企業(yè)也一頭扎入了第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)當(dāng)中。 ? 就在第三代半導(dǎo)體在商用化之路上高歌凱進(jìn)的時(shí)候，第四代半導(dǎo)體材料也取得了不少進(jìn)步。不久前，在與2021第十六屆“中國(guó)芯”集成電路產(chǎn)業(yè)促進(jìn)大會(huì)同期舉辦的“寬禁帶半導(dǎo)體助力碳中和發(fā)展峰會(huì)”上，
2021-12-27 09:01:00
4168 3月15日，在深圳福田會(huì)展中心的論壇上，中國(guó)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新聯(lián)盟秘書(shū)長(zhǎng)趙靜分享2022年全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展趨勢(shì)和中國(guó)第三代半導(dǎo)體的最新市場(chǎng)規(guī)模和應(yīng)用進(jìn)展。
2023-03-17 08:33:275138 
5月10日消息 南韓近期啟動(dòng)「X-band GaN國(guó)家計(jì)劃」沖刺第三代半導(dǎo)體，三星積極參與。由于市場(chǎng)高度看好第三代半導(dǎo)體發(fā)展，臺(tái)積電、世界等臺(tái)廠均已卡位，三星加入南韓官方計(jì)劃沖刺第三代半導(dǎo)體布局
2021-05-10 16:00:572569 小也屬于正?，F(xiàn)象，特別是碳化硅市場(chǎng)，目前還處于發(fā)展初期。 ? 圖：泰科天潤(rùn)半導(dǎo)體科技（北京）有限公司董事長(zhǎng)總經(jīng)理陳彤 ? 對(duì)于目前第三代半導(dǎo)體產(chǎn)量偏低，其實(shí)是有原因的。在不久前的“中國(guó)芯”-寬禁帶半導(dǎo)體助力碳中和發(fā)
2022-01-06 10:14:163678 發(fā)展趨勢(shì)和中國(guó)第三代半導(dǎo)體的最新市場(chǎng)規(guī)模和應(yīng)用進(jìn)展。 ? 2022 年全球半導(dǎo)體亮點(diǎn)：新能源汽車和光伏儲(chǔ)能帶動(dòng)功率半導(dǎo)體增長(zhǎng)
2023-03-17 00:17:002946 
確立，產(chǎn)業(yè)步入快速成長(zhǎng)期。而國(guó)內(nèi)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)經(jīng)過(guò)前期產(chǎn)能部署和產(chǎn)線建設(shè)，國(guó)產(chǎn)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)品相繼開(kāi)發(fā)成功并通過(guò)驗(yàn)證，技術(shù)穩(wěn)步提升，產(chǎn)能不斷釋放，國(guó)產(chǎn)碳化硅(SiC）器件及模塊開(kāi)始“上機(jī)”，生態(tài)體系逐漸完善，自主可控能力
2023-05-30 09:40:59568 
化合物半導(dǎo)體在通訊射頻領(lǐng)域主要用于功率放大器、射頻開(kāi)關(guān)、濾波器等器件中。砷化鎵（GaAs）、氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）半導(dǎo)體分別作為第二代和第三代半導(dǎo)體的代表，相比第一代半導(dǎo)體高頻性能、高溫性能優(yōu)異很多，制造成本更為高昂，可謂是半導(dǎo)體中的新貴。
2019-09-11 11:51:19
據(jù)業(yè)內(nèi)權(quán)威人士透露，我國(guó)計(jì)劃把大力支持發(fā)展第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，寫(xiě)入“十四五”規(guī)劃，計(jì)劃在2021-2025年期間，在教育、科研、開(kāi)發(fā)、融資、應(yīng)用等等各個(gè)方面，大力支持發(fā)展第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，...
2021-07-27 07:58:41
近年來(lái)，全球半導(dǎo)體功率器件的制造環(huán)節(jié)以較快速度向我國(guó)轉(zhuǎn)移。目前,我國(guó)已經(jīng)成為全球最重要的半導(dǎo)體功率器件封測(cè)基地。如IDM類（吉林華微電子、華潤(rùn)微電子、杭州士蘭微電子、比亞迪股份、株洲中車時(shí)代半導(dǎo)體
2021-07-12 07:49:57
器件產(chǎn)業(yè)鏈重點(diǎn)公司及產(chǎn)品進(jìn)展：歐美出于對(duì)我國(guó)技術(shù)發(fā)展速度的擔(dān)憂及遏制我國(guó)新材料技術(shù)的發(fā)展想法，在第三代半導(dǎo)體材料方面，對(duì)我國(guó)進(jìn)行幾乎全面技術(shù)封鎖和材料封鎖。在此情況下，我國(guó)科研機(jī)構(gòu)和企業(yè)單位立足自主
2019-04-13 22:28:48
、InP化合物半導(dǎo)體材料之后的第三代半導(dǎo)體材料?！ ≡诠怆娮?、高溫大功率器件和高頻微波器件應(yīng)用方面有著廣闊的前景。SiC功率器件在C波段以上受頻率的限制，也使其使用受到一定的限制;GaN功率管因其
2017-06-16 10:37:22
出來(lái)之后，材料質(zhì)量逐步完善，器件性能和可靠性也在逐步改善。到目前為止，碳化硅的二極管以其優(yōu)異的性能和使用過(guò)程中展現(xiàn)的可靠性，已經(jīng)廣泛應(yīng)用在很多場(chǎng)合。氮化鎵GaN和碳化硅同屬于第三代半導(dǎo)體材料。為了區(qū)別于
2017-05-15 17:09:48
３Ｇ定義 ３Ｇ是英文３rd Generation的縮寫(xiě)，至第三代移動(dòng)通信技術(shù)。相對(duì)于第一代模擬制式手機(jī)（１Ｇ）和第二代GSM、TDMA等數(shù)字手機(jī)（２Ｇ）來(lái)說(shuō)，第三代手機(jī)是指將無(wú)線通信與國(guó)際互聯(lián)網(wǎng)等
2019-07-01 07:19:52
的速率 提高是有限的。為此，許多效率更高的調(diào)制方案紛紛出臺(tái)，例如在TDMA/136+中，多時(shí)隙操作和新的調(diào)制方案8PSK（基于30kHz的載波帶寬）的結(jié) 合將使數(shù)據(jù)率提高大約4倍。第三代無(wú)線通信
2009-11-13 21:32:08
。 顧名思義，陣列式紅外攝像機(jī)是采用多芯片排列發(fā)光設(shè)計(jì)原理實(shí)現(xiàn)夜間監(jiān)控。而陣列紅外攝像機(jī)的光源，通過(guò)將幾十個(gè)高效率和高功率的晶元通過(guò)高科技封裝在一個(gè)平面上，其實(shí)發(fā)熱量與功耗大家可想而知。其實(shí)，第三代陣列
2011-02-19 09:35:33
的5-10倍，5年內(nèi)光衰小于等10%。在產(chǎn)品使用壽命上，IR-III紅外攝像機(jī)有明顯的優(yōu)勢(shì)，是普通紅外攝像機(jī)無(wú)法比擬的。產(chǎn)品功耗低：帕特羅（PATRO）第三代紅外攝像機(jī)最高功率不超過(guò)15W，激光紅外的最高功率
2011-02-19 09:38:46
``<p>凌度dt298第三代聯(lián)網(wǎng)記錄儀搭載騰訊車聯(lián)，采用的是最新無(wú)限技術(shù)，無(wú)限流量隨便使用。擁有強(qiáng)大的互聯(lián)網(wǎng)功能，全程語(yǔ)音幫車主解決很多行車問(wèn)題。行車
2019-01-08 15:44:58
德國(guó)德累斯頓、美國(guó)奧斯汀和紐約州（建設(shè)中）等多座工廠，員工總數(shù)約18000人。在中國(guó)，GF于2017年在成都建立12英寸晶圓制造基地，成為全球首條22納米FD-SOI先進(jìn)工藝12英寸晶圓代工生產(chǎn)線
2018-09-05 14:38:53
寬禁帶半導(dǎo)體材料氮化鎵（GaN）以其良好的物理化學(xué)和電學(xué)性能成為繼第一代元素半導(dǎo)體硅（Si）和第二代化合物半導(dǎo)體砷化鎵（GaAs）、磷化鎵（GaP）、磷化銦（InP）等之后迅速發(fā)展起來(lái)的第三代半導(dǎo)體
2019-06-25 07:41:00
LED:節(jié)能環(huán)保的第三代照明技術(shù)1、半導(dǎo)體照明 LED：變革照明的第三代革命1.1LED 代替白熾燈—任重而道遠(yuǎn)自 20 世紀(jì) 60 年代世界第一個(gè)半導(dǎo)體發(fā)光二極管誕生以來(lái)，LED 照明因具 有
2011-09-28 00:12:44
`第一代沒(méi)有留下痕跡。第二代之前在論壇展示過(guò)：https://bbs.elecfans.com/jishu_282495_1_1.html現(xiàn)在第三代誕生：`
2013-08-10 15:35:19
smt生產(chǎn)線介紹 SMT生產(chǎn)線，表面組裝技術(shù)（SurfaceMountTechnology簡(jiǎn)稱SMT）是由混合集成電路技術(shù)發(fā)展而來(lái)的新一代電子裝聯(lián)技術(shù)，以采用元器件表面貼裝技術(shù)和回流焊接技術(shù)為特點(diǎn)
2021-07-23 08:54:42
什么是第三代移動(dòng)通信答復(fù)：第三代移動(dòng)通信系統(tǒng)IMT2000，是國(guó)際電信聯(lián)盟（ITU）在1985年提出的，當(dāng)時(shí)稱為陸地移動(dòng)系統(tǒng)（FPLMTS）。1996年正式更名為IMT2000。與現(xiàn)有的第二代移動(dòng)
2009-06-13 22:49:39
隨著第三代移動(dòng)通信技術(shù)的興起，UMTS網(wǎng)絡(luò)的建立將帶來(lái)一場(chǎng)深刻的革命，這對(duì)網(wǎng)絡(luò)規(guī)劃也提出了更高的要求。在德國(guó)轟動(dòng)一時(shí)的UMTS執(zhí)照拍賣，引起了公眾對(duì)這一新技術(shù)的極大興趣。第三代移動(dòng)通信網(wǎng)絡(luò)的建設(shè)正方
2019-08-15 07:08:29
）第三代紅外攝像機(jī)IR-III技術(shù)演變(IR-III Technology Develop) IR-III技術(shù)是在主動(dòng)紅外技術(shù)中對(duì)第一代、第二代技術(shù)的基礎(chǔ)上演變的。第一代普通LED紅外技術(shù)，盡管不能
2011-02-19 09:34:33
已經(jīng)將產(chǎn)業(yè)未來(lái)聚焦到了第三代化合物半導(dǎo)體身上。可以說(shuō)第三代半導(dǎo)體就是未來(lái)功率器件的發(fā)展方向。全國(guó)兩會(huì)近日剛落下帷幕，第三代半導(dǎo)體（GaN和SiC）再度成為兩會(huì)的關(guān)鍵詞之一。伴隨著第三代半導(dǎo)體行業(yè)的觸角向
2021-03-26 15:26:13
基于第三代移動(dòng)通信系統(tǒng)標(biāo)準(zhǔn)的ALC控制方案的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)
2021-01-13 06:07:38
【關(guān)鍵詞】：半導(dǎo)體生產(chǎn)線;;層次有色賦時(shí)Petri網(wǎng);;遺傳算法;;建模;;優(yōu)化【DOI】：CNKI:SUN:DZXU.0.2010-02-014【正文快照】：1引言半導(dǎo)體生產(chǎn)線作為第三類生產(chǎn)系統(tǒng)—可重入
2010-05-04 08:08:48
導(dǎo) 讀 追求更低損耗、更高可靠性、更高性價(jià)比是碳化硅功率器件行業(yè)的共同目標(biāo)。為不斷提升產(chǎn)品核心競(jìng)爭(zhēng)力，基本半導(dǎo)體成功研發(fā)第三代碳化硅肖特基二極管，這是基本半導(dǎo)體系列標(biāo)準(zhǔn)封裝碳化硅肖特基二極管
2023-02-28 17:13:35
`前段時(shí)間，粵港澳大灣區(qū)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟宣布成立，擬集結(jié)三地優(yōu)質(zhì)資源，加速構(gòu)建半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)新生態(tài)。這讓我們看到了一個(gè)積極信號(hào)：雖然經(jīng)歷了去年的中興“陣痛”和美國(guó)貿(mào)易戰(zhàn)“打壓”，“中國(guó)芯”的崛起步伐，并未
2019-02-20 10:11:14
超過(guò)40%，其中以碳化硅材料（SiC）為代表的第三代半導(dǎo)體大功率電力電子器件是目前在電力電子領(lǐng)域發(fā)展最快的功率半導(dǎo)體器件之一。根據(jù)中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)統(tǒng)計(jì)，2019年中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)市場(chǎng)規(guī)模達(dá)7562億元
2021-01-12 11:48:45
本文討論了移動(dòng)通信向
第三代(3G)標(biāo)準(zhǔn)的演化與發(fā)展，給出了范圍廣泛的3G發(fā)射機(jī)關(guān)鍵技術(shù)與規(guī)范要求的概述。文章提供了頻分復(fù)用(FDD)寬帶碼分多址(WCDMA)系統(tǒng)發(fā)射機(jī)的設(shè)計(jì)和測(cè)得的性能數(shù)據(jù)，以Maxim現(xiàn)有的發(fā)射機(jī)IC進(jìn)行展示和說(shuō)明?！ ?/div>
2019-06-14 07:23:38
深圳市薩科微半導(dǎo)體有限公司，技術(shù)骨干來(lái)自清華大學(xué)和韓國(guó)延世大學(xué)，以新材料新工藝新產(chǎn)品引領(lǐng)公司發(fā)展，掌握國(guó)際領(lǐng)先的第三代半導(dǎo)體碳化硅功率器件技術(shù)。薩科微產(chǎn)品包括二極管三極管、功率器件、電源管理芯片等
2022-03-11 15:54:07
分享小弟用第三代太陽(yáng)能的心得。
最近看了很多資料對(duì)第三代太陽(yáng)能的介紹，諸多的評(píng)論都說(shuō)到他的優(yōu)勢(shì)，小弟于是購(gòu)買了這種叫第三代的太陽(yáng)能－砷化鎵太陽(yáng)能模塊。想說(shuō)，現(xiàn)在硅晶的一堆
2010-11-27 09:53:27
。Xeon?可擴(kuò)展處理器（第三代）基于平衡、高效的結(jié)構(gòu)，可提高芯體性能、儲(chǔ)存器和I/O帶寬，以加速?gòu)臄?shù)據(jù)中心到邊緣的各種工作負(fù)載。 這些器件采用Int
2024-02-27 11:58:54
12月16日，第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟理事長(zhǎng)吳玲在半導(dǎo)體發(fā)展戰(zhàn)略研討會(huì)上表示，2018年是第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)化準(zhǔn)備的關(guān)鍵期。到2025年，第三代半導(dǎo)體器件將在移動(dòng)通信、高效電能管理中國(guó)
2017-12-18 15:02:525011 第三代半導(dǎo)體是以氮化鎵和碳化硅為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料。預(yù)測(cè)2018年是第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)化準(zhǔn)備的關(guān)鍵期，第三代半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)將迎來(lái)景氣拐點(diǎn)。到2025年，第三代半導(dǎo)體器件將大規(guī)模的使用。
2017-12-19 11:56:163226 里程碑意義，將對(duì)中國(guó)乃至全球第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展產(chǎn)生深遠(yuǎn)影響。 科技部原副部長(zhǎng)、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟決策委員會(huì)主任、深圳第三代半導(dǎo)體研究院理事長(zhǎng)曹健林，廣東省委常委、深圳市委書(shū)記王偉中，深圳市委副書(shū)記
2018-04-02 16:25:003685 本文首先介紹了第三代半導(dǎo)體的材料特性，其次介紹了第三代半導(dǎo)體材料性能應(yīng)用及優(yōu)勢(shì)，最后分析了了我國(guó)第三代半導(dǎo)體材料發(fā)展面臨著的機(jī)遇挑戰(zhàn)。
2018-05-30 12:37:3334365 
認(rèn)為通過(guò)第三代半導(dǎo)體的發(fā)展就能解決芯片卡脖子是誤解，第三代半導(dǎo)體更多應(yīng)用在器件方面。對(duì)這一概念相關(guān)領(lǐng)域的個(gè)股投資時(shí)，建議對(duì)該領(lǐng)域的市場(chǎng)空間與企業(yè)情況充分了解。 據(jù)不完全統(tǒng)計(jì)，A股上市公司中，已有36家公司參與到第三代
2020-09-21 11:57:553813 近日科技部高新司在北京組織召開(kāi)“十二五”期間863計(jì)劃重點(diǎn)支持的“第三代半導(dǎo)體器件制備及評(píng)價(jià)技術(shù)”項(xiàng)目驗(yàn)收會(huì)。通過(guò)項(xiàng)目的實(shí)施，我國(guó)在第三代半導(dǎo)體關(guān)鍵的碳化硅和氮化鎵材料、功率器件、高性能封裝以及可見(jiàn)光通信等領(lǐng)域取得突破。
2018-09-14 10:51:1620140 
日前，科技部高新司在北京組織召開(kāi)十二五期間863計(jì)劃重點(diǎn)支持的第三代半導(dǎo)體器件制備及評(píng)價(jià)技術(shù)項(xiàng)目驗(yàn)收會(huì)。通過(guò)項(xiàng)目的實(shí)施，中國(guó)在第三代半導(dǎo)體關(guān)鍵的碳化硅和氮化鎵材料、功率器件、高性能封裝以及可見(jiàn)光
2018-10-24 22:38:02478 第三代半導(dǎo)體，又稱寬禁帶半導(dǎo)體，是以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）為代表的半導(dǎo)體材料，具備高壓、高溫、高頻大功率等特性。
2019-06-21 10:29:317739 近幾年，國(guó)內(nèi)不少地區(qū)都紛紛建設(shè)第三代半導(dǎo)體生產(chǎn)線，種種跡象表明，第三代半導(dǎo)體投資熱的戲碼正在悄然上演。這輪投資熱將對(duì)整個(gè)產(chǎn)業(yè)帶來(lái)哪些影響？國(guó)內(nèi)發(fā)展第三代半導(dǎo)體應(yīng)注意什么問(wèn)題？需要采取什么措施？
2019-12-16 11:35:328668 “萬(wàn)畝千億”平臺(tái)添新引擎。3月20日上午，第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院簽約落戶嘉興科技城，為順利推進(jìn)氮化鎵射頻及功率器件產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目，促進(jìn)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在嘉興科技城集聚發(fā)展。
2020-03-21 10:13:042866 摩爾定律”為產(chǎn)業(yè)發(fā)展帶來(lái)新機(jī)遇。第三代半導(dǎo)體是“超越摩爾定律”的重要發(fā)展內(nèi)容。與Si材料相比，第三代半導(dǎo)體材料擁有高頻、高功率、抗高溫、抗高輻射、光電性能優(yōu)異等特點(diǎn)，特別適合于制造微波射頻器件、光電子器件、電力電子器件，是未來(lái)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要方向。
2020-09-02 11:05:303026 碳化硅，作為發(fā)展的最成熟的第三代半導(dǎo)體材料，其寬禁帶，高臨界擊穿電場(chǎng)等優(yōu)勢(shì)，是制造高壓高溫功率半導(dǎo)體器件的優(yōu)質(zhì)半導(dǎo)體材料。
2020-09-02 11:56:351470 7月20日，長(zhǎng)沙三安第三代半導(dǎo)體項(xiàng)目開(kāi)工活動(dòng)在長(zhǎng)沙高新區(qū)舉行。 當(dāng)前，第三代半導(dǎo)體材料及器件已成為全球半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)的前沿和制高點(diǎn)之一。以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導(dǎo)體成熟商用材料，在新能源汽車
2020-09-12 09:28:092819 什么是第三代半導(dǎo)體？ 第三代半導(dǎo)體是以碳化硅SiC、氮化鎵GaN為主的寬禁帶半導(dǎo)體材料，具有高擊穿電場(chǎng)、高飽和電子速度、高熱導(dǎo)率、高電子密度、高遷移率、可承受大功率等特點(diǎn)。 一、二、三代半導(dǎo)體
2020-09-28 09:52:203299 
從上面的數(shù)據(jù)可以看出，在第一代半導(dǎo)體面前，第三代半導(dǎo)體的產(chǎn)值非常的小。國(guó)外發(fā)展第三代半導(dǎo)體不是因?yàn)樯庥卸嗝吹拇?，是因?yàn)閲?guó)防和科技信息技術(shù)的發(fā)展需要用到第三代半導(dǎo)體。同時(shí)，這是一個(gè)增量市場(chǎng)，也是企業(yè)可以尋求的增長(zhǎng)空間。
2020-09-29 14:16:004865 在日前于南京舉辦的世界半導(dǎo)體大會(huì)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展高峰論壇上，與會(huì)專家紛紛表示，近年來(lái)我國(guó)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展進(jìn)程較快，基本形成了從晶體生長(zhǎng)到器件研發(fā)制造的完整產(chǎn)業(yè)鏈。同時(shí)，我國(guó)在高速軌道交通
2020-10-09 16:44:513357 政策，是最大的商機(jī)。在政策的支持下，第三代半導(dǎo)體真的會(huì)持續(xù)會(huì)火起來(lái)嗎？不過(guò)，從產(chǎn)業(yè)的角度來(lái)看，中國(guó)第三代半導(dǎo)體真正要火起來(lái)并不容易，面臨四大問(wèn)題。
2020-10-18 10:49:416016 目前，國(guó)家2030計(jì)劃和十四五國(guó)家研發(fā)計(jì)劃已明確第三代半導(dǎo)體是重要發(fā)展方向。在10月16日，國(guó)星光電舉辦了2020第一屆國(guó)星之光論壇，而論壇的主角之一，就是第三代半導(dǎo)體。那么到底什么是第三代半導(dǎo)體
2020-10-29 18:26:404897 
目總投資10億元，占地100畝，建設(shè)周期3年，主要承擔(dān)第三代化合物半導(dǎo)體器件的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化，建設(shè)SiC MOSFET生產(chǎn)線。項(xiàng)目建成后將形成年產(chǎn)1萬(wàn)片第三代化合物半導(dǎo)體器件的生產(chǎn)能力，完全達(dá)產(chǎn)后銷售額預(yù)計(jì)超10億元。目前，項(xiàng)目已經(jīng)完成相關(guān)審批
2020-10-30 14:43:005272 。 什么是第三代半導(dǎo)體？ 第三代半導(dǎo)體是以碳化硅SiC、氮化鎵GaN為主的寬禁帶半導(dǎo)體材料，具有高擊穿電場(chǎng)、高飽和電子速度、高熱導(dǎo)率、高電子密度、高遷移率、可承受大功率等特點(diǎn)。 一、二、三代半導(dǎo)體什么區(qū)別？ 一、材料 第一代半導(dǎo)體材料，發(fā)
2020-11-04 15:12:374305 近年來(lái)，隨著半導(dǎo)體市場(chǎng)的飛速發(fā)展，第三代半導(dǎo)體材料也成為人們關(guān)注的重點(diǎn)。第三代半導(dǎo)體材料指的是碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）、氧化鋅（ZnO）、金剛石（C）、氮化鋁（AlN）等新興材料。而這
2020-11-09 17:22:052755 在5G和新能源汽車等新市場(chǎng)需求的驅(qū)動(dòng)下，第三代半導(dǎo)體材料有望迎來(lái)加速發(fā)展。硅基半導(dǎo)體的性能已無(wú)法完全滿足5G和新能源汽車的需求，碳化硅和氮化鎵等第三代半導(dǎo)體的優(yōu)勢(shì)被放大。
2020-11-29 10:48:1287783 2020年，第三代半導(dǎo)體站在了產(chǎn)業(yè)風(fēng)口。國(guó)產(chǎn)化替代、新基建的熱潮，無(wú)疑又給其添上一把火。
2020-12-07 09:53:352346 招商引資名單中。 問(wèn)題來(lái)了：第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)是真的進(jìn)入春天還是虛火上升？又有哪些行業(yè)真的需要GaN或SiC功率器件呢？相對(duì)于IGBT、MOSFET和超級(jí)結(jié)MOSFET，GaN和SiC到底能為電子行業(yè)帶來(lái)哪些技術(shù)變革？ 為了回答這些問(wèn)題，小編認(rèn)真閱讀了多
2020-12-08 17:28:0312551 最近，“我國(guó)將把發(fā)展第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)寫(xiě)入‘十四五’規(guī)劃”引爆全網(wǎng)。什么是第三代半導(dǎo)體？發(fā)展第三代半導(dǎo)體的意義在哪兒？它憑什么一夜爆火
2020-12-14 11:02:443297 ，什么材料會(huì)再領(lǐng)風(fēng)騷？記者采訪了專家。? 禁帶寬度，是用來(lái)區(qū)分不同代際半導(dǎo)體的關(guān)鍵參數(shù)。? 作為第三代半導(dǎo)體，氮化鎵和碳化硅的禁帶寬度分別為3.39電子伏特和3.26電子伏特，較高的禁帶寬度非常適合高壓器件應(yīng)用。氮化鎵電子飽和速度
2021-01-07 14:19:483427 中心、車規(guī)級(jí)碳化硅功率器件封裝線和中歐創(chuàng)新中心孵化器等，最終形成國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的具備全產(chǎn)業(yè)鏈研發(fā)和生產(chǎn)制造能力的第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地。 據(jù)青銅劍集團(tuán)消息，深圳青銅劍技術(shù)有限公司曾成功研發(fā)中國(guó)首款大功率IGBT驅(qū)動(dòng)ASIC芯片，推出IGBT標(biāo)準(zhǔn)驅(qū)動(dòng)
2021-01-20 13:47:363814 半導(dǎo)體的觸角已延伸至數(shù)據(jù)中心、新能源汽車等多個(gè)關(guān)鍵領(lǐng)域，整個(gè)行業(yè)漸入佳境，未來(lái)可期。 第三代半導(dǎo)體可提升能源轉(zhuǎn)換效率 以氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）為代表的第三代半導(dǎo)體具備耐高溫、耐高壓、高頻率、大功率等優(yōu)勢(shì)，相比硅器件
2021-03-25 15:19:163618 
第三代半導(dǎo)體材料的禁帶寬度是第一代和第二代半導(dǎo)體禁帶寬度的近3倍，在高溫、高壓、高功率和高頻領(lǐng)域?qū)⑻娲皟纱?b class="flag-6" style="color: red">半導(dǎo)體材料。
2021-10-11 14:35:321551 
第三代半導(dǎo)體器件毫不夸張的講為電源行業(yè)帶來(lái)了革新，基于其高速，小體積，低功耗的特點(diǎn)，越來(lái)越廣泛應(yīng)用在消費(fèi)電子及電力電子行業(yè)。下圖顯示了不同技術(shù)的功率器件的性能區(qū)別?？梢钥吹剑瑐鹘y(tǒng)的Si基IGBT或者
2021-12-29 17:11:061046 
、新架構(gòu)的探索。憑借著在功率、射頻應(yīng)用中的顯著性能優(yōu)勢(shì)，第三代半導(dǎo)體逐漸顯露出廣闊的應(yīng)用前景和市場(chǎng)發(fā)展?jié)摿Α?【導(dǎo)讀】在集成電路和分立器件領(lǐng)域，硅始終是應(yīng)用最廣泛、技術(shù)最成熟的半導(dǎo)體材料，但硅材料技術(shù)的成熟
2022-08-02 15:12:291447 
近年來(lái)，「第三代半導(dǎo)體」這個(gè)名詞頻頻進(jìn)入我們的視野。尤其近年來(lái)「第三代半導(dǎo)體」在電動(dòng)車、充電樁、高功率適配器等應(yīng)用中的爆發(fā)式增長(zhǎng)，使得其越來(lái)越貼近我們的生活。
2022-09-22 09:48:501264 之一。至此，我國(guó)企業(yè)開(kāi)始加大對(duì)第三半導(dǎo)體研發(fā)投入。2018年中車時(shí)代電氣建成了我國(guó)首條6英寸碳化硅SiC生產(chǎn)線。同年泰科天潤(rùn)建成了我國(guó)首條碳化硅SiC器件生產(chǎn)線。2019年，三安集成建成了我國(guó)首條6英寸氮化鎵GaN外延芯片產(chǎn)線并投入量產(chǎn)。 2020年
2022-11-22 13:35:12398 
第三代半導(dǎo)體材料有哪些 第三代半導(dǎo)體材料: 氨化家、碳化硅、氧化鋅、氧化鋁和金剛石。 從半導(dǎo)體材料的三項(xiàng)重要參數(shù)看，第三代半導(dǎo)體材料在電子遷移率、飽和漂移速率、禁帶寬度三項(xiàng)指標(biāo)上均有著優(yōu)異的表現(xiàn)
2023-02-07 14:06:164204 、射頻應(yīng)用中的顯著
性能優(yōu)勢(shì)，第三代半導(dǎo)體逐漸顯露出廣闊的應(yīng)用前景和市場(chǎng)發(fā)展?jié)摿Α?
所謂第三代半導(dǎo)體，即禁帶寬度大于或等于2.3eV的半導(dǎo)體材料，又稱寬禁帶半導(dǎo)體。常見(jiàn)的第三代半導(dǎo)體材料主要包括碳化
硅（SiC）、氮化鎵
2023-02-27 15:23:54
2 作者?| 薛定諤的咸魚(yú) 第三代半導(dǎo)體 主要是指氮化鎵和碳化硅、氧化鋅、氧化鋁、金剛石等寬禁帶半導(dǎo)體，它們通常都具有高擊穿電場(chǎng)、高熱導(dǎo)率、高遷移率、高飽和電子速度、高電子密度、可承受大功率等特點(diǎn)
2023-02-27 15:19:2912 第一代、第二代、第三代半導(dǎo)體之間應(yīng)用場(chǎng)景是有差異的。以硅（Si）、鍺（Ge）為代表的第一代半導(dǎo)體應(yīng)用場(chǎng)景十分廣泛，
從尖端的CPU、GPU、存儲(chǔ)芯片，再到各種充電器中的功率器件都可以做。雖然在某些
2023-02-27 15:20:113 、射頻應(yīng)用中的顯著
性能優(yōu)勢(shì)，第三代半導(dǎo)體逐漸顯露出廣闊的應(yīng)用前景和市場(chǎng)發(fā)展?jié)摿Α?
所謂第三代半導(dǎo)體，即禁帶寬度大于或等于2.3eV的半導(dǎo)體材料，又稱寬禁帶半導(dǎo)體。常見(jiàn)的第三代半導(dǎo)體材料主要包括碳化
硅（SiC）、氮化鎵
2023-02-27 14:37:561 又以碳化硅和氮化鎵材料技術(shù)的發(fā)展最為成熟。與第一代、第二代半導(dǎo)體材料相比，第三代半導(dǎo)體材料通常具備更寬的禁帶寬度、更高的擊穿場(chǎng)強(qiáng)、更高的熱導(dǎo)率，電子飽和速率和抗輻射能力也更勝一籌，在高溫、高壓、高頻、高功率等嚴(yán)苛環(huán)境下，依然能夠保證性能穩(wěn)定。
2023-05-18 10:57:361018 成長(zhǎng)期。而國(guó)內(nèi)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)經(jīng)過(guò)前期產(chǎn)能部署和產(chǎn)線建設(shè)，國(guó)產(chǎn)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)品相繼開(kāi)發(fā)成功并通過(guò)驗(yàn)證，技術(shù)穩(wěn)步提升，產(chǎn)能不斷釋放，國(guó)產(chǎn)碳化硅(SiC）器件及模塊開(kāi)始“上機(jī)”，生態(tài)體系逐漸完善，自主可控能力不斷增強(qiáng)，整體競(jìng)爭(zhēng)實(shí)力日益提升。
2023-05-30 14:15:56534 
伴隨著物聯(lián)網(wǎng)、新能源和人工智能的發(fā)展，對(duì)半導(dǎo)體器件的需求日益增長(zhǎng)，對(duì)相關(guān)器件可靠性與性能指標(biāo)的要求也更加嚴(yán)苛，于是第三代半導(dǎo)體市場(chǎng)應(yīng)運(yùn)而生。近年國(guó)內(nèi)的第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展如火如荼，同時(shí)對(duì)高壓、高電流
2022-01-10 16:34:43700 
第三代半導(dǎo)體功率器件的理想材料，可以在溶劑中生長(zhǎng)。
2022-01-13 17:39:231523 
第三代半導(dǎo)體具有廣泛的應(yīng)用，已成為戰(zhàn)略物資，被美國(guó)列入301管制清單。檢測(cè)是提高半導(dǎo)體器件質(zhì)量與可靠性的重要保障，廣電計(jì)量作為國(guó)有檢測(cè)機(jī)構(gòu)，在我國(guó)第三代半導(dǎo)體發(fā)展過(guò)程中，秉承國(guó)企擔(dān)當(dāng)，為光電子、電力電子、微波射頻等第三代半導(dǎo)體三大應(yīng)用領(lǐng)域構(gòu)筑了較為全面的能力。
2022-06-20 15:33:031866 
第三代半導(dǎo)體以及芯片的核心材料
2023-05-06 09:48:442620 
據(jù)公告，此次建設(shè)的第三代半導(dǎo)體輸出配件生產(chǎn)項(xiàng)目位于湖北省武漢市東湖新技術(shù)開(kāi)發(fā)區(qū)，總投資額約為60億元，包括36億元股權(quán)融資和24億元銀行貸款。構(gòu)筑第3代半導(dǎo)體外延、晶片制造、組裝測(cè)試等生產(chǎn)線的該事業(yè)，將具備能夠生產(chǎn)6英寸硅晶片及外延36萬(wàn)個(gè)、輸出配件模塊6100萬(wàn)個(gè)的能力。
2023-06-27 09:54:38540 據(jù)藍(lán)色空港消息，先進(jìn)半導(dǎo)體制造項(xiàng)目主要從事第三代半導(dǎo)體功率器件的設(shè)計(jì)、研發(fā)、制造、功率器件clip先進(jìn)工程包裝、電力驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品應(yīng)用方案的開(kāi)發(fā)和銷售。該項(xiàng)目總投資8億元，分三期建設(shè)，一期投資2億元，計(jì)劃建設(shè)6條clip先進(jìn)包裝生產(chǎn)線。
2023-06-27 10:31:18602 據(jù)融合資產(chǎn)消息，此次融資后融合資產(chǎn)將在芯片生產(chǎn)線、家具用、工商能源儲(chǔ)存、充電包、新能源汽車等多個(gè)領(lǐng)域展開(kāi)合作，幫助建設(shè)第三代半導(dǎo)體智能電力模塊生產(chǎn)線。
2023-08-30 09:24:55228 ? 新能源汽車和光伏、儲(chǔ)能設(shè)施在全球加速普及，為第三代半導(dǎo)體碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）功率器件產(chǎn)業(yè)的落地提供了前所未有的契機(jī)。 長(zhǎng)電科技厚積薄發(fā)定位創(chuàng)新前沿，多年來(lái)面向第三代半導(dǎo)體功率器件
2023-09-19 10:20:38379 碳化硅具備耐高壓、耐高溫、高頻、抗輻射等優(yōu)良電氣特性，它突破硅基半導(dǎo)體材料物理限制，成為第三代半導(dǎo)體核心材料。碳化硅材料性能優(yōu)勢(shì)引領(lǐng)功率器件新變革。
2023-09-19 15:55:20893 
近年來(lái)，碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）等第三代半導(dǎo)體材料成為全球半導(dǎo)體市場(chǎng)熱點(diǎn)之一。
2023-10-16 14:45:06694 5G、快充、UVC，第三代半導(dǎo)體潮起
2023-01-13 09:06:003 第三代半導(dǎo)體之GaN研究框架
2023-01-13 09:07:4117 近日，華大半導(dǎo)體旗下中電化合物有限公司榮獲“中國(guó)第三代半導(dǎo)體外延十強(qiáng)企業(yè)”稱號(hào)，其生產(chǎn)的8英寸SiC外延片更是一舉斬獲“2023年度SiC襯底/外延最具影響力產(chǎn)品獎(jiǎng)”。這一榮譽(yù)充分體現(xiàn)了中電化合物在第三代半導(dǎo)體外延領(lǐng)域的卓越實(shí)力和領(lǐng)先地位。
2024-01-04 15:02:23523 
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