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標(biāo)簽 > euv
EUV光刻技術(shù) - 即將在芯片上繪制微小特征的下一代技術(shù) – 原來(lái)是預(yù)計(jì)在2012年左右投產(chǎn)。但是幾年過(guò)去了,EUV已經(jīng)遇到了一些延遲,將技術(shù)從一個(gè)節(jié)點(diǎn)推向下一個(gè)階段,本單元詳細(xì)介紹了EUV光刻機(jī),EUV光刻機(jī)技術(shù)的技術(shù)應(yīng)用,EUV光刻機(jī)的技術(shù)、市場(chǎng)問(wèn)題,國(guó)產(chǎn)euv光刻機(jī)發(fā)展等內(nèi)容。
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EUV光刻膠需要具有足夠的耐刻蝕性,以便在后續(xù)的刻蝕過(guò)程中保護(hù)圖案。為了提高耐刻蝕性,研究人員正在開(kāi)發(fā)新型刻蝕抑制劑和交聯(lián)劑,以增強(qiáng)光刻膠的結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性。
上海伯東客戶(hù)日本某生產(chǎn)半導(dǎo)體用光刻機(jī)公司, 光刻機(jī)真空度需要達(dá)到 1x10-11 pa 的超高真空, 因?yàn)樵O(shè)備整體較大, 需要對(duì)構(gòu)成光刻機(jī)的真空相關(guān)部件...
2023-06-02 標(biāo)簽:EUVEUV光刻機(jī)氦質(zhì)譜檢漏儀 691 0
高數(shù)值孔徑EUV光刻:引領(lǐng)下一代芯片制造的革命性技術(shù)
摩爾定律是指在給定面積的硅片上,晶體管的數(shù)量大約每?jī)赡攴环?,這種增益推動(dòng)了計(jì)算技術(shù)的發(fā)展。在過(guò)去半個(gè)世紀(jì)里,我們將該定律視為一種類(lèi)似進(jìn)化或衰老的不可避...
光學(xué)光刻技術(shù)有哪些分類(lèi) 光刻技術(shù)的原理
光學(xué)光刻是通過(guò)廣德照射用投影方法將掩模上的大規(guī)模集成電路器件的結(jié)構(gòu)圖形畫(huà)在涂有光刻膠的硅片上,通過(guò)光的照射,光刻膠的成分發(fā)生化學(xué)反應(yīng),從而生成電路圖。限...
EUV光刻膠開(kāi)發(fā)面臨哪些挑戰(zhàn)?
EUV光刻膠材料是光敏物質(zhì),當(dāng)受到EUV光子照射時(shí)會(huì)發(fā)生化學(xué)變化。這些材料在解決半導(dǎo)體制造中的各種挑戰(zhàn)方面發(fā)揮著關(guān)鍵作用,包括提高靈敏度、控制分辨率、減...
2023-09-11 標(biāo)簽:顯示器car半導(dǎo)體制造 674 0
采用曲線掩模的另一個(gè)挑戰(zhàn)是需要將兩個(gè)掩??p合在一起以在晶圓上形成完整的圖像。對(duì)于高數(shù)值孔徑 EUV,半場(chǎng)掩模的拼接誤差是一個(gè)主要問(wèn)題。
光刻膠國(guó)內(nèi)市場(chǎng)及國(guó)產(chǎn)化率詳解
KrF光刻膠是指利用248nm KrF光源進(jìn)行光刻的光刻膠。248nmKrF光刻技術(shù)已廣 泛應(yīng)用于0.13μm工藝的生產(chǎn)中,主要應(yīng)用于150 , 200...
追求更小的 DRAM 單元尺寸(cell size)仍然很活躍并且正在進(jìn)行中。對(duì)于 D12 節(jié)點(diǎn),DRAM 單元尺寸預(yù)計(jì)接近 0.0013 um2。無(wú)...
今年的大部分討論都集中在 EUV 的下一步發(fā)展以及高數(shù)值孔徑 EUV 的時(shí)間表和技術(shù)要求上。ASML戰(zhàn)略營(yíng)銷(xiāo)高級(jí)總監(jiān)Michael Lercel表示,目...
EUV微影技術(shù)的落實(shí)延續(xù)了摩爾定律的壽命,這里的EUV指的其實(shí)是一種紫外光源,跟過(guò)去光刻技術(shù)所采用的光源比起來(lái),EUV的波長(zhǎng)更短,因此有助于大幅提高分辨率。
極紫外光刻隨機(jī)效應(yīng)的表現(xiàn)及產(chǎn)生原因
極紫外光刻的制約因素 耗電量高極紫外線波長(zhǎng)更短,但易被吸收,可利用率極低,需要光源提供足夠大的功率。如ASML 3400B光刻機(jī),250W的功...
光刻技術(shù)的發(fā)展如何彎道超車(chē)或者換道超車(chē)
三十年來(lái),半導(dǎo)體掩模技術(shù)基本保持不變,掩模的制作是在可變成形機(jī)上進(jìn)行的,這些機(jī)器將可變?cè)拗圃?45 度角。隨著功能縮小并變得更加復(fù)雜,電子束和多束掩...
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