范圍 (Tstg)：-65°C至+175°C· 焊接時（10s內(nèi)）的最高引線溫度 (TL)：+260°C· 引線表面處理：霧錫電鍍· 采用標準表面貼裝SMB 封裝應用· 電機控制 機器人、無人機
2020-04-09 09:37:27
）的SIPMOSFET采用了正方形單元；摩托羅拉公司（Motorola）的TMOS采用了矩形單元按“品”字形排列?！ ?.2.功率MOSFET的工作原理 截止：漏源極間加正電源，柵源極間電壓為零。P
2019-06-14 00:37:57
就是最大功率限制線，這條線的規(guī)則就是MOSFET功耗產(chǎn)生的溫升加上25C不能超過MOSFET的最大結(jié)溫，比如150C。MOSFET的散熱條件對這條限制線影響很大，因此與溫度相關(guān)的變量，比如熱阻，Tc
2018-07-12 11:34:11
的導通電阻，這個電阻是MOSFET在最高工作結(jié)溫的RDSON。數(shù)據(jù)表中功率MOSFET的RDSON標注有確定的測試條件，在不同的定義的條件下具有不同的值，測試的溫度為：TJ=25℃，RDSON具有正
2017-11-15 08:14:38
的參數(shù)，決定了MOSFET導通時的消耗功率。此參數(shù)一般會隨結(jié)溫度的上升而有所增大。故應以此參數(shù)在最高工作結(jié)溫條件下的值作為損耗及壓降計算。6、VGS(th)：開啟電壓（閥值電壓）。當外加柵極控制電壓VGS
2016-05-23 11:40:20
中的寄生源電感。因此，采用SMD封裝的MOSFET也能實現(xiàn)快速開關(guān)，同時降低開關(guān)損耗。適用于4引腳器件的SMD封裝名為“ThinkPAK 8X8”。 III.分析升壓轉(zhuǎn)換器中采用最新推出的TO247
2018-10-08 15:19:33
飛兆半導體公司 (Fairchild Semiconductor) 推出專為緊湊型熒光燈 (CFL) 設(shè)計而開發(fā)、市面上集成度最高的鎮(zhèn)流器IC產(chǎn)品FAN7710。采用“系統(tǒng)級封裝”方案
2018-08-28 15:28:41
,RB521CM-30,RB530CM-30,RB531CM-30產(chǎn)品實物圖RB520CM-30,RB521CM-30的存儲溫度范圍Tstg均為-40~+150℃，結(jié)溫Tj最高達到150
2019-04-18 00:16:53
%。這非常有望進一步實現(xiàn)應用的高效化和小型化。全SiC功率模塊的產(chǎn)品陣容擴充下表為全SiC功率模塊的產(chǎn)品陣容現(xiàn)狀。除BSM180D12P3C007外，采用第2代SiC-MOSFET的產(chǎn)品陣容中也增添了
2018-12-04 10:11:50
我使用AD5060 dac 芯片。采用1v參考電壓，AD5060可以正常輸出。采用0.5v參考電壓，AD5060輸出不正常，基本輸出一個很小的電壓。
2018-09-13 10:48:22
隔離方法中，它具有最低的熱阻（PN結(jié)到散熱片）在高電流和高功率下更低的工作結(jié)溫R th(j-mb) 比競爭對手的內(nèi)絕緣 TO220 產(chǎn)品低 10% 快恢復二極管型號大全之TO220和TO-3P封裝主要
2021-07-24 13:51:33
CMD175P4是GaAs MMIC 5位移相器，采用無鉛4x4 mm塑料表面安裝（SMT）封裝。 CMD175P4在2至4 GHz的頻率范圍內(nèi)工作，并提供0至360度的單調(diào)相位覆蓋，其LSB為
2020-02-20 16:24:53
DC1863A，演示板采用LTC3621,17V，1A單片同步降壓型穩(wěn)壓器，能夠在2.7V的最小輸入電壓下提供高達1A的輸出電流。 DC1863A采用小型8引腳MS8封裝，采用節(jié)能型LTC3621
2019-09-05 08:44:03
的組件。LGA 封裝的低熱阻和高工作效率允許在無氣流的 70oC 環(huán)境或具 200LFM(每分鐘直線英尺) 氣流的 86oC 環(huán)境中實現(xiàn)從 12VIN 到 1VOUT的滿輸出功率 DC/DC 轉(zhuǎn)換。 專為
2021-04-14 07:09:25
（shortcircuitprotection）以及線損補償?shù)龋趶碗s的應用條件下，保證電源的穩(wěn)定性和可靠性。C8118A采用ESOP-8L無鉛封裝，外圍電路簡單，節(jié)約PCB空間。產(chǎn)品特性：??1、輸入電壓：10V-42V??2、持續(xù)
2021-10-27 10:29:36
阻尼損耗業(yè)界小。6. 效率為0．6Q，也比較小，比一般產(chǎn)品高。7. 內(nèi)部含有過溫保護功能，外部可以設(shè)計過溫保護，對LED有雙重保護8.采用SOT89 -5封裝，熱阻僅為45 ℃/w，散熱特性很好
2020-10-27 16:14:28
區(qū)產(chǎn)生溫升。在室溫附近，溫度每升高1℃，LED的發(fā)光強度會相應地減少1%左右，封裝散熱時保持色純度與發(fā)光強度非常重要。以往采用減少其驅(qū)動電流的辦法，降低結(jié)溫，多數(shù)LED的驅(qū)動電流限制在20mA左右。但是
2016-11-02 15:26:09
，θJA為LM2937結(jié)-殼間熱阻θJC為3°C/W和散熱器外殼-環(huán)境熱阻之和。如果使用DDPAK/TO-263或SOT-223封裝，可通過增加P.C.板銅面積來降低熱阻熱連接到封裝（有關(guān)散熱的更多信息
2020-10-09 16:09:59
、三組具備有自舉二極管的N通道半橋柵極驅(qū)動器。MCU最高工作頻率可達96MHz，并內(nèi)置SRAM高速存儲器，.
2021-09-01 07:09:17
降壓、恒流驅(qū)動功能，并可以通過 DIM 引腳實現(xiàn) PWM 調(diào)光或線性調(diào)光。系統(tǒng)采用電感電流滯環(huán)控制方式，對負載瞬變具有非?？斓捻憫瑢斎腚妷壕哂懈叩囊种票?；其電感電流紋波為 20%，且最高工作頻率
2022-01-14 15:26:31
、恒流驅(qū)動功能，并可以通過 DIM 引腳實現(xiàn)PWM 調(diào)光或線性調(diào)光。系統(tǒng)采用電感電流滯環(huán)控制方式，對負載瞬變具有非?？斓捻憫?，對輸入電壓具有高的抑制比；其電感電流紋波為 20%，且最高工作頻率可達
2022-01-14 14:39:41
以及過溫保護電路，減少外圍元件并提高系統(tǒng)可靠性。OC6700B采用ESOP8封裝。散熱片內(nèi)置接SW腳。特點? 寬輸入電壓范圍：2.6V~60V? 內(nèi)置60V功率MOS? 高效率：可高達95%? 大工作
2020-05-27 10:58:52
開關(guān)損耗，改善系統(tǒng)的整體能效。因此，采用SuperSO8封裝的器件，是直流/直流轉(zhuǎn)換器或D類放大器等產(chǎn)品的理想之選。此外，極低的導通電阻（RDS(on)）常常允許減小封裝的尺寸。TO-247封裝替換
2018-12-07 10:21:41
P5020 絕對最高工作溫度
2023-04-20 06:46:16
SuperSO-8等名稱銷售PQFN器件?！ QFN封裝在底側(cè)有一個或以上的裸熱焊盤，如圖1所示。裸焊盤有助于降低裸片到PCB的熱阻。標準SO-8封裝的結(jié)到引線熱阻通常為20°C/W，而采用IR的PQFN 5×6
2018-09-12 15:14:20
PY32F030單片機 TSSOP24封裝是采用高性能的32位ARM Cortex-M0+內(nèi)核，寬電壓工作范圍的MCU。嵌入最高能達到64Kbytes flash和8Kbytes SRAM存儲器
2023-05-25 16:03:03
和SOT23-5封裝。二、特點最大輸出電流：1.2A寬輸入電壓范圍：8V~30v高電流精度：±3％高效率：97％負載開路和短路保護PWM和線性調(diào)光滯環(huán)控制：無需補償最高工作頻率：1MHz內(nèi)置過溫電流補償控制DIM
2020-07-29 09:29:12
。另外，當DIM腳接NTC電阻到地可實現(xiàn)輸出LED過溫電流補償功能。由于采用滯環(huán)控制方式，QX4115 對負載瞬變具有非?？斓捻憫俣?，最高工作頻率可達1MHz。QX4115內(nèi)置負載開路和負載短路保護
2020-04-21 15:36:35
，使LED燈亮度達到預期恒定亮度。在EN端加PWM信號，還可以進行LED燈調(diào)光。QX5305A采用ESOP8封裝。二、產(chǎn)品特點?寬輸入電壓范圍：3.6V~60V?高效率：可高達95%?最高工作頻率
2020-03-05 11:15:54
制作電源原型和生產(chǎn)”中SOIC-8封裝焊接演示。此外，LMR236xx產(chǎn)品系列上的SOIC-8底部有一個芯片貼裝引腳（DAP）幫助提取熱量。這樣可以獲得更低的結(jié)點至環(huán)境熱阻（THETA J/A），比許多
2019-07-18 04:45:01
我做的是一個20W的反激電源。片子的供電電壓16V，PWM輸出頻率150KHz。烤機后發(fā)現(xiàn)片子溫升有55度。后來把MOS管去掉，PWM腳接個10k的電阻，溫升也有40度，測得工作電流20mA。不知道是我的電路參數(shù)有問題，還是SOIC-8封裝的UC2845本身就有這么大的功耗？
2019-07-05 14:15:28
STTH8R06/FFP08H60S快恢復二極管，電流8A，電壓600V，TO-220封裝。快速開關(guān)，低反向恢復電流，低熱阻，低開關(guān)損耗。適用于開關(guān)電源及功率因數(shù)校正裝置等應用?！ 】旎謴投O管
2020-09-24 16:03:22
操作。這有助于幫助OA設(shè)備和家用電器降低能耗，以及延長電池供電設(shè)備的電池使用壽命。 該IC采用小型表面貼裝式HSOP8封裝，通過封裝散熱焊盤設(shè)計，既能節(jié)省空間，又能實現(xiàn)良好的散熱性能。主要特性寬工作電壓
2022-11-03 14:30:02
。 04 結(jié) 論 引入了輔助源極管腳成為TO-247-4封裝的碳化硅MOSFET，避免了驅(qū)動回路和功率回路共用源極線路，實現(xiàn)了這兩個回路的解耦。同時，TO-247-4封裝的開關(guān)器件由于沒有來自功率源極造成
2023-02-27 16:14:19
ad8346汽車級最高工作環(huán)境溫度是125度，最高結(jié)溫是多少攝氏度？
2023-12-05 07:44:20
環(huán)境溫度是65℃，那么MOSFET的結(jié)溫是多就可以計算出來了，Tj=Ta+P×Rja=65℃+1.2×62℃/W=139.4℃反過來結(jié)溫是不能超150℃，如果最大環(huán)境溫度是65℃，沒有加散熱器的情況，Rja
2021-09-08 08:42:59
某種 PWB 結(jié)構(gòu)下結(jié)點至周圍環(huán)境的熱阻。這就是說，設(shè)計人員只需將這種熱阻乘以功耗，便可計算出溫升情況。但是，如果設(shè)計并沒有具體的結(jié)構(gòu)，或者如果需要進一步降低熱阻，那么就會出現(xiàn)許多問題。圖 2 所示為
2017-05-18 16:56:10
和真實情況。建議采用針對最壞情況的計算結(jié)果，因為這個結(jié)果提供更大的安全余量，能確保系統(tǒng)不會失效。在MOSFET的資料表上還有一些需要注意的測量數(shù)據(jù)；比如封裝器件的半導體結(jié)與環(huán)境之間的熱阻，以及最大的結(jié)
2019-09-04 07:00:00
整體熱阻的計算方法，和計算兩個以上并聯(lián)電阻的等效電阻一樣。 我們可以從MOSFET的ΘJA規(guī)格開始。對于單一管芯、8引腳封裝的MOSFET來講，ΘJA通常接近于62°C/W。其他類型的封裝，有些帶有
2023-03-16 15:03:17
TO-252封裝特點：1.貼片設(shè)計 (占用空間小，節(jié)約插件成本，提升生產(chǎn)效率)2.更高的可靠性 (全銅框架結(jié)構(gòu)，導電性和導熱性更好)3.更低的熱阻 (銅面/焊盤更大，散熱更快)4.產(chǎn)品種類多樣化
2021-12-29 14:49:43
二極管有最高工作頻率，但數(shù)據(jù)手冊上為什么都不給出最高工作頻率呢？請問從哪可以間接看出來嗎。
2019-04-25 11:17:13
與管殼到環(huán)境的熱阻Rth(c-a)之間的重要關(guān)系。得到Rth(c-a)后，可以根據(jù)功耗計算出溫度增量ΔTc。隨后，再由圖8中相應的轉(zhuǎn)換因子就能計算出結(jié)溫。假設(shè)在TO247封裝中，給定的功耗為PD = 50
2018-12-05 09:45:16
MOSFET相比，SiC MOSFET的功率轉(zhuǎn)換效率可提升高達5%采用準諧振方式，可實現(xiàn)更低EMI通過減少元器件數(shù)量，可實現(xiàn)顯著的小型化和更高可靠性可確保長期穩(wěn)定供應，很適合工業(yè)設(shè)備應用產(chǎn)品陣容新增4款保護功能
2022-07-27 11:00:52
溫度是汽車發(fā)光二極管(LED)前照燈和尾燈應用中的一大問題。LED可承受高環(huán)境溫度，同時在大電流下驅(qū)動以產(chǎn)生必要的亮度。這些高環(huán)境溫度與大工作電流相結(jié)合，會使LED的結(jié)溫升高，通常僅額定溫度就高達
2019-03-01 09:52:39
光電耦合器都是采用DIP-8封裝嗎？業(yè)界經(jīng)常提到DIP-8封裝，請問這種封裝方式有何優(yōu)點？(潮光光耦網(wǎng)整理編輯)2012-07-10 潮光光耦網(wǎng)解答：各個品牌的光耦合器有許多不同類型的封裝，它們包括
2012-07-11 11:36:49
％·關(guān)斷電路電流典型值：0μA·工作結(jié)溫范圍：-40°C至+ 150°C·納米脈沖控制可在2.1MHz頻率下實現(xiàn)60V至3.3V的直接轉(zhuǎn)換·工業(yè)應用的長期支持產(chǎn)品·SW最小開啟時間20ns（最大值）·同步
2019-04-01 06:20:06
實現(xiàn)小外形尺寸的設(shè)計。采用6.0mm x 3.7mm外形尺寸的雙芯片不對稱功率封裝是MOSFET封裝技術(shù)上的重大進步。這種封裝使工程師能夠改善電源的性能，縮小體積，以及簡化設(shè)計，同時實現(xiàn)現(xiàn)在的消費電子產(chǎn)品所要求的高效率或性能。本新聞來自大聯(lián)大云端`
2013-12-23 11:55:35
MOSFET是否安全工作，這種方法并不正確，特別是在TC=25℃的SOA曲線中進行這樣的校核完全沒有意義。當功率MOSFET工作在高頻的開關(guān)狀態(tài)時，計算功率MOSFET的總體損耗，由熱阻來校核結(jié)溫，更有意義
2016-10-31 13:39:12
給定應用的第二步。例如，電子元件在汽車應用中比在計算機應用中經(jīng)受更寬的溫度范圍。因此，汽車應用要求的標準的最高工作溫度是175 °C。本頁所示的功率MOSFET示例不會選用于汽車應用。所有
2018-10-18 09:13:03
有些功率MOSFET的數(shù)據(jù)表中列出了重復雪崩電流IAR和重復雪崩能量EAR，同時標注了測量條件，通常有起始溫度25C，最高結(jié)溫150C或者175C，以及電感值、脈沖寬度和脈沖頻率，這些測量的條件
2017-09-22 11:44:39
阻，這個電阻是MOSFET在最高工作結(jié)溫的RDSON。數(shù)據(jù)表中功率MOSFET的RDSON標注有確定的測試條件，在不同的定義的條件下具有不同的值，測試的溫度為：TJ=25℃，RDSON具有正溫度系數(shù)
2019-04-04 06:30:00
！ 0603側(cè)發(fā)光藍光貼片LED燈珠產(chǎn)品參數(shù)： 型號 ：0603側(cè)發(fā)光藍光熱阻： ≤5（°/W） 功率 ：0.06（W）最大允許結(jié)溫： 260（°） 顯色指數(shù) ：70-80封裝形式 ：貼片型
2019-04-26 16:22:16
請問一下，在使用中，如果環(huán)境溫度超過了電路中壓敏電阻的最高工作溫度，會有什么影響呢？
2013-09-23 13:27:38
BD90541MUV-C的工作溫度范圍是-40°C-+125°C，存儲溫度范圍是-55°C-+150°C，最高結(jié)溫為150℃。其采用了VQFN20SV4040封裝，尺寸大小為4.00mm x 4.00mm x
2019-04-19 06:21:33
請問怎么確定可控硅的結(jié)溫？？？超過結(jié)溫時會有哪些危害？
2014-05-24 11:35:10
LTC4449采用2×3mmDFN-8 封裝，在 -40℃至 125℃的工作結(jié)溫范圍內(nèi)工作。
2021-04-15 07:50:39
的trr/VF 比和恢復軟度?！ ?.2. 超結(jié)MOSFET: SLLIMM-nano系列產(chǎn)品所用的N溝道600 V超結(jié)MOSFET采用最新的MDMesh DM2快速二極管技術(shù)。改進的壽命控制技術(shù)使
2018-11-20 10:52:44
測量和校核開關(guān)電源、電機驅(qū)動以及一些電力電子變換器的功率器件結(jié)溫，如 MOSFET 或 IGBT 的結(jié)溫，是一個不可或缺的過程，功率器件的結(jié)溫與其安全性、可靠性直接相關(guān)。測量功率器件的結(jié)溫常用二種方法：
2021-03-11 07:53:26
MOSFET被并聯(lián)使用，其整體熱阻的計算方法，和計算兩個以上并聯(lián)電阻的等效電阻一樣?！ ∥覀兛梢詮?b class="flag-6" style="color: red">MOSFET的ΘJA規(guī)格開始。對于單一管芯、8引腳封裝的MOSFET來講，ΘJA通常接近于62°C/W。其他類型
2021-01-11 16:14:25
我如何計算VIPER37HD / LD的結(jié)溫 以及頻率（60k，115k hz）如何影響結(jié)溫？
2019-08-05 10:50:11
大家好， 我對M95256-WMN3TP /ABE2PROM的最高結(jié)溫感興趣。 3級器件的最高環(huán)境工作溫度為125°C，因此結(jié)溫必須更高。數(shù)據(jù)手冊中沒有提到最大結(jié)溫。 我還在尋找SO-8封裝中M95256-W的結(jié)至環(huán)境熱阻。 最好的祝福， 托馬斯
2019-08-13 11:08:08
用的電路板可以更加小型化，而且線路安裝設(shè)計也有了更大的靈活性。另外，由于采用了新開發(fā)的低導通電阻芯片，在使封裝小型化的同時實現(xiàn)了與現(xiàn)有SOP8 Dual產(chǎn)品同樣低的導通電阻。ROHM將要逐步大量生產(chǎn)封裝
2018-08-24 16:56:26
，工作結(jié)溫可達175℃，與傳統(tǒng)硅基模塊具有相同的封裝尺寸，可在一定程度上替代相同封裝的IGBT模塊，從而幫助客戶有效縮短產(chǎn)品開發(fā)周期，提高工作效率?！ ?b class="flag-6" style="color: red">產(chǎn)品特點 溝槽型、低RDS（on） 碳化硅
2023-02-27 11:55:35
NTMFS5C430NLT1G是一款 單 N溝道 功率 MOSFET，40V，1.4 mΩ，200A。特性：?低RDS（開啟）?將傳導損耗降至最低?低輸入電容?最大限度地減少開關(guān)損耗?最高結(jié)溫為
2021-12-29 13:44:23
引言 無引線導線封裝（LLP）是一種基于導線架的晶片級封裝（CSP），它可以提高芯片的速度、降低熱阻并減小貼裝芯片所需要的PCB面積。由于這種封裝的尺寸小、高度很低，所以此封裝是高密度PCB
2018-09-10 16:37:26
測量功率器件的結(jié)溫常用二種方法
2021-03-17 07:00:20
MOSFET通過降低開關(guān)損耗和具有頂部散熱能力的DaulCool功率封裝技術(shù)可以實現(xiàn)更高的工作頻率,從而能夠獲得更高的功率密度?！ ±硐腴_關(guān) 在典型的同步降壓開關(guān)電源轉(zhuǎn)換器中,MOSFET作為開關(guān)使用時
2012-12-06 14:32:55
最大的連續(xù)漏極電流ID的計算公式： 其中，RDS(ON)_TJ(max)為在最大工作結(jié)溫TJ下，功率MOSFET的導通電阻；通常，硅片允許的最大工作結(jié)溫為150℃。熱阻RqJC的測量可以參見文章：功率
2016-08-15 14:31:59
的最高工作頻率。這些器件是R8C/Tiny系列中采用一個D/A轉(zhuǎn)換器的第一個32引腳產(chǎn)品，有助于實現(xiàn)細粒度模擬信號輸出。其模擬輸出比PWM輸出更加平滑，這將有助于產(chǎn)生悅耳的音調(diào)和更好的音質(zhì)警報聲。除了
2018-08-24 16:56:35
` CSD17312Q5NexFET?功率MOSFET的設(shè)計，以盡量減少電源轉(zhuǎn)換應用中的損失和5V柵極驅(qū)動應用進行了優(yōu)化。特性5V柵極驅(qū)動優(yōu)化超低的Qg和Qgd低熱阻雪崩額定無鉛端子電鍍符合RoHS
2013-09-12 15:51:10
和尺寸。圖3顯示，TrenchFET IV產(chǎn)品的封裝比TrenchFET III小66%，仍可以實現(xiàn)更高的效率。SiSA04DN是采用PowerPAK? 1212-8封裝的TrenchFET IV器件
2013-12-31 11:45:20
積小，爬電距離寬：漏極和源極之間的距離為7mm。通過采用新的表面貼裝封裝，設(shè)計工程師可以實現(xiàn)經(jīng)濟的散熱設(shè)計，而無需MOSFET上的散熱片。演示板不是專為產(chǎn)品設(shè)計的，僅用作評估Cree開關(guān)設(shè)備性能的工具
2019-04-29 09:25:59
表面積，那么SOT-223和WSON將是不錯的選擇。 封裝選擇中另一個關(guān)鍵的考慮因素是熱阻。在產(chǎn)品說明書里常常可以看到兩種技術(shù)規(guī)格 —— θJc被指定為封裝表面溫度與結(jié)（或集成電路裸片的背面）溫之間的溫差
2018-09-05 15:37:21
作為開關(guān)模式電源的核心器件，MOSFET在對電源的優(yōu)化中承擔著十分重要的角色。采用最先進的半導體技術(shù)對提高工作效率固然必不可少，但封裝技術(shù)本身對提高效率也具有驚人的效果。效率和功率密度是現(xiàn)代功率轉(zhuǎn)換
2018-12-07 10:23:12
SMA產(chǎn)品使用：電流容量大，GPP玻璃鈍化涵蓋1A-2A,Schottky肖特基涵蓋1-5A 4：采用框架焊接式工藝 提供了高可靠性和電流容量大等特性，5：低熱阻低結(jié)溫高抗浪涌設(shè)計，引線平貼器件底部
2015-11-14 11:11:26
200V以下，但現(xiàn)在最新技術(shù)可以做到高達1000V的產(chǎn)品，市場應用前景十分廣闊。5.目前市場上常見的肖特基管最高結(jié)溫分100℃、125℃、150%、175℃幾種（結(jié)溫越高表示產(chǎn)品抗高溫特性越好。即工作在此溫度以下不會引起失效）。
2020-11-16 10:49:06
(c-a)后，可以根據(jù)功耗計算出溫度增量ΔTc。隨后，再由圖8中相應的轉(zhuǎn)換因子就能計算出結(jié)溫。 圖8 TO220、TO220Fullpack和TO247封裝的轉(zhuǎn)換因子與絕緣層熱阻之間關(guān)系3.3計算舉例
2018-12-03 13:46:13
溫度（Ｔｃ 2）之間的熱阻θｃａ封裝外殼溫度（Ｔｃ）和周圍溫度（Ｔａ）之間的熱阻Ｔｊ結(jié)溫Ｔａ周圍溫度Ｔｃ 1封裝外殼表面（型號面）溫度Ｔｃ 2封裝外殼背面溫度Ｐd最大容許功率結(jié)溫(Tj)的驗證方法
2019-09-20 09:05:08
上一個輸錯了型號，AD8436BRQZ 的datasheet里沒有最大結(jié)溫
2023-12-05 06:37:12
如題，本人在學習華成英老師的模電時候，看到ppt上的一句話不太理解，為什么點接觸型PN結(jié)可以從結(jié)電容小，允許的電流小，就會導致最高工作頻率高？ 電容電流跟最高工作頻率有什么關(guān)系呢？請各位同行和前輩們指點一下唄。
2020-04-12 17:33:56
大家好，請問有沒有最高工作溫度為125攝氏度的濾波芯片？帶通濾波（中心頻率為4.7KHz）；低通濾波（通頻帶10HZ）。
如果自己搭建有源濾波器，通頻帶隨溫度變化劇烈嗎？工作溫度從常溫到125攝氏度。
2023-11-27 07:57:46
大家好，請問有沒有最高工作溫度為125攝氏度的濾波芯片？帶通濾波（中心頻率為4.7KHz）；低通濾波（通頻帶10HZ）。如果自己搭建有源濾波器，通頻帶隨溫度變化劇烈嗎？工作溫度從常溫到125攝氏度。
2018-11-09 09:35:47
性和低噪聲特征，超級結(jié)MOSFET有一些變化。從下篇開始，將介紹每種變化的特征。關(guān)鍵要點:?Si-MOSFET的產(chǎn)品定位是“以低～中功率高速工作”。?超級結(jié)結(jié)構(gòu)可保持耐壓的同時，降低導通電阻RDS
2018-11-28 14:28:53
等級，同時，在器件導通時，形成一個高摻雜N+區(qū)，作為功率MOSFET導通時的電流通路，也就是將反向阻斷電壓與導通電阻功能分開，分別設(shè)計在不同的區(qū)域，就可以實現(xiàn)上述的要求。基于超結(jié)
2018-10-17 16:43:26
，LED 結(jié)溫升高也會造成光輸出下降、顏色發(fā)生變化和/或預期壽命顯著縮短。本文介紹了如何計算結(jié)溫，并說明熱阻的重要性。 文中探討了較低熱阻 LED 封裝替代方法，如芯片級和板載 (COB) 設(shè)計，并介紹
2017-04-10 14:03:41
計算延時線的最高工作頻率
摘要：延遲線在應用中要求一個（納秒），或者增量時間更正為系統(tǒng)正常工作所需的幾納秒信號延遲。 This application note
2009-10-23 18:30:42
3160 三腳架最高工作高度 通常三腳
2009-12-23 13:36:331100 Diodes發(fā)布采用其微型PowerDI5表面貼裝封裝的產(chǎn)品
Diodes公司推出首款采用其微型PowerDI5表面貼裝封裝的雙極型晶體三極管產(chǎn)品。新產(chǎn)品采用Diodes的第五
2010-03-25 11:32:02681 Diodes發(fā)布采用微型PowerDI5表面貼裝封裝的產(chǎn)品
Diodes公司推出首款采用其微型PowerDI5表面貼裝封裝的雙極型晶體三極管產(chǎn)品。新產(chǎn)品采用Diodes的第五代
2010-03-25 12:07:251032 電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供ADI(ADI)AD5060相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊，更有AD5060的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料，AD5060真值表，AD5060管腳等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2019-04-18 19:32:09
TOLL（Transistor Outline Leadless）封裝的MOSFET，由于其封裝形式具有小體積、低封裝電阻、低寄生電感、低熱阻等特點，已經(jīng)在電動自行車、電動摩托車、鋰電保護、通信電源等終端客戶得到廣泛使用。
2023-05-13 17:38:521982 
通過AEC-Q101認證且可承受的接面溫度高達175°C，強茂P溝道MOSFET是汽車設(shè)計工程師理想的選擇，可實現(xiàn)簡化電路而又不犧牲性能。提供DFN3333-8L、DFN5060-8L、DFN5060B-8L和TO-252AA多種封裝。
2023-07-20 15:57:45527 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《AN1165-LFPAK56/PowerDI5060兼容封裝.pdf》資料免費下載
2023-07-24 15:19:47
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