資料介紹
LDMOS (Lateral Diffused MetalOxide Semiconductor Transistor,橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體)以其高功率增益、高效率及低成本等優(yōu)點(diǎn),被廣泛應(yīng)用于移動(dòng)通信基站、雷達(dá)、導(dǎo)航等領(lǐng)域。射頻大功率LDMOS由于具有P、L波段以上的工作頻率和高的性?xún)r(jià)比,已成為3G手機(jī)基站射頻放大器的首選器件。
隨著IC集成度的提高及器件特征尺寸的減小,柵氧化層厚度越來(lái)越薄,其柵的耐壓能力顯著下降,擊穿電壓是射頻LDMOS器件可靠性的一個(gè)重要參數(shù),它不僅決定了其輸出功率,它還決定了器件的耐壓能力,因此必須要采取措施以提高器件的擊穿電壓。
本文將在基本LDMOS的基礎(chǔ)上,通過(guò)器件結(jié)構(gòu)的改進(jìn)來(lái)提高LDMOS的抗擊穿能力。
1 LDMOS耐壓特性
如圖1所示,LDMOS最主要的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)是采用雙擴(kuò)散技術(shù),在同一窗口進(jìn)行磷擴(kuò)散,溝道長(zhǎng)度由兩種擴(kuò)散的橫向結(jié)深決定。LDMOS中產(chǎn)生的擊穿形式有柵絕緣層擊穿和漏源擊穿。
LDMOS高壓器件是多子導(dǎo)電器件,由于漂移區(qū)將漏區(qū)與溝道隔離,Vds絕大部分降落在漂移區(qū)上,基本上沒(méi)有溝道調(diào)制,所以當(dāng)Vds增大時(shí),輸出電阻不下降。并且柵電極和漏區(qū)不重迭,從而提高了漏源擊穿電壓。
影響LDMOS耐壓性能的因素很多,本文將從埋層、漂移區(qū)摻雜濃度、襯底摻雜濃度3方面進(jìn)行分析各參數(shù)對(duì)其耐壓性能的影響。
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