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EUV光刻技術 - 即將在芯片上繪制微小特征的下一代技術 – 原來是預計在2012年左右投產(chǎn)。但是幾年過去了,EUV已經(jīng)遇到了一些延遲,將技術從一個節(jié)點推向下一個階段,本單元詳細介紹了EUV光刻機,EUV光刻機技術的技術應用,EUV光刻機的技術、市場問題,國產(chǎn)euv光刻機發(fā)展等內(nèi)容。
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DUV是深紫外線(Deep Ultraviolet Lithography),EUV是極深紫外線(Extreme Ultraviolet Lithogr...
光掩模可以被認為是芯片的模板。光掩模用電子束圖案化并放置在光刻工具內(nèi)。然后,光掩??梢晕栈蛏⑸涔庾樱蛟试S它們穿過晶圓。這就是在晶圓上創(chuàng)建圖案的原因。
追求更小的 DRAM 單元尺寸(cell size)仍然很活躍并且正在進行中。對于 D12 節(jié)點,DRAM 單元尺寸預計接近 0.0013 um2。無...
目前主力出貨的TWINSCAN NXE: 3600D套刻精度為1.1nm,曝光速度30 mJ/cm2,每小時曝光160片晶圓,年產(chǎn)量為140萬片。
實現(xiàn)3nm以下微縮的關鍵技術之一涉及在芯片背面提供功率。這種新穎的方法增強了信號完整性并減少了路由擁塞,但它也帶來了一些新的挑戰(zhàn),目前還沒有簡單的解決方案。
該專利提供一種光刻裝置,該光刻裝置通過不斷改變相干光形成的干涉圖樣,使得照明視場在曝光時間內(nèi)的累積光強均勻化,從而達到勻光的目的,進而也就解決了相關技術...
該照明系統(tǒng)3包括視場復眼鏡31(field flyeye mirror,F(xiàn)FM)、光闌復眼鏡 32(diaphragm flyeye mirror,PF...
2022-11-21 標簽:照明系統(tǒng)光刻極紫外光刻 862 0
光刻是半導體工業(yè)的核心技術。自1960年Fairchild Semiconductor的羅伯特·諾伊斯發(fā)明單片集成電路以來,光刻一直是主要的光刻技術。
光刻是半導體工藝中最關鍵的步驟之一。EUV是當今半導體行業(yè)最熱門的關鍵詞,也是光刻技術。為了更好地理解 EUV 是什么,讓我們仔細看看光刻技術。
EUV 光刻是以波長為 10-14nm 的極紫外光作為光源的芯片光刻技術,簡單來說,就是以極紫外光作“刀”,對芯片上的晶圓進行雕刻,讓芯片上的電路變成人...
隨著光刻膠層變得更薄,整體光刻膠的特性變得不那么重要,并且光刻膠(暴露與否)與顯影劑和底層之間的界面變得更加重要。
EUV光刻技術出現(xiàn)新的挑戰(zhàn):3nm節(jié)點的金屬間距約為22nm
22 nm 節(jié)距quasar illumination的較小部分使得最低衍射級避免了遮擋可以安全使用,但填充的pupil不到 20%,這再次意味著額外的...
英特爾自己的工程師說,即使他們自己有時也很難記住哪個+變體具有特定的更新,或者哪個產(chǎn)品建立在哪個+節(jié)點上,這個消息也許能讓你心情好上一些。
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