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      標(biāo)簽　>　氮化鎵

      氮化鎵

      氮化鎵

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      氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。

      文章：1392個(gè) 瀏覽：115974次 帖子：76個(gè)

      氮化鎵資訊

      英飛凌與AWL-Electricity合作,利用氮化鎵半導(dǎo)體優(yōu)化無(wú)線充電功率

      全球領(lǐng)先的功率系統(tǒng)與物聯(lián)網(wǎng)半導(dǎo)體供應(yīng)商英飛凌科技股份公司（股票代碼：FSE： IFX， OTCQX： IFNNY）近期宣布與加拿大企業(yè)AWL-Elect...

      2024-10-22 標(biāo)簽：英飛凌半導(dǎo)體氮化鎵 130 0

      集成之巔，易用至極！納微發(fā)布全新GaNSlim?氮化鎵功率芯片

      集成之巔，易用至極！納微發(fā)布全新GaNSlim?氮化鎵功率芯片

      采用納微專利的DPAK-4L封裝的高度集成氮化鎵功率芯片，具有智能化電磁干擾(EMI)控制和無(wú)損電流感測(cè)功能，助力打造業(yè)界最快、最小、最高效的解決方案。...

      2024-10-17 標(biāo)簽：氮化鎵功率芯片納微半導(dǎo)體 434 0

      納微半導(dǎo)體發(fā)布GaNSli氮化鎵功率芯片

      近日，納微半導(dǎo)體推出了全新一代高度集成的氮化鎵功率芯片——GaNSlim?。這款芯片憑借卓越的集成度和出色的散熱性能，在手機(jī)和筆記本電腦充電器、電視電源...

      2024-10-17 標(biāo)簽：氮化鎵功率芯片納微半導(dǎo)體 131 0

      有獎(jiǎng)直播 | 羅姆氮化鎵電源技術(shù)開(kāi)創(chuàng)高效小型化未來(lái)

      有獎(jiǎng)直播 | 羅姆氮化鎵電源技術(shù)開(kāi)創(chuàng)高效小型化未來(lái)

      ROHM擁有多年電源產(chǎn)品研發(fā)經(jīng)驗(yàn)，近年更以寬能隙半導(dǎo)體GaN產(chǎn)品線，提供客戶中低壓功率組件更多的選擇。超低導(dǎo)通電阻加上優(yōu)異的高速開(kāi)關(guān)性能，絕對(duì)值得您深入了解。

      2024-10-16 標(biāo)簽：電源氮化鎵羅姆半導(dǎo)體 89 0

      科雅X2安規(guī)電容用于良工67W氮化鎵快充插座

      良工（lengon）是浙江寧波良工電器有限公司旗下電氣品牌，始創(chuàng)于1990年，其產(chǎn)品主要包括電源插座、轉(zhuǎn)換器、墻壁開(kāi)關(guān)等。

      2024-09-30 標(biāo)簽：轉(zhuǎn)換器氮化鎵快充 283 0

      氮化鎵襯底晶圓行業(yè)發(fā)展前景分析及市場(chǎng)趨勢(shì)研究報(bào)告

      根據(jù)Global Info Research電子及半導(dǎo)體項(xiàng)目團(tuán)隊(duì)最新調(diào)研，預(yù)計(jì)2030年全球氮化鎵襯底晶圓產(chǎn)值達(dá)到305百萬(wàn)美元，2024-2030年期...

      2024-09-24 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓氮化鎵 226 0

      晶通半導(dǎo)體獲6000萬(wàn)Pre-A輪融資,加速氮化鎵技術(shù)創(chuàng)新

      9月19日，晶通半導(dǎo)體（深圳）有限公司（簡(jiǎn)稱“晶通半導(dǎo)體”）正式宣布完成了總額達(dá)6000萬(wàn)元人民幣的Pre-A輪融資，本輪融資吸引了賽富投資基金、知名天...

      2024-09-23 標(biāo)簽：氮化鎵驅(qū)動(dòng)芯片功率半導(dǎo)體 396 0

      功率氮化鎵進(jìn)入12英寸時(shí)代！

      電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/梁浩斌）提升芯片產(chǎn)能的最顯著方式，就是擴(kuò)大晶圓尺寸，就像硅晶圓從6英寸到8英寸再到如今的12英寸。雖然在12英寸之后，繼續(xù)擴(kuò)大晶圓...

      2024-09-23 標(biāo)簽：功率氮化鎵12英寸晶圓 2422 0

      碳化硅 （SiC） 與氮化鎵 （GaN）應(yīng)用 | 氮化硼高導(dǎo)熱絕緣片

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      SiC和GaN被稱為“寬帶隙半導(dǎo)體”(WBG)。由于使用的生產(chǎn)工藝，WBG設(shè)備顯示出以下優(yōu)點(diǎn)：1.寬帶隙半導(dǎo)體氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）在帶隙和...

      2024-09-16 標(biāo)簽：SiC氮化鎵GaN 247 0

      英飛凌率先開(kāi)發(fā)全球首項(xiàng)300mm氮化鎵功率半導(dǎo)體技術(shù)，推動(dòng)行業(yè)變革

      英飛凌率先開(kāi)發(fā)全球首項(xiàng)300mm氮化鎵功率半導(dǎo)體技術(shù)，推動(dòng)行業(yè)變革

      ●憑借這一突破性的300mmGaN技術(shù)，英飛凌將推動(dòng)GaN市場(chǎng)快速增長(zhǎng)●利用現(xiàn)有的大規(guī)模300mm硅制造設(shè)施，英飛凌將最大化GaN生產(chǎn)的資本效率●300...

      2024-09-13 標(biāo)簽：英飛凌半導(dǎo)體氮化鎵 295 0

      英飛凌率先開(kāi)發(fā)全球首項(xiàng)300 mm氮化鎵功率半導(dǎo)體技術(shù)， 推動(dòng)行業(yè)變革

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      2024年9月11日訊，英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）今天宣布，已成功開(kāi)發(fā)出全球首項(xiàng)300 mm氮化鎵（GaN...

      2024-09-12 標(biāo)簽：英飛凌氮化鎵GaN 971 0

      40W雙C口氮化鎵快充方案助力Iphone16系列順利發(fā)售！

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      誠(chéng)芯微多款合封氮化鎵方案齊上陣，涵蓋20W、30W、45W、65W、100W等多功率段。一顆合封氮化鎵芯片可輕松取代初級(jí)側(cè)兩到三顆芯片的功能，通過(guò)高集成...

      2024-09-10 標(biāo)簽：iPhone氮化鎵快充 281 0

      兩位IEEE Fellow授課│第三代半導(dǎo)體器件技術(shù)與應(yīng)用高級(jí)研修班10月上海開(kāi)班

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      來(lái)源：內(nèi)容來(lái)自中國(guó)電源學(xué)會(huì)01組織機(jī)構(gòu)主辦單位：中國(guó)電源學(xué)會(huì)承辦單位：中國(guó)電源學(xué)會(huì)科普工作委員會(huì)、英飛凌-上海海事大學(xué)功率器件應(yīng)用培訓(xùn)和實(shí)驗(yàn)中心、上海臨...

      2024-09-04 標(biāo)簽：電力電子氮化鎵半導(dǎo)體器件 251 0

      基于氮化鎵的電源芯片U8722BAS具有更低成本效益

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      基于氮化鎵的電源芯片U8722BAS具有更低成本效益GaN是一種改變我們的生活方式，應(yīng)用前景廣泛的特新材料。氮化鎵技術(shù)正在提供更快的開(kāi)關(guān)速度、更小的尺寸...

      2024-08-30 標(biāo)簽：氮化鎵GaN電源芯片 246 0

      買家現(xiàn)身！這家氮化鎵晶圓代工廠收到10億元競(jìng)標(biāo)

      來(lái)源：集邦化合物半導(dǎo)體 7月底，總部位于比利時(shí)奧德納爾德（Oudenaarde, Belgium）的硅基GaN（氮化鎵）晶圓代工廠宣布申請(qǐng)破產(chǎn)，近日傳出...

      2024-08-29 標(biāo)簽：晶圓代工廠氮化鎵 275 0

      氮化鎵(GaN)功率半導(dǎo)體市場(chǎng)風(fēng)起云涌,引領(lǐng)技術(shù)革新與產(chǎn)業(yè)升級(jí)

      自去年以來(lái)，氮化鎵（GaN）功率半導(dǎo)體市場(chǎng)持續(xù)升溫，成為半導(dǎo)體行業(yè)的焦點(diǎn)。英飛凌、瑞薩電子、格芯等業(yè)界巨頭紛紛通過(guò)并購(gòu)GaN技術(shù)公司，加速在這一領(lǐng)域的布...

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      芯干線科技CEO說(shuō)氮化鎵

      氮化鎵是一種由氮和鎵結(jié)合而來(lái)的化合物，其中氮在元素周期表排序第7位，鎵排序第31位，7月31日世界氮化鎵日因此得名，同時(shí)也以英文名GaN Day傳播到全...

      2024-08-21 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件氮化鎵 356 0

      芯干線科技出席第三代半導(dǎo)體技術(shù)與產(chǎn)業(yè)鏈創(chuàng)新發(fā)展論壇

      火熱的7月，火熱的慕尼黑上海電子展(electronica China)！2024年7月8日至9日，備受矚目的"第三代半導(dǎo)體技術(shù)與產(chǎn)業(yè)鏈創(chuàng)新發(fā)...

      2024-08-21 標(biāo)簽：半導(dǎo)體氮化鎵功率半導(dǎo)體 364 0

      GaN技術(shù)引領(lǐng)功率電子產(chǎn)業(yè)新風(fēng)潮，預(yù)估2030年市場(chǎng)規(guī)模將突破43億美元

      GaN技術(shù)引領(lǐng)功率電子產(chǎn)業(yè)新風(fēng)潮，預(yù)估2030年市場(chǎng)規(guī)模將突破43億美元

      隨著全球?qū)Ω咝茈娏鉀Q方案的需求日益增加，氮化鎵(GaN)技術(shù)正在成為功率電子產(chǎn)業(yè)的一大亮點(diǎn)。近期，英飛凌和德州儀器等行業(yè)巨頭對(duì)GaN技術(shù)的投入不斷加...

      2024-08-15 標(biāo)簽：氮化鎵GaN功率電子 330 0

      10月30-31日重磅來(lái)襲丨CS China常州會(huì)議精彩劇透！匯聚頂流技術(shù)大咖，聚焦行業(yè)前沿風(fēng)向！

      化合物半導(dǎo)體是我國(guó)重構(gòu)全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)競(jìng)爭(zhēng)格局的重要突破口！隨著競(jìng)爭(zhēng)的加劇，化合物半導(dǎo)體材料進(jìn)入技術(shù)創(chuàng)新爆發(fā)期，各種新技術(shù)、新產(chǎn)品層出不窮。氮化鎵、碳化硅...

      2024-08-10 標(biāo)簽：半導(dǎo)體氮化鎵化合物半導(dǎo)體 900 0

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        深圳市大疆創(chuàng)新科技有限公司成立于 2006 年，如今已發(fā)展成為空間智能時(shí)代的技術(shù)、影像和教育方案引領(lǐng)者。成立十四年間，大疆創(chuàng)新的業(yè)務(wù)從無(wú)人機(jī)系統(tǒng)拓展至多元化產(chǎn)品體系，在無(wú)人機(jī)、手持影像系統(tǒng)、機(jī)器人教育等多個(gè)領(lǐng)域成為全球領(lǐng)先的品牌。
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        波音
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        空客
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        空客更加舒適安全，因?yàn)榭湛捅ｋU(xiǎn)和飛機(jī)材料都是比較齊全和高質(zhì)量的?？湛偷臋C(jī)翼設(shè)計(jì)水平是比較高的，飄降能力較強(qiáng)，大量采用復(fù)合材料，飛機(jī)重量減輕，燃油消耗降低，但同時(shí)復(fù)合材料導(dǎo)電能力差，在云中容易遭受電擊
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        電動(dòng)飛機(jī)是由供電的飛機(jī)電力經(jīng)由一個(gè)或螺旋槳驅(qū)動(dòng)多個(gè)電動(dòng)馬達(dá)，電力可以通過(guò)多種方法提供，常見(jiàn)的有燃料電池、太陽(yáng)能電池、超級(jí)電容器等。
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        工業(yè)級(jí)無(wú)人機(jī)主要用于農(nóng)林植保、物流、安保巡防以及油氣開(kāi)采等眾多行業(yè)，用戶更注重?zé)o人機(jī)數(shù)據(jù)采集的精準(zhǔn)化，以及在此基礎(chǔ)上形成的資源分析與利用價(jià)值。
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        植保無(wú)人機(jī)，又名無(wú)人飛行器，顧名思義是用于農(nóng)林植物保護(hù)作業(yè)的無(wú)人駕駛飛機(jī)，該型無(wú)人飛機(jī)由飛行平臺(tái)（固定翼、直升機(jī)、多軸飛行器）、導(dǎo)航飛控、噴灑機(jī)構(gòu)三部分組成，通過(guò)地面遙控或?qū)Ш斤w控，來(lái)實(shí)現(xiàn)噴灑作業(yè)，可以噴灑藥劑、種子、粉劑等。
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      數(shù)字隔離器 ESD 保護(hù) 收發(fā)器 橋接器 多路復(fù)用器 氮化鎵 PFC 數(shù)字電源
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