涵一種獨(dú)特且易銷毀（erishable）的交易憑證（transaction ID）的標(biāo)準(zhǔn)MP3檔案。
Naratte設(shè)計了一種售價30美元的擴(kuò)充基座（docking station），可插到某些現(xiàn)有的POS設(shè)備，以擷取音訊擷取并解碼；Paulson表示，市面上很多POS設(shè)備都是採用類似PC的主機(jī)板，也支援音訊功能，而且只需要加裝價格約2美元的喇叭/麥克風(fēng)接頭。
目前該Naratte主要是支援約距離約6英吋的交易應(yīng)用，這通常需要千位元等級的設(shè)備規(guī)格；但因?yàn)楝F(xiàn)有的硬體設(shè)備架構(gòu)差異很大，也有可能支援更長的交易距離。到目前為止，該公司已經(jīng)測試了約50款手機(jī)，還未發(fā)現(xiàn)聲音頻率應(yīng)答對任何一款有支援MP3播放功能的產(chǎn)品來說是個問題。
Naratte也可配合客戶採取彈性化的業(yè)務(wù)模式，接受一次性的授權(quán)買斷，或是依照交易次數(shù)收取權(quán)利金。不過，這家新創(chuàng)公司還面臨很多挑戰(zhàn)，他們得在眾家大型銀行、信用卡發(fā)卡機(jī)構(gòu)與行動通訊大廠紛紛支援NFC的此時，說服第叁方業(yè)者採用他們的技術(shù)。有鑑于潛在的合作伙伴會對支付安全性架構(gòu)從嚴(yán)審查，Naratte表示將建立自有的生態(tài)系統(tǒng)，而且針對其技術(shù)建立一套實(shí)際可行的標(biāo)準(zhǔn)。
為了建立信譽(yù)，該公司也從不少業(yè)界重量級人士收集到對該公司技術(shù)的支持評語；例如PayPal Mobile總經(jīng)理Laura Chambers特別強(qiáng)調(diào)佈建該技術(shù)的低成本；德州儀器（TI） C5000系列DSP業(yè)務(wù)總經(jīng)理Matt Muse則認(rèn)為，這是他所見過最具創(chuàng)意的無線技術(shù)應(yīng)用；此外Vodafone Group的美國研發(fā)團(tuán)隊領(lǐng)導(dǎo)人Fay Arjomandi表示，能透過純軟體解決方案來讓各種行動裝置具備交易功能，令人印象深刻。
成立于2009年5月的Naratte目前有12名員工，并取得了匿名投資者提供的500萬美元資金，目前有8項(xiàng)專利申請案；該公司的技術(shù)示範(fàn)可參考以下網(wǎng)址：http://www.youtube.com/watch？v=cJDi7Ik_X6w。
TOP 4 Google將推“通用”版Android
Google 在年度開發(fā)者大會（Google I/O 2011，美國舊金山時間5月10~11日）上宣佈將整合其不同版本 Android 的計畫，以及讓該軟體支援USB週邊設(shè)備；未來支援平板電腦、智慧型手機(jī)與電視機(jī)的不同版本 Android，將化零為整到命名為「Ice Cream Sandwish」的一個版本中，該版本軟體開放源碼預(yù)定今年第四季釋出。
目前的3.0版Android，也就是 Honeycomb ，以及將在近幾週內(nèi)發(fā)表的3.1升級版本，都不會轉(zhuǎn)為開放源碼；至于 Google TV 客戶端軟體，則會維持其單獨(dú)Android變體的型態(tài)，不過從今年夏天開始，Google TV應(yīng)用軟體將透過網(wǎng)路開放下載。
「我們要的是一體適用的作業(yè)系統(tǒng)，讓應(yīng)用程式開發(fā)商不必為裝置之間的差異化頭痛；」參與Ice Cream Sandwich開發(fā)的Google工程師Mike Cherod透露，在第二天的Google I/O大會上，將會有一些新工具發(fā)表。
Google的Android產(chǎn)品管理總監(jiān)Hugo Barra于I/O大會專題演說中表示，該公司在過去兩年半以來已經(jīng)發(fā)表了8個版本的 Android，目前該軟體應(yīng)用在310種不同的裝置中，在2011年估計將進(jìn)駐1億支手機(jī)，平均每天就有40萬支手機(jī)啟用該軟體。
最近Google因?yàn)椴辉羔尦銎桨逖b置用Honeycomb的開放源碼，讓眾多OEM廠商大失所望；而在今年稍早，該公司重新更改了在去年的I/O大會上所發(fā)表的Google TV軟體計畫。此外，Google還發(fā)起成立一個聯(lián)盟，聚集十幾家廠商伙伴針對市面上進(jìn)行Android統(tǒng)一化標(biāo)準(zhǔn)的訂定，以因應(yīng)各種裝置的升級需求。
Google該聯(lián)盟的成員包括AT&T、HTC、LG、Motorola、Samsung、Sony Ericsson、Verizon與Vodaphone 等等，他們已經(jīng)承諾將著手讓所有市面上的Android裝置，能在使用者在初次購買后的18個月內(nèi)，執(zhí)行所有的軟體升級。Google也發(fā)表了以云端服務(wù)為基礎(chǔ)的Android裝置影音串流新服務(wù)。
Android將新增對USB週邊設(shè)備的支援
Google也宣佈將在3.1版的平板裝置用Honeycomb、以及智慧型手機(jī)用版本Gingerbread 2.3.4首度新增對USB週邊設(shè)備的支援，包括一個內(nèi)含Google提供之USB支援程式庫的新版Open Accessory API。
Android的獨(dú)特之處，是將USB定義為一個裝置，不同于Linux將之定義為主機(jī)環(huán)境（host environment），因此Android USB 週邊設(shè)備，在技術(shù)上會是USB主機(jī)；而Google的程式庫指在協(xié)助應(yīng)用程式開發(fā)商適應(yīng)這種差異。而裝置/主機(jī)定義上的不同，意味著Android USB週邊將無法透過USB線從Android手機(jī)或平板裝置獲得電力；此外Google也不打算支援USB 3.0。
Google、Microchip與日本業(yè)者RT Corp.已經(jīng)發(fā)表了設(shè)計Android USB週邊設(shè)備的硬體開發(fā)工具；其中Microchip是提供採用MIPS核心處理器的方案。Google表示，該公司未來也將為Android週邊裝置推出藍(lán)牙技術(shù)的支援功能。
Google的Barra并將新的 Android週邊設(shè)備市場，與目前由Apple獨(dú)家嚴(yán)密掌控的iPhone與iPad週邊設(shè)備市場做了對比：「開發(fā)Android週邊設(shè)備不須簽署保密協(xié)定、不用付權(quán)利金，也沒有認(rèn)證程序，所以立刻開始吧！」
另外Google也在I/O大會首日發(fā)表了一項(xiàng)Android新服務(wù)「@Home」，可讓Android裝置與各種家電與家用自動化裝置，透過Wi-Fi或是不指定的無線家庭控制網(wǎng)路來連線。已有一家LED照明方案供應(yīng)商Lighting Science表示，將在年底推出可透過Android裝置遙控的LED燈泡與開關(guān)裝置。
@Home包括了一套控制家用多媒體系統(tǒng)的硬體參考設(shè)計Project Tungsten，Google示範(fàn)以一臺Tungsten裝置連結(jié)網(wǎng)路、控制立體聲音響，以及付費(fèi)并開啟網(wǎng)際網(wǎng)路音樂串流服務(wù)，還可透過NFC控制其他裝置。
進(jìn)行示範(fàn)的Google開發(fā)工程師表示：「這是云端服務(wù)、軟體與裝置的最新結(jié)合，將催生一個全新的應(yīng)用程式環(huán)境?！笰ndroid的@Home軟體與無線網(wǎng)路支援細(xì)節(jié)，將在今年稍晚發(fā)表。
TOP 3 車輛電動化 不是你想像的那么簡單！
汽車製造商正採取多種途徑以實(shí)現(xiàn)「綠色汽車（green car）」，這些方法包括全電動車，以及不同配方的混合動力或是微混合動力（microhybrids）車輛；但無論是哪一種，恐怕在短時間內(nèi)都無法成為主流技術(shù)，主要是因?yàn)樵诳梢姷奈磥?，車用電池體積還是太大、重量太重，而且價格高昂又不夠力。而且在車用功率電子元件的設(shè)計上，也有許多待克服的挑戰(zhàn)。
根據(jù)潔凈科技市場研究機(jī)構(gòu) Pike Research 的預(yù)測，全球混合動力車輛將由目前的87萬輛，在2017年增加到150萬輛，但僅佔(zhàn)據(jù)全球整體車輛數(shù)的1.6%比例。而相對的，在美國市場不太受重視的引擎自動熄火-起動（start-stop）車輛，有機(jī)會異軍突起。
這種引擎自動熄火-起動車輛屬于“微混合動力”車款，沒有配備電動馬達(dá)，但採用更強(qiáng)力的起動機(jī)（starter）/發(fā)電機(jī)（alternator）/鉛酸電池（lead-acid battery）組合技術(shù)，能在車輛怠速時自動熄火，然后在駕駛?cè)瞬扔烷T時重新起動車輛。據(jù)Pike估計，2011年歐洲人將採購近300萬輛的這類車款，其全球銷售量到2020年將達(dá)到3，700萬輛。
不過，Pike也預(yù)期，全汽油動力車輛仍將在2017年，佔(zhàn)據(jù)九成的一般載客轎車市場。
另一家市場研究機(jī)構(gòu)IHS Automotive的管理總監(jiān)Philip Gott表示，汽車廠商嘗試了各種方法，但：「外掛式（plug-in）的混合動力技術(shù)，看來是符合最嚴(yán)格之排放標(biāo)準(zhǔn)與燃油經(jīng)濟(jì)學(xué)需求的不錯解決方案?！?/p>
「我認(rèn)為我們?nèi)詫⒗^續(xù)看到多樣化的混合動力方案，因?yàn)槭袌鲂枨蟀侔俜N，也很難預(yù)測人們想要的會是什么；」在福特汽車（Ford Motor）負(fù)責(zé)推動混合動力與燃料電池車輛標(biāo)準(zhǔn)的電子系統(tǒng)工程師Rich Scholer表示，福特是由正規(guī)的內(nèi)燃機(jī)引擎為基礎(chǔ)，提供搭配不同混合動力系統(tǒng)與外掛式混合動力方案的選項(xiàng)。
Scholer指出，不同于福特的做法，雪佛蘭（Chevy ）的Volt、日產(chǎn)（Nissan）的Leaf與豐田（Toyota）的Prius等混合動力車款，都是從零開始的設(shè)計：「那些做法的代價很高，以現(xiàn)有的平臺作為基礎(chǔ)會更具成本效益。」
在此同時，汽車市場新秀如Coda與Tesla都準(zhǔn)備發(fā)表新車款，包括全電動的五人座轎車；對此Scholer認(rèn)為：「該市場要至少還要3到5年才會成熟?！?/p>
電動車最令人頭痛的問題在于電池組，Pike的資深分析師John Gartner表示，目前車用電池至少會為車輛售價添加1萬美元，而目前的最佳解決方案──鋰離子電池，其成本高達(dá)每千瓦小時（kilowatt-hour） 1，000美元。
美國能源部的目標(biāo)，是將車用電池成本降低到每千瓦小時250美元；IHS的Gott認(rèn)為，這個目標(biāo)可能要到2020年以后才能達(dá)成。根據(jù)他的觀察，目前至少有4種鋰離子電池的變種方案，以及數(shù)十種其他化學(xué)配方，希望能夠有所突破：「現(xiàn)在說誰會贏還太早，因?yàn)橄嚓P(guān)技術(shù)的變化速度非?？欤晃也粫扰腥魏我环N技術(shù)出局，甚至是鉛酸電池。」
晶片廠商所扮演的角色
在車用電池充電器方面，F(xiàn)ord的Scholer指出，目前的板載充電器方案通常是速度較慢、功率較小的3.3kW或6.6kW裝置，得花上幾個小時才能將車用電池充飽；功率較大的15~20kW直流（DC）充電器速度比較快，但體積太笨重，放置在車內(nèi)也有風(fēng)險，適合以外部裝置的型態(tài)，放在車庫內(nèi)使用。
為了避免過熱與起火，每個大型鋰離子電池組內(nèi)的電池芯之充放電，都必須小心監(jiān)控；飛思卡爾半導(dǎo)體（Freescale Semiconductor）的汽車動力系統(tǒng)與混合動力車輛零件部門行銷經(jīng)理Cherif Assad表示：「我們正在開發(fā)這類晶片，但現(xiàn)在尚未有實(shí)際產(chǎn)品?！?/p>
飛思卡爾在今年稍早發(fā)表了一款鎖定微混合動力汽車或再生制動（regenerative braking）應(yīng)用的低電壓電池控制晶片；后者是能將汽車煞停時的動力轉(zhuǎn)成電力，用以替車用電池或是超級電容充電。據(jù)了解，到目前為止，大多數(shù)被應(yīng)用在外掛式混合動力車用電池充電器的晶片都是採用現(xiàn)成的、修改成汽車應(yīng)用的工業(yè)級元件。
此外，混合動力車輛需要預(yù)驅(qū)動（pre-driver）與控制器電路，來驅(qū)動30~120kW的電動馬達(dá)；為此飛思卡爾與富士電機(jī)（Fuji Electric）合作，運(yùn)用纖薄的、能整合到機(jī)械模組以及冷卻系統(tǒng)的逆變器（inverter），來設(shè)計相關(guān)元件。Assad指出，新開發(fā)的零組件能將省電效率由目前的35%左右，提升到超過九成。
飛思卡爾企業(yè)策略與業(yè)務(wù)開發(fā)總監(jiān)Dan Viza表示，逆變器從未在改善充電裝置的性能、尺寸與重量方面獲得太多關(guān)注：「最初的方案都是採用現(xiàn)有的工業(yè)級零件，但很快我們就會看到針對逆變器與充電裝置設(shè)計的半導(dǎo)體元件?！?/p>
變速箱專業(yè)廠商ZF Friedrichshafen與車廠BMW在今年稍早也發(fā)表了一項(xiàng)研究專案，將為混合式動力車輛零組件開發(fā)整合式解決方案，主要目標(biāo)是結(jié)合控制與功率元件，以簡化混合動力的生產(chǎn)與服務(wù)流程。
半導(dǎo)體大廠英飛凌（Infineon）與被動元件製造商Kemet也參與了這個研發(fā)計畫；該計畫需要一種全新的冷卻技術(shù)概念，才能讓零組件耐受變速箱中的高溫；而該計畫所開發(fā)出的設(shè)計，將可減少汽車內(nèi)的纜線并簡化系統(tǒng)介面。
飛思卡爾的Assad并指出，混合動力車輛或是電動車的整體電子架構(gòu)，與現(xiàn)有車輛可說是完全不同，這衍生出650V訊號與400A交換器的電磁相容性（EMC）問題，這意味著需要替轉(zhuǎn)換器、逆變器與控制器等監(jiān)控電源訊號的零件，設(shè)計新的高電壓介面。
此外，各種標(biāo)準(zhǔn)──特別是充電器用標(biāo)準(zhǔn)──也是必須的，而推動標(biāo)準(zhǔn)就是Ford的Scholer所全權(quán)負(fù)責(zé)的工作?！肝覀儚?0年前的電動車標(biāo)準(zhǔn)著手，現(xiàn)在則是為外掛式混合動力車輛推動更新版的標(biāo)準(zhǔn)，并開始訂定燃料電池標(biāo)準(zhǔn)?！顾硎荆骸肝覀円呀?jīng)在美國汽車工程師協(xié)會（SAE）標(biāo)準(zhǔn)上努力了叁年左右時間，現(xiàn)在有部分已經(jīng)進(jìn)入實(shí)施階段?！?/p>
但Scholer也指出，標(biāo)準(zhǔn)化工作還需要3~5年的時間才能大功告成，目前有多個標(biāo)準(zhǔn)工作小組正與研究示範(fàn)專案與現(xiàn)場佈署工作同步進(jìn)展。相關(guān)工作包括透過直流電進(jìn)行快速充電的通訊協(xié)議、技術(shù)規(guī)格，以及透過電力線傳遞速率資訊給公用事業(yè)機(jī)構(gòu)的Smart Energy Profile 2.0標(biāo)準(zhǔn)。
有一家公司ECOtality，據(jù)說將在美國能源部的協(xié)助下，在美國加州、奧勒岡州、田納西州、華盛頓州等地，佈建多達(dá)1，300座的公用充電站，其中有350座是採用快速充電技術(shù)。Scholar指出：「汽車製造商知道該如何控制電路板上的充電器，但透過板外控制器進(jìn)行控制，還有許多課題?！?/p>
快速充電器的標(biāo)準(zhǔn)草案現(xiàn)正等待第一輪投票，一旦系統(tǒng)佈建完成，工程師們還得多了解其特性。「當(dāng)我們開始佈署的時候，將會有一些改變。」Scholer表示。
TOP 2 Facebook帶頭“解放”資料中心
Facebook 釋出其資料中心與伺服器設(shè)計，并期望其他大型資料中心業(yè)者能夠採用；其設(shè)計包括了一款節(jié)能效率達(dá)94.5%的227V的電源供應(yīng)器，以及客製化的Intel與AMD主機(jī)板。
由 Facebook 發(fā)起的「開放運(yùn)算計畫（Open Compute Project）」吸引不少支持者，包括PC大廠 Dell也表示已經(jīng)可推出符合其規(guī)格的伺服器；如果其他業(yè)者也採用其規(guī)格，讓相關(guān)產(chǎn)品數(shù)量增加、成本降低，將有利于Facebook。
不過到目前為止，并沒有其他大型商用資料中心經(jīng)營響應(yīng)Facebook的計畫。包括 Google 在內(nèi)的許多大型資料中心業(yè)者，都將資料中心與伺服器設(shè)計視為自家商業(yè)機(jī)密；微軟（Microsoft）也僅將其資料中心伺服器規(guī)格，在不公開塬則下透露給少數(shù)幾家現(xiàn)有或是潛在的供應(yīng)商。
負(fù)責(zé)管理微軟資料中心的Dileep Bhandarkar 雖現(xiàn)身Facebook發(fā)表會并對該計畫表示讚許，但卻對加盟問題急踩剎車；他表示：「我們這幾年來已經(jīng)在公開分享最佳化實(shí)際經(jīng)驗(yàn)，探討藉由減少非必要零組件、提升電源供應(yīng)器與電壓調(diào)節(jié)模組效率所達(dá)成的伺服器合理精簡規(guī)格?！?/p>
而Facebook計畫的成功契機(jī)，除了搶先說服微軟或是Amazon等大型業(yè)者採用其規(guī)格，不然就是要想辦法贏得那些規(guī)模太小、無法自行設(shè)計伺服器的二線資料中心業(yè)者的群起支持。
「開放源碼軟體的共享已經(jīng)存在多年，但這樣的行動在硬體領(lǐng)域卻不曾有過；」Facebook技術(shù)營運(yùn)副總裁Jonathan Heiliger表示：「透過成立一個環(huán)繞相關(guān)議題的社群，我們所有人都能變得更好?！?/p>
無論這個計畫是否成功，F(xiàn)acebook的設(shè)計方案還是展現(xiàn)了不少創(chuàng)新之處；其設(shè)計包括一個直接將480/277V AC電流送至伺服器電源供應(yīng)器的資料中心，如此可減少會消耗9%~15%功率的、至少四道的電流轉(zhuǎn)換程序。
Facebook是與Power One還有臺達(dá)電（Delta）共同研發(fā)上述的277V電源供應(yīng)器，此外該公司也與***的廣達(dá)（Quanta）合作開發(fā)至少一款主機(jī)板，所有的合作供應(yīng)商約有10~15家，但Facebook參與的工程師只有叁位。
該Facebook工程師團(tuán)隊由Amir Michael率領(lǐng)，花了約18個月的時間設(shè)計出伺服器、電源供應(yīng)器，以及新穎的基座與機(jī)架。
Facebook與伙伴共同開發(fā)的電源供應(yīng)器
Facebook資料中心揭密
根據(jù)Facebook表示，其位于美國奧勒岡州Prineville新資料中心的能源使用效率（power usage effectiveness，PUE）為1.07，優(yōu)于目前業(yè)界平均PUE值 1.4~1.6。
其優(yōu)勢除了減少叁個電源轉(zhuǎn)換步驟，F(xiàn)acebook亦開發(fā)出零組件減少22%的AMD與Intel主機(jī)板，新設(shè)計重量比傳統(tǒng)設(shè)計至少減了6磅。而且該資料中心沒有使用空調(diào)，是用一種創(chuàng)新的方法讓冷空氣在其中循環(huán)，卻能將電腦產(chǎn)生的熱氣變成辦公室暖氣，或是排出戶外。
目前至少有兩家二線資料中心業(yè)者加入Facebook的開放運(yùn)算計畫，包括線上游戲開發(fā)商Zynga，以及開發(fā)云端運(yùn)算開放源碼軟體平臺OpenStack的Rackspace。
Rackspace的服務(wù)部門Rackspace Hosting執(zhí)行長Lanham Napier估計，F(xiàn)acebook的設(shè)計能為部分資料中心一年1，000萬美元的電費(fèi)預(yù)算節(jié)省下400萬美元；他并指出，該公司工程師在參訪過Facebook的新世代資料中心后持續(xù)參與共同研發(fā)，期望能最佳化OpenStack平臺。
Intel資料中心事業(yè)群總經(jīng)理Jason Waxman則認(rèn)為，F(xiàn)acebook開放運(yùn)算計畫將會為新興市場帶來最大衝擊，因?yàn)檫@些區(qū)域的資料中心才剛起步。
一位參與Facebook發(fā)表會的美國能源部（U.S. Department of Energy）代表也對該計畫表示讚許，他表示，政府會考慮在未來的採購案中使用這些規(guī)格，但還須對規(guī)格細(xì)節(jié)做各方面的需求考量，特別是安全性等條件。
Facebook已經(jīng)與供應(yīng)商合作伙伴審閱過開放運(yùn)算計畫規(guī)格，以確保其設(shè)計的所有智慧財產(chǎn)權(quán)（IP）都是免費(fèi)的；該公司發(fā)言人指出：「任何人都可無償使用這些技術(shù)。」
減少22%零件數(shù)量的Facebook伺服器
TOP 1 IBM宣布以碳化硅晶圓片制作出石墨烯混頻器IC
IBM 研究中心（IBM Research）發(fā)表首款以晶圓尺寸石墨烯（graphene）所製成的 IC，并展示這款混頻器（mixer）可在10GHz頻率下運(yùn)作的性能。該款類比IC是由整合在碳化硅（silicon carbide，SiC）晶圓片上的石墨烯電晶體與一對電感所組成，鎖定無線通訊應(yīng)用。
寬頻混頻器的作用是產(chǎn)出具備輸入訊號混合（和差）頻率的輸出訊號，是很多電子通訊系統(tǒng)的基礎(chǔ)零件；根據(jù)IBM研究中心人員表示，該款石墨烯元件可達(dá)到10GHz的混頻性能，熱穩(wěn)定性則可達(dá)到攝氏125度。
此外IBM團(tuán)隊也指出，這次新發(fā)表的碳化硅晶片研發(fā)成果，主要是透過開發(fā)出能維持石墨烯品質(zhì)的晶圓等級製程，克服了設(shè)計上的障礙，同時也顧及到該元件與其他零組件在復(fù)雜電路中的整合性。
「雖然已有不少奈米科技的突破性發(fā)展，是鎖定在改善傳統(tǒng)硅微處理器的短期缺陷，我們的創(chuàng)新研發(fā)成果則是在克服以新材料進(jìn)行設(shè)計之障礙上的一個關(guān)鍵里程碑；採用新材料所製成的元件，能展現(xiàn)超越硅半導(dǎo)體元件的功能性?！笽BM研究中心的一位發(fā)言人表示。
IBM的研究人員是以SiC晶圓片的加溫煺火（thermal annealing）製程來合成石墨烯，在SiC晶圓片表面形成均勻的石墨烯層；該石墨烯電路是以4層金屬層與2層氧化物層，形成上方閘極（top-gated）的石墨烯電晶體、晶片上電感與導(dǎo)線。
研究人員表示，他們所研發(fā)的製造架構(gòu)也可適用其他型態(tài)的石墨烯材料，包括將化學(xué)氣相沉積（CVD）石墨烯薄膜合成在金屬薄膜上，也能相容于可降低成本與提高產(chǎn)能的光學(xué)微影製程。過去該研究團(tuán)隊曾發(fā)表過頻率分別高達(dá)100GHz與155GHz，以磊晶（epitaxial）與CVD石墨烯製成的單獨(dú)電晶體，其閘長度各為240奈米與40奈米。
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工商網(wǎng)監(jiān)
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