--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 型號 PN8200
--- 產(chǎn)品詳情 ---
用于大功率電源,X電容放電芯片--PN8200(可替代CAP200DG)
一 概述
PN8200是一款具有兩個(gè)端子的X電容放電用芯片,其待機(jī)損耗低同時(shí)能夠滿足電源系統(tǒng)的安規(guī)標(biāo)準(zhǔn)。PN8200內(nèi)置了兩個(gè)高壓VDMOS開關(guān),可有效的保護(hù)芯片避免雷擊或浪涌的應(yīng)力。芯片通過兩個(gè)放電電阻接入到開關(guān)電源的交流輸入端,當(dāng)AC電壓接入時(shí),會有較低的電流流進(jìn)芯片,芯片的待機(jī)損耗功率在5mW以內(nèi),當(dāng)AC電壓斷電后,可通過放電電阻對X電容放電。放電電阻和X電容可靈活選擇以優(yōu)化系統(tǒng)的EMI性能。(注:1.可替代進(jìn)口品牌PI,產(chǎn)品型號:CAP200DG,封裝:SOP,替換說明:兼容,不改PCB,不改外圍參數(shù),放電芯片,耐壓1000V; 2.可替代進(jìn)口品牌PI,產(chǎn)品型號:SC1143DG,封裝:SOP,替換說明:兼容,不改PCB,不改外圍參數(shù),放電芯片,0.1uF-6.8uF.)
二 特性
內(nèi)置1000V高雪崩能力的VDMOS
無外部GND引腳,抗干擾能力強(qiáng)
AC電壓接入后阻止X電容放電
AC電壓斷電后通過放電電阻對X電容放電
X電容容值靈活調(diào)節(jié),優(yōu)化EMI設(shè)計(jì)
芯片自偏置,無需外部偏置
兩端子結(jié)構(gòu),滿足安規(guī)標(biāo)準(zhǔn)
內(nèi)部限制放電電流
通過IEC 62386-I:2014認(rèn)證。
三 應(yīng)用
要求低空載損耗或低待機(jī)損耗的轉(zhuǎn)換器
要求滿足EuP Lot 6標(biāo)準(zhǔn)的電器
白色家電
四 封裝
五 應(yīng)用電路圖
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