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東莞市中銘電子

始創(chuàng)于2006年，主力半導(dǎo)體芯片銷售、產(chǎn)品研 發(fā)、方案設(shè)計(jì)及互聯(lián)網(wǎng)支持等服務(wù)。

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新潔能場效應(yīng)管NCE65NF099F-MOS管TO-220F封裝

型號： NCE65NF099F

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 型號 NCE65NF099F

--- 產(chǎn)品詳情 ---

新潔能場效應(yīng)管NCE65NF099F

 

-MOS管TO-220F封裝

 

 

一、General Description

 

The series of devices use advanced trench gate superjunction technology and design to provide ultra-low RDS(ON)and low gate charge and With a rapid recovery bodydiode.This super junction MOSFET fits the industry’s AC-DCSMPS requirements for PFC, AC/DC power conversion,industrial power applications,Fast charger, new energyvehicle charging pile, on-board OBC etc.

 

二、Features

 

New technology for high voltage device

Ultra low on-resistance and ultra low conduction losses

Ultra Low Gate Charge cause lower driving requirements

Diode reverse recovery speed is super fast

High reliability

ROHS compliant

 

三、Application

 

Power factor correction（PFC）

 

Switched mode power supplies(SMPS)

 

Uninterruptible Power Supply（UPS）

 

On-board charger(OBC)’

 

 

四、Package Marking And Ordering Information

 

五、Schematic diagram

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