LM5109B-Q1 LM5109B-Q1 高壓 1A 峰值半橋柵極驅(qū)動(dòng)器

數(shù)據(jù)： LM5109B-Q1 高電壓 1A 峰值半橋柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)表 (Rev. A)

描述

LM5109B-Q1是一款具有成本效益的高電壓柵極驅(qū)動(dòng)器，設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng)采用同步降壓或半橋配置的高側(cè)和低側(cè)N溝道MOSFET。懸空高側(cè)驅(qū)動(dòng)器能夠在高達(dá)90V的電源軌電壓下工作。輸出通過(guò)兼容TTL /CMOS的邏輯輸入閾值獨(dú)立控制。穩(wěn)健可靠的電平轉(zhuǎn)換技術(shù)同時(shí)擁有高運(yùn)行速度和低功能耗特性，并且可提供從控制輸入邏輯到高側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器的干凈電平轉(zhuǎn)換。該器件在低側(cè)和高側(cè)電源軌上提供了欠壓鎖定功能。該器件采用耐熱增強(qiáng)型WSON（8 ）封裝。

特性

符合汽車(chē)類(lèi)應(yīng)用標(biāo)準(zhǔn)
具有符合AEC-Q100標(biāo)準(zhǔn)的下列結(jié)果
- 器件溫度1級(jí)
- 器件人體放電模型（HBM）靜電放電（ESD）分類(lèi)等級(jí)1C
- 器件組件充電模型（CDM）ESD分類(lèi)等級(jí)C4A
可驅(qū)動(dòng)高側(cè)和低側(cè)N溝道金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)應(yīng)晶體管（MOSFET）
1A峰值輸出電流（1.0A灌電流/1.0A拉電流）< /li>
獨(dú)立的晶體管 - 晶體管邏輯電路/互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體（TTL /CMOS）兼容輸入
自舉電源電壓高達(dá)108V（直流）
短暫傳播時(shí)間（典型值為30ns）
可以15ns的上升和下降時(shí)間驅(qū)動(dòng)1000pF負(fù)載
優(yōu)異的傳播延遲匹配（典型值為2ns）
<源>
耐熱增強(qiáng)型晶圓級(jí)小外形無(wú)引線（WSON）-8封裝

應(yīng)用

推挽轉(zhuǎn)換器
半橋和全橋電源轉(zhuǎn)換器
雙開(kāi)關(guān)正向電源轉(zhuǎn)換器

所有商標(biāo)均為其各自所有者的財(cái)產(chǎn)。

參數(shù) 與其它產(chǎn)品相比?半橋驅(qū)動(dòng)器

?
Number of Channels (#)
Power Switch
Bus Voltage (V)
Peak Output Current (A)
Input VCC (Min) (V)
Input VCC (Max) (V)
Rise Time (ns)
Fall Time (ns)
Prop Delay (ns)
Iq (uA)
Input Threshold
Channel Input Logic
Negative Voltage Handling at HS Pin (V)
Features
Rating
Operating Temperature Range (C)
Package Group
?

LM5109B-Q1	UCC27201A-Q1	UCC27211A-Q1
2 ? ?	2 ? ?	2 ? ?
MOSFET ? ?	MOSFET ? ?	MOSFET ? ?
90 ? ?	110 ? ?	110 ? ?
1 ? ?	3 ? ?	4 ? ?
8 ? ?	8 ? ?	8 ? ?
14 ? ?	17 ? ?	17 ? ?
15 ? ?	8 ? ?	8 ? ?
15 ? ?	7 ? ?	7 ? ?
30 ? ?	20 ? ?	20 ? ?
10 ? ?	1 ? ?	1 ? ?
TTL ? ?	CMOS ? ?	TTL ? ?
TTL ? ?	TTL ? ?	TTL ? ?
-1 ? ?	-15 ? ?	-12 ? ?
N/A ? ?	Negative Voltage Handling ? ?	Negative Voltage Handling ? ?
Automotive ? ?	Automotive ? ?	Automotive ? ?
-40 to 125 ? ?	-40 to 125 ? ?	-40 to 140 ? ?
WSON ? ?	SO PowerPAD VSON ? ?	SO PowerPAD ? ?