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使用GaAs工藝設(shè)計(jì)過(guò)邏輯電路的人大概率都遇到過(guò)各種各樣奇奇怪怪的收斂性問(wèn)題,比如一個(gè)+5V供電的電路竟然出現(xiàn)了幾十上百伏的節(jié)點(diǎn)電壓;又比如一個(gè)反相器T...
ADS調(diào)用spectre網(wǎng)表仿真異?!Χㄖ@的NetlistInclude
ADS是支持調(diào)用spice/spectre等網(wǎng)表文件進(jìn)行仿真的,可以用NetlistInclude控件來(lái)進(jìn)行調(diào)用。
2024-03-07 標(biāo)簽:MOS管芯片設(shè)計(jì)晶體管 1850 0
磁強(qiáng)計(jì)是如何定義的?磁強(qiáng)計(jì)有哪些分類?
磁強(qiáng)計(jì)(Magnetic Field Sensor)也稱磁場(chǎng)傳感器(Magnetometer),是一種測(cè)量環(huán)境磁感應(yīng)強(qiáng)度與方向的傳感器。
提高激光器的抗COD能力—無(wú)雜質(zhì)空位誘導(dǎo)混合技術(shù)
為了提高激光器的抗COD能力,常用的一個(gè)手段是無(wú)雜質(zhì)空位誘導(dǎo)混合技術(shù),該方法主要是簡(jiǎn)單。
靶材的種類及制備工藝 靶材在半導(dǎo)體領(lǐng)域的應(yīng)用
選擇合適的靶材在半導(dǎo)體工藝中十分重要。
2023-12-28 標(biāo)簽:半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管GaAs 1193 0
非均勻GaAs/AlGaAs量子阱紅外探測(cè)器材料表征和器件性能研究
量子阱紅外探測(cè)器基于子帶躍遷的工作原理,探測(cè)器吸收紅外輻射后激發(fā)量子阱中的電子,使其從基態(tài)躍遷到連續(xù)態(tài)中,從而實(shí)現(xiàn)紅外探測(cè)。
焊料體系對(duì)高功率半導(dǎo)體激光器性能有哪些影響呢?
Au80Sn20焊料共晶溫度280℃,溫度較低,易于芯片燒結(jié)。 Au80Sn20最終態(tài)為Au、AuSn和Au5Sn。
半導(dǎo)體行業(yè)之半導(dǎo)體材料特性(七)
盡管有這些優(yōu)點(diǎn),但是砷化鎵材料仍不能取代硅材料進(jìn)而變成主流的半導(dǎo)體材料。原因在于我們必須要在實(shí)際的材料性能和加工難度這兩個(gè)關(guān)鍵因素之間進(jìn)行權(quán)衡。
脊型GaAs基LD激光芯片工藝過(guò)程簡(jiǎn)述
但是里面也有幾個(gè)關(guān)鍵的工藝參數(shù)需要控制的。同樣Etch GaAs也可以用ICP干法刻蝕的工藝,比濕法工藝效果要好些,側(cè)壁也垂直很多。
在IOT設(shè)備中,基于全宅聯(lián)控的需求,萬(wàn)能紅外遙控器也涌現(xiàn)出各種不同的產(chǎn)品形態(tài)。一個(gè)好的萬(wàn)能遙控器要求覆蓋距離遠(yuǎn)、范圍廣,而且操作成功率也要高!
微波GaAs功率芯片AuSn共晶焊接微觀組織結(jié)構(gòu)研究
摘要:文中采用Au80Sn20共晶焊料對(duì)GaAs功率芯片與MoCu基板進(jìn)行焊接,分析了焊接溫度、摩擦次數(shù)等工藝參數(shù)對(duì)共晶焊接的影響,給出了GaAs芯片共...
該電路采用IC (MAX971),包括漏極開(kāi)路比較器和精密1%電壓基準(zhǔn),監(jiān)測(cè)負(fù)電源電壓的大小,并提供故障情況的數(shù)字警告。如需監(jiān)測(cè)多個(gè)負(fù)電壓,請(qǐng)使用MAX...
可編程線性霍爾效應(yīng)集成電路(霍爾IC)-GS302
GS302通過(guò)磁場(chǎng)強(qiáng)度的變化,輸出等比例霍爾電勢(shì),從而感知電流及線性位移,廣泛用于電流傳感器、線性馬達(dá)等。
作為自動(dòng)駕駛所需的LiDAR等3D傳感技術(shù)的光源,半導(dǎo)體激光器的市場(chǎng)變得活躍起來(lái)。其中之一是具有小型化、節(jié)能等優(yōu)點(diǎn)的VCSEL(Vertical Cav...
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