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      標(biāo)簽　>　場(chǎng)效應(yīng)晶體管

      場(chǎng)效應(yīng)晶體管

      +關(guān)注6人關(guān)注

      場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor縮寫（FET））簡(jiǎn)稱場(chǎng)效應(yīng)管。主要有兩種類型：結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（junction FET—JFET）和金屬 - 氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管（metal-oxide semiconductor FET，簡(jiǎn)稱MOS-FET）。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電，也稱為單極型晶體管。

      文章：298個(gè) 視頻：100個(gè) 瀏覽：19437次 帖子：22個(gè)

      場(chǎng)效應(yīng)晶體管技術(shù)

      mosfet里vgs和vds的關(guān)系

      在MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）中，Vgs（柵極-源極電壓）和Vds（漏極-源極電壓）之間的關(guān)系是理解MOSFET工作特性的關(guān)鍵。 一、基...

      2024-09-29 標(biāo)簽：MOSFET源極場(chǎng)效應(yīng)晶體管 946 0

      vdmos器件厚度對(duì)電阻的影響

      VDMOS（Vertical Double-Diffused Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transi...

      2024-09-29 標(biāo)簽：電阻VDMOS器件場(chǎng)效應(yīng)晶體管 128 0

      vdmos器件的具體應(yīng)用

      VDMOS（Vertical Double-Diffused Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transi...

      2024-09-29 標(biāo)簽：電路電流VDMOS器件 156 0

      場(chǎng)效應(yīng)晶體管工作機(jī)制和命名方式介紹

      場(chǎng)效應(yīng)晶體管以其獨(dú)特的電壓控制特性和廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域，在電子技術(shù)領(lǐng)域中占據(jù)著舉足輕重的地位。它主要分為兩種類型：JFET（結(jié)型）和MOS-FET（金屬-氧...

      2024-09-27 標(biāo)簽：半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管電壓 194 0

      如何選擇場(chǎng)效應(yīng)晶體管

      在選擇場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET）時(shí)，需要考慮多個(gè)因素以確保所選器件能夠滿足特定的應(yīng)用需求，同時(shí)保證電路的性能和可靠性。以下是一個(gè)詳細(xì)的選擇場(chǎng)效應(yīng)晶體管的指南...

      2024-09-23 標(biāo)簽：MOSFET半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管 193 0

      結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管和N溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管有什么區(qū)別

      結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Junction Field-Effect Transistor，簡(jiǎn)稱JFET）和N溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管（N-Channel Field-...

      2024-10-07 標(biāo)簽：半導(dǎo)體JFET晶體管 140 0

      結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的工作原理和特性

      結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Junction Field-Effect Transistor，簡(jiǎn)稱JFET）是一種基于場(chǎng)效應(yīng)原理工作的三端有源器件，其工作原理和特...

      2024-10-07 標(biāo)簽：JFET柵極場(chǎng)效應(yīng)晶體管 131 0

      結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的定義和引腳配置

      結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Junction Field-Effect Transistor，簡(jiǎn)稱JFET）是一種基于場(chǎng)效應(yīng)原理工作的三端有源器件。它的核心特點(diǎn)在...

      2024-10-07 標(biāo)簽：半導(dǎo)體JFET場(chǎng)效應(yīng)晶體管 97 0

      mos管參數(shù)詳解及驅(qū)動(dòng)電阻選擇

      MOS管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）是一種廣泛應(yīng)...

      2024-09-18 標(biāo)簽：半導(dǎo)體MOS管場(chǎng)效應(yīng)晶體管 492 0

      mos管gs之間電阻阻值怎么選

      MOS管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）的GS（柵極...

      2024-09-18 標(biāo)簽：電阻MOS管場(chǎng)效應(yīng)晶體管 664 0

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      場(chǎng)效應(yīng)晶體管帖子

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      場(chǎng)效應(yīng)晶體管資訊

      2D多鰭FETs的高密度集成，搭臺(tái)引導(dǎo)外延的科技突破！

      2D多鰭FETs的高密度集成，搭臺(tái)引導(dǎo)外延的科技突破！

      來(lái)源：科學(xué)之邦 【研究背景】 隨著摩爾定律的推進(jìn)，傳統(tǒng)基于三維半導(dǎo)體的場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FETs）不斷縮小，這導(dǎo)致了設(shè)備性能的提升和晶體管密度的增加。然而，...

      2024-09-03 標(biāo)簽：場(chǎng)效應(yīng)晶體管半導(dǎo)體材料 183 0

      英飛凌IPD50N10S3L-16：高達(dá)180A電流的功率晶體管中文資料書(shū)

      英飛凌IPD50N10S3L-16：高達(dá)180A電流的功率晶體管中文資料書(shū)

      概述： 功率MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管是一種金屬氧化物硅場(chǎng)效應(yīng)晶體管，工作電壓最高達(dá)到1kV（SiC：2kV），具有高開(kāi)關(guān)速度和最佳效率。 這項(xiàng)創(chuàng)新技術(shù)在消費(fèi)電...

      2024-08-12 標(biāo)簽：英飛凌MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管 200 0

      美國(guó)或?qū)⑦M(jìn)一步收緊技術(shù)對(duì)華出口

      據(jù)百能云芯電.子元器.件商.城了解，美國(guó)政府正考慮深化對(duì)華出口管制措施，旨在阻礙中國(guó)獲取先進(jìn)的全柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管（GAA）技術(shù)及高帶寬存儲(chǔ)器（HBM）技術(shù)...

      2024-06-12 標(biāo)簽：場(chǎng)效應(yīng)晶體管HBMGAA 182 0

      微電子所在《中國(guó)科學(xué)：國(guó)家科學(xué)評(píng)論》發(fā)表關(guān)于先進(jìn)CMOS集成電路新結(jié)構(gòu)晶體管的綜述論文

      微電子所在《中國(guó)科學(xué)：國(guó)家科學(xué)評(píng)論》發(fā)表關(guān)于先進(jìn)CMOS集成電路新結(jié)構(gòu)晶體管的綜述論文

      來(lái)源：中國(guó)科學(xué)院微電子研究所 金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）是推動(dòng)大規(guī)模CMOS集成電路按照“摩爾定律”持續(xù)微縮并不斷發(fā)展的核心器件。...

      2024-05-31 標(biāo)簽：晶體管場(chǎng)效應(yīng)晶體管微電子 326 0

      利用碲化汞（HgTe）膠體量子點(diǎn)實(shí)現(xiàn)波長(zhǎng)達(dá)18 μm的光探測(cè)

      利用碲化汞（HgTe）膠體量子點(diǎn)實(shí)現(xiàn)波長(zhǎng)達(dá)18 μm的光探測(cè)

      膠體量子點(diǎn)（CQD）憑借其具有高通量溶液加工能力以及紫外（UV）到紅外（IR）波段的寬帶隙可調(diào)諧性，因而在光電子器件中備受關(guān)注。

      2024-04-23 標(biāo)簽：FET場(chǎng)效應(yīng)晶體管光電子器件 1040 0

      安建半導(dǎo)體獲超2億元C1輪融資

      安建半導(dǎo)體是一家專注于半導(dǎo)體功率器件的研發(fā)、設(shè)計(jì)和銷售的公司，主要產(chǎn)品包括高性能溝槽柵場(chǎng)截止型絕緣柵雙極性晶體管、屏蔽柵溝槽型場(chǎng)效應(yīng)晶體管、高壓場(chǎng)效應(yīng)晶...

      2024-04-18 標(biāo)簽：場(chǎng)效應(yīng)晶體管功率器件安建半導(dǎo)體 464 0

      三菱電機(jī)出席第十七屆中國(guó)高校電力電子與電力傳動(dòng)學(xué)術(shù)年會(huì)

      三菱電機(jī)出席第十七屆中國(guó)高校電力電子與電力傳動(dòng)學(xué)術(shù)年會(huì)

      4月12日至14日，第十七屆中國(guó)高校電力電子與電力傳動(dòng)學(xué)術(shù)年會(huì)在安徽宣城隆重舉辦，本屆會(huì)議由中國(guó)高校電力電子與電力傳動(dòng)學(xué)術(shù)年會(huì)組織委員會(huì)主辦，合肥工業(yè)大學(xué)承辦。

      2024-04-16 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車MOSFET三菱電機(jī) 407 0

      利用連續(xù)滴定工藝制備一種高品質(zhì)HgTe量子點(diǎn)短波紅外探測(cè)器

      利用連續(xù)滴定工藝制備一種高品質(zhì)HgTe量子點(diǎn)短波紅外探測(cè)器

      碲化汞（HgTe）納米晶體具有可調(diào)諧紅外吸收光譜、溶液可加工性、低制造成本以及易與硅基電路集成等特點(diǎn)。

      2024-04-07 標(biāo)簽：FET場(chǎng)效應(yīng)晶體管紅外探測(cè)器 510 0

      AO8810 TSSOP-8 共漏雙n通道增強(qiáng)模場(chǎng)效應(yīng)晶體管

      AO8810 TSSOP-8 共漏雙n通道增強(qiáng)模場(chǎng)效應(yīng)晶體管

      概述 AO8810/L采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)，提供優(yōu)良的RDS(ON)、低柵極電荷和柵極電壓低至1.8V的操作。該設(shè)備適用于作為負(fù)載開(kāi)關(guān)或在PWM應(yīng)用程序中...

      2024-03-22 標(biāo)簽：場(chǎng)效應(yīng)晶體管 322 0

      2家臺(tái)灣企業(yè)正在加速推進(jìn)其SiC模塊工廠的建設(shè)

      2家臺(tái)灣企業(yè)正在加速推進(jìn)其SiC模塊工廠的建設(shè)

      近期，2家臺(tái)灣企業(yè)正在加速推進(jìn)其SiC模塊工廠的建設(shè)

      2024-03-18 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車場(chǎng)效應(yīng)晶體管功率模塊 965 0

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      場(chǎng)效應(yīng)晶體管數(shù)據(jù)手冊(cè)

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      • Arduino
        Arduino
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        Arduino是一款便捷靈活、方便上手的開(kāi)源電子原型平臺(tái)。包含硬件（各種型號(hào)的Arduino板）和軟件（Arduino IDE)。
      • 28nm
        28nm
        +關(guān)注
        從背景上看，28nm誕生于2008年那場(chǎng)金融危機(jī)之后。受到金融海嘯的影響，當(dāng)時(shí)很多半導(dǎo)體企業(yè)都受到了影響。于是，在這之后的幾年，包括AMD在內(nèi)的很多半導(dǎo)體企都選擇將制造業(yè)務(wù)剝離以降低運(yùn)營(yíng)資金壓力，將更多的資源集中到相對(duì)投入到芯片設(shè)計(jì)當(dāng)中
      • FinFET
        FinFET
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        FinFET全稱叫鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管，是一種新的互補(bǔ)式金氧半導(dǎo)體晶體管。FinFET命名根據(jù)晶體管的形狀與魚(yú)鰭的相似性。這種設(shè)計(jì)可以改善電路控制并減少漏電流，縮短晶體管的閘長(zhǎng)。
      • 20nm
        20nm
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      • TI公司
        TI公司
        +關(guān)注
        TI是富有遠(yuǎn)見(jiàn)的企業(yè)，我們是敢于開(kāi)拓的創(chuàng)新者。作為一個(gè)業(yè)務(wù)運(yùn)營(yíng)覆蓋 35 個(gè)國(guó)家的全球性半導(dǎo)體企業(yè)，員工是我們的立足之本。德州儀器（TI）的員工是我們深厚的企業(yè)文化的重要體現(xiàn)。無(wú)論是1958年第一位發(fā)明集成電路的TI員工，還是如今遍布全球負(fù)責(zé)設(shè)計(jì)、制造以及銷售模擬與嵌入式處理芯片的30,000多名TI成員。 TI是一家全球性半導(dǎo)體設(shè)計(jì)與制造公司：業(yè)務(wù)覆蓋超過(guò)35個(gè)國(guó)家、服務(wù)全球各地超過(guò)10萬(wàn)家客戶、擁有85年的創(chuàng)新歷史、超過(guò)10萬(wàn)種模擬集成電路、嵌入式處理器以及軟件和工具。
      • 村田
        村田
        +關(guān)注
        村田公司是一家使用性能優(yōu)異電子原料，設(shè)計(jì)、制造最先進(jìn)的電子元器件及多功能高密度模塊的企業(yè)。不僅是手機(jī)、家電，汽車相關(guān)的應(yīng)用、能源管理系統(tǒng)、醫(yī)療保健器材等，都有村田公司的身影。
      • 羅姆
        羅姆
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        提供最新的羅姆公司產(chǎn)品，最活躍的羅姆工程師社區(qū)
      • 工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)
        工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)
        +關(guān)注
        一般情況，IIoT往往有更結(jié)構(gòu)化的連接環(huán)境，因?yàn)榕c典型的IoT應(yīng)用相比，IIoT 系統(tǒng)履行的職責(zé)更事關(guān)重大。響應(yīng)時(shí)間往往是個(gè)問(wèn)題，像健身跟蹤那樣的IoT應(yīng)用通?？梢韵仍诒镜卮鎯?chǔ)數(shù)據(jù)，無(wú)線鏈路可用時(shí)再行處理。
      • 金升陽(yáng)
        金升陽(yáng)
        +關(guān)注
        廣州金升陽(yáng)科技有限公司，成立于1998年7月，是國(guó)內(nèi)集生產(chǎn)、研發(fā)和銷售為一體的規(guī)模最大、品種最全的工業(yè)模塊電源的制造商之一。
      • Vicor
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        美國(guó)Vicor 是Vicor Corporation旗下品牌，致力于模塊化電源技術(shù)創(chuàng)新，近年來(lái)專注于48V電源解決方案。Vicor帶來(lái)了全新的配電架構(gòu)、零電流開(kāi)關(guān) （ZCS） 及零電壓開(kāi)關(guān) （ZVS） 電源轉(zhuǎn)換拓?fù)洹?
      • MHL
        MHL
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      • Bourns
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        體感控制，在于人們可以很直接地使用肢體動(dòng)作，與周邊的裝置或環(huán)境互動(dòng)，而無(wú)需使用任何復(fù)雜的控制設(shè)備，便可讓人們身歷其境地與內(nèi)容做互動(dòng)。 本章詳細(xì)介紹了：體感控制技術(shù)，體溫感應(yīng)控制等內(nèi)容。
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        閃存是一種長(zhǎng)壽命的非易失性（在斷電情況下仍能保持所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)信息）的存儲(chǔ)器，數(shù)據(jù)刪除不是以單個(gè)的字節(jié)為單位而是以固定的區(qū)塊為單位（注意：NOR Flash 為字節(jié)存儲(chǔ)。），區(qū)塊大小一般為256KB到20MB。
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        +關(guān)注
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        +關(guān)注
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        +關(guān)注
        　　柵極驅(qū)動(dòng)器是一個(gè)用于放大來(lái)自微控制器或其他來(lái)源的低電壓或低電流的緩沖電路。在某些情況下，例如驅(qū)動(dòng)用于數(shù)字信號(hào)傳輸?shù)倪壿嬰娖骄w管時(shí)，使用微控制器輸出不會(huì)損害應(yīng)用的效率、尺寸或熱性能。在高功率應(yīng)用中，微控制器輸出通常不適合用于驅(qū)動(dòng)功率較大的晶體管。
      • 研華
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        32位單片機(jī)
        +關(guān)注
        ARM，其中ARM7，9，10是公開(kāi)的32位處理器內(nèi)核，很多公司都有基于ARM的單片機(jī)產(chǎn)品。目前國(guó)內(nèi)應(yīng)用最廣泛的所三星和菲利普。
      • 驍龍
        驍龍
        +關(guān)注
        驍龍是Qualcomm Technologies（美國(guó)高通）旗下移動(dòng)處理器和LTE調(diào)制解調(diào)器的品牌名稱。
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        +關(guān)注
        　　Cortex-A 系列處理器是一系列處理器，支持ARM32或64位指令集，向后完全兼容早期的ARM處理器，包括從1995年發(fā)布的ARM7TDMI處理器到2002年發(fā)布的ARMll處理器系列。
      • Mobileye
        Mobileye
        +關(guān)注
        Mobileye在單目視覺(jué)高級(jí)駕駛輔助系統(tǒng) （ADAS） 的開(kāi)發(fā)方面走在世界前列，提供芯片搭載系統(tǒng)和計(jì)算機(jī)視覺(jué)算法運(yùn)行 DAS 客戶端功能，例如車道偏離警告 （LDW）、基于雷達(dá)視覺(jué)融合的車輛探測(cè)、前部碰撞警告 （FCW）、車距監(jiān)測(cè) （HMW）、行人探測(cè)、智能前燈控制 （IHC）、交通標(biāo)志識(shí)別 （TSR）、僅視覺(jué)自適應(yīng)巡航控制 （ACC） 等。
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      • 超級(jí)本
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