PID測試標準與光照對PID組件的影響介紹

　　PID試驗的測試標準主要是溫度和濕度方面。通過實驗室模擬實際運行環(huán)境，并將環(huán)境條件的惡劣程度放大，計算對應(yīng)于相應(yīng)的運行時間，達到時間和環(huán)境等效的結(jié)果，這是各種實驗室測試PID的最終目的。

　　業(yè)內(nèi)不知道25C常溫和60C及85C下做PID測試到底有什么區(qū)別，也沒有實際的研究去證明時溫等效在PID上的計算公式。這方面筆者只能提出疑問，說不出個所以然。尤其是溫度上，總覺得夏天的陽光下，不發(fā)電都會有五、六十度的高溫，用85C來模擬，根本不能算是加速試驗，更不要說常溫或60C了。就濕度上來說，沿海地區(qū)或內(nèi)陸地區(qū)下完雷陣雨后85%的濕度也就是環(huán)境濕度，甚至還不到環(huán)境濕度。真的無法評說。

　　那么，難道要放在釜里去煮??？筆者沒有這樣的研究，或許將來真有這種需要，用HAST的方法做PID。

　　除了溫濕度，再談?wù)勂渌目赡墉h(huán)境因素。

　　首當(dāng)其沖的，筆者得講講光照的影響。

　　PID在什么時候會發(fā)生？答曰：需要有系統(tǒng)電壓加在組件上，并且因邊框接地而對地形成電勢差。所以，形成PID必須是在系統(tǒng)發(fā)電的時候，不會在晚上。這就帶來一個問題，即光照條件對組件帶來什么影響。

　　光照可能從兩方面對組件的PID產(chǎn)生作用。

　　一是當(dāng)光照時組件本身的發(fā)電情景，此時組件內(nèi)部是有電流通過的，而現(xiàn)有PID試驗是將組件的正負極短接后進行實驗的，這到底有什么區(qū)別？有說法是產(chǎn)生PID效應(yīng)時，陣列中的某塊組件正好處于不發(fā)電或低于正常發(fā)電量的狀態(tài)，如組件被局部遮擋時。此時被遮擋單元的電流不是或不完全是通過光生伏打效應(yīng)進行的，而是系統(tǒng)的電流強行流過，甚至是沒有電流通過，而串聯(lián)陣列中的下游組件繼續(xù)在發(fā)電，被遮擋處就成了電流的瓶頸，導(dǎo)致接地的邊框產(chǎn)生從地到玻璃到電池片的“倒灌漏電流”，玻璃中的金屬離子遷移到電池片表面上，破壞了電池的N型電場結(jié)構(gòu)。在這種情況下，光照對PID的影響到底是什么。

　　第二種情況是經(jīng)過長期光照的組件對PID的抵抗能力。一般客戶在自測或給認證機構(gòu)送樣時都是新組件。這時候組件各部分材料的性能都保持得比較完整的。如EVA，是沒有經(jīng)過任何光照、紫外降解的新鮮EVA。此時EVA材料內(nèi)游離的醋酸成分（或者說VA中的V成分）是很少的，做PID試驗時只有靠這一點醋酸成分以及試驗過程中可能產(chǎn)生的游離醋酸成分帶動玻璃中金屬離子的遷移（當(dāng)然EVA分子結(jié)構(gòu)因為醋酸的存在相對于聚烯烴來說極性更強一點，分子極化可能也會有助于漏電流的形成，所以EVA的體積電阻（10的14次方數(shù)量級）一般要比聚烯烴（10的18次方數(shù)量級）低）。尤其是抗材料廠推出的抗PID的EVA，VA含量尤其低，這樣的組件做當(dāng)前試驗方法下的抗PID試驗，漏電流就會比較低，給大家的結(jié)果自然是96小時內(nèi)沒有發(fā)現(xiàn)PID效應(yīng)。