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電子發(fā)燒友網(wǎng)>電源/新能源>電源新聞>快捷半導(dǎo)體的碳化硅解決方案提高功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的可靠度

快捷半導(dǎo)體的碳化硅解決方案提高功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的可靠度

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全球領(lǐng)先的高性能功率和移動(dòng)半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商飛兆半導(dǎo)體公司(FairchildSemiconductor) 發(fā)布了非常適合功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)碳化硅(SiC)技術(shù)解決方案,進(jìn)而拓展了公司在創(chuàng)新型高性能功率
2012-11-22 14:04:541021

碳化硅功率模塊及電控的設(shè)計(jì)、測(cè)試與系統(tǒng)評(píng)估

,并簽訂戰(zhàn)略合作協(xié)議,合作內(nèi)容包含了基于某些客戶的需求,進(jìn)行基于羅姆碳化硅芯片的功率半導(dǎo)體模塊,及對(duì)應(yīng)電機(jī)控制器的開發(fā)。本文即介紹臻驅(qū)對(duì)碳化硅功率模塊的開發(fā)、測(cè)試及系統(tǒng)評(píng)估。 Introduction 碳化硅功率半導(dǎo)體近年來(lái)在能源轉(zhuǎn)換
2020-11-24 11:51:471754

600V碳化硅二極管SIC SBD選型

極快反向恢復(fù)速度的600V-1200V碳化硅肖特基二極管芯片及成品器件 。海飛樂技術(shù)600V碳化硅二極管現(xiàn)貨選型相比于Si半導(dǎo)體材料,SiC半導(dǎo)體材料具有禁帶寬度較大、臨界電場(chǎng)較大、熱導(dǎo)率較高的特點(diǎn),SiC
2019-10-24 14:25:15

650V/1200V碳化硅肖特基二極管如何選型

  碳化硅(SiC)具有禁帶寬度大、擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度高、飽和電子漂移速度高、熱導(dǎo)率大、介電常數(shù)小、抗輻射能力強(qiáng)、化學(xué)穩(wěn)定性良好等特點(diǎn),被認(rèn)為是制作高溫、高頻、大功率和抗輻射器件極具潛力的寬帶隙半導(dǎo)體材料
2020-09-24 16:22:14

8KW碳化硅全橋LLC解決方案

每個(gè)橋臂需要4個(gè)MOSFET以及各自的驅(qū)動(dòng),增加了系統(tǒng)復(fù)雜,再比如每個(gè)橋臂需要各自的鉗位二極管,增加了系統(tǒng)成本?! ”疚闹?,將介紹我們8KW LLC變換器的設(shè)計(jì)方案。使用Cree的1200V 碳化硅
2018-10-17 16:55:50

功率器件在工業(yè)應(yīng)用中的解決方案

功率器件在工業(yè)應(yīng)用中的解決方案,議程分為:功率分立器件概覽 、 IGBT產(chǎn)品3、高壓MOSFET 、 碳化硅Mosfet、碳化硅二極管和整流器、氮化鎵PowerGaN、工業(yè)電源中的應(yīng)用和總結(jié)八個(gè)部分。
2023-09-05 06:13:28

功率模塊中的完整碳化硅性能怎么樣?

復(fù)雜的設(shè)計(jì),功率模塊的集成能力使其成為首選。但是哪些封裝適用于快速開關(guān)碳化硅器件?  當(dāng)傳統(tǒng)硅器件在功率損耗和開關(guān)頻率方面達(dá)到極限時(shí),碳化硅可能是合適的半導(dǎo)體選擇。高達(dá) 30 至 40kHz,最新一代
2023-02-20 16:29:54

碳化硅(SiC)肖特基二極管的特點(diǎn)

PN結(jié)器件優(yōu)越的指標(biāo)是正向?qū)妷旱?,具有低的?dǎo)通損耗?! 〉栊ぬ鼗O管也有兩個(gè)缺點(diǎn),一是反向耐壓VR較低,一般只有100V左右;二是反向漏電流IR較大?! 《?、碳化硅半導(dǎo)體材料和用它制成的功率
2019-01-11 13:42:03

碳化硅功率器件可靠性之芯片研發(fā)及封裝篇

,封裝也是影響產(chǎn)品可靠性的重要因素。基本半導(dǎo)體碳化硅分立器件采用AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行測(cè)試。目前碳化硅二級(jí)管產(chǎn)品已通過(guò)AEC-Q101測(cè)試,工業(yè)級(jí)1200V碳化硅MOSFET也在進(jìn)行AEC-Q101
2023-02-28 16:59:26

碳化硅半導(dǎo)體器件有哪些?

  由于碳化硅具有不可比擬的優(yōu)良性能,碳化硅是寬禁帶半導(dǎo)體材料的一種,主要特點(diǎn)是高熱導(dǎo)率、高飽和以及電子漂移速率和高擊場(chǎng)強(qiáng)等,因此被應(yīng)用于各種半導(dǎo)體材料當(dāng)中,碳化硅器件主要包括功率二極管和功率開關(guān)管
2020-06-28 17:30:27

碳化硅SiC MOSFET:低導(dǎo)通電阻和高可靠性的肖特基勢(shì)壘二極管

社會(huì)的重要元器件。碳化硅被廣泛視為下一代功率器件的材料,因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">碳化硅相較于硅材料可進(jìn)一步提高電壓并降低損耗。雖然碳化硅功率器件目前主要用于列車逆變器,但其具有極為廣泛的應(yīng)用前景,包括車輛電氣化和工業(yè)設(shè)備
2023-04-11 15:29:18

碳化硅SiC技術(shù)導(dǎo)入應(yīng)用的最大痛點(diǎn)

領(lǐng)域的創(chuàng)新步伐不斷加快,工程師們?cè)絹?lái)越多地在尋找新的解決方案,并對(duì)技術(shù)提出更多的要求,以滿足消費(fèi)者和行業(yè)的需求。碳化硅半導(dǎo)體是滿足這些需求的優(yōu)選答案,其本身也在不斷改進(jìn),以期提供與舊技術(shù)相比更具成本
2023-02-27 14:28:47

碳化硅與氮化鎵的發(fā)展

5G將于2020年將邁入商用,加上汽車走向智慧化、聯(lián)網(wǎng)化與電動(dòng)化的趨勢(shì),將帶動(dòng)第三代半導(dǎo)體材料碳化硅(SiC)與氮化鎵(GaN)的發(fā)展。根據(jù)拓墣產(chǎn)業(yè)研究院估計(jì),2018年全球SiC基板產(chǎn)值將達(dá)1.8
2019-05-09 06:21:14

碳化硅二極管選型表

應(yīng)用領(lǐng)域。更多規(guī)格參數(shù)及封裝產(chǎn)品請(qǐng)咨詢我司人員!附件是海飛樂技術(shù)碳化硅二極管選型表,歡迎大家選購(gòu)!碳化硅(SiC)半導(dǎo)體材料是自第一代元素半導(dǎo)體材料(Si、Ge)和第二代化合物半導(dǎo)體材料(GaAs
2019-10-24 14:21:23

碳化硅壓敏電阻 - 氧化鋅 MOV

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2024-03-08 08:37:49

碳化硅器件是如何組成逆變器的?

進(jìn)一步了解碳化硅器件是如何組成逆變器的。
2021-03-16 07:22:13

碳化硅器件的特點(diǎn)是什么

今天我們來(lái)聊聊碳化硅器件的特點(diǎn)
2021-03-16 08:00:04

碳化硅基板——三代半導(dǎo)體的領(lǐng)軍者

電子設(shè)備的能耗,因此碳化硅器件也被譽(yù)為帶動(dòng)“新能源革命”的“綠色能源器件”。各類電機(jī)系統(tǒng)在高壓應(yīng)用領(lǐng)域,使用碳化硅陶瓷基板的半導(dǎo)體碳化硅功率器件,功耗降低效果明顯,設(shè)備的發(fā)熱量大幅減少,同時(shí)可減少最高
2021-01-12 11:48:45

碳化硅深層的特性

。強(qiáng)氧化氣體在1000℃以上與SiC反應(yīng),并分解SiC.水蒸氣能促使碳化硅氧化在有50%的水蒸氣的氣氛中,能促進(jìn)綠色碳化硅氧化從100℃開始,隨著溫度的提高,氧化程度愈為明顯,到1400℃時(shí)為最大
2019-07-04 04:20:22

碳化硅混合分立器件 IGBT

和 DC-AC 變流器等。集成式快速開關(guān) 50A IGBT 的關(guān)斷性能優(yōu)于純硅解決方案,可與 MOSFET 媲美。較之常規(guī)的碳化硅 MOSFET,這款即插即用型解決方案可縮短產(chǎn)品上市時(shí)間,能以更低成本實(shí)現(xiàn) 95
2021-03-29 11:00:47

碳化硅的歷史與應(yīng)用介紹

的化學(xué)惰性? 高導(dǎo)熱率? 低熱膨脹這些高強(qiáng)度、較持久耐用的陶瓷廣泛用于各類應(yīng)用,如汽車制動(dòng)器和離合器,以及嵌入防彈背心的陶瓷板。碳化硅也用于在高溫和/或高壓環(huán)境中工作的半導(dǎo)體電子設(shè)備,如火焰點(diǎn)火器、電阻加熱元件以及惡劣環(huán)境下的電子元器件。
2019-07-02 07:14:52

碳化硅的應(yīng)用

碳化硅作為現(xiàn)在比較好的材料,為什么應(yīng)用的領(lǐng)域會(huì)受到部分限制呢?
2021-08-19 17:39:39

碳化硅肖特基二極管技術(shù)演進(jìn)解析

  01  碳化硅材料特點(diǎn)及優(yōu)勢(shì)  碳化硅作為寬禁帶半導(dǎo)體的代表性材料之一,其材料本征特性與硅材料相比具有諸多優(yōu)勢(shì)。以現(xiàn)階段最適合用于做功率半導(dǎo)體的4H型碳化硅材料為例,其禁帶寬度是硅材料的3倍
2023-02-28 16:55:45

碳化硅肖特基二極管的基本特征分析

  碳化硅作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料,比傳統(tǒng)的硅基器件具有更優(yōu)越的性能。碳化硅的寬禁帶(3.26eV)、高臨界場(chǎng)(3×106V/cm)和高導(dǎo)熱系數(shù)(49W/mK)使功率半導(dǎo)體器件效率更高,運(yùn)行速度更快
2023-02-28 16:34:16

碳化硅陶瓷線路板,半導(dǎo)體功率器件的好幫手

,因此使用碳化硅(SiC)陶瓷線路板的功率器件的阻斷電壓比Si器件高很多。3) 低損耗一般而言,半導(dǎo)體器件的導(dǎo)通損耗與其擊穿場(chǎng)強(qiáng)成反比,故在相似的功率等級(jí)下,SiC器件的導(dǎo)通損耗比Si器件小很多。且使用斯
2021-03-25 14:09:37

CISSOID碳化硅驅(qū)動(dòng)芯片

哪位大神知道CISSOID碳化硅驅(qū)動(dòng)芯片有幾款,型號(hào)是什么
2020-03-05 09:30:32

SiC MOSFET:經(jīng)濟(jì)高效且可靠的高功率解決方案

對(duì)于硅基半導(dǎo)體是一個(gè)挑戰(zhàn)。通過(guò)使用寬帶隙材料,例如碳化硅(SiC),可以克服這些限制。例如,光伏應(yīng)用需要高效電子元件,而基于SiC的器件可以完全適應(yīng)這些要求。DC-DC轉(zhuǎn)換器制造商并不缺乏機(jī)會(huì)。公司不斷推動(dòng)新包裝項(xiàng)目的限制,提高整合水平。
2019-07-30 15:15:17

TO-247封裝碳化硅MOSFET引入輔助源極管腳的必要性

通損耗一直是功率半導(dǎo)體行業(yè)的不懈追求?! ∠噍^于傳統(tǒng)的硅MOSFET和硅IGBT 產(chǎn)品,基于寬禁帶碳化硅材料設(shè)計(jì)的碳化硅 MOSFET 具有耐壓高、導(dǎo)通電阻低,開關(guān)損耗小的特點(diǎn),可降低器件損耗、減小
2023-02-27 16:14:19

【羅姆BD7682FJ-EVK-402試用體驗(yàn)連載】基于碳化硅功率器件的永磁同步電機(jī)先進(jìn)驅(qū)動(dòng)技術(shù)研究

項(xiàng)目名稱:基于碳化硅功率器件的永磁同步電機(jī)先進(jìn)驅(qū)動(dòng)技術(shù)研究試用計(jì)劃:申請(qǐng)理由:碳化硅作為最典型的寬禁帶半導(dǎo)體材料,近年來(lái)被越來(lái)越廣泛地用于高頻高溫的工作場(chǎng)合。為了提高永磁同步電機(jī)伺服控制系統(tǒng)的性能
2020-04-21 16:04:04

為何碳化硅比氮化鎵更早用于耐高壓應(yīng)用呢?

應(yīng)用范圍也越來(lái)越廣。據(jù)報(bào)道,美國(guó)特斯拉公司的馬達(dá)驅(qū)動(dòng)逆變器使用的是碳化硅半導(dǎo)體。另外,很多讀者都已經(jīng)在電器市場(chǎng)上看到了使用了氮化鎵半導(dǎo)體的微型 AC轉(zhuǎn)換器。采用寬禁帶材料制作的電力半導(dǎo)體,其內(nèi)部電路在高壓
2023-02-23 15:46:22

什么是碳化硅(SiC)?它有哪些用途?

什么是碳化硅(SiC)?它有哪些用途?碳化硅(SiC)的結(jié)構(gòu)是如何構(gòu)成的?
2021-06-18 08:32:43

從硅過(guò)渡到碳化硅,MOSFET的結(jié)構(gòu)及性能優(yōu)劣勢(shì)對(duì)比

近年來(lái),因?yàn)樾履茉雌嚒⒐夥皟?chǔ)能、各種電源應(yīng)用等下游市場(chǎng)的驅(qū)動(dòng),碳化硅功率器件取得了長(zhǎng)足發(fā)展。更快的開關(guān)速度,更好的溫度特性使得系統(tǒng)損耗大幅降低,效率提升,體積減小,從而實(shí)現(xiàn)變換器的高效高功率
2022-03-29 10:58:06

傳統(tǒng)的硅組件、碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)

系統(tǒng)能做得越小巧,則電動(dòng)車的電池續(xù)航力越高。這是電動(dòng)車廠商之所以對(duì)碳化硅解決方案趨之若鶩的主要原因。相較于碳化硅在大功率電力電子設(shè)備上攻城略地,氮化鎵組件則是在小型化電源應(yīng)用產(chǎn)品領(lǐng)域逐漸擴(kuò)散,與碳化硅
2021-09-23 15:02:11

你知道為飛機(jī)電源管理提供解決方案碳化硅嗎?

,在這些環(huán)境中,傳統(tǒng)的硅基電子設(shè)備無(wú)法工作。碳化硅在高溫、高功率和高輻射條件下運(yùn)行的能力將提高各種系統(tǒng)和應(yīng)用的性能,包括飛機(jī)、車輛、通信設(shè)備和航天器。今天,SiC MOSFET是長(zhǎng)期可靠功率器件。未來(lái),預(yù)計(jì)多芯片電源或混合模塊將在SiC領(lǐng)域發(fā)揮更重要的作用。
2022-06-13 11:27:24

創(chuàng)能動(dòng)力推出碳化硅二極管ACD06PS065G

,獲得華大半導(dǎo)體有限公司投資,創(chuàng)能動(dòng)力致力于開發(fā)以硅和碳化硅為基材的功率電子器件、功率模塊,并商品化提供解決方案碳化硅使用在氮化鎵電源中,可實(shí)現(xiàn)相比硅元器件更高的工作溫度,實(shí)現(xiàn)雙倍的功率密度,更小
2023-02-22 15:27:51

嘉和半導(dǎo)體(GaN)氮化鎵&碳化硅元器件

附件:嘉和半導(dǎo)體- 氮化鎵/碳化硅元件+解決方案介紹
2022-03-23 17:06:51

圖騰柱無(wú)橋PFC中混合碳化硅分立器件的應(yīng)用

功率半導(dǎo)體器件選型,并給出性能和成本平衡的混合碳化硅分立器件解決方案。  02  圖騰柱無(wú)橋PFC拓?fù)浞治觥 ≡谡胫芷冢╒AC大于0)的時(shí)候,T2為主開關(guān)管?! ‘?dāng)T2開通時(shí),電感L儲(chǔ)能,電流
2023-02-28 16:48:24

在開關(guān)電源轉(zhuǎn)換器中充分利用碳化硅器件的性能優(yōu)勢(shì)

技術(shù)需求的雙重作用,導(dǎo)致了對(duì)于可用于構(gòu)建更高效和更緊湊電源解決方案半導(dǎo)體產(chǎn)品擁有巨大的需求。這個(gè)需求寬帶隙(WBG)技術(shù)器件應(yīng)運(yùn)而生,如碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(SiC MOSFET) 。它們能夠提供設(shè)計(jì)人
2023-03-14 14:05:02

基于碳化硅MOSFET的20KW高效LLC諧振隔離DC/DC變換器方案研究

橋電路,提高可靠性;由于拓?fù)浜?jiǎn)化,采用硅基650V MOSFET的方案在每個(gè)開通時(shí)刻有兩顆MOSFET同時(shí)導(dǎo)通,所以實(shí)際等效導(dǎo)通損耗會(huì)比采用全橋拓?fù)涞?000V碳化硅MOSFET要大;低寄生電容如輸入
2016-08-05 14:32:43

基本半導(dǎo)體第三代碳化硅肖特基二極管性能詳解

  導(dǎo) 讀  追求更低損耗、更高可靠性、更高性價(jià)比是碳化硅功率器件行業(yè)的共同目標(biāo)。為不斷提升產(chǎn)品核心競(jìng)爭(zhēng)力,基本半導(dǎo)體成功研發(fā)第三代碳化硅肖特基二極管,這是基本半導(dǎo)體系列標(biāo)準(zhǔn)封裝碳化硅肖特基二極管
2023-02-28 17:13:35

如何實(shí)現(xiàn)高可靠性電源的半導(dǎo)體解決方案

可靠系統(tǒng)設(shè)計(jì)包括使用容錯(cuò)設(shè)計(jì)方法和選擇適合的組件,以滿足預(yù)期環(huán)境條件并符合標(biāo)準(zhǔn)要求。本文專門探討實(shí)現(xiàn)高可靠性電源的半導(dǎo)體解決方案,這類電源提供冗余、電路保護(hù)和遠(yuǎn)程系統(tǒng)管理。本文將突出顯示,半導(dǎo)體技術(shù)的改進(jìn)和新的安全功能怎樣簡(jiǎn)化了設(shè)計(jì),并提高了組件的可靠性。
2021-03-18 07:49:20

如何用碳化硅MOSFET設(shè)計(jì)一個(gè)雙向降壓-升壓轉(zhuǎn)換器?

碳化硅MOSFET設(shè)計(jì)一個(gè)雙向降壓-升壓轉(zhuǎn)換
2021-02-22 07:32:40

應(yīng)用于新能源汽車的碳化硅半橋MOSFET模塊

  采用溝槽型、低導(dǎo)通電阻碳化硅MOSFET芯片的半橋功率模塊系列  產(chǎn)品型號(hào)  BMF600R12MCC4  BMF400R12MCC4  汽車級(jí)全碳化硅半橋MOSFET模塊Pcore2
2023-02-27 11:55:35

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,極大地提高模塊工作的可靠性。此外,鋁帶、銅帶連接工藝因其更大的截流能力、更好的功率循環(huán)以及散熱能力,也有望為碳化硅提供更佳的解決方案。圖 11 所示分別為銅鍵合線、銅帶連接方式。錫片或錫膏常用于芯片
2023-02-22 16:06:08

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面向電動(dòng)汽車的全新碳化硅功率模塊 碳化硅在電動(dòng)汽車應(yīng)用中代表著更高的效率、更高的功率密度和更優(yōu)的性能,特別是在800 V 電池系統(tǒng)和大電池容量中,它可提高逆變器的效率,從而延長(zhǎng)續(xù)航里程或降低電池成本
2021-03-27 19:40:16

被稱為第三代半導(dǎo)體材料的碳化硅有著哪些特點(diǎn)

°C。系統(tǒng)可靠性大大增強(qiáng),穩(wěn)定的超快速本體二極管,因此無(wú)需外部續(xù)流二極管。三、碳化硅半導(dǎo)體廠商SiC電力電子器件的產(chǎn)業(yè)化主要以德國(guó)英飛凌、美國(guó)Cree公司、GE、ST意法半導(dǎo)體體和日本羅姆公司、豐田
2023-02-20 15:15:50

請(qǐng)教碳化硅刻蝕工藝

最近需要用到干法刻蝕技術(shù)去刻蝕碳化硅,采用的是ICP系列設(shè)備,刻蝕氣體使用的是SF6+O2,碳化硅上面沒有做任何掩膜,就是為了去除SiC表面損傷層達(dá)到表面改性的效果。但是實(shí)際刻蝕過(guò)程中總是會(huì)在碳化硅
2022-08-31 16:29:50

降低碳化硅牽引逆變器的功率損耗和散熱

使用絕緣柵雙極晶體管(IGBT)。但隨著半導(dǎo)體技術(shù)的進(jìn)步,碳化硅 (SiC) 金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (MOSFET) 能夠以比 IGBT 更高的頻率進(jìn)行開關(guān),通過(guò)降低電阻和開關(guān)損耗來(lái)提高
2022-11-02 12:02:05

C2M1000170D碳化硅MOSFET

效的電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)。與基于硅的解決方案相比;Wolfspeed 碳化硅技術(shù)可提高系統(tǒng)功率密度;更高的開關(guān)頻率;較小的設(shè)計(jì);冷卻器組件;減小電感器等組件的尺寸;電容器;濾
2022-05-27 18:39:09

C2M0045170P碳化硅MOSFET

效的電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)。與基于硅的解決方案相比;Wolfspeed 碳化硅技術(shù)可提高系統(tǒng)功率密度;更高的開關(guān)頻率;較小的設(shè)計(jì);冷卻器組件;減小電感器等組件的尺寸;電容器;濾
2022-05-27 18:44:59

C2M0045170D碳化硅MOSFET

效的電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)。與基于硅的解決方案相比;Wolfspeed 碳化硅技術(shù)可提高系統(tǒng)功率密度;更高的開關(guān)頻率;較小的設(shè)計(jì);冷卻器組件;減小電感器等組件的尺寸;電容器;濾
2022-05-27 19:37:06

C2M1000170J碳化硅MOSFET

效的電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)。與基于硅的解決方案相比;Wolfspeed 碳化硅技術(shù)可提高系統(tǒng)功率密度;更高的開關(guān)頻率;較小的設(shè)計(jì);冷卻器組件;減小電感器等組件的尺寸;電容器;濾
2022-05-27 19:44:09

Littelfuse宣布投資碳化硅技術(shù)

Semiconductor公司進(jìn)行了投資。 碳化硅是一種發(fā)展迅速的新興半導(dǎo)體材料,與傳統(tǒng)硅相比,能使功率元件在較高的切換頻率和溫度下工作。 這讓逆變器和其他能源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)能夠?qū)崿F(xiàn)更高的功率密度、能源效率并降低成本。
2015-12-22 11:04:2210718

芯聞精選:發(fā)力碳化硅半導(dǎo)體器件,致瞻科技完成Pre-A輪融資

碳化硅半導(dǎo)體器件供應(yīng)商致瞻科技有限公司獲得Pre-A輪融資。11月20日,毅達(dá)資本在官方微信宣布,已完成對(duì)致瞻科技的投資。依托核心團(tuán)隊(duì)10余年的碳化硅功率半導(dǎo)體設(shè)計(jì)和驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)研發(fā)經(jīng)驗(yàn)
2020-11-30 10:33:272199

SiC-碳化硅-功率半導(dǎo)體的介紹講解

SiC-碳化硅-功率半導(dǎo)體的介紹講解說(shuō)明。
2021-04-26 10:11:32140

基本半導(dǎo)體碳化硅功率模塊裝車測(cè)試發(fā)車儀式在深圳舉行

7月29日,基本半導(dǎo)體碳化硅功率模塊裝車測(cè)試發(fā)車儀式在深圳成功舉行,搭載自主研發(fā)碳化硅模塊的測(cè)試車輛正式啟程。
2021-07-30 15:55:331835

碳化硅材料技術(shù)對(duì)器件可靠性有哪些影響

碳化硅器件總成本的50%,外延、晶圓和封裝測(cè)試成本分別為25%、20%和5%。碳化硅材料的可靠性對(duì)最終器件的性能有著舉足輕重的意義,基本半導(dǎo)體從產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)探究材料特性及缺陷產(chǎn)生的原因,與上下游企業(yè)協(xié)同合作提升碳化硅功率器件
2021-08-16 10:46:405266

國(guó)內(nèi)碳化硅“先鋒”,基本半導(dǎo)體碳化硅新布局有哪些?

基本半導(dǎo)體是國(guó)內(nèi)比較早涉及第三代半導(dǎo)體碳化硅功率器件研發(fā)的企業(yè),率先推出了碳化硅肖特基二極管、碳化硅MOSFET等器件,為業(yè)界熟知,并得到廣泛應(yīng)用。在11月27日舉行的2021基本創(chuàng)新日活動(dòng)
2021-11-29 14:54:087839

國(guó)內(nèi)首條!基本半導(dǎo)體汽車級(jí)碳化硅功率模塊專用產(chǎn)線正式通線

12月30日,基本半導(dǎo)體位于無(wú)錫市新吳區(qū)的汽車級(jí)碳化硅功率模塊制造基地正式通線運(yùn)行,首批碳化硅模塊產(chǎn)品成功下線。這是目前國(guó)內(nèi)第一條汽車級(jí)碳化硅功率模塊專用產(chǎn)線,采用先進(jìn)碳化硅專用封裝工藝技術(shù),打造
2021-12-31 10:55:432795

淺談碳化硅半導(dǎo)體的兩大優(yōu)勢(shì)

與普通硅相比,碳化硅可以承受更高的電壓,因此,碳化硅半導(dǎo)體中的電源系統(tǒng)需要更少的串聯(lián)開關(guān),從而提供了簡(jiǎn)化和可靠系統(tǒng)布局。
2022-04-07 14:49:043206

寬禁帶半導(dǎo)體發(fā)展迅猛 碳化硅MOSFET未來(lái)可期

在高端應(yīng)用領(lǐng)域,碳化硅MOSFET已經(jīng)逐漸取代硅基IGBT。以碳化硅、氮化鎵領(lǐng)銜的寬禁帶半導(dǎo)體發(fā)展迅猛,被認(rèn)為是有可能實(shí)現(xiàn)換道超車的領(lǐng)域。
2022-07-06 12:49:161072

碳化硅MOSFET的經(jīng)濟(jì)高效且可靠的大功率解決方案

多家公司已將 SiC 技術(shù)作為其功率器件生產(chǎn)的基礎(chǔ)。此外,幾家領(lǐng)先的功率模塊和功率逆變器制造商已經(jīng)為未來(lái)基于 SiC 的產(chǎn)品的路線圖奠定了基礎(chǔ)。碳化硅 (SiC)MOSFET 即將徹底取代硅功率開關(guān);該行業(yè)需要能夠應(yīng)對(duì)不斷變化的市場(chǎng)的新驅(qū)動(dòng)和轉(zhuǎn)換解決方案。
2022-08-09 08:02:071519

羅姆將量產(chǎn)下一代碳化硅功率半導(dǎo)體

? ? ? 日本媒體報(bào)道稱日本羅姆(ROHM)12月將開始量產(chǎn)下一代功率半導(dǎo)體。原材料是碳化硅(SiC),羅姆花費(fèi)約20年推進(jìn)了研發(fā)。據(jù)稱,羅姆在福岡縣筑后市工廠的碳化硅功率半導(dǎo)體專用廠房實(shí)施量產(chǎn)
2022-11-28 16:51:24498

半導(dǎo)體屆“小紅人”——碳化硅肖特基,讓你的電源溫度低過(guò)冰墩墩

半導(dǎo)體屆“小紅人”——碳化硅肖特基,讓你的電源溫度低過(guò)冰墩墩
2022-12-30 17:05:47437

碳化硅功率器件技術(shù)可靠性!

碳化硅器件總成本的50%,外延、晶圓和封裝測(cè)試成本分別為25%、20%和5%。碳化硅材料的可靠性對(duì)最終器件的性能有著舉足輕重的意義,從產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)探究材料特性及缺陷產(chǎn)生的原因,與上下游企業(yè)協(xié)同合作提升碳化硅功率器件的可靠性。
2023-01-05 11:23:191191

SiC碳化硅功率器件測(cè)試哪些方面?碳化硅功率器件測(cè)試系統(tǒng)NSAT-2000

SiC碳化硅功率半導(dǎo)體器件具有耐壓高、熱穩(wěn)定好、開關(guān)損耗低、功率密度高等特點(diǎn),被廣泛應(yīng)用在電動(dòng)汽車、風(fēng)能發(fā)電、光伏發(fā)電等新能源領(lǐng)域。 近年來(lái),全球半導(dǎo)體功率器件的制造環(huán)節(jié)以較快速度向我國(guó)轉(zhuǎn)移。目前
2023-01-13 11:16:441230

汽車碳化硅技術(shù)原理圖

汽車碳化硅技術(shù)原理圖 相比硅基功率半導(dǎo)體,碳化硅功率半導(dǎo)體在開關(guān)頻率、損耗、散熱、小型化等方面存在優(yōu)勢(shì),隨著特斯拉大規(guī)模量產(chǎn)碳化硅逆變器之后,更多的企業(yè)也開始落地碳化硅產(chǎn)品。 功率半導(dǎo)體碳化硅
2023-02-02 15:10:00467

碳化硅在“新基建”領(lǐng)域有哪些應(yīng)用?

碳化硅屬于第三代半導(dǎo)體材料之一,具備大功率、低損耗、高可靠、低散熱等特點(diǎn),可應(yīng)用于 1200 伏特以上的高壓、嚴(yán)苛環(huán)境,可廣泛應(yīng)用于風(fēng)電、鐵路等大型交通工具,及太陽(yáng)能逆變器、不斷電系統(tǒng)、智慧電網(wǎng)
2023-02-03 14:49:52367

碳化硅技術(shù)壁壘分析:碳化硅技術(shù)壁壘是什么 碳化硅技術(shù)壁壘有哪些

碳化硅技術(shù)壁壘分析:碳化硅技術(shù)壁壘是什么 碳化硅技術(shù)壁壘有哪些 碳化硅芯片不僅是一個(gè)新風(fēng)口,也是一個(gè)很大的挑戰(zhàn),那么我們來(lái)碳化硅技術(shù)壁壘分析下碳化硅技術(shù)壁壘是什么?碳化硅技術(shù)壁壘
2023-02-03 15:25:163637

氮化鎵和碳化硅MOSFET應(yīng)用建議以及碳化硅二極管應(yīng)用領(lǐng)域

碳化硅作為寬禁帶化合物半導(dǎo)體材料,具有比傳統(tǒng)硅材料更加優(yōu)異的性能,尤其是用于功率轉(zhuǎn)換和控制的功率器件。與傳統(tǒng)硅器件相比,碳化硅具有禁帶寬度寬、耐高溫、耐高壓、高頻、大功率、抗輻射等特點(diǎn),開關(guān)速度快、效率高,可大幅降低產(chǎn)品功耗,提高能量轉(zhuǎn)換效率并減小產(chǎn)品體積。
2023-02-03 17:04:17743

淺談碳化硅的應(yīng)用

碳化硅是目前應(yīng)用最為廣泛的第三代半導(dǎo)體材料,由于第三代半導(dǎo)體材料的禁帶寬度大于2eV,因此一般也會(huì)被稱為寬禁帶半導(dǎo)體材料,除了寬禁帶的特點(diǎn)外,碳化硅半導(dǎo)體材料還具有高擊穿電場(chǎng)、高熱導(dǎo)率、高飽和電子
2023-02-12 15:12:32933

功率半導(dǎo)體碳化硅(SiC)技術(shù)

功率半導(dǎo)體碳化硅(SiC)技術(shù) Silicon Carbide Adoption Enters Next Phase 碳化硅(SiC)技術(shù)的需求繼續(xù)增長(zhǎng),這種技術(shù)可以最大限度地提高當(dāng)今電力系統(tǒng)的效率
2023-02-15 16:03:448

碳化硅如何成為半導(dǎo)體行業(yè)的福音

與普通硅相比,碳化硅可以承受更高的電壓,因此,碳化硅半導(dǎo)體中的電源系統(tǒng)需要更少的串聯(lián)開關(guān),從而提供了簡(jiǎn)化和可靠系統(tǒng)布局。 隨著新行業(yè)和產(chǎn)品采用電子和半導(dǎo)體,設(shè)計(jì)師和制造商正在尋找改進(jìn)和更智能
2023-02-20 15:51:550

SiC碳化硅二極管的特性和優(yōu)勢(shì)

什么是第三代半導(dǎo)體?我們把SiC碳化硅功率器件和氮化鎵功率器件統(tǒng)稱為第三代半導(dǎo)體,這個(gè)是相對(duì)以硅基為核心的第二代半導(dǎo)體功率器件的。今天我們著重介紹SiC碳化硅功率器件,也就是SiC碳化硅二極管
2023-02-21 10:16:472090

激光在碳化硅半導(dǎo)體晶圓制程中的應(yīng)用

本文介紹了激光在碳化硅(SiC)半導(dǎo)體晶圓制程中的應(yīng)用,概括講述了激光與碳化硅相互作用的機(jī)理,并重點(diǎn)對(duì)碳化硅晶圓激光標(biāo)記、背金激光表切去除、晶粒隱切分片的應(yīng)用進(jìn)行了介紹。
2023-04-23 09:58:27712

意法半導(dǎo)體供應(yīng)超千萬(wàn)顆碳化硅器件

意法半導(dǎo)體(ST)宣布與采埃孚科技集團(tuán)公司(ZF)簽署碳化硅器件長(zhǎng)期供應(yīng)協(xié)議。從 2025 年起,采埃孚將從意法半導(dǎo)體采購(gòu)碳化硅器件。
2023-04-26 10:18:51930

碳化硅功率模組有哪些

碳化硅功率模組有哪些 碳化硅功率器件系列研報(bào)深受眾多專業(yè)讀者喜愛,本期為番外篇,前五期主要介紹了碳化硅功率器件產(chǎn)業(yè)鏈的上中下游,本篇將深入了解碳化硅功率器件的應(yīng)用市場(chǎng),以及未來(lái)的發(fā)展趨勢(shì),感謝各位
2023-05-31 09:43:20390

碳化硅MOSFET什么意思

碳化硅MOSFET什么意思 碳化硅MOSFET是一種新型的功率半導(dǎo)體器件,其中"MOSFET"表示金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管,"碳化硅"指的是其材料。碳化硅
2023-06-02 15:33:151180

碳化硅功率器件的基本原理、特點(diǎn)和優(yōu)勢(shì)

碳化硅(SiC)功率器件是一種基于碳化硅材料的半導(dǎo)體器件,具有許多優(yōu)勢(shì)和廣泛的應(yīng)用前景。
2023-06-28 09:58:092317

羅姆收購(gòu)Solar Frontier碳化硅工廠 計(jì)劃到2027碳化硅功率半導(dǎo)體業(yè)務(wù)達(dá)139億

羅姆收購(gòu)Solar Frontier碳化硅工廠 計(jì)劃到2027碳化硅功率半導(dǎo)體業(yè)務(wù)達(dá)139億 羅姆一直看好碳化硅功率半導(dǎo)體的發(fā)展,一直在積極布局碳化硅業(yè)務(wù)。羅姆計(jì)劃到2025年拿下碳化硅市場(chǎng)30
2023-07-19 19:37:01724

碳化硅是如何制造的?碳化硅的優(yōu)勢(shì)和應(yīng)用

碳化硅,也稱為SiC,是一種由純硅和純碳組成的半導(dǎo)體基礎(chǔ)材料。您可以將SiC與氮或磷摻雜以形成n型半導(dǎo)體,或?qū)⑵渑c鈹,硼,鋁或鎵摻雜以形成p型半導(dǎo)體。雖然碳化硅存在許多品種和純度,但半導(dǎo)體級(jí)質(zhì)量的碳化硅僅在過(guò)去幾十年中浮出水面以供使用。
2023-07-28 10:57:451094

第三代寬禁帶半導(dǎo)體碳化硅功率器件的應(yīng)用

SiC器件是一種新型的硅基MOSFET,特別是SiC功率器件具有更高的開關(guān)速度和更寬的輸出頻率。SiC功率芯片主要由MOSFET和PN結(jié)組成。 在眾多的半導(dǎo)體器件中,碳化硅材料具有低熱導(dǎo)率、高擊穿
2023-09-26 16:42:29342

碳化硅功率器件的結(jié)構(gòu)和工作原理

碳化硅功率器件是一種利用碳化硅材料制作的功率半導(dǎo)體器件,具有高溫、高頻、高效等優(yōu)點(diǎn),被廣泛應(yīng)用于電力電子、新能源等領(lǐng)域。下面介紹一些碳化硅功率器件的基礎(chǔ)知識(shí)。
2023-09-28 18:19:571219

GeneSiC的起源和碳化硅的未來(lái)

SiC 技術(shù)的先驅(qū)引領(lǐng)系統(tǒng)效率,高度關(guān)注可靠性和耐用性。近 20 年來(lái), GeneSiC 開創(chuàng)了高性能, 堅(jiān)固, 和可靠碳化硅 (SiC) 用于汽車、工業(yè)和國(guó)防應(yīng)用的功率器件.作為首批碳化硅器件
2023-10-25 16:32:01603

碳化硅的發(fā)展趨勢(shì)及其在儲(chǔ)能系統(tǒng)中的應(yīng)用

碳化硅(SiC)技術(shù)比傳統(tǒng)硅(Si)、絕緣柵雙極晶體管(IGBT)和其他技術(shù)更具優(yōu)勢(shì),包括更高的開關(guān)頻率、更低的工作溫度、更高的電流和電壓容量以及更低的損耗,從而提高功率密度、可靠性和效率。本文將介紹碳化硅的發(fā)展趨勢(shì)及其在儲(chǔ)能系統(tǒng)(ESS)中的應(yīng)用,以及Wolfspeed推出的碳化硅電源解決方案
2023-11-17 10:10:29389

汽車缺“芯”,這是碳化硅功率半導(dǎo)體“上車”的關(guān)鍵

目前汽車業(yè)仍結(jié)構(gòu)性缺芯,比如,電源類、控制類、通信類、計(jì)算類、功率類的芯片均緊缺。像碳化硅芯片項(xiàng)目投資建設(shè)期需18-24個(gè)月,去年有許多碳化硅項(xiàng)目的投資,要2025年才會(huì)釋放產(chǎn)能,預(yù)計(jì)2025年碳化硅功率半導(dǎo)體的緊缺狀況才會(huì)得到緩解。
2023-11-17 17:12:18664

基本半導(dǎo)體功率半導(dǎo)體碳化硅時(shí)代

目前,全球碳化硅產(chǎn)業(yè)處于快速發(fā)展階段。據(jù)市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)預(yù)測(cè),未來(lái)幾年碳化硅市場(chǎng)將保持高速增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)。根據(jù)公開信息統(tǒng)計(jì),2022年全球碳化硅市場(chǎng)份額約為18億美元,該數(shù)據(jù)包括多家上市公司,如意法半導(dǎo)體、英飛凌、Wolfspeed和安森美羅姆等。
2023-12-06 17:17:37603

碳化硅是如何制造的?碳化硅的優(yōu)點(diǎn)和應(yīng)用

碳化硅,又稱SiC,是一種由純硅和純碳組成的半導(dǎo)體基材。您可以將SiC與氮或磷摻雜以形成n型半導(dǎo)體,或?qū)⑵渑c鈹、硼、鋁或鎵摻雜以形成p型半導(dǎo)體。雖然碳化硅的品種和純度很多,但半導(dǎo)體級(jí)質(zhì)量的碳化硅只是在過(guò)去幾十年中才浮出水面。
2023-12-08 09:49:23438

碳化硅功率器件的優(yōu)勢(shì)應(yīng)及發(fā)展趨勢(shì)

隨著科技的不斷進(jìn)步,碳化硅(SiC)作為一種新型的半導(dǎo)體材料,在功率器件領(lǐng)域的應(yīng)用越來(lái)越廣泛。碳化硅功率器件在未來(lái)具有很大的發(fā)展?jié)摿?,將在多個(gè)領(lǐng)域展現(xiàn)出顯著的優(yōu)勢(shì)。本文將介紹未來(lái)碳化硅功率器件的優(yōu)勢(shì)
2024-01-06 14:15:03353

碳化硅功率器件簡(jiǎn)介、優(yōu)勢(shì)和應(yīng)用

碳化硅(SiC)是一種優(yōu)良的寬禁帶半導(dǎo)體材料,具有高擊穿電場(chǎng)、高熱導(dǎo)率、低介電常數(shù)等特點(diǎn),因此在高溫、高頻、大功率應(yīng)用領(lǐng)域具有顯著優(yōu)勢(shì)。碳化硅功率器件是利用碳化硅材料制成的電力電子器件,主要包括
2024-01-09 09:26:49379

碳化硅逆變器是什么 功能介紹

碳化硅逆變器是一種基于碳化硅(SiC)半導(dǎo)體材料的功率電子設(shè)備,主要用于將直流電轉(zhuǎn)換為交流電。與傳統(tǒng)的硅基功率器件相比,碳化硅逆變器具有許多優(yōu)越性能,如更高的開關(guān)頻率、更低的導(dǎo)通損耗、更高的工作溫度
2024-01-10 13:55:54272

碳化硅相對(duì)傳統(tǒng)硅半導(dǎo)體有什么有缺點(diǎn)

的3倍左右,這意味著碳化硅在高功率應(yīng)用中能夠更有效地散熱,從而降低了設(shè)備的溫度,提高了設(shè)備的穩(wěn)定性和可靠性。 更高的工作溫度:由于碳化硅具有更高的熱導(dǎo)率,因此它能夠在更高的工作溫度下穩(wěn)定工作。這使得碳化硅器件在高溫環(huán)
2024-01-10 14:26:52230

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