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      3天內不再提示

      FDV301N N溝道數(shù)字FET

      數(shù)據(jù)：

      產品信息

      此N溝道邏輯電平增強模式場效應晶體管采用了飛兆半導體專有的高單元密度、DMOS技術生產。 這種密度非常高的工藝是專為最大限度地降低導通阻抗而定制的。 該器件特別為低電壓應用設計，以替代數(shù)字晶體管。 由于不需要偏壓電阻，這一N溝道FET可取代數(shù)個具有不同偏壓電阻值的數(shù)字晶體管。
      • 25 V，0.22 A持續(xù)電流，0.5 A峰值電流。 RDS(ON) = 5 Ω @ VGS= 2.7 V，RDS(ON) = 4 Ω @ VGS= 4.5 V。
      • 柵極驅動電平要求極低，從而可在3V電路中直接運行。 VGS(th) < 1.5V。
      • 柵-源齊納二極管增強耐靜電放電(ESD)能力。 >6kV人體模型。
      • 使用一個DMOS FET代替多個NPN數(shù)字晶體管。

      技術文檔

      數(shù)據(jù)手冊（1） 相關資料（8）
      元器件購買 FDV301N 相關庫存