ADR434 超低噪聲、4.096V XFET?基準(zhǔn)電壓源，具有吸電流和源電流能力

優(yōu)勢(shì)和特點(diǎn)

• 低噪聲（0.1 Hz至10.0 Hz）： 3.5 μV p-p（2.5 V輸出）
• 無(wú)需外部電容
• 低溫度系數(shù)
  A級(jí)： 10 ppm/℃（最大值）
  B級(jí)： 3 ppm/℃（最大值）
• 負(fù)載調(diào)整率： 15 ppm/mA
• 線(xiàn)性調(diào)整率： 20 ppm/V
• 欲了解更多特性，請(qǐng)參考數(shù)據(jù)手冊(cè)

• 下載 ADR434-EP數(shù)據(jù)手冊(cè) (pdf)
• 軍用溫度范圍（?55 ℃至+125 ℃）
• 受控制造基線(xiàn)
• 唯一封裝/測(cè)試廠(chǎng)
• 唯一制造廠(chǎng)
• 增強(qiáng)型產(chǎn)品變更通知
• 認(rèn)證數(shù)據(jù)可應(yīng)要求提供

產(chǎn)品詳情

ADR430/ADR431/ADR433/ADR434/ADR435是XFET^?系列基準(zhǔn)電壓源，具有低噪聲、高精度和低溫度漂移性能。利用ADI公司的溫度漂移曲率校正技術(shù)和外加離子注入場(chǎng)效應(yīng)管(XFET)技術(shù)，可以使ADR430/ADR431/ADR433/ADR434/ADR435電壓隨溫度變化的非線(xiàn)性度降至最小。

與嵌入式齊納基準(zhǔn)電壓源相比，XFET基準(zhǔn)電壓源能以更低的電流(800 μA)和更小的電源電壓裕量(2 V)工作。嵌入式齊納基準(zhǔn)電壓源需要5 V以上的裕量才能工作。ADR430/ADR431/ADR433/ADR434/ADR435 XFET基準(zhǔn)電壓源是唯一適合5 V系統(tǒng)的低噪聲解決方案。

ADR430/ADR431/ADR433/ADR434/ADR435系列的源電流輸出最高達(dá)30 mA，最大吸電流能力為-20 mA。它還具有調(diào)整引腳，可以在±0.5%范圍內(nèi)調(diào)整輸出電壓，而性能則不受影響。

ADR430/ADR431/ADR433/ADR434/ADR435提供8引腳MSOP和8引腳窄體SOIC兩種封裝。所有型號(hào)產(chǎn)品的額定溫度范圍均為?40°C至+125°C擴(kuò)展工業(yè)溫度范圍。

應(yīng)用

• 精密數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)
• 高分辨率數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器
• 醫(yī)療儀器
• 工業(yè)過(guò)程控制系統(tǒng)
• 光學(xué)控制電路
• 精密儀器

方框圖