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摩爾定律工藝節(jié)點(diǎn)的形成介紹及導(dǎo)體工藝節(jié)點(diǎn)的演進(jìn)分析

2017-09-18 | rar | 0.1 MB | 次下載 | 免費(fèi)

資料介紹

  摩爾定律下的工藝節(jié)點(diǎn)的形成

  1958年,美國德州儀器公司工程師杰克·基爾比制成了世界上第一片集成電路,1962年,德州儀器公司建成世界上第一條商業(yè)化集成電路生產(chǎn)線。此后,在市場(chǎng)需求的驅(qū)動(dòng)下,集成電路發(fā)展成為一個(gè)龐大的產(chǎn)業(yè),從小規(guī)模集成電路(SSI)到中規(guī)模集成電路(MSI)、再到大規(guī)模集成電路(LSI),一直到現(xiàn)在的超大規(guī)模集成電路(VLSI)。集成度被看作是描述集成電路工藝先進(jìn)程度的一個(gè)重要指標(biāo),通常用晶體管數(shù)目來表示集成度高低,一個(gè)芯片里含有的晶體管數(shù)目越多,芯片的功能也就越強(qiáng)。因此,集成電路的規(guī)模反映了集成電路的先進(jìn)程度。

  集成度的提高,不僅意味著單個(gè)晶體管的尺寸縮小了,同時(shí)也意味著采用了更加先進(jìn)的制造工藝,因?yàn)榫w管尺寸與制造工藝之間有著密切的聯(lián)系。可以說,集成電路技術(shù)的發(fā)展過程,就是把晶體管尺寸做得越來越小的過程。九十年代的大規(guī)模集成電路普遍采用的是微米級(jí)工藝,筆者在上世紀(jì)90年代初做設(shè)計(jì)時(shí)就是采用5微米和3微米標(biāo)準(zhǔn)單元庫,這也是那個(gè)年代的主流工藝(晶圓尺寸是3英寸和4英寸)。二十多年過去了,現(xiàn)在已經(jīng)發(fā)展到納米級(jí)工藝了,中芯國際去年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)的28納米工藝,比起3微米工藝,尺寸縮小了100多倍。

  這些工藝演進(jìn)的背后,是更多金錢的投入。因?yàn)楦〉某叽缫馕吨鴮?duì)設(shè)計(jì)和制造設(shè)備以及芯片材料等都有更為苛刻的要求,為了克服技術(shù)門檻,芯片企業(yè)每年需要投入數(shù)億、數(shù)十億美元的研發(fā)經(jīng)費(fèi),不知有多少世界一流的科學(xué)家和工程師都參與了這一耗資巨大的芯片微縮化工程。

  那么5微米、3微米、以及90納米、28納米等等這些“節(jié)點(diǎn)”是怎樣形成的呢?可以說這是描述摩爾定律進(jìn)程的一個(gè)指標(biāo)。摩爾定律說,半導(dǎo)體芯片每一年半(后來改為兩年),其集成度翻一番,并伴隨著性能的增長(zhǎng)和成本的下降。怎樣描述這個(gè)集成度呢?這就有了工藝“節(jié)點(diǎn)”的說法。即工藝節(jié)點(diǎn)數(shù)值越小,表征芯片的集成度就越高。這些數(shù)值也被《國際半導(dǎo)體技術(shù)藍(lán)圖(ITRS)》用來劃分半導(dǎo)體工藝的階段(也稱工藝代),或描述芯片的先進(jìn)性。

  這里有必要解釋這些數(shù)值表示的是什么尺寸。例如28nm工藝,這里的28nm是指晶體管柵極的最小線寬(柵寬)。實(shí)際設(shè)計(jì)中除了柵極,其他的設(shè)計(jì)尺寸一般都大于工藝節(jié)點(diǎn)的尺寸,例如晶體管之間的金屬連線寬度、有源區(qū)寬度等。

  摩爾定律工藝節(jié)點(diǎn)的形成介紹及導(dǎo)體工藝節(jié)點(diǎn)的演進(jìn)分析

  ▲ 圖一 與非門、或門的版圖

  圖一是個(gè)例子。在這個(gè)與非門和或非門的版圖里,白的是襯底層,紅的是多晶硅層,藍(lán)的是金屬層。這其中只有紅的多晶硅柵極的最小線寬是可以達(dá)到28nm的,其他一切尺寸都是要大于28nm。具體各層線寬的最小值需要看該工藝的設(shè)計(jì)規(guī)則(Design Rull)。

  為什么用柵極線寬而不是其他的線寬來表征工藝節(jié)點(diǎn),這是因?yàn)闁艠O寬度一般是整個(gè)設(shè)計(jì)中最重要的參數(shù)。在CMOS電路中,MOS晶體管最主要的功能就是通過柵極控制源漏之間的電流。這個(gè)電流受很多因素影響,例如晶體管遷移率、絕緣層電容,還有各種效應(yīng)等,這些都與半導(dǎo)體工藝有關(guān),工藝定了設(shè)計(jì)很難改變。一般情況下唯一可以設(shè)計(jì)的參數(shù)就是溝道寬長(zhǎng)比,溝道寬長(zhǎng)比就是晶體管柵極的長(zhǎng)寬比(長(zhǎng)溝器件可以直接近似,短溝器件要加修正項(xiàng))。也就是說在電壓一樣的情況下,柵極越寬,溝道就越長(zhǎng),源漏電流就越小。

  所以在設(shè)計(jì)中,溝道越短,意味著晶體管的尺寸越小,單位面積可以存放的晶體管數(shù)量就越多,芯片集成度就越高;換一種說法是設(shè)計(jì)出來的芯片面積就越小,芯片的價(jià)格就越便宜。當(dāng)然這是在只考慮生產(chǎn)成本,不考慮NRE費(fèi)用的前提下。

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