TLC556M 低功耗雙路 LinCMOS

TLC556系列是使用TI LinCMOS ^TM 工藝制造的單片時(shí)序電路，可提供與CMOS，TTL和MOS邏輯，工作頻率高達(dá)2MHz。由于輸入阻抗高，使用比NE556更小，更便宜的定時(shí)電容可以實(shí)現(xiàn)精確的時(shí)間延遲和振蕩。在整個(gè)電源電壓范圍內(nèi)功耗都很低。

與NE556類似，TLC556的觸發(fā)電平約為電源電壓的三分之一，而

的閾值電平約為電源電壓的三分之二?？梢酝ㄟ^使用控制電壓端子來改變這些電平。當(dāng)觸發(fā)輸入低于觸發(fā)電平時(shí)，觸發(fā)器置位，輸出變?yōu)楦唠娖?。如果觸發(fā)輸入高于觸發(fā)電平且閾值輸入高于閾值電平，則觸發(fā)器復(fù)位且輸出為低電平。復(fù)位輸入可以覆蓋所有其他輸入，并可用于啟動新的時(shí)序周期。如果復(fù)位輸入為低電平，則觸發(fā)器復(fù)位，輸出為低電平。只要輸出低，就在放電端子和地之間提供低阻抗路徑。

雖然CMOS輸出能夠吸收超過100 mA的電流并且輸出電流超過10 mA，但TLC556在輸出轉(zhuǎn)換期間顯示出大大減少的電源電流尖峰。這最大限度地減少了對NE556所需的大型去耦電容的需求。

這些設(shè)備具有內(nèi)部靜電放電（ESD）保護(hù)電路，可在MIL-STD-883C，方法3015下測試，防止電壓高達(dá)2000 V的災(zāi)難性故障。但是，在處理這些設(shè)備時(shí)應(yīng)小心謹(jǐn)慎。器件，因?yàn)楸┞队贓SD可能會導(dǎo)致器件參數(shù)性能下降。

所有未使用的輸入應(yīng)綁定到適當(dāng)?shù)倪壿嬰娖?，以防止誤觸發(fā)。

TLC556C的特點(diǎn)是在0°C至70°C的溫度范圍內(nèi)工作。 TLC556I的工作溫度范圍為-40°C至85°C。 TLC556M的特點(diǎn)是可在-55°C至125°C的整個(gè)軍用溫度范圍內(nèi)工作