資料介紹
隨著集成電路的發(fā)展,尤其是智能功率集成電路的發(fā)展,對功率器件提出了越來越高的要求。LDMOS由于它的電極均可以在器件的表面引出,因而可以與主流的VLSI集成電路丁藝技術(shù)相兼容,成為了功率集成電路的首選,并廣泛應(yīng)用于LED驅(qū)動、電源管理及汽車電子等領(lǐng)域。對于LDMOS來說,比導(dǎo)通電阻和擊穿電壓是兩個重要的參數(shù),同時相互影響,降低比導(dǎo)通電阻和提高擊穿電壓是器件的設(shè)計與研究的熱點與難點。目前采用的技術(shù)主要有以下幾種:場板技術(shù),橫向變摻雜技術(shù),埋層技術(shù),超結(jié)技術(shù),降低表面電場(RESURF)技術(shù)等技術(shù),它們對器件擊穿電壓和比導(dǎo)通電阻的改善起到了很大的作用。
RESURF技術(shù)是在LDMOS器件設(shè)計中廣泛應(yīng)用的一種技術(shù),它是利用橫向與縱向兩個PN結(jié)的耗盡層相互作用,就是器件在表面電場達(dá)到臨界電場之前,使漂移區(qū)在縱向上完全耗盡,從而使擊穿點由表面轉(zhuǎn)移到體內(nèi),進(jìn)而提高擊穿電壓。目前研究最多的是雙RESURF LDMOS器件,它是在單RESURF的基礎(chǔ)上,在漂移區(qū)頂部注入與漂移區(qū)摻雜相反的雜質(zhì),利用其輔助耗盡來改善器件的性能。
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