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?電子發(fā)燒友網(wǎng)訊：在剛過(guò)去的一周里，半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)生的事情可謂是熱潮迭起。ITPC 2012、第80屆中國(guó)電子展正式開(kāi)幕，IBM碳納米管取代硅技術(shù)獲得突破進(jìn)展，美光收購(gòu)爾必達(dá)獲批準(zhǔn)，優(yōu)異光電性能的新型半導(dǎo)體材料“砷化鎵納米線”問(wèn)世，臺(tái)積電32億購(gòu)地規(guī)劃18寸晶圓廠，AMD轉(zhuǎn)型ARM架構(gòu)高階服務(wù)處理器設(shè)計(jì)… 更多精彩內(nèi)容，請(qǐng)持續(xù)關(guān)注《電子發(fā)燒友網(wǎng)半導(dǎo)體行業(yè)周報(bào)》。
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本周熱點(diǎn)資訊：
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1? 美光收購(gòu)爾必達(dá)獲批準(zhǔn)? 或?qū)⒊蔀槿虻诙?a href="http://srfitnesspt.com/tags/dram/" target="_blank">DRAM廠商
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本周三（31日），日本東京法院批準(zhǔn)美光科技對(duì)爾必達(dá)的收購(gòu)案，同時(shí)否決債券持有者提交的候選方案，從而使得這一計(jì)劃向前邁進(jìn)一大步。
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由于PC行業(yè)疲軟、電腦芯片價(jià)格下跌競(jìng)爭(zhēng)加劇，導(dǎo)致?tīng)柋剡_(dá)破產(chǎn)，美光也處于虧損狀態(tài)。為實(shí)現(xiàn)公司更大規(guī)模經(jīng)濟(jì)，今年早些時(shí)間，美光向爾必達(dá)發(fā)出收購(gòu)要約。除了7.5億美元現(xiàn)金外，美光科技還將在2019年底前為爾必達(dá)支付總額17.5億美元的分期債務(wù)。
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預(yù)計(jì)至2013年上半年，美光科技將完成對(duì)爾必達(dá)的收購(gòu)。交易完成后，美光將成為僅次于三星的全球第二大DRAM芯片制造商。
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2? 聯(lián)電14nm FinFET制程技術(shù)將于2014年試產(chǎn)
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日前，聯(lián)電將直接跳過(guò)20奈米，全力研發(fā)新一代14奈米FinFET制程，該技術(shù)可提供通訊晶片與應(yīng)用處理器低功耗與高效能優(yōu)勢(shì)，擴(kuò)大搶攻通訊與消費(fèi)性電子IC制造市場(chǎng)。
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14奈米FinFET制程藉由雙重曝光微影技術(shù)實(shí)現(xiàn)，盡管現(xiàn)今成本高昂，但卻能大幅提升單位面積內(nèi)電晶體的整體效能，成為晶圓代工業(yè)爭(zhēng)相競(jìng)逐的技術(shù)。
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據(jù)悉，此一新制程目前正于南科研究中心全力研發(fā)中，預(yù)計(jì)2014年初可完成驗(yàn)證，并旋即進(jìn)行試產(chǎn)。 ?
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3? IBM再創(chuàng)奇跡！碳納米管邁出取代硅第一步
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歷史上第一次！IBM利用離子交換化學(xué)理論研究的全新方法，使用標(biāo)準(zhǔn)的主流半導(dǎo)體工藝，實(shí)現(xiàn)了將百萬(wàn)碳納米管打造的晶體管精確地放置在一顆芯片內(nèi)，并通過(guò)了可行性測(cè)試。至此，IBM邁出了用碳納米管在半導(dǎo)體制造工藝領(lǐng)域投入商業(yè)化應(yīng)用的第一步。
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詳情了解：http://elecfans.com/news/foreign/20121029294719.html
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4? 安森美半導(dǎo)體計(jì)劃2015年躋身全球前十大半導(dǎo)體廠商行列。
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?? 安森美半導(dǎo)體主營(yíng)業(yè)務(wù)包括分立器件、標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品、二極管、轉(zhuǎn)發(fā)器等產(chǎn)品，高端產(chǎn)品在電源管理、電機(jī)控制/驅(qū)動(dòng)方面、電路保護(hù)、工業(yè)ASIC等多領(lǐng)域占據(jù)世界領(lǐng)先地位。
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? 為實(shí)現(xiàn)這一計(jì)劃，安森美半導(dǎo)體主要開(kāi)展三方面的工作：第一，實(shí)現(xiàn)在汽車等支柱行業(yè)的有機(jī)增長(zhǎng)；第二，進(jìn)一步在電源模塊、小系統(tǒng)和子系統(tǒng)的業(yè)務(wù)上實(shí)現(xiàn)突破。第三，收購(gòu)在業(yè)務(wù)上具有互補(bǔ)性的一些目標(biāo)企業(yè)。
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? 在汽車半導(dǎo)體方面，安森美計(jì)劃2016年實(shí)現(xiàn)翻倍增長(zhǎng)，不斷加大中國(guó)市場(chǎng)的投入。
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5? 年度性“國(guó)際技術(shù)合作伙伴會(huì)議（ITPC 2012）”11月份即將上演。
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? ?ITPC今年的議題為：技術(shù)的長(zhǎng)期發(fā)展方向和今天的商業(yè)模式帶來(lái)的影響。而對(duì)亞洲成長(zhǎng)機(jī)會(huì)的探討則是最大的熱門(mén)話題，目前已經(jīng)吸引到Global Foundries、IBM、Intel、Micron、Qualcomm、Toshiba 等產(chǎn)業(yè)精英匯聚ITPC 2012。
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?? 會(huì)議特別邀請(qǐng)到半導(dǎo)體代工業(yè)者Global Foundries、工藝先導(dǎo)IBM、CPU大佬Intel、存儲(chǔ)產(chǎn)品有力競(jìng)爭(zhēng)者M(jìn)icron、全球頂級(jí)通信芯片設(shè)計(jì)公司Qualcomm和IDM的代表Toshiba 等國(guó)際大廠到場(chǎng)聚焦技術(shù)開(kāi)發(fā)、策略布局與半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移趨勢(shì)等議題，通過(guò)舉辦高峰會(huì)談等形式，針對(duì)動(dòng)蕩時(shí)代下的半導(dǎo)體技術(shù)挑戰(zhàn) (包括450mm晶圓開(kāi)發(fā))等議題進(jìn)行探討。?
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?? ITPC 2012舉辦時(shí)間：11月4-7日，舉辦地點(diǎn)：Hawaii
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6? 第80屆中國(guó)電子展（2012上海電子展）10月30日正式開(kāi)幕
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中國(guó)最大電子展迎來(lái)80屆盛典，在上海新國(guó)際博覽中心隆重開(kāi)幕。
在當(dāng)前全球經(jīng)濟(jì)不景氣的情況下，新能源、數(shù)碼消費(fèi)電子、綠色環(huán)保概念等成為了本屆展會(huì)的幾大亮點(diǎn)。
本屆電子展上，有超過(guò)1300多家展商參展，集中展示電子元器件、電子生產(chǎn)設(shè)備、電子工具、儀器儀表、光電產(chǎn)品、消費(fèi)電子產(chǎn)品等完整產(chǎn)業(yè)鏈，展位2100多個(gè)，展示面積50000平方米。展會(huì)專設(shè)物聯(lián)網(wǎng)及RFID、智能終端、移動(dòng)精品、3D立體視像、LED照明、太陽(yáng)能光伏、電源電池等熱門(mén)展區(qū)。
詳情了解：http://elecfans.com/zhanhui/redian/20121031295803.html
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7? 三星半導(dǎo)體高端存儲(chǔ)芯片項(xiàng)目落戶西安高新區(qū)
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?? 三星(中國(guó))半導(dǎo)體有限公司高端存儲(chǔ)芯片項(xiàng)目已落戶西安高新區(qū)，預(yù)計(jì)投資300億美元，將成為改革開(kāi)放后在中國(guó)電子信息領(lǐng)域引進(jìn)的最大外商投資項(xiàng)目。
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?? 中國(guó)移動(dòng)通信集團(tuán)陜西有限公司西安分公司成為首家與三星(中國(guó))半導(dǎo)體有限公司合作簽約的通信運(yùn)營(yíng)商。在資源共享、綜合語(yǔ)音、行業(yè)信息化等方面與三星(中國(guó))半導(dǎo)體有限公司開(kāi)展深度合作，提供包括綜合V網(wǎng)、融合通信等多項(xiàng)業(yè)界領(lǐng)先的一攬子信息化解決方案。
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8? 臺(tái)積電32億購(gòu)地? 搶先建全球首家規(guī)劃18寸晶圓廠
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臺(tái)積電過(guò)去建廠土地都以租賃形式，這次是首次大手筆買(mǎi)地，展現(xiàn)了臺(tái)積電晶圓代工廠龍頭的決心。
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日前，臺(tái)積電積極與英特爾、三星合資微影設(shè)備大廠艾司摩爾（ASML）展開(kāi)合作，加速18寸晶圓與極深度紫外光(EUV)發(fā)展。
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此次著手布建的是7nm先進(jìn)制程生產(chǎn)藍(lán)圖，并搭配18寸晶圓生產(chǎn)。新廠房最快2106年動(dòng)工。另外，臺(tái)積電18寸晶圓研發(fā)與試產(chǎn)，最快于2017年底進(jìn)入量產(chǎn)。
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9? 太極實(shí)業(yè)擬收購(gòu)新義半導(dǎo)體及新義微電子
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10月28日，太極實(shí)業(yè)就公司擬收購(gòu)EEMS旗下100%持有（間接持有）之中國(guó)子公司新義半導(dǎo)體(蘇州)有限公司及新義微電子(蘇州)有限公司的全部資產(chǎn)及經(jīng)營(yíng)性負(fù)債簽訂了《框架協(xié)議》。
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協(xié)議顯示，太極實(shí)業(yè)將直接以其自己名義收購(gòu)新義微電子的資產(chǎn)，同時(shí)，公司將在蘇州工業(yè)園區(qū)出口加工區(qū)設(shè)立其獨(dú)資或絕對(duì)控股的企業(yè)收購(gòu)新義半導(dǎo)體的資產(chǎn)。本次交易的標(biāo)的為新義半導(dǎo)體及新義微電子之全部資產(chǎn)及剔除應(yīng)由新義半導(dǎo)體及新義微電子承擔(dān)的4500萬(wàn)美元債務(wù)后的經(jīng)營(yíng)性債務(wù)。
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此次收購(gòu)，在部分歐洲企業(yè)深陷歐債危機(jī)的大背景下，以一個(gè)相對(duì)較低的價(jià)格獲得較優(yōu)質(zhì)的資產(chǎn)，有利于公司低成本擴(kuò)張，獲得獨(dú)立的半導(dǎo)體研發(fā)隊(duì)伍及市場(chǎng)銷售隊(duì)伍，深化公司在半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展。
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10? 臺(tái)積電16nm FinFET制程預(yù)計(jì)明年年底試產(chǎn)
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盡管全球經(jīng)濟(jì)狀況不甚理想，但受益于移動(dòng)通信市場(chǎng)的需求強(qiáng)勁，臺(tái)積電65、40、28奈米等先進(jìn)制程晶圓銷售量皆保持持續(xù)增長(zhǎng)。
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目前，20與16奈米制程技術(shù)已明顯加快。其中，20奈米已進(jìn)行投片測(cè)試，16奈米的研發(fā)則比預(yù)期更快，16奈米FinFET制程量產(chǎn)時(shí)程可望提前，預(yù)計(jì)明年底開(kāi)始試產(chǎn)，后年初即可開(kāi)始投入量產(chǎn)。
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另外，臺(tái)積電20奈米制程將在明年初如期量產(chǎn)。公司表示，明年資本支出仍會(huì)持續(xù)增加，以擴(kuò)增在先進(jìn)制程上的實(shí)力。
11? 先進(jìn)科技（惠州）二期項(xiàng)目半導(dǎo)體設(shè)備制造竣工投產(chǎn)
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??? 作為惠州市現(xiàn)代產(chǎn)業(yè)百?gòu)?qiáng)重點(diǎn)培育項(xiàng)目、惠城區(qū)重點(diǎn)建設(shè)項(xiàng)目，先進(jìn)科技（惠州）有限公司二期半導(dǎo)體設(shè)備制造項(xiàng)目于日前在小金口街道辦73號(hào)區(qū)竣工投產(chǎn)。
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?? 先進(jìn)科技（惠州）二期項(xiàng)目投資方為ASM先進(jìn)科技亞洲有限公司，是目前世界最大的半導(dǎo)體設(shè)備制造商，目前，公司主要負(fù)責(zé)承接香港ASM公司在深圳公司的產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移。
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整個(gè)項(xiàng)目共分為四期，一期項(xiàng)目已于2010年投產(chǎn)，主要生產(chǎn)經(jīng)營(yíng)電子專用設(shè)備及模具。二期項(xiàng)目投資3800萬(wàn)美元，建筑面積4.7萬(wàn)平方米，主要從事半導(dǎo)體設(shè)備制造。項(xiàng)目三期建成后年產(chǎn)值可超過(guò)10億元，有效提升現(xiàn)代制造企業(yè)水平，填補(bǔ)半導(dǎo)體設(shè)備制造空缺。
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12? AMD轉(zhuǎn)型ARM 64位架構(gòu)高階處理器設(shè)計(jì)? 臺(tái)積電受惠
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?? ?10月30日，AMD宣布采用ARM 64位元架構(gòu)，推出新一代Opteron資料中心及服務(wù)器處理器，預(yù)計(jì)2014年量產(chǎn)上市，并將采用在轉(zhuǎn)投資服務(wù)器廠SeaMicro產(chǎn)品線中。
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日前，AMD進(jìn)行組織精簡(jiǎn)后，10月中旬推出Hondo處理器，由臺(tái)積電40nm代工生產(chǎn)。如今，AMD決定推出ARM架構(gòu)Opteron處理器，在28、20nm先進(jìn)進(jìn)程與ARM合作多年的臺(tái)積電，有望成為其最主要的晶圓代工廠。
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13 ?優(yōu)異光電性能的新型半導(dǎo)體材料“砷化鎵納米線”問(wèn)世
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近日，挪威科技大學(xué)成功研發(fā)出一種新型半導(dǎo)體工業(yè)復(fù)合材料“砷化鎵納米線”，并申請(qǐng)了技術(shù)專利，該復(fù)合材料基于石墨烯，具有優(yōu)異的光電性能，在未來(lái)半導(dǎo)體產(chǎn)品市場(chǎng)上將極具競(jìng)爭(zhēng)性，這種新材料被認(rèn)作有望改變半導(dǎo)體工業(yè)新型設(shè)備系統(tǒng)的基礎(chǔ)。
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該產(chǎn)品采用自動(dòng)分子束外延生長(zhǎng)法，在原子級(jí)薄石墨烯上生成半導(dǎo)體納米線，新電極具有透明、韌性佳且價(jià)格低廉。該納米線是半導(dǎo)體裝置生產(chǎn)方法的新模板，可應(yīng)用于未來(lái)太陽(yáng)能電池和發(fā)光二極管的生產(chǎn)。
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該項(xiàng)技術(shù)的優(yōu)勢(shì)在于，使得電子產(chǎn)品和光電子器件升級(jí)、設(shè)計(jì)得到更好的平臺(tái) ，未來(lái)電子產(chǎn)品設(shè)計(jì)更加微型而高效，而引用石墨烯將是未來(lái)眾多電子應(yīng)用的首選材料。
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14 我國(guó)超導(dǎo)電子技術(shù)步入實(shí)用化階段? 移動(dòng)與醫(yī)療市場(chǎng)前景廣闊
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10月25日～26日，第十二屆全國(guó)超導(dǎo)薄膜和超導(dǎo)電子器件學(xué)術(shù)研討暨超導(dǎo)電子技術(shù)應(yīng)用研討會(huì)在合肥舉行。共同探討我國(guó)超導(dǎo)電子技術(shù)發(fā)展科研問(wèn)題、所取得的階段性成績(jī)，以及產(chǎn)業(yè)鏈環(huán)節(jié)籌劃與推進(jìn)，促進(jìn)超導(dǎo)電子產(chǎn)業(yè)化發(fā)展和規(guī)模商用系列問(wèn)題。
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歷時(shí)20余年研發(fā)，超導(dǎo)技術(shù)在我國(guó)深空探測(cè)、航天應(yīng)用、氣象雷達(dá)方面，在世界已占據(jù)一席之地。譬如：我國(guó)建成國(guó)際首個(gè)高溫超導(dǎo)氣象雷達(dá)站，超導(dǎo)接收機(jī)成功實(shí)現(xiàn)嫦娥探月工程，超導(dǎo)高溫濾波器已在全國(guó)16個(gè)省投入應(yīng)用等等。
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超導(dǎo)電子應(yīng)用領(lǐng)域，移動(dòng)基站和醫(yī)療設(shè)備兩大市場(chǎng)尚屬起步階段。在未來(lái)的發(fā)展前景中，降低成本是產(chǎn)業(yè)化面臨的一大問(wèn)題。只有通過(guò)技術(shù)、市場(chǎng)、資金三方位結(jié)合，才能更好地實(shí)現(xiàn)超導(dǎo)電子規(guī)模商用和產(chǎn)業(yè)化的發(fā)展。
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市場(chǎng)觀察：
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1? 今年1-8月我國(guó)集成電路產(chǎn)量同比增長(zhǎng)8.5%
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?? 今年以來(lái)，盡管經(jīng)濟(jì)下行壓力較大，但在移動(dòng)終端、消費(fèi)電子市場(chǎng)持續(xù)增長(zhǎng)的帶動(dòng)下，我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)實(shí)現(xiàn)平穩(wěn)增長(zhǎng)，上半年銷售收入852.8億元，同比增長(zhǎng)7.5%。在整機(jī)銷售旺季到來(lái)、庫(kù)存補(bǔ)充等因素的推動(dòng)下，第三季度以來(lái)我國(guó)集成電路產(chǎn)量明顯上升。1～8月產(chǎn)量累計(jì)為631億塊，同比增長(zhǎng)8.5%。
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2? 臺(tái)積電28nm工藝產(chǎn)能翻倍 晶圓供不應(yīng)求
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? 今年第三季度，臺(tái)積電收入和利潤(rùn)都有了較大幅度的增長(zhǎng)。28nm產(chǎn)能實(shí)現(xiàn)翻番。
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? 臺(tái)積電28nm工藝產(chǎn)能營(yíng)收占總收13%，第四季將超過(guò)20%，明年預(yù)計(jì)將上升至30%。良品率也在持續(xù)改進(jìn)，毛利率會(huì)在第四季度超過(guò)40%，2013年達(dá)到公司平均水平(45-50%)。
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?? 目前，臺(tái)積電28nm生產(chǎn)線正在百分之百滿負(fù)荷運(yùn)轉(zhuǎn)，但證明依然供不應(yīng)求。
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? ?小編總結(jié)：隨著傳統(tǒng)淡季的來(lái)臨，傳統(tǒng)PC向智能手機(jī)、平板電腦應(yīng)用轉(zhuǎn)變的影響、消費(fèi)性市場(chǎng)的萎靡不振、上游晶片商投片量減少，全球晶圓廠產(chǎn)能利用率下滑近兩成，預(yù)計(jì)2013年底才可望緩步提升。28nm先進(jìn)制程工藝產(chǎn)能雖持續(xù)滿載，但仍不足以帶動(dòng)整體產(chǎn)能利用率回升至期望值。
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3 日月光：第四季封測(cè)材料出貨預(yù)期可增3~5%
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28nm供應(yīng)不如預(yù)期，第3季封裝與材料出貨量季增4%，望后市，第4季在28納米供應(yīng)情況恢復(fù)順暢后，封測(cè)與材料出貨量可望季增3~5%，維持今年出貨量逐季提高的趨勢(shì)。)
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小編總結(jié)：受惠于高端智能手機(jī)、IDM客戶訂單回流影響，先進(jìn)28nm制程產(chǎn)能供不應(yīng)求，集成電路封測(cè)與材料業(yè)也呈現(xiàn)逐季提高的趨勢(shì)。
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4 半導(dǎo)體二線封測(cè)廠Q3賺贏一線廠
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? ??今年3月底以來(lái)，外資買(mǎi)進(jìn)標(biāo)的幾乎集中在二線封測(cè)廠，尤以京元電（2449）、矽格買(mǎi)盤(pán)最積極。京元電外資持股大增13.92百分點(diǎn)，達(dá)到37.18%，矽格持股增6.22百分點(diǎn)，持股達(dá)23.42%，均創(chuàng)歷來(lái)最高紀(jì)錄。
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外資減碼日月光，主要原因在于日月光今年毛利率表現(xiàn)未及矽品。主要表現(xiàn)在日月光整合元件大廠（IDM）銅打線及高階封測(cè)委外訂單未能如期析出，主力訂單遭遇矽品等二線廠商分食，日月光高額折舊情況保持不變等等。
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反觀京元電、矽格，主力客戶幾乎切入蘋(píng)果、三星及大陸中低價(jià)智能型手機(jī)供應(yīng)鏈，近年來(lái)資本支出保守，推升毛利率表現(xiàn)，未來(lái)成長(zhǎng)及獲利表現(xiàn)良好。期望第四季營(yíng)運(yùn)也將優(yōu)于以往表現(xiàn)。
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5 ?世界先進(jìn)Q4晶圓營(yíng)收較上季度持平或微減
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世界先進(jìn)表示，十一黃金周后，部分客戶仍保持強(qiáng)勁需求，預(yù)估公司第四季度晶圓出貨量較之第三季度，會(huì)保持持平或微幅下滑趨勢(shì)，產(chǎn)能利用率在84%至86%，Q4整體展望優(yōu)于外界預(yù)期。
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小編總結(jié)：隨著年底的臨近，部分客戶進(jìn)行庫(kù)存調(diào)整，晶圓產(chǎn)能受到小幅影響。但大尺寸面板驅(qū)動(dòng)IC（TV和平板）需求依然旺盛，Q4消費(fèi)性電子營(yíng)收占比也會(huì)成長(zhǎng)，而表現(xiàn)相對(duì)疲軟的則為PC相關(guān)和電源管理IC。
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6? PC產(chǎn)業(yè)2013年上半年帶動(dòng)半導(dǎo)體需求反彈? 封測(cè)景氣優(yōu)于晶圓代工
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全球經(jīng)濟(jì)情況不確定性持續(xù)提升，連帶影響今年下半年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)表現(xiàn)。僅剩行動(dòng)裝置平板電腦和智慧型手機(jī)相關(guān)產(chǎn)品推升營(yíng)運(yùn)表現(xiàn)。PC影響半導(dǎo)體需求最大，盡管以期Windows 8上市能帶動(dòng)PC需求上揚(yáng)，但由于終端價(jià)格偏高，預(yù)期買(mǎi)氣亦將會(huì)延續(xù)。
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小編總結(jié)：在歷經(jīng)今年底2季度的庫(kù)存調(diào)整，在通訊產(chǎn)品需求加持下，預(yù)期2013年上半年P(guān)C產(chǎn)業(yè)景氣可望反彈，基于產(chǎn)能供應(yīng)有限，高階封測(cè)需求持續(xù)走揚(yáng)，預(yù)計(jì)明年封測(cè)產(chǎn)業(yè)景氣表現(xiàn)將優(yōu)于晶圓代工。
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新品方案：
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?[持續(xù)更新] 近期電子新品方案匯總(10.29-11.04)
?http://elecfans.com/tongxin/119/20121101295986.html
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?【半導(dǎo)體】
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1? Vishay發(fā)布應(yīng)用于國(guó)防和航天的新款QPL氮化鉭薄膜片式電阻
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日前，Vishay Intertechnology, Inc.( VSH)宣布推出通過(guò)QPL MIL-PRF-55342測(cè)試的新款表面貼裝片式電阻---E/H (Ta2N) QPL，保證可靠性達(dá)到100ppm的“M”級(jí)失效率。新的E/H (Ta2N) QPL電阻使用耐潮的氮化鉭電阻膜技術(shù)制造，為國(guó)防和航天應(yīng)用提供了增強(qiáng)的性能規(guī)格，包括0.1%的容差和25ppm/℃的TCR。
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???? 詳情了解：http://elecfans.com/xinpian/ic/20121101295940.html
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?【通信應(yīng)用】
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?1 ?TriQuint半導(dǎo)體推出業(yè)內(nèi)首個(gè)雙通道、表面貼裝的光調(diào)制器驅(qū)動(dòng)器TGA4947-SL
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技術(shù)創(chuàng)新的射頻解決方案領(lǐng)導(dǎo)廠商TriQuint半導(dǎo)體公司今天宣布，推出業(yè)內(nèi)首個(gè)雙通道、表面貼裝的光調(diào)制器驅(qū)動(dòng)器---TGA4947-SL，可降低物料清單和縮小專用于光驅(qū)動(dòng)功能的印刷電路板面積。
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TGA4947-SL是分別使用DQPSK和DP-QPSK調(diào)制，為40 Gb/s和100 Gb/s光波網(wǎng)絡(luò)而設(shè)計(jì)。提供出色隔離對(duì)于降低位元錯(cuò)誤率的影響，可維持從DC至 40 GHz帶寬的30dB高通道至通道的隔離。TriQuint提供最低的功耗（在6Vpp輸出時(shí)每通道僅1.2W），實(shí)現(xiàn)更緊湊的光發(fā)射器設(shè)計(jì)。與TriQuint的智能評(píng)估板 (Smart EVB?) 解決方案兼容，簡(jiǎn)化射頻連接等。
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詳情了解：http://elecfans.com/xinpian/ic/TGA4947-SL.html
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2? ?同方微電子攜手宏力半導(dǎo)體量產(chǎn)0.13微米最小閃存存儲(chǔ)單元SIM卡
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??? ?近日，北京同方微電子與晶圓制造服務(wù)公司上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司共同宣布, 同方微電子采用宏力半導(dǎo)體0.13微米微縮版嵌入式閃存技術(shù)生產(chǎn)的SIM卡芯片出貨量已超過(guò)2億顆，且生產(chǎn)良率穩(wěn)定，產(chǎn)品性能突出，已大量投放國(guó)內(nèi)市場(chǎng)。
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宏力半導(dǎo)體的0.13微米微縮版嵌入式閃存技術(shù)是在現(xiàn)有成熟的0.13微米嵌入式閃存技術(shù)基礎(chǔ)上，進(jìn)一步優(yōu)化生產(chǎn)工藝，將原來(lái)0.38平方微米的閃存存儲(chǔ)單元面積顯著減小了近50%(小于0.2平方微米)，為業(yè)界0.13微米嵌入式閃存技術(shù)節(jié)點(diǎn)的最小閃存存儲(chǔ)單元尺寸，尤其適合大容量閃存的產(chǎn)品。該閃存技術(shù)具有很高的耐擦寫(xiě)能力和數(shù)據(jù)保持特性，可重復(fù)擦寫(xiě)10萬(wàn)次，數(shù)據(jù)保持100年，并且兼具編程效率高和無(wú)過(guò)度擦除的優(yōu)點(diǎn)。此外，該款技術(shù)搭配宏力半導(dǎo)體獨(dú)有的雙閘工藝平臺(tái)，提供了市場(chǎng)應(yīng)用中最低本高效之解決方案。
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3? 德州儀器推出基于藍(lán)牙4.0易集成型QFN封裝CC2560和CC2564器件
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日前，德州儀器(TI)宣布：TI及其分銷合作伙伴現(xiàn)已開(kāi)始推出基于藍(lán)牙(Bluetooth?) v4.0 技術(shù)、采用易集成型QFN 封裝cc2560和cc2564器件。此外，TI還宣布推出了基于這兩款器件的其它生產(chǎn)就緒型模塊以及軟件工具。
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CC2560器件可為需要高吞吐量的音頻與數(shù)據(jù)應(yīng)用提供藍(lán)牙v4.0“傳統(tǒng)”支持。CC2564器件支持兩種選擇：雙模藍(lán)牙／藍(lán)牙低耗能或雙模藍(lán)牙／ANT+?？蓮碾p模解決方案獲得優(yōu)勢(shì)的應(yīng)用包括需要與藍(lán)牙“傳統(tǒng)”產(chǎn)品進(jìn)行無(wú)線通信的產(chǎn)品以及藍(lán)牙低耗能或ANT+設(shè)備（如運(yùn)動(dòng)健身整合型產(chǎn)品小配件或智能手表等）等。此外，雙模藍(lán)牙v4.0 解決方案還可用作支持更遠(yuǎn)覆蓋范圍的傳感器解決方案，無(wú)論移動(dòng)設(shè)備是否采用藍(lán)牙低耗能技術(shù)，都能與其通信。
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【模擬數(shù)字】
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1 ??麥瑞半導(dǎo)體推出支持關(guān)機(jī)功能的新款低噪聲放大器
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麥瑞半導(dǎo)體公司（Micrel Inc.）宣布推出帶有低功耗休眠模式的100MHz至1000MHz低噪聲放大器（LNA）MICRF300。MICRF300是面向100MHz至1000MHz頻率范圍的無(wú)鑰匙進(jìn)入（RKE）、車庫(kù)門(mén)遙控開(kāi)關(guān)（GDO）和自動(dòng)抄表（AMR）等低功耗、低數(shù)據(jù)傳輸率應(yīng)用的器件。
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MICRF300提供低噪聲系數(shù)和集成邏輯電平休眠功能，射頻應(yīng)用設(shè)計(jì)師可以利用它非常容易地?cái)U(kuò)大無(wú)鑰匙進(jìn)入、車庫(kù)門(mén)遙控開(kāi)關(guān)和自動(dòng)抄表等應(yīng)用的遙控距離。該器件的邏輯電平關(guān)機(jī)輸入電路使得它可以非常容易地連接到單片機(jī)，無(wú)需分立式低噪聲放大器普遍需要的額外偏壓電路來(lái)實(shí)現(xiàn)休眠功能。這使得該器件成了那些依靠電池供電、平均電流消耗極低且空間有限的應(yīng)用的理想解決方案。
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詳情了解：http://elecfans.com/xinpian/ic/MICRF300.html
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2 ?德州儀器（TI）推出兩款雙極輸入音訊運(yùn)算放大器
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德州儀器 （TI） 宣布推出兩款雙極輸入音訊運(yùn)算放大器，可提供優(yōu)異雜訊、失真及頻寬效能，僅需消耗1.5mA 電流。低功耗雙通道 OPA1662 與四通道OPA1664可幫助系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員開(kāi)發(fā)最新專業(yè)級(jí)與半專業(yè)級(jí)音訊設(shè)備，完美還塬真實(shí)錄音效果的清晰音質(zhì)。這些運(yùn)算放大器適用于USB與FireWire音訊系統(tǒng)、類比與數(shù)位混合器、可攜式錄音系統(tǒng)及其它需要最高雜訊效能與低功耗的應(yīng)用。
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詳情了解：http://elecfans.com/xinpian/ic/20121031295777.html
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3 麥瑞半導(dǎo)體發(fā)布新型可高度配置的雙鎖相環(huán)(PLL)時(shí)脈發(fā)生器
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麥瑞半導(dǎo)體公司(Micrel Inc.)發(fā)布新型可高度配置的雙鎖相環(huán)(PLL)時(shí)脈產(chǎn)發(fā)生器系列產(chǎn)品，優(yōu)化超低抖動(dòng)、超強(qiáng)串?dāng)_隔離和增強(qiáng)型電源雜訊抑制。SM803xxx系列產(chǎn)品有12個(gè)提供高達(dá)850MHz頻率的差分或單端輸出，這些輸出的RMS相位抖動(dòng)均小于200飛秒(fs)。FLEX2可支援那些需要用單一IC實(shí)現(xiàn)多頻率、高扇出和超低抖動(dòng)的高要求應(yīng)用，包括10/40/100Gb乙太網(wǎng)、SONET/SDH、CPRI/OBSAI、光纖通道、SAS/SATA，以及FPGA和SerDes的高速時(shí)脈等。FLEX2可以通過(guò)基于熔絲的一次性可程式設(shè)計(jì)(OTP)記憶體進(jìn)行工廠配置，提供了一個(gè)自訂、快速轉(zhuǎn)變和高性能的時(shí)脈解決方案，縮短了產(chǎn)品成型時(shí)間和終端系統(tǒng)設(shè)計(jì)周期。
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詳情了解：http://elecfans.com/xinpian/ic/20121031295793.html
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4? ADI發(fā)布相位噪聲性能的PLL頻率合成器ADF4153A
?? http://elecfans.com/xinpian/ic/ADF4153A.html
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【電源管理】
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1? 麥瑞半導(dǎo)體推出兩款車用級(jí)高性能線性穩(wěn)壓器
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麥瑞半導(dǎo)體公司（Micrel Inc.）推出兩款合乎AEC-Q100標(biāo)準(zhǔn)的新型高性能線性穩(wěn)壓器。MAQ5281/82系列產(chǎn)品具有最高120V DC的極寬輸入工作電壓范圍，輸出電流分別高達(dá)25mA和50mA。這兩款器件是汽車和工業(yè)應(yīng)用中經(jīng)常碰到的惡劣環(huán)境下使用的理想產(chǎn)品。
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麥瑞半導(dǎo)體的新型MAQ5281/82是車用級(jí)產(chǎn)品，保證輸出電流分別為25mA和50mA，輸出電壓可在1.27V到5.5V范圍內(nèi)調(diào)節(jié)，可以承受高達(dá)120V DC的輸入電壓，而且具備超高的電源抑制比（PSRR）（大于90分貝）。
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詳情了解：http://elecfans.com/xinpian/ic/20121101295935.html
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2? Diodes推出首款采用了微型無(wú)引線封裝的肖特基二極管
?? http://elecfans.com/xinpian/ic/20121101295937.html
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3? 德州儀器推出降壓轉(zhuǎn)換器TPS62175
?? http://elecfans.com/xinpian/ic/20121102296056.html
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4? Intersil推出最低功耗雙端口G類線路驅(qū)動(dòng)器-ISL1561
?? http://elecfans.com/xinpian/ic/ISL1561.html
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Altera率先測(cè)試浮點(diǎn)DSP設(shè)計(jì) 助力簡(jiǎn)化算法和成本
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深入IBM超導(dǎo)前沿實(shí)驗(yàn)室，先進(jìn)儀器曝光
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http://srfitnesspt.com/article/90/152/2012/1101295975.html
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本周熱點(diǎn)資訊：
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1? 美光收購(gòu)爾必達(dá)獲批準(zhǔn)? 或?qū)⒊蔀槿虻诙?a href="http://srfitnesspt.com/tags/dram/" target="_blank">DRAM廠商
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本周三（31日），日本東京法院批準(zhǔn)美光科技對(duì)爾必達(dá)的收購(gòu)案，同時(shí)否決債券持有者提交的候選方案，從而使得這一計(jì)劃向前邁進(jìn)一大步。
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由于PC行業(yè)疲軟、電腦芯片價(jià)格下跌競(jìng)爭(zhēng)加劇，導(dǎo)致?tīng)柋剡_(dá)破產(chǎn)，美光也處于虧損狀態(tài)。為實(shí)現(xiàn)公司更大規(guī)模經(jīng)濟(jì)，今年早些時(shí)間，美光向爾必達(dá)發(fā)出收購(gòu)要約。除了7.5億美元現(xiàn)金外，美光科技還將在2019年底前為爾必達(dá)支付總額17.5億美元的分期債務(wù)。
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預(yù)計(jì)至2013年上半年，美光科技將完成對(duì)爾必達(dá)的收購(gòu)。交易完成后，美光將成為僅次于三星的全球第二大DRAM芯片制造商。
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2? 聯(lián)電14nm FinFET制程技術(shù)將于2014年試產(chǎn)
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日前，聯(lián)電將直接跳過(guò)20奈米，全力研發(fā)新一代14奈米FinFET制程，該技術(shù)可提供通訊晶片與應(yīng)用處理器低功耗與高效能優(yōu)勢(shì)，擴(kuò)大搶攻通訊與消費(fèi)性電子IC制造市場(chǎng)。
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14奈米FinFET制程藉由雙重曝光微影技術(shù)實(shí)現(xiàn)，盡管現(xiàn)今成本高昂，但卻能大幅提升單位面積內(nèi)電晶體的整體效能，成為晶圓代工業(yè)爭(zhēng)相競(jìng)逐的技術(shù)。
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據(jù)悉，此一新制程目前正于南科研究中心全力研發(fā)中，預(yù)計(jì)2014年初可完成驗(yàn)證，并旋即進(jìn)行試產(chǎn)。 ?
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3? IBM再創(chuàng)奇跡！碳納米管邁出取代硅第一步
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歷史上第一次！IBM利用離子交換化學(xué)理論研究的全新方法，使用標(biāo)準(zhǔn)的主流半導(dǎo)體工藝，實(shí)現(xiàn)了將百萬(wàn)碳納米管打造的晶體管精確地放置在一顆芯片內(nèi)，并通過(guò)了可行性測(cè)試。至此，IBM邁出了用碳納米管在半導(dǎo)體制造工藝領(lǐng)域投入商業(yè)化應(yīng)用的第一步。
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詳情了解：http://elecfans.com/news/foreign/20121029294719.html
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4? 安森美半導(dǎo)體計(jì)劃2015年躋身全球前十大半導(dǎo)體廠商行列。
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?? 安森美半導(dǎo)體主營(yíng)業(yè)務(wù)包括分立器件、標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品、二極管、轉(zhuǎn)發(fā)器等產(chǎn)品，高端產(chǎn)品在電源管理、電機(jī)控制/驅(qū)動(dòng)方面、電路保護(hù)、工業(yè)ASIC等多領(lǐng)域占據(jù)世界領(lǐng)先地位。
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? 為實(shí)現(xiàn)這一計(jì)劃，安森美半導(dǎo)體主要開(kāi)展三方面的工作：第一，實(shí)現(xiàn)在汽車等支柱行業(yè)的有機(jī)增長(zhǎng)；第二，進(jìn)一步在電源模塊、小系統(tǒng)和子系統(tǒng)的業(yè)務(wù)上實(shí)現(xiàn)突破。第三，收購(gòu)在業(yè)務(wù)上具有互補(bǔ)性的一些目標(biāo)企業(yè)。
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? 在汽車半導(dǎo)體方面，安森美計(jì)劃2016年實(shí)現(xiàn)翻倍增長(zhǎng)，不斷加大中國(guó)市場(chǎng)的投入。
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5? 年度性“國(guó)際技術(shù)合作伙伴會(huì)議（ITPC 2012）”11月份即將上演。
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? ?ITPC今年的議題為：技術(shù)的長(zhǎng)期發(fā)展方向和今天的商業(yè)模式帶來(lái)的影響。而對(duì)亞洲成長(zhǎng)機(jī)會(huì)的探討則是最大的熱門(mén)話題，目前已經(jīng)吸引到Global Foundries、IBM、Intel、Micron、Qualcomm、Toshiba 等產(chǎn)業(yè)精英匯聚ITPC 2012。
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?? 會(huì)議特別邀請(qǐng)到半導(dǎo)體代工業(yè)者Global Foundries、工藝先導(dǎo)IBM、CPU大佬Intel、存儲(chǔ)產(chǎn)品有力競(jìng)爭(zhēng)者M(jìn)icron、全球頂級(jí)通信芯片設(shè)計(jì)公司Qualcomm和IDM的代表Toshiba 等國(guó)際大廠到場(chǎng)聚焦技術(shù)開(kāi)發(fā)、策略布局與半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移趨勢(shì)等議題，通過(guò)舉辦高峰會(huì)談等形式，針對(duì)動(dòng)蕩時(shí)代下的半導(dǎo)體技術(shù)挑戰(zhàn) (包括450mm晶圓開(kāi)發(fā))等議題進(jìn)行探討。?
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?? ITPC 2012舉辦時(shí)間：11月4-7日，舉辦地點(diǎn)：Hawaii
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6? 第80屆中國(guó)電子展（2012上海電子展）10月30日正式開(kāi)幕
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中國(guó)最大電子展迎來(lái)80屆盛典，在上海新國(guó)際博覽中心隆重開(kāi)幕。
在當(dāng)前全球經(jīng)濟(jì)不景氣的情況下，新能源、數(shù)碼消費(fèi)電子、綠色環(huán)保概念等成為了本屆展會(huì)的幾大亮點(diǎn)。
本屆電子展上，有超過(guò)1300多家展商參展，集中展示電子元器件、電子生產(chǎn)設(shè)備、電子工具、儀器儀表、光電產(chǎn)品、消費(fèi)電子產(chǎn)品等完整產(chǎn)業(yè)鏈，展位2100多個(gè)，展示面積50000平方米。展會(huì)專設(shè)物聯(lián)網(wǎng)及RFID、智能終端、移動(dòng)精品、3D立體視像、LED照明、太陽(yáng)能光伏、電源電池等熱門(mén)展區(qū)。
詳情了解：http://elecfans.com/zhanhui/redian/20121031295803.html
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7? 三星半導(dǎo)體高端存儲(chǔ)芯片項(xiàng)目落戶西安高新區(qū)
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?? 三星(中國(guó))半導(dǎo)體有限公司高端存儲(chǔ)芯片項(xiàng)目已落戶西安高新區(qū)，預(yù)計(jì)投資300億美元，將成為改革開(kāi)放后在中國(guó)電子信息領(lǐng)域引進(jìn)的最大外商投資項(xiàng)目。
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?? 中國(guó)移動(dòng)通信集團(tuán)陜西有限公司西安分公司成為首家與三星(中國(guó))半導(dǎo)體有限公司合作簽約的通信運(yùn)營(yíng)商。在資源共享、綜合語(yǔ)音、行業(yè)信息化等方面與三星(中國(guó))半導(dǎo)體有限公司開(kāi)展深度合作，提供包括綜合V網(wǎng)、融合通信等多項(xiàng)業(yè)界領(lǐng)先的一攬子信息化解決方案。
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8? 臺(tái)積電32億購(gòu)地? 搶先建全球首家規(guī)劃18寸晶圓廠
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臺(tái)積電過(guò)去建廠土地都以租賃形式，這次是首次大手筆買(mǎi)地，展現(xiàn)了臺(tái)積電晶圓代工廠龍頭的決心。
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日前，臺(tái)積電積極與英特爾、三星合資微影設(shè)備大廠艾司摩爾（ASML）展開(kāi)合作，加速18寸晶圓與極深度紫外光(EUV)發(fā)展。
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此次著手布建的是7nm先進(jìn)制程生產(chǎn)藍(lán)圖，并搭配18寸晶圓生產(chǎn)。新廠房最快2106年動(dòng)工。另外，臺(tái)積電18寸晶圓研發(fā)與試產(chǎn)，最快于2017年底進(jìn)入量產(chǎn)。
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9? 太極實(shí)業(yè)擬收購(gòu)新義半導(dǎo)體及新義微電子
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10月28日，太極實(shí)業(yè)就公司擬收購(gòu)EEMS旗下100%持有（間接持有）之中國(guó)子公司新義半導(dǎo)體(蘇州)有限公司及新義微電子(蘇州)有限公司的全部資產(chǎn)及經(jīng)營(yíng)性負(fù)債簽訂了《框架協(xié)議》。
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協(xié)議顯示，太極實(shí)業(yè)將直接以其自己名義收購(gòu)新義微電子的資產(chǎn)，同時(shí)，公司將在蘇州工業(yè)園區(qū)出口加工區(qū)設(shè)立其獨(dú)資或絕對(duì)控股的企業(yè)收購(gòu)新義半導(dǎo)體的資產(chǎn)。本次交易的標(biāo)的為新義半導(dǎo)體及新義微電子之全部資產(chǎn)及剔除應(yīng)由新義半導(dǎo)體及新義微電子承擔(dān)的4500萬(wàn)美元債務(wù)后的經(jīng)營(yíng)性債務(wù)。
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此次收購(gòu)，在部分歐洲企業(yè)深陷歐債危機(jī)的大背景下，以一個(gè)相對(duì)較低的價(jià)格獲得較優(yōu)質(zhì)的資產(chǎn)，有利于公司低成本擴(kuò)張，獲得獨(dú)立的半導(dǎo)體研發(fā)隊(duì)伍及市場(chǎng)銷售隊(duì)伍，深化公司在半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展。
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10? 臺(tái)積電16nm FinFET制程預(yù)計(jì)明年年底試產(chǎn)
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盡管全球經(jīng)濟(jì)狀況不甚理想，但受益于移動(dòng)通信市場(chǎng)的需求強(qiáng)勁，臺(tái)積電65、40、28奈米等先進(jìn)制程晶圓銷售量皆保持持續(xù)增長(zhǎng)。
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目前，20與16奈米制程技術(shù)已明顯加快。其中，20奈米已進(jìn)行投片測(cè)試，16奈米的研發(fā)則比預(yù)期更快，16奈米FinFET制程量產(chǎn)時(shí)程可望提前，預(yù)計(jì)明年底開(kāi)始試產(chǎn)，后年初即可開(kāi)始投入量產(chǎn)。
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另外，臺(tái)積電20奈米制程將在明年初如期量產(chǎn)。公司表示，明年資本支出仍會(huì)持續(xù)增加，以擴(kuò)增在先進(jìn)制程上的實(shí)力。
11? 先進(jìn)科技（惠州）二期項(xiàng)目半導(dǎo)體設(shè)備制造竣工投產(chǎn)
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??? 作為惠州市現(xiàn)代產(chǎn)業(yè)百?gòu)?qiáng)重點(diǎn)培育項(xiàng)目、惠城區(qū)重點(diǎn)建設(shè)項(xiàng)目，先進(jìn)科技（惠州）有限公司二期半導(dǎo)體設(shè)備制造項(xiàng)目于日前在小金口街道辦73號(hào)區(qū)竣工投產(chǎn)。
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?? 先進(jìn)科技（惠州）二期項(xiàng)目投資方為ASM先進(jìn)科技亞洲有限公司，是目前世界最大的半導(dǎo)體設(shè)備制造商，目前，公司主要負(fù)責(zé)承接香港ASM公司在深圳公司的產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移。
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整個(gè)項(xiàng)目共分為四期，一期項(xiàng)目已于2010年投產(chǎn)，主要生產(chǎn)經(jīng)營(yíng)電子專用設(shè)備及模具。二期項(xiàng)目投資3800萬(wàn)美元，建筑面積4.7萬(wàn)平方米，主要從事半導(dǎo)體設(shè)備制造。項(xiàng)目三期建成后年產(chǎn)值可超過(guò)10億元，有效提升現(xiàn)代制造企業(yè)水平，填補(bǔ)半導(dǎo)體設(shè)備制造空缺。
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12? AMD轉(zhuǎn)型ARM 64位架構(gòu)高階處理器設(shè)計(jì)? 臺(tái)積電受惠
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?? ?10月30日，AMD宣布采用ARM 64位元架構(gòu)，推出新一代Opteron資料中心及服務(wù)器處理器，預(yù)計(jì)2014年量產(chǎn)上市，并將采用在轉(zhuǎn)投資服務(wù)器廠SeaMicro產(chǎn)品線中。
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日前，AMD進(jìn)行組織精簡(jiǎn)后，10月中旬推出Hondo處理器，由臺(tái)積電40nm代工生產(chǎn)。如今，AMD決定推出ARM架構(gòu)Opteron處理器，在28、20nm先進(jìn)進(jìn)程與ARM合作多年的臺(tái)積電，有望成為其最主要的晶圓代工廠。
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13 ?優(yōu)異光電性能的新型半導(dǎo)體材料“砷化鎵納米線”問(wèn)世
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近日，挪威科技大學(xué)成功研發(fā)出一種新型半導(dǎo)體工業(yè)復(fù)合材料“砷化鎵納米線”，并申請(qǐng)了技術(shù)專利，該復(fù)合材料基于石墨烯，具有優(yōu)異的光電性能，在未來(lái)半導(dǎo)體產(chǎn)品市場(chǎng)上將極具競(jìng)爭(zhēng)性，這種新材料被認(rèn)作有望改變半導(dǎo)體工業(yè)新型設(shè)備系統(tǒng)的基礎(chǔ)。
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該產(chǎn)品采用自動(dòng)分子束外延生長(zhǎng)法，在原子級(jí)薄石墨烯上生成半導(dǎo)體納米線，新電極具有透明、韌性佳且價(jià)格低廉。該納米線是半導(dǎo)體裝置生產(chǎn)方法的新模板，可應(yīng)用于未來(lái)太陽(yáng)能電池和發(fā)光二極管的生產(chǎn)。
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該項(xiàng)技術(shù)的優(yōu)勢(shì)在于，使得電子產(chǎn)品和光電子器件升級(jí)、設(shè)計(jì)得到更好的平臺(tái) ，未來(lái)電子產(chǎn)品設(shè)計(jì)更加微型而高效，而引用石墨烯將是未來(lái)眾多電子應(yīng)用的首選材料。
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14 我國(guó)超導(dǎo)電子技術(shù)步入實(shí)用化階段? 移動(dòng)與醫(yī)療市場(chǎng)前景廣闊
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10月25日～26日，第十二屆全國(guó)超導(dǎo)薄膜和超導(dǎo)電子器件學(xué)術(shù)研討暨超導(dǎo)電子技術(shù)應(yīng)用研討會(huì)在合肥舉行。共同探討我國(guó)超導(dǎo)電子技術(shù)發(fā)展科研問(wèn)題、所取得的階段性成績(jī)，以及產(chǎn)業(yè)鏈環(huán)節(jié)籌劃與推進(jìn)，促進(jìn)超導(dǎo)電子產(chǎn)業(yè)化發(fā)展和規(guī)模商用系列問(wèn)題。
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歷時(shí)20余年研發(fā)，超導(dǎo)技術(shù)在我國(guó)深空探測(cè)、航天應(yīng)用、氣象雷達(dá)方面，在世界已占據(jù)一席之地。譬如：我國(guó)建成國(guó)際首個(gè)高溫超導(dǎo)氣象雷達(dá)站，超導(dǎo)接收機(jī)成功實(shí)現(xiàn)嫦娥探月工程，超導(dǎo)高溫濾波器已在全國(guó)16個(gè)省投入應(yīng)用等等。
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超導(dǎo)電子應(yīng)用領(lǐng)域，移動(dòng)基站和醫(yī)療設(shè)備兩大市場(chǎng)尚屬起步階段。在未來(lái)的發(fā)展前景中，降低成本是產(chǎn)業(yè)化面臨的一大問(wèn)題。只有通過(guò)技術(shù)、市場(chǎng)、資金三方位結(jié)合，才能更好地實(shí)現(xiàn)超導(dǎo)電子規(guī)模商用和產(chǎn)業(yè)化的發(fā)展。
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市場(chǎng)觀察：
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1? 今年1-8月我國(guó)集成電路產(chǎn)量同比增長(zhǎng)8.5%
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?? 今年以來(lái)，盡管經(jīng)濟(jì)下行壓力較大，但在移動(dòng)終端、消費(fèi)電子市場(chǎng)持續(xù)增長(zhǎng)的帶動(dòng)下，我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)實(shí)現(xiàn)平穩(wěn)增長(zhǎng)，上半年銷售收入852.8億元，同比增長(zhǎng)7.5%。在整機(jī)銷售旺季到來(lái)、庫(kù)存補(bǔ)充等因素的推動(dòng)下，第三季度以來(lái)我國(guó)集成電路產(chǎn)量明顯上升。1～8月產(chǎn)量累計(jì)為631億塊，同比增長(zhǎng)8.5%。
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2? 臺(tái)積電28nm工藝產(chǎn)能翻倍 晶圓供不應(yīng)求
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? 今年第三季度，臺(tái)積電收入和利潤(rùn)都有了較大幅度的增長(zhǎng)。28nm產(chǎn)能實(shí)現(xiàn)翻番。
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? 臺(tái)積電28nm工藝產(chǎn)能營(yíng)收占總收13%，第四季將超過(guò)20%，明年預(yù)計(jì)將上升至30%。良品率也在持續(xù)改進(jìn)，毛利率會(huì)在第四季度超過(guò)40%，2013年達(dá)到公司平均水平(45-50%)。
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?? 目前，臺(tái)積電28nm生產(chǎn)線正在百分之百滿負(fù)荷運(yùn)轉(zhuǎn)，但證明依然供不應(yīng)求。
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? ?小編總結(jié)：隨著傳統(tǒng)淡季的來(lái)臨，傳統(tǒng)PC向智能手機(jī)、平板電腦應(yīng)用轉(zhuǎn)變的影響、消費(fèi)性市場(chǎng)的萎靡不振、上游晶片商投片量減少，全球晶圓廠產(chǎn)能利用率下滑近兩成，預(yù)計(jì)2013年底才可望緩步提升。28nm先進(jìn)制程工藝產(chǎn)能雖持續(xù)滿載，但仍不足以帶動(dòng)整體產(chǎn)能利用率回升至期望值。
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3 日月光：第四季封測(cè)材料出貨預(yù)期可增3~5%
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28nm供應(yīng)不如預(yù)期，第3季封裝與材料出貨量季增4%，望后市，第4季在28納米供應(yīng)情況恢復(fù)順暢后，封測(cè)與材料出貨量可望季增3~5%，維持今年出貨量逐季提高的趨勢(shì)。)
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小編總結(jié)：受惠于高端智能手機(jī)、IDM客戶訂單回流影響，先進(jìn)28nm制程產(chǎn)能供不應(yīng)求，集成電路封測(cè)與材料業(yè)也呈現(xiàn)逐季提高的趨勢(shì)。
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4 半導(dǎo)體二線封測(cè)廠Q3賺贏一線廠
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? ??今年3月底以來(lái)，外資買(mǎi)進(jìn)標(biāo)的幾乎集中在二線封測(cè)廠，尤以京元電（2449）、矽格買(mǎi)盤(pán)最積極。京元電外資持股大增13.92百分點(diǎn)，達(dá)到37.18%，矽格持股增6.22百分點(diǎn)，持股達(dá)23.42%，均創(chuàng)歷來(lái)最高紀(jì)錄。
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外資減碼日月光，主要原因在于日月光今年毛利率表現(xiàn)未及矽品。主要表現(xiàn)在日月光整合元件大廠（IDM）銅打線及高階封測(cè)委外訂單未能如期析出，主力訂單遭遇矽品等二線廠商分食，日月光高額折舊情況保持不變等等。
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反觀京元電、矽格，主力客戶幾乎切入蘋(píng)果、三星及大陸中低價(jià)智能型手機(jī)供應(yīng)鏈，近年來(lái)資本支出保守，推升毛利率表現(xiàn)，未來(lái)成長(zhǎng)及獲利表現(xiàn)良好。期望第四季營(yíng)運(yùn)也將優(yōu)于以往表現(xiàn)。
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5 ?世界先進(jìn)Q4晶圓營(yíng)收較上季度持平或微減
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世界先進(jìn)表示，十一黃金周后，部分客戶仍保持強(qiáng)勁需求，預(yù)估公司第四季度晶圓出貨量較之第三季度，會(huì)保持持平或微幅下滑趨勢(shì)，產(chǎn)能利用率在84%至86%，Q4整體展望優(yōu)于外界預(yù)期。
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小編總結(jié)：隨著年底的臨近，部分客戶進(jìn)行庫(kù)存調(diào)整，晶圓產(chǎn)能受到小幅影響。但大尺寸面板驅(qū)動(dòng)IC（TV和平板）需求依然旺盛，Q4消費(fèi)性電子營(yíng)收占比也會(huì)成長(zhǎng)，而表現(xiàn)相對(duì)疲軟的則為PC相關(guān)和電源管理IC。
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6? PC產(chǎn)業(yè)2013年上半年帶動(dòng)半導(dǎo)體需求反彈? 封測(cè)景氣優(yōu)于晶圓代工
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全球經(jīng)濟(jì)情況不確定性持續(xù)提升，連帶影響今年下半年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)表現(xiàn)。僅剩行動(dòng)裝置平板電腦和智慧型手機(jī)相關(guān)產(chǎn)品推升營(yíng)運(yùn)表現(xiàn)。PC影響半導(dǎo)體需求最大，盡管以期Windows 8上市能帶動(dòng)PC需求上揚(yáng)，但由于終端價(jià)格偏高，預(yù)期買(mǎi)氣亦將會(huì)延續(xù)。
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小編總結(jié)：在歷經(jīng)今年底2季度的庫(kù)存調(diào)整，在通訊產(chǎn)品需求加持下，預(yù)期2013年上半年P(guān)C產(chǎn)業(yè)景氣可望反彈，基于產(chǎn)能供應(yīng)有限，高階封測(cè)需求持續(xù)走揚(yáng)，預(yù)計(jì)明年封測(cè)產(chǎn)業(yè)景氣表現(xiàn)將優(yōu)于晶圓代工。
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新品方案：
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?[持續(xù)更新] 近期電子新品方案匯總(10.29-11.04)
?http://elecfans.com/tongxin/119/20121101295986.html
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?【半導(dǎo)體】
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1? Vishay發(fā)布應(yīng)用于國(guó)防和航天的新款QPL氮化鉭薄膜片式電阻
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日前，Vishay Intertechnology, Inc.( VSH)宣布推出通過(guò)QPL MIL-PRF-55342測(cè)試的新款表面貼裝片式電阻---E/H (Ta2N) QPL，保證可靠性達(dá)到100ppm的“M”級(jí)失效率。新的E/H (Ta2N) QPL電阻使用耐潮的氮化鉭電阻膜技術(shù)制造，為國(guó)防和航天應(yīng)用提供了增強(qiáng)的性能規(guī)格，包括0.1%的容差和25ppm/℃的TCR。
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???? 詳情了解：http://elecfans.com/xinpian/ic/20121101295940.html
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?【通信應(yīng)用】
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?1 ?TriQuint半導(dǎo)體推出業(yè)內(nèi)首個(gè)雙通道、表面貼裝的光調(diào)制器驅(qū)動(dòng)器TGA4947-SL
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技術(shù)創(chuàng)新的射頻解決方案領(lǐng)導(dǎo)廠商TriQuint半導(dǎo)體公司今天宣布，推出業(yè)內(nèi)首個(gè)雙通道、表面貼裝的光調(diào)制器驅(qū)動(dòng)器---TGA4947-SL，可降低物料清單和縮小專用于光驅(qū)動(dòng)功能的印刷電路板面積。
TGA4947-SL是分別使用DQPSK和DP-QPSK調(diào)制，為40 Gb/s和100 Gb/s光波網(wǎng)絡(luò)而設(shè)計(jì)。提供出色隔離對(duì)于降低位元錯(cuò)誤率的影響，可維持從DC至 40 GHz帶寬的30dB高通道至通道的隔離。TriQuint提供最低的功耗（在6Vpp輸出時(shí)每通道僅1.2W），實(shí)現(xiàn)更緊湊的光發(fā)射器設(shè)計(jì)。與TriQuint的智能評(píng)估板 (Smart EVB?) 解決方案兼容，簡(jiǎn)化射頻連接等。
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詳情了解：http://elecfans.com/xinpian/ic/TGA4947-SL.html
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2? ?同方微電子攜手宏力半導(dǎo)體量產(chǎn)0.13微米最小閃存存儲(chǔ)單元SIM卡
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??? ?近日，北京同方微電子與晶圓制造服務(wù)公司上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司共同宣布, 同方微電子采用宏力半導(dǎo)體0.13微米微縮版嵌入式閃存技術(shù)生產(chǎn)的SIM卡芯片出貨量已超過(guò)2億顆，且生產(chǎn)良率穩(wěn)定，產(chǎn)品性能突出，已大量投放國(guó)內(nèi)市場(chǎng)。
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宏力半導(dǎo)體的0.13微米微縮版嵌入式閃存技術(shù)是在現(xiàn)有成熟的0.13微米嵌入式閃存技術(shù)基礎(chǔ)上，進(jìn)一步優(yōu)化生產(chǎn)工藝，將原來(lái)0.38平方微米的閃存存儲(chǔ)單元面積顯著減小了近50%(小于0.2平方微米)，為業(yè)界0.13微米嵌入式閃存技術(shù)節(jié)點(diǎn)的最小閃存存儲(chǔ)單元尺寸，尤其適合大容量閃存的產(chǎn)品。該閃存技術(shù)具有很高的耐擦寫(xiě)能力和數(shù)據(jù)保持特性，可重復(fù)擦寫(xiě)10萬(wàn)次，數(shù)據(jù)保持100年，并且兼具編程效率高和無(wú)過(guò)度擦除的優(yōu)點(diǎn)。此外，該款技術(shù)搭配宏力半導(dǎo)體獨(dú)有的雙閘工藝平臺(tái)，提供了市場(chǎng)應(yīng)用中最低本高效之解決方案。
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3? 德州儀器推出基于藍(lán)牙4.0易集成型QFN封裝CC2560和CC2564器件
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日前，德州儀器(TI)宣布：TI及其分銷合作伙伴現(xiàn)已開(kāi)始推出基于藍(lán)牙(Bluetooth?) v4.0 技術(shù)、采用易集成型QFN 封裝cc2560和cc2564器件。此外，TI還宣布推出了基于這兩款器件的其它生產(chǎn)就緒型模塊以及軟件工具。
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CC2560器件可為需要高吞吐量的音頻與數(shù)據(jù)應(yīng)用提供藍(lán)牙v4.0“傳統(tǒng)”支持。CC2564器件支持兩種選擇：雙模藍(lán)牙／藍(lán)牙低耗能或雙模藍(lán)牙／ANT+?？蓮碾p模解決方案獲得優(yōu)勢(shì)的應(yīng)用包括需要與藍(lán)牙“傳統(tǒng)”產(chǎn)品進(jìn)行無(wú)線通信的產(chǎn)品以及藍(lán)牙低耗能或ANT+設(shè)備（如運(yùn)動(dòng)健身整合型產(chǎn)品小配件或智能手表等）等。此外，雙模藍(lán)牙v4.0 解決方案還可用作支持更遠(yuǎn)覆蓋范圍的傳感器解決方案，無(wú)論移動(dòng)設(shè)備是否采用藍(lán)牙低耗能技術(shù)，都能與其通信。
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【模擬數(shù)字】
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1 ??麥瑞半導(dǎo)體推出支持關(guān)機(jī)功能的新款低噪聲放大器
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麥瑞半導(dǎo)體公司（Micrel Inc.）宣布推出帶有低功耗休眠模式的100MHz至1000MHz低噪聲放大器（LNA）MICRF300。MICRF300是面向100MHz至1000MHz頻率范圍的無(wú)鑰匙進(jìn)入（RKE）、車庫(kù)門(mén)遙控開(kāi)關(guān)（GDO）和自動(dòng)抄表（AMR）等低功耗、低數(shù)據(jù)傳輸率應(yīng)用的器件。
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MICRF300提供低噪聲系數(shù)和集成邏輯電平休眠功能，射頻應(yīng)用設(shè)計(jì)師可以利用它非常容易地?cái)U(kuò)大無(wú)鑰匙進(jìn)入、車庫(kù)門(mén)遙控開(kāi)關(guān)和自動(dòng)抄表等應(yīng)用的遙控距離。該器件的邏輯電平關(guān)機(jī)輸入電路使得它可以非常容易地連接到單片機(jī)，無(wú)需分立式低噪聲放大器普遍需要的額外偏壓電路來(lái)實(shí)現(xiàn)休眠功能。這使得該器件成了那些依靠電池供電、平均電流消耗極低且空間有限的應(yīng)用的理想解決方案。
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詳情了解：http://elecfans.com/xinpian/ic/MICRF300.html
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2 ?德州儀器（TI）推出兩款雙極輸入音訊運(yùn)算放大器
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德州儀器 （TI） 宣布推出兩款雙極輸入音訊運(yùn)算放大器，可提供優(yōu)異雜訊、失真及頻寬效能，僅需消耗1.5mA 電流。低功耗雙通道 OPA1662 與四通道OPA1664可幫助系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員開(kāi)發(fā)最新專業(yè)級(jí)與半專業(yè)級(jí)音訊設(shè)備，完美還塬真實(shí)錄音效果的清晰音質(zhì)。這些運(yùn)算放大器適用于USB與FireWire音訊系統(tǒng)、類比與數(shù)位混合器、可攜式錄音系統(tǒng)及其它需要最高雜訊效能與低功耗的應(yīng)用。
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詳情了解：http://elecfans.com/xinpian/ic/20121031295777.html
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3 麥瑞半導(dǎo)體發(fā)布新型可高度配置的雙鎖相環(huán)(PLL)時(shí)脈發(fā)生器
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麥瑞半導(dǎo)體公司(Micrel Inc.)發(fā)布新型可高度配置的雙鎖相環(huán)(PLL)時(shí)脈產(chǎn)發(fā)生器系列產(chǎn)品，優(yōu)化超低抖動(dòng)、超強(qiáng)串?dāng)_隔離和增強(qiáng)型電源雜訊抑制。SM803xxx系列產(chǎn)品有12個(gè)提供高達(dá)850MHz頻率的差分或單端輸出，這些輸出的RMS相位抖動(dòng)均小于200飛秒(fs)。FLEX2可支援那些需要用單一IC實(shí)現(xiàn)多頻率、高扇出和超低抖動(dòng)的高要求應(yīng)用，包括10/40/100Gb乙太網(wǎng)、SONET/SDH、CPRI/OBSAI、光纖通道、SAS/SATA，以及FPGA和SerDes的高速時(shí)脈等。FLEX2可以通過(guò)基于熔絲的一次性可程式設(shè)計(jì)(OTP)記憶體進(jìn)行工廠配置，提供了一個(gè)自訂、快速轉(zhuǎn)變和高性能的時(shí)脈解決方案，縮短了產(chǎn)品成型時(shí)間和終端系統(tǒng)設(shè)計(jì)周期。
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詳情了解：http://elecfans.com/xinpian/ic/20121031295793.html
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4? ADI發(fā)布相位噪聲性能的PLL頻率合成器ADF4153A
?? http://elecfans.com/xinpian/ic/ADF4153A.html
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【電源管理】
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1? 麥瑞半導(dǎo)體推出兩款車用級(jí)高性能線性穩(wěn)壓器
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麥瑞半導(dǎo)體公司（Micrel Inc.）推出兩款合乎AEC-Q100標(biāo)準(zhǔn)的新型高性能線性穩(wěn)壓器。MAQ5281/82系列產(chǎn)品具有最高120V DC的極寬輸入工作電壓范圍，輸出電流分別高達(dá)25mA和50mA。這兩款器件是汽車和工業(yè)應(yīng)用中經(jīng)常碰到的惡劣環(huán)境下使用的理想產(chǎn)品。
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麥瑞半導(dǎo)體的新型MAQ5281/82是車用級(jí)產(chǎn)品，保證輸出電流分別為25mA和50mA，輸出電壓可在1.27V到5.5V范圍內(nèi)調(diào)節(jié)，可以承受高達(dá)120V DC的輸入電壓，而且具備超高的電源抑制比（PSRR）（大于90分貝）。
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詳情了解：http://elecfans.com/xinpian/ic/20121101295935.html
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2? Diodes推出首款采用了微型無(wú)引線封裝的肖特基二極管
?? http://elecfans.com/xinpian/ic/20121101295937.html
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3? 德州儀器推出降壓轉(zhuǎn)換器TPS62175
?? http://elecfans.com/xinpian/ic/20121102296056.html
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4? Intersil推出最低功耗雙端口G類線路驅(qū)動(dòng)器-ISL1561
?? http://elecfans.com/xinpian/ic/ISL1561.html
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工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論