CMOS電平的介紹和CMOS的閂鎖效應(yīng)詳細概述

　　本篇主要針對CMOS電平，詳細介紹一下CMOS的閂鎖效應(yīng)。

　　1、Latch up

　　閂鎖效應(yīng)是指CMOS電路中固有的寄生可控硅結(jié)構(gòu)（雙極晶體管）被觸發(fā)導(dǎo)通，在電源和地之間存在一個低阻抗大電流通路，導(dǎo)致電路無法正常工作，甚至燒毀電路。

　　· Latch up是指CMOS晶片中，在電源VDD和地線GND（VSS）之間由于寄生的PNP和NPN雙極性BJT相互影響而產(chǎn)生的一低阻抗通路，它的存在會使VDD和GND之間產(chǎn)生大電流；

　　· 隨著IC制造工藝的發(fā)展，封裝密度和集成度越來越高，產(chǎn)生Latch up的可能性會越來越大；

　　· Latch up產(chǎn)生的過度電流量可能會使芯片產(chǎn)生永久性的破壞，Latch up的防范是IC Layout的最重要措施之一；

　　· Latch up最易產(chǎn)生在易受外部干擾的I/O電路處，也偶爾發(fā)生在內(nèi)部電路。

　　Q1為垂直式PNP BJT，基極（base）是nwell，基極到集電極的增益可達數(shù)百倍；Q2是側(cè)面式的NPN BJT，基極為P substrate，到集電極的增益可達數(shù)十倍；Rwell是nwell的寄生電阻；Rsub是substrate電阻。

　　以上四元件構(gòu)成可控硅（SCR）電路，當無外界干擾引起觸發(fā)時，兩個BJT（可控硅結(jié)構(gòu)）處于截止狀態(tài)，集電極電流由C-B的反向漏電流構(gòu)成，電流增益非常小，此時Latch up不會產(chǎn)生。當其中一個BJT的集電極電流受外部干擾突然增加到一定值時，會反饋至另一個BJT，從而使兩個BJT因觸發(fā)而同時導(dǎo)通，VDD至GND間形成低阻抗通路，Latch up由此而產(chǎn)生。