氮化鎵

氮化鎵知識(shí)

• 英飛凌與AWL-Electricity合作,利用氮化鎵半導(dǎo)體優(yōu)化無線充電功率

  全球領(lǐng)先的功率系統(tǒng)與物聯(lián)網(wǎng)半導(dǎo)體供應(yīng)商英飛凌科技股份公司（股票代碼：FSE： IFX， OTCQX： IFNNY）近期宣

  2024-10-22 標(biāo)簽： 英飛凌 半導(dǎo)體 氮化鎵 40 0

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  GaN和SiC功率器件的特性和應(yīng)用

  如今，圍繞第三代半導(dǎo)體的研發(fā)和應(yīng)用日趨火熱。由于具有更大的禁帶寬度、高耐壓、高熱導(dǎo)率、更高的電子飽和速度等特點(diǎn)，第三代半

  2024-10-18 標(biāo)簽： 半導(dǎo)體 SiC 氮化鎵 166 0

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  集成之巔，易用至極！納微發(fā)布全新GaNSlim?氮化鎵功率芯片

  采用納微專利的DPAK-4L封裝的高度集成氮化鎵功率芯片，具有智能化電磁干擾(EMI)控制和無損電流感測(cè)功能，助力打造業(yè)

  2024-10-17 標(biāo)簽： 氮化鎵 功率芯片 納微半導(dǎo)體 434 0

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  原子層鍍膜在功率器件行業(yè)的應(yīng)用

  本文小編分享一篇文章，本文介紹的是原子層鍍膜在功率器件行業(yè)的應(yīng)用，本文介紹了原子層鍍膜技術(shù)在碳化硅功率器件和氮化鎵功率器

  2024-10-15 標(biāo)簽： 功率器件 氮化鎵 鍍膜 135 0

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  功率半導(dǎo)體封裝的趨勢(shì)分析

  隨著電動(dòng)汽車和可再生能源的不斷普及，功率半導(dǎo)體市場(chǎng)正迎來顯著增長(zhǎng)，并在封裝領(lǐng)域發(fā)生巨大變革。封裝的復(fù)雜性逐漸增加，以適應(yīng)

  2024-10-15 標(biāo)簽： 封裝 氮化鎵 功率半導(dǎo)體 92 0

• 氮化鎵襯底晶圓行業(yè)發(fā)展前景分析及市場(chǎng)趨勢(shì)研究報(bào)告

  根據(jù)Global Info Research電子及半導(dǎo)體項(xiàng)目團(tuán)隊(duì)最新調(diào)研，預(yù)計(jì)2030年全球氮化鎵襯底晶圓產(chǎn)值達(dá)到305

  2024-09-24 標(biāo)簽： 半導(dǎo)體 晶圓 氮化鎵 225 0

• 晶通半導(dǎo)體獲6000萬Pre-A輪融資,加速氮化鎵技術(shù)創(chuàng)新

  9月19日，晶通半導(dǎo)體（深圳）有限公司（簡(jiǎn)稱“晶通半導(dǎo)體”）正式宣布完成了總額達(dá)6000萬元人民幣的Pre-A輪融資，本

  2024-09-23 標(biāo)簽： 氮化鎵 驅(qū)動(dòng)芯片 功率半導(dǎo)體 395 0

• 功率氮化鎵進(jìn)入12英寸時(shí)代！

  電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/梁浩斌）提升芯片產(chǎn)能的最顯著方式，就是擴(kuò)大晶圓尺寸，就像硅晶圓從6英寸到8英寸再到如今的12英寸。

  2024-09-23 標(biāo)簽： 功率 氮化鎵 12英寸晶圓 2420 0

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  分立器件在45W氮化鎵快充產(chǎn)品中的應(yīng)用

  如今，以碳化硅、氮化鎵等為代表的第三代半導(dǎo)體新材料得到廣泛應(yīng)用，它們具有更高的導(dǎo)熱率和抗輻射能力，以及更大的電子飽和漂移

  2024-09-12 標(biāo)簽： 分立器件 氮化鎵 STC89C52單片機(jī)語音播報(bào)功能水溫控 309 0

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  英飛凌率先開發(fā)全球首項(xiàng)300 mm氮化鎵功率半導(dǎo)體技術(shù)， 推動(dòng)行業(yè)變革

  2024年9月11日訊，英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）今天宣布，已成功開發(fā)出全

  2024-09-12 標(biāo)簽： 英飛凌 氮化鎵 GaN 971 0

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