功率MOSFET和散熱器的工作講解;散熱器熱阻計(jì)算所需的重要說明.
2022-05-19 09:08:06
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飛兆半導(dǎo)體的四路MOSFET解決方案提高了效率，解決了有源整流橋應(yīng)用中的散熱問題。單個(gè)封裝中的四個(gè)60V MOSFET可提高系統(tǒng)效率，替代二極管整流橋，實(shí)現(xiàn)緊湊的設(shè)計(jì)并節(jié)省電路板空間
2013-05-02 15:18:551245 
安森美半導(dǎo)體創(chuàng)新的ATPAK封裝不僅可使功率MOSFET外形更纖薄，其采用的夾焊技術(shù)更可實(shí)現(xiàn)達(dá)100 A的電流處理能力，極佳的散熱性確保安全性和更高可靠性，且成本與DPAK相當(dāng).
2016-08-08 16:58:411812 傳導(dǎo)至散熱器，再由散熱器向外界環(huán)境散熱。根據(jù)FCBGA封裝的結(jié)構(gòu)特性和相關(guān)研究表明，約90%以上的熱量是通過封裝頂面?zhèn)鲗?dǎo)至散熱器進(jìn)行散熱。因此，為提高芯片散熱效率，需要盡量減少芯片晶圓到外界環(huán)境的散熱熱阻。
2023-04-14 12:31:531789 這些超結(jié)快速恢復(fù)硅基功率MOSFET兼具超低恢復(fù)電荷（Qrr）和超快快恢復(fù)時(shí)間（trr），以及出色的品質(zhì)因數(shù)（RDS(on) x Qg），能夠?yàn)橐髧?yán)苛的橋式拓?fù)浜蚙VS相移轉(zhuǎn)換器帶來極高的效率
2023-09-08 06:00:53
和系統(tǒng)效率的前提下，選取參數(shù)和封裝更通用的功率MOSFET。有時(shí)候由于其他條件的限制，需要使用多個(gè)MOSFET并聯(lián)的方式來解決散熱的問題，如在PFC應(yīng)用、電動(dòng)汽車電機(jī)控制器、通信系統(tǒng)的模塊電源次級(jí)同步整流
2017-11-15 08:14:38
有的文獻(xiàn)說mosfet并聯(lián)緩沖電容，可以提升效率？？ 是否有這一說法
2017-02-22 18:19:40
實(shí)現(xiàn)小外形尺寸的設(shè)計(jì)。采用6.0mm x 3.7mm外形尺寸的雙芯片不對(duì)稱功率封裝是MOSFET封裝技術(shù)上的重大進(jìn)步。這種封裝使工程師能夠改善電源的性能，縮小體積，以及簡化設(shè)計(jì)，同時(shí)實(shí)現(xiàn)現(xiàn)在的消費(fèi)電子產(chǎn)品所要求的高效率或性能。本新聞來自大聯(lián)大云端`
2013-12-23 11:55:35
通過對(duì)同步交流對(duì)交流(DC-DC)轉(zhuǎn)換器的功耗機(jī)制進(jìn)行詳細(xì)分析，可以界定必須要改進(jìn)的關(guān)鍵金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管(MOSFET)參數(shù)，進(jìn)而確保持續(xù)提升系統(tǒng)效率和功率密度。分析顯示，在研發(fā)功率
2019-07-04 06:22:42
能力的快照。本網(wǎng)上廣播將提供功率MOSFET數(shù)據(jù)表概覽，和闡明具體的數(shù)據(jù)表參數(shù)和定義。 功率MOSFET有各種各樣的尺寸、配置和封裝，取決于目標(biāo)應(yīng)用的需求。功率MOSFET的尺寸從行業(yè)最小的封裝
2018-10-18 09:13:03
功率MOSFET的概念是什么 MOSFET的耗散功率如何計(jì)算 同步整流器的功耗如何計(jì)算
2021-03-11 07:32:50
晶體管(IGBT )它綜合了 MOSFET 輸入阻抗高、驅(qū)動(dòng)電流小和 雙極型管的導(dǎo)通電阻小、高電壓、 大電流的優(yōu)點(diǎn)。2． 功率管的散熱 功率管良好的散熱是保證功率放大器正常工作的重要條件,散熱的好壞
2021-05-13 07:44:08
Vac時(shí)，也實(shí)現(xiàn)了與之一致的效率提升。 圖5. 在110 Vac 輸入電壓條件下，TO247 4引腳封裝MOSFET與TO247封裝MOSFET的PFC效率對(duì)比。測(cè)試條件：Ext. Rg=5 Ω，開關(guān)頻率
2018-10-08 15:19:33
解決方案更高的功率密度和更高的效率。無鉛RoHS封裝新增PowerTrench器件，豐富了FAI中等電壓范圍MOSFET產(chǎn)品陣容，作為齊全的PowerTrenchMOSFET產(chǎn)品系列的一部分，它能夠滿足
2012-04-28 10:21:32
(2)產(chǎn)品參數(shù)說明 產(chǎn)品特點(diǎn) 1. 整體熱阻小，換熱效率高，換熱能力明顯強(qiáng)于同體積的一般實(shí)體散熱器; 2. 結(jié)構(gòu)簡單緊湊，易于安裝和維護(hù) 應(yīng)用場(chǎng)合 IGBT模塊用熱管散熱器 工作溫度
2012-06-19 13:54:59
模塊)的散熱方案 在電子元件的熱設(shè)計(jì)中，散熱方式的選擇，以及對(duì)其進(jìn)行試驗(yàn)、模擬、分析、優(yōu)化從而得到一個(gè)熱效率高、成本低廉的結(jié)構(gòu)，對(duì)保證功率器件運(yùn)行時(shí)其內(nèi)部結(jié)溫始終保持在允許范圍之內(nèi)顯得尤為重要
2012-06-20 14:58:40
。這種散熱器效率很低，不適合用于大功率器件中。由于它的結(jié)構(gòu)簡單、無噪音、免維護(hù)，特別是沒有運(yùn)動(dòng)部件，所以可靠性高，非常適用于額定電流在以下的器件?！ ?、強(qiáng)制空氣冷卻 強(qiáng)制對(duì)流風(fēng)冷散熱特點(diǎn)是散熱效率
2012-06-19 11:35:49
。這種散熱器效率很低，不適合用于大功率器件中。由于它的結(jié)構(gòu)簡單、無噪音、免維護(hù)，特別是沒有運(yùn)動(dòng)部件，所以可靠性高，非常適用于額定電流在以下的器件?！ ?、強(qiáng)制空氣冷卻 強(qiáng)制對(duì)流風(fēng)冷散熱特點(diǎn)是散熱效率
2012-06-20 14:36:54
逐步走入市場(chǎng)。這種功率型的LED一般是將發(fā)光芯片放在散熱熱沉上，上面裝配光學(xué)透鏡以達(dá)到一定光學(xué)空間分布，透鏡內(nèi)部填充低應(yīng)力柔性硅膠。功率型LED要真正進(jìn)入照明領(lǐng)域，實(shí)現(xiàn)家庭日常照明，其要解決的問題還有
2011-12-25 16:17:45
LED照明電路（臨界模式PFC＋DC/DC）：利用MOSFET提升效率并降低噪聲的案例下面的電路摘自實(shí)際LED照明電路的相關(guān)部分。該LED驅(qū)動(dòng)電路是DC/DC轉(zhuǎn)換器通過臨界模式（BCM）的PFC向
2022-04-09 13:36:25
引言 如今，客戶要求產(chǎn)品不但節(jié)能，還要體積更小，從而推動(dòng)功率轉(zhuǎn)換行業(yè)向前發(fā)展。交流/直流和直流/直流轉(zhuǎn)換器拓?fù)涞牟粩喟l(fā)展，改善了轉(zhuǎn)換器效率。功率MOSFET是功率轉(zhuǎn)換器的核心部件，是設(shè)計(jì)高能效產(chǎn)品
2018-12-07 10:21:41
標(biāo)準(zhǔn)(與線性電源相比具有更好的功率密度和效率)，組件設(shè)計(jì)人員設(shè)法通過芯片級(jí)創(chuàng)新和改進(jìn)封裝來不斷提升功率MOSFET的導(dǎo)通和開關(guān)性能。芯片的不斷更新?lián)Q代使得在導(dǎo)通電阻(RDS(ON))和影響開關(guān)性能
2018-09-12 15:14:20
功率放大器的需求將進(jìn)一步提高。RF 功率 MOSFET在無線電通訊領(lǐng)域也有應(yīng)用，其頻率已延伸至低微波段且輸出功率可達(dá)百W以上。它同時(shí)也應(yīng)用于電視(特別是數(shù)字電視)功率放大器、雷達(dá)系統(tǒng)和軍事通訊中。隨著
2019-07-08 08:28:02
兩方面的損耗少與效率改善密切相關(guān)。另外，損耗少的話，發(fā)熱就會(huì)少，因此也與可使用的IC封裝種類和尺寸等息息相關(guān)。－ 這涉及到第二個(gè)課題小型化對(duì)吧。進(jìn)一步講，一般MOSFET的導(dǎo)通電阻很大程度地依賴于元件
2019-04-29 01:41:22
`SUN2310SGP溝道增強(qiáng)型功率場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET） ，采用高單元密度的 DMOS 溝道技術(shù)。這種高密度的工藝特別適用于減小導(dǎo)通電阻。適用于低壓應(yīng)用，例如移動(dòng)電話，筆記本電腦的電源管理和其他電池的電源電路。 采用帶散熱片的 SOP8 封裝`
2011-05-17 10:57:36
產(chǎn)品系列包括以下SiC MOSFET：1200V 80/120 /160mΩ和1700V750mΩ，均采用TO247-3L封裝。其他器件很快將在同一封裝中投入生產(chǎn)，加上類似器件將采用TO247-4L
2019-07-30 15:15:17
;/p><p>ZXMS6004FF將靜電放電（ESD）、過壓、過流及過溫保護(hù)集成于一個(gè)高散熱效率封裝，為元件本身及負(fù)載提供了完善的保護(hù)，有助于減少元件
2009-01-07 16:01:44
MOSFET的柵極驅(qū)動(dòng)器、面向上側(cè)驅(qū)動(dòng)的自舉二極管、交叉?zhèn)鲗?dǎo)保護(hù)和欠壓鎖定。3. 散熱效率由于像IGBT這樣的器件工作在較低溫度可減小器件上的應(yīng)力，因此封裝的散熱性能與其可靠性存在內(nèi)在聯(lián)系（圖2）。由于溫度
2020-12-01 15:40:26
，可以將高功率POL模塊調(diào)節(jié)器放在較小的PCB空間中，但更重要的是，可以實(shí)現(xiàn)效率冷卻。LTM4636是從這種堆疊式封裝技術(shù)受益的第一個(gè)μModule調(diào)節(jié)器系列。作為一款以堆疊式電感作為散熱器的40 A
2019-07-22 06:43:05
效率的前提下，選取參數(shù)和封裝更通用的功率MOSFET。有時(shí)候由于其他條件的限制，需要使用多個(gè)MOSFET并聯(lián)的方式來解決散熱的問題，如在PFC應(yīng)用、電動(dòng)汽車電機(jī)控制器、通信系統(tǒng)的模塊電源次級(jí)同步整流等
2019-04-04 06:30:00
層、導(dǎo)通孔的制備都面臨挑戰(zhàn)，良品率不高。目前雖有一些***企業(yè)開發(fā)出LED硅基板并量產(chǎn)，但良品率不超過60%。陶瓷封裝基板：提升散熱效率滿足高功率需求配合高導(dǎo)熱的陶瓷基體，DPC顯著提升了散熱效率
2020-12-23 15:20:06
功耗更大，而設(shè)備供應(yīng)商則在憑借更快、更小、噪聲更低、效率更高的創(chuàng)新相互比拼。新型數(shù)字技術(shù)能力超群、令人振奮，但背后仍然存在模擬和電源技術(shù)角力，以在封裝更小的情況下提供更大功率，同時(shí)最大限度減小對(duì)系統(tǒng)總體
2018-10-16 06:10:07
“免費(fèi)”冷卻機(jī)會(huì)，用來去除?MOSFET?、電感器等發(fā)熱組件產(chǎn)生的熱量。
將熱量從封裝內(nèi)部引導(dǎo)到封裝頂部并擴(kuò)散到空氣中
大功率開關(guān) POL 穩(wěn)壓器靠電感器或變壓器將輸入電源電壓轉(zhuǎn)換成穩(wěn)定的輸出電壓
2018-10-16 06:31:24
源吸收熱量。吸熱部分吸收的熱量通過散熱器排到設(shè)備外面。水冷散熱充分利用了液體的比熱容大于空氣的優(yōu)勢(shì)，從而使散熱效率更高。此外，安靜的工作狀態(tài)，綠色穩(wěn)定的特點(diǎn)也深受信賴。大功率的發(fā)射機(jī)在數(shù)字信號(hào)傳輸?shù)膽?yīng)用上
2018-11-28 15:47:02
大功率白光LED散熱及封裝大功率白光LED散熱LED發(fā)光是靠電子在能帶間躍遷產(chǎn)生光，其光譜中不包含紅外部分，LED的熱址不能靠輻射散出，因此LED是“冷”光源。目前LED的發(fā)光效率僅能達(dá)到10%一
2013-06-08 22:16:40
我們?cè)诋?dāng)前的設(shè)計(jì)中遇到了 IC 控制器的溫度問題（高溫）。對(duì)于如何在通用的同步降壓概念設(shè)計(jì)方案中提高 IC 控制器（集成開關(guān)）的散熱效率，有人可以提供建議？
2019-06-27 11:19:03
的散熱通道的器件。最后還要量化地考慮必要的熱耗和保證足夠的散熱路徑。本文將一步一步地說明如何計(jì)算這些MOSFET的功率耗散，并確定它們的工作溫度。然后，通過分析一個(gè)多相、同步整流、降壓型CPU核電源中
2021-01-11 16:14:25
中日漸流行，設(shè)計(jì)精良的POL調(diào)節(jié)器也應(yīng)該利用這一免費(fèi)的冷卻機(jī)會(huì)，為MOSFET、電感等發(fā)熱部件散熱。把熱量從封裝頂部引至空氣中高功率開關(guān)POL調(diào)節(jié)器用電感或變壓器把輸入電源電壓轉(zhuǎn)換成穩(wěn)壓輸出電壓。在非
2018-10-24 09:54:43
調(diào)節(jié)器也應(yīng)該利用這一免費(fèi)的冷卻機(jī)會(huì)，為MOSFET、電感等發(fā)熱部件散熱。把熱量從封裝頂部引至空氣中高功率開關(guān)POL調(diào)節(jié)器用電感或變壓器把輸入電源電壓轉(zhuǎn)換成穩(wěn)壓輸出電壓。在非隔離式降壓POL調(diào)節(jié)器中，器件
2018-10-24 10:38:26
問題的關(guān)鍵在于找出適宜高溫工作的連接材料，匹配封裝中不同材料的熱性能。此外，多功能集成封裝技術(shù)以及先進(jìn)的散熱技術(shù)在提升功率密度等方面也起著關(guān)鍵作用。本文重點(diǎn)就低雜散電感封裝、高溫封裝以及多功能集成封裝 3
2023-02-22 16:06:08
的 TPS40170 同步降壓控制器?！ ￡P(guān)于 NexFET 功率 MOSFET TI NexFET 功率 MOSFET 技術(shù)可提升高功率計(jì)算、網(wǎng)絡(luò)、工業(yè)以及電源的能源效率。這些高頻率、高效率模擬功率
2018-11-29 17:13:53
熱力學(xué)的基本規(guī)律揭示出沒有電子設(shè)備可以實(shí)現(xiàn)100％的效率——雖然開關(guān)電源比較接近（達(dá)到98％）。但不幸的是任何產(chǎn)生RF功率的器件目前都無法達(dá)到或者接近理想的性能，因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">將直流功率轉(zhuǎn)換為射頻功率過程中
2017-08-29 10:19:12
效率可編程的脈沖串模式可在空載條件下維持穩(wěn)壓，并提升輕載效率可編程的軟啟動(dòng)時(shí)間及軟啟動(dòng)前延遲適合高功率及高頻率的單封裝設(shè)計(jì)可通過夾片快速安裝到散熱片外露的散熱金屬部分與地電位相連 – 封裝和散熱
2019-03-07 14:39:44
電流和FRD的恢復(fù)電流引起的較大的開關(guān)損耗，通過改用SiC功率模塊可以明顯減少，因此具有以下效果：開關(guān)損耗的降低，可以帶來電源效率的改善和散熱部件的簡化（例：散熱片的小型化，水冷/強(qiáng)制風(fēng)冷的自然風(fēng)冷化
2019-03-12 03:43:18
Grant and S. Fletcher.。幸運(yùn)的是，經(jīng)過連年不斷努力提升RF效率，這些情況在逐漸改變。這些工作有一些是在器件級(jí)，有些則采用了一些創(chuàng)新技術(shù)，比如包絡(luò)跟綜，數(shù)字預(yù)失真/波峰因子降低方案，以及采用比常見AB類級(jí)別更高級(jí)的放大器。那么，還有哪些辦法可以提升射頻功率放大器的效率嗎？
2019-07-31 08:13:39
整個(gè)壽命周期成本時(shí)，逐步減少能量轉(zhuǎn)換過程中的小部分損失并不一定會(huì)帶來總體成本或環(huán)境效益的大幅提升。另一方面，將更多能量轉(zhuǎn)換設(shè)備集成到更小的封裝中，即提高“功率密度”，可以更有效地利用工廠或數(shù)據(jù)中心
2020-10-27 10:46:12
能量轉(zhuǎn)換效率是一個(gè)重要的指標(biāo)，各制造商摩拳擦掌希望在95%的基礎(chǔ)上再有所提升。為了實(shí)現(xiàn)這一提升，開始逐漸采用越來越復(fù)雜的轉(zhuǎn)換拓?fù)?，如移相全橋（PSFB）和LLC變換器。而且二極管將逐漸被功耗更低的MOSFET所取代，寬帶隙（WBG）器件更是以其驚人的開關(guān)速度被譽(yù)為未來的半導(dǎo)體業(yè)明珠。
2020-10-29 07:12:23
描述PMP10319參考設(shè)計(jì)是極具熱效率的緊湊型設(shè)計(jì)，旨在對(duì)廣泛的交流輸入（85VAC 至 265VAC）進(jìn)行降壓。此非隔離式降壓設(shè)計(jì)整合了 UCC28710 PSR 控制器
2022-09-22 08:53:04
` 本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:50 編輯
在小尺寸器件中驅(qū)動(dòng)更高功率得益于半導(dǎo)體和封裝技術(shù)的進(jìn)步。一種采用頂部散熱標(biāo)準(zhǔn)封裝形式的新型功率MOSFET就使用了新一代
2012-12-06 14:32:55
或RqJA來校核功率MOSFET的結(jié)溫，通?？梢栽龃?b class="flag-6" style="color: red">散熱器，提高器件通過電流的能力。底部沒有裸露銅皮的封裝，使用RqJL或RqJA來校核功率MOSFET的結(jié)溫，其散熱的能力主要受限于晶片到PCB的熱阻
2016-08-15 14:31:59
效應(yīng)封裝、更高的散熱效率以及多芯片封裝解決方案。WBG 器件的高效率功率轉(zhuǎn)換性能外加封裝的更高散熱效率，將實(shí)現(xiàn)高能效功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)。我們知道，封裝有助于提高能效，但是什么是封裝技術(shù)人員與裝配制造工程師實(shí)現(xiàn)
2018-09-14 14:40:23
／高功率／高速器件，其將充分滿足工業(yè)及樓宇自動(dòng)化、能源生成與配送以及汽車等市場(chǎng)領(lǐng)域的需求。封裝技術(shù)中的多芯片模塊／系統(tǒng)將增強(qiáng)這些應(yīng)用的封裝與系統(tǒng)級(jí)集成。能源效率是當(dāng)前乃至以后眾多應(yīng)用的重要要求…
2022-11-22 06:32:07
電源效率與散熱0 前言1 電源效率2 散熱設(shè)計(jì)0 前言在電路后期優(yōu)化中，提高電源效率可以提高用戶體驗(yàn)，注重散熱可以保證電路穩(wěn)定運(yùn)行。1 電源效率提高電源效率的措施有以下幾種：使用DC-DC拓?fù)?；增?b class="flag-6" style="color: red">功率
2022-01-03 07:23:53
密度。以MOSFET取代二極管，可以彌補(bǔ)上述不足。SuperSO8與TO-220封裝型式的效率比較請(qǐng)參見圖3。僅僅采用SuperSO8封裝代替TO-220封裝，就可以將效率提高0.4%，相對(duì)于功率損耗降低
2018-12-07 10:23:12
FPGA Editor如何提升設(shè)計(jì)效率？如何利用CTRL / Shift快捷鍵進(jìn)行放大縮??？如果利用F11鍵放大選定的項(xiàng)目？
2021-04-08 06:40:00
那里，因?yàn)殡姾珊碗娙菔枪潭ǖ?。?MOSFET 開關(guān)需要增加或消除足夠的柵極電荷。隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器必須以高電流驅(qū)動(dòng)MOSFET柵極，以便增加或消除柵極電荷，以減少功率損耗。公式1計(jì)算隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器將
2022-11-02 12:02:05
集成是固態(tài)電子產(chǎn)品的基礎(chǔ)，將類似且互補(bǔ)的功能匯集到單一器件中的能力驅(qū)動(dòng)著整個(gè)行業(yè)的發(fā)展。隨著封裝、晶圓處理和光刻技術(shù)的發(fā)展，功能密度不斷提高，在物理尺寸和功率兩方面都提供了更高能效的方案。對(duì)產(chǎn)品
2020-10-28 09:10:17
文章論述了大功率LED封裝中的散熱問題，說明它對(duì)器件的輸出功率和壽命有很大的影響，分析了小功率、大功率LED 模塊的封裝中的散熱對(duì)光效和壽命的影響。對(duì)封裝及應(yīng)用而言，
2010-10-22 08:53:33
136 TI 推出面向高電流 DC/DC 應(yīng)用、顯著降低上表面熱阻的功率 MOSFE 采用創(chuàng)新封裝手段的 DualCool(TM) NexFET(TM) 功率 MOSFET 在標(biāo)準(zhǔn)封裝尺寸下將散熱效率提升 80%、允許電流
2010-01-14 14:17:31388 德州儀器推出面向高電流DC/DC應(yīng)用的功率MOSFET，可以顯著降低上表面熱阻
采用創(chuàng)新封裝手段的DualCool NexFET功率 MOSFET在標(biāo)準(zhǔn)封裝尺寸下將散熱效率提升80%、允許電流提高5
2010-01-15 08:39:05727 TI推出通過封裝頂部散熱的標(biāo)準(zhǔn)尺寸功率MOSFET
日前，德州儀器 (TI) 宣布面向高電流 DC/DC 應(yīng)用推出業(yè)界第一個(gè)通過封裝頂部散熱的標(biāo)準(zhǔn)尺寸功率 MOSFET 產(chǎn)品系列。相對(duì)
2010-01-22 09:40:49932 喇叭狀鰭片設(shè)計(jì)可提高針鰭散熱片散熱效率
近年來，尖端FPGA的功能快速發(fā)展到了前所未有的高度。但不幸的是，功能方面的快速發(fā)展也隨之加大了對(duì)散熱的需求。因
2010-03-03 11:26:131432 
基于功率MOSFET設(shè)計(jì)考量
用作功率開關(guān)的MOSFET
隨著數(shù)十年來器件設(shè)計(jì)的不斷優(yōu)化，功率MOSFET晶體管帶來了新的電路拓?fù)浜碗娫?b class="flag-6" style="color: red">效率的提升。功率器件從電流驅(qū)
2010-04-24 11:44:421237 
過去LED只能拿來做為狀態(tài)指示燈的時(shí)代，其封裝散熱從來就不是問題，但近年來LED的亮度，功率皆積極提升，并開始用于背光與電子照明等應(yīng)用后，LED的封裝散熱問題已悄然浮現(xiàn)。上述
2012-05-07 11:59:151200 
通過對(duì)同步交流對(duì)交流(DC-DC)轉(zhuǎn)換器的功耗機(jī)制進(jìn)行詳細(xì)分析，可以界定必須要改進(jìn)的關(guān)鍵金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管(MOSFET)參數(shù)，進(jìn)而確保持續(xù)提升系統(tǒng)效率和功率密度。 分析顯示，在研發(fā)功率
2017-11-24 06:21:01467 
兩個(gè)風(fēng)扇不但造型重新設(shè)計(jì)，還支持異步運(yùn)行，可分別根據(jù)GPU核心溫度、供電區(qū)域／顯存溫度運(yùn)轉(zhuǎn)在不同的速度上，可提高散熱效率并降低噪音。
2018-07-09 10:54:00905 電源系統(tǒng)中的主開關(guān)器件是低電壓功率MOSFET，這些系統(tǒng)需要的功率密度正在不斷增加。為減小系統(tǒng)體積和功率損失，需要大力改進(jìn)MOSFET的封裝散熱性。通過降低器件導(dǎo)通電阻和寄生電容，可降低功率損失。
2018-04-04 11:02:0211789 
將量子點(diǎn)灌注至玻璃容器的設(shè)計(jì)，使量子點(diǎn)維持以液態(tài)的方式，有效提升發(fā)光效率與散熱效果，可達(dá)到NTSC 120% 與Rec. 2020 90%的廣色域表現(xiàn)。
2019-10-09 14:24:213837 
LED顯示屏?xí)驗(yàn)檠杆俚陌l(fā)熱，而使其容易自燃，不但LED顯示屏大功率的輸出，會(huì)讓一部分的能源浪費(fèi)在發(fā)熱上，而且發(fā)熱有可能會(huì)帶來一些問題。 整理出來以下7點(diǎn)： 1、風(fēng)扇散熱，燈殼內(nèi)部用高風(fēng)扇加強(qiáng)散熱
2020-03-17 10:11:40437 近年來，隨著油耗排放法規(guī)的日益嚴(yán)苛，提升壓縮比成為提高發(fā)動(dòng)機(jī)熱效率的重要技術(shù)措施，但壓縮比越高，在大負(fù)荷工況下發(fā)生爆震的可能性也越大。發(fā)動(dòng)機(jī)噴水技術(shù)則可以通過向進(jìn)氣歧管或者缸內(nèi)噴水來降低進(jìn)氣溫度，從而降低整個(gè)工作循環(huán)的溫度，有效抑制爆震的發(fā)生，因此是一種有效提升發(fā)動(dòng)機(jī)熱效率的技術(shù)。
2020-06-18 14:29:212867 
通過對(duì)同步交流對(duì)交流（DC-DC）轉(zhuǎn)換器的功耗機(jī)制進(jìn)行詳細(xì)分析，可以界定必須要改進(jìn)的關(guān)鍵金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管 （MOSFET）參數(shù)，進(jìn)而確保持續(xù)提升系統(tǒng)效率和功率密度。分析顯示，在研發(fā)功率
2020-08-07 18:52:000 板式換熱器的應(yīng)用非常廣泛，可以說在很多行業(yè)的廠家都能看到換熱器的身影，板式換熱器具有傳熱拆卸方便，體積小的特點(diǎn)。但是對(duì)于用戶來說，安裝完換熱器以后，怎樣提升它的換熱效率，較大程度的發(fā)揮它的價(jià)值，估計(jì)
2020-09-03 14:21:553912 產(chǎn)品特點(diǎn)
1、優(yōu)異的開關(guān)特性和導(dǎo)通特性；
2、更好的導(dǎo)通電阻溫度特性，顯著增強(qiáng)器件高溫下的電流能力和抗沖擊特性；
3、配合先進(jìn)的封裝技術(shù)，SGT MOSFET器件有助于提升系統(tǒng)效率和功率密度；
4、另有P-60/-80/-100V SGT MOSFET。
2020-11-26 14:54:432062 
程師們。 大功率LED燈具的熱管理主要包括3個(gè)方面：芯片級(jí)、封裝級(jí)和系統(tǒng)集成散熱級(jí)。其中，芯片是主要的發(fā)熱部件，其量子效率決定發(fā)熱效率，襯底材料決定芯片向外傳熱效率；對(duì)封裝而言，封裝結(jié)構(gòu)、材料以及工藝直接影響散熱效率；系統(tǒng)集成散熱
2021-01-12 14:35:042192 一臺(tái)好的發(fā)動(dòng)力除了功率和扭矩之外，熱效率同樣重要；因?yàn)榘l(fā)動(dòng)機(jī)熱效率越高往往意味著其越省油，這在油價(jià)節(jié)節(jié)攀升的當(dāng)下更具現(xiàn)實(shí)意義。
2021-03-02 10:06:251564 一臺(tái)好的發(fā)動(dòng)力除了功率和扭矩之外，熱效率同樣重要；因?yàn)榘l(fā)動(dòng)機(jī)熱效率越高往往意味著其越省油，這在油價(jià)節(jié)節(jié)攀升的當(dāng)下更具現(xiàn)實(shí)意義。
2021-03-02 10:52:041944 電源效率與散熱0 前言1 電源效率2 散熱設(shè)計(jì)0 前言在電路后期優(yōu)化中，提高電源效率可以提高用戶體驗(yàn)，注重散熱可以保證電路穩(wěn)定運(yùn)行。1 電源效率提高電源效率的措施有以下幾種：使用DC-DC拓?fù)?；增?b class="flag-6" style="color: red">功率
2022-01-11 13:37:0717 水冷散熱的原理很簡單，一般由水冷板、水泵、冷排、水管、水冷液以及風(fēng)扇組成，水因?yàn)槠湮锢韺傩?，?dǎo)熱性并不比金屬好，但是，流動(dòng)的水卻有極好的導(dǎo)熱性，也就是說，水冷散熱器的散熱性能與其中制冷液流速成正比，水冷液的流速又與水冷系統(tǒng)水泵功率相關(guān)。
2022-03-31 18:39:4520462 
電源封裝發(fā)展提升能源效率
2022-11-04 09:52:220 采用 LFPAK88 封裝的 NextPower 80 V、1.8 mOhm、270 A、N 溝道 MOSFET-PSMN1R8-80SSF
2023-02-07 20:09:170 NextPower 80 V、2.3 mOhm、240 A、N 溝道 MOSFET，采用 LFPAK88 封裝-PSMN2R3-80SSF
2023-02-08 19:24:130 采用 LFPAK88 封裝的 NextPower 80 V、2.8 mOhm、190 A、N 溝道 MOSFET-PSMN2R8-80SSF
2023-02-09 19:21:000 相移全橋電路的功率轉(zhuǎn)換效率提升，針對(duì)本系列文章的主題——轉(zhuǎn)換效率，本文將會(huì)給出使用實(shí)際電源電路進(jìn)行評(píng)估的結(jié)果。具體而言，本文對(duì)Q1～Q4的MOSFET使用導(dǎo)通電阻約0.2Ω的五種快速恢復(fù)型SJ MOSFET時(shí)的結(jié)果進(jìn)行了比較。
2023-02-13 09:30:06735 
采用 LFPAK56E 封裝的 NextPower 80 V、3.5 mOhm、150 A、N 溝道 MOSFET-PSMN3R5-80YSF
2023-02-15 19:43:380 未來電力電子系統(tǒng)的設(shè)計(jì)將持續(xù)推進(jìn)，以實(shí)現(xiàn)最高水平的性能和功率密度。為順應(yīng)這一發(fā)展趨勢(shì)，英飛凌科技有限公司推出了全新的3.3 x 3.3 mm2 PQFN 封裝的源極底置功率MOSFET，電壓范圍涵蓋
2023-02-16 16:27:22758 功率器件及功率模塊的散熱計(jì)算，其目的是在確定的散熱條件下選擇合適的散熱器，以保證器件或模塊安全、可靠地工作。目前的電子產(chǎn)品主要采用貼片式封裝器件，但大功率器件及一些功率模塊仍然有不少用穿孔式封裝，這主要是可方便地安裝在散熱器上，便于散熱。
2023-02-16 17:52:29675 TO-220 封裝的 N 溝道 80 V、3.5 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-PSMN3R5-80PS
2023-02-22 19:00:220 TO-220 封裝的 N 溝道 80 V、3.3 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-PSMN3R3-80PS
2023-02-22 19:00:520 點(diǎn)擊藍(lán)字?關(guān)注我們 電源應(yīng)用中的 MOSFET 大多是表面貼裝器件 (SMD)，包括 SO8FL、u8FL 和 LFPAK 等封裝。通常選擇這些 SMD 的原因是它們具有良好的功率能力，同時(shí)尺寸較小
2023-03-10 21:50:04798 總之，芯片導(dǎo)熱硅脂是一種非常有效的散熱材料，它可以大大提高大功率晶體管的散熱效率，保證機(jī)器設(shè)備的正常運(yùn)行和可靠性
2023-06-08 17:34:26481 
有沒有什么辦法能讓發(fā)動(dòng)機(jī)的熱效率大幅提升，如果能提升到一半甚至現(xiàn)有水平的一倍，燃油車的未來又會(huì)是什么樣子呢？
2023-09-12 11:12:23395 
選擇LDO時(shí)要考慮的最重要特性之一是其熱阻(RojA)。RojA呈現(xiàn)了LDO采用特定封裝時(shí)的散熱效率。RoJa值越大，表示此封裝的散熱效率越低，而值越小，表示器件散熱效率越高。
2023-10-29 09:36:29278 
隨著汽車行業(yè)逐步縱深電氣化，我們已經(jīng)創(chuàng)造出了顯著減少碳排放的可能性。然而，由此而來的是，增加的電子設(shè)備使得汽車對(duì)電力運(yùn)作的需求日益攀升，這無疑對(duì)電源網(wǎng)絡(luò)提出了更高的功率密度和效率的要求。在其中，MOSFET以其在電源管理設(shè)計(jì)中的關(guān)鍵切換功能，成為了提升功率密度不可或缺的元素。
2023-11-20 14:10:06672 
新半導(dǎo)體技術(shù)將提升功率轉(zhuǎn)換效率
2023-12-15 09:18:51165 
發(fā)動(dòng)機(jī)的熱效率，是指發(fā)動(dòng)機(jī)有效功率的熱量與單位時(shí)間所消耗燃料的熱量比值。簡單來理解就是燃油燃燒后產(chǎn)生的能量有多少轉(zhuǎn)變成了汽車的驅(qū)動(dòng)力。
2024-02-29 14:31:37139 
MOSFET集成在緊湊的3.3 mm x 3.3 mm PowerPAIR? 3 x 3FS單體封裝中，為工業(yè)和通信應(yīng)用的功率轉(zhuǎn)換帶來了顯著的性能提升。
2024-03-12 10:32:0294
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