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gan技術

GaN和SiC功率器件的特性和應用

如今，圍繞第三代半導體的研發(fā)和應用日趨火熱。由于具有更大的禁帶寬度、高耐壓、高熱導率、更高的電子飽和速度等特點，第三代半導體材料能夠滿足未來電子產(chǎn)品在高...

2024-10-18 標簽：半導體 SiC 氮化鎵 169 0

WBG 器件給柵極驅(qū)動器電源帶來的挑戰(zhàn)

碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN) 器件的柵極驅(qū)動器電源必須滿足這些寬帶隙半導體的獨特偏置要求。本文將討論在 SiC 和 GaN 應用中設計柵極驅(qū)...

2024-09-27 標簽：驅(qū)動器 SiC GaN 684 0

CoolGaN和增強型GaN區(qū)別是什么

CoolGaN和增強型GaN（通常指的是增強型高電子遷移率晶體管，即e-mode HEMT）在概念上有所重疊，但具體來說，它們之間的區(qū)別主要體現(xiàn)在以下幾...

2024-09-07 標簽：晶體管功率器件 GaN 307 0

基于AC驅(qū)動的電容結構GaN LED模型開發(fā)和應用

隨著芯片尺寸減小，微小尺寸GaN 基 Micro LED 顯示面臨著顯示與驅(qū)動高密度集成的難題，傳統(tǒng)直流(DC)驅(qū)動技術會導致結溫上升，降低器件壽命。

2024-09-07 標簽：半導體電容 GaN 195 0

650V氮化鎵芯片U8722AH的工作原理

針對寬輸出電壓應用場合，為了滿足VDD的寬電壓應用需求，往往需要添加額外的電路或者輔助繞組，導致系統(tǒng)功耗和電路成本的增加。氮化鎵芯片U8722AH集成了...

2024-09-06 標簽：芯片氮化鎵 GaN 358 0

GaN和SiC在工業(yè)電子領域的優(yōu)勢

提高工業(yè)能源效率是制造業(yè)關鍵趨勢，聚焦于優(yōu)化電力電子設備。MOSFET作為主流電子元件，雖控制高效但壽命短、對過載敏感。新材料如氮化鎵與碳化硅的出現(xiàn)，通...

2024-08-30 標簽：MOSFET SiC GaN 237 0

芯朋微電子新一代20-65W GaN快充方案

本期，芯朋微技術團隊為各位粉絲分享新一代20-65W GaN快充方案，該方案集當前行業(yè)最新控制技術、器件技術、功率封裝技術之大成，進一步優(yōu)化快充方案的待...

2024-08-28 標簽：變壓器 GaN 芯朋微 1070 0

GaN FET(場效應晶體管)中集成電流傳感的優(yōu)勢

本文重點介紹了一項新發(fā)展：將電流傳感(CS)直接集成到采用PDFN封裝的氮化鎵(GaN)場效應晶體管(FET)中，且無需外部供電。我們將深入探討這一解決...

2024-08-23 標簽：傳感器場效應晶體管 GaN 180 0

#參考設計#（900 V PowiGaN 開關）的 60 W 隔離反激式適配器

使用 InnoSwitch3-EP（900 V PowiGaN 開關）的 60 W 隔離反激式適配器 *附件：DER-982 60W 12V5A 90-...

2024-08-22 標簽：GaN POWI 隔離反激式適配器 7585 0

簡述開關電源芯片U8608的工作原理

開關電源芯片U8608集成高壓E-Mode GaN FET，為了保障GaN FET工作的可靠性和高系統(tǒng)效率，芯片內(nèi)置了高精度、高可靠性的驅(qū)動電路，驅(qū)動電...

2024-08-21 標簽：FET GaN 開關電源芯片 692 0

gan帖子

STDRIVEG600驅(qū)動GAN逆變器,在某一拍出現(xiàn)控制信號丟失，導致電機電流跌落的原因？

標簽：逆變器 GaN 5486 1

基于GaN HEMT的半橋LLC優(yōu)化設計和損耗分析

標簽：GaN LLC 1026 0

基于VIPerGaN50和STUSB4761的45W QR USB PD適配器參考設計

標簽：適配器 GaN 266 0

ST GaN產(chǎn)品創(chuàng)新型快速充電器解決方案

標簽：GaN 快速充電器 278 0

STDRIVEG600 GaN半橋驅(qū)動器

標簽：GaN 半橋驅(qū)動器 288 0

電機控制和電源管理的基準效率

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GaN器件在Class D上的應用優(yōu)勢

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突破氮化鎵功率半導體的速度限制

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GaN功率半導體與高頻生態(tài)系統(tǒng)

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GaN在單片功率集成電路中的工業(yè)應用分析

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利用LMG1210實現(xiàn)GaN半橋設計的散熱和功耗降低立即下載

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如何使用UCC21220A驅(qū)動高壓GaN FET立即下載

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GaN有體二極管嗎?了解GaN的第三象限運行立即下載

類別：電子資料 2024-09-19 標簽：二極管損耗 GaN 115 0

GaN如何實現(xiàn)更高效、更緊湊的電源立即下載

類別：電子資料 2024-09-12 標簽：電源 GaN 72 0

GaN-FET的關鍵參數(shù)和驅(qū)動要求立即下載

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類別：電子資料 2024-09-12 標簽：GaN 63 0

GaN驅(qū)動器原理圖和布局建議立即下載

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類別：IC中文資料 2024-09-04 標簽：MOSFET 控制器 GaN 263 0

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華碩ROG Thor III PSU:1600W額定功率,配備磁性OLED顯示屏

華碩推出了全新的旗艦級PC電源系列——ROG Thor III PSU系列，該系列包括1000W、1200W和1600W三種不同容量的型號。這些電源均采...

2024-10-22 標簽：電源華碩 PC 23 0

遠山半導體投資15億建3條芯片線

近日，GaN行業(yè)迎來了一項重要突破，一家名為遠山半導體的企業(yè)宣布成功研發(fā)出新一代高壓氮化鎵功率器件，其電壓等級高達3300V。這一消息于10月18日由“...

2024-10-22 標簽：芯片 GaN 42 0

方正微電子:2025年車規(guī)SiC MOS年產(chǎn)能將達16.8萬片

10月16日，方正微電子宣布，作為第三代半導體領域的IDM（集成設備制造）企業(yè)，公司現(xiàn)擁有兩個生產(chǎn)基地（fab）。其中，F(xiàn)ab1已實現(xiàn)每月9000片6英...

2024-10-16 標簽：MOS SiC GaN 335 0

羅姆宣布全面委托臺積電代工GaN產(chǎn)品

近日，日本功率器件大廠羅姆半導體（ROHM）宣布了一項重要決策，將在GaN功率半導體領域加強與臺積電的合作。據(jù)悉，羅姆將全面委托臺積電代工生產(chǎn)GaN功率...

2024-10-10 標簽：功率器件 GaN 羅姆 354 0

SiC和GaN：新一代半導體能否實現(xiàn)長期可靠性?

近年來，電力電子應用中硅向碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)的轉(zhuǎn)變越來越明顯。在過去的十年中，SiC和GaN半導體成為了推動電氣化和強大未來的重要力量。...

2024-10-09 標簽：半導體 SiC GaN 177 0

功率半導體各品類及下游應用市場空間分析

功率半導體發(fā)展過程中，20世紀50年代，功率二極管、功率三極管面世并應用于工業(yè)和電力系統(tǒng)。20世紀60-70年代，晶閘管等半導體功率器件快速發(fā)展。20世...

2024-09-27 標簽：SiC GaN 功率半導體 306 0

基于GaN參考設計的1.6kW雙向微型逆變器

參考設計展示了一款具有儲能能力的四輸入雙向1.6kW GaN基微型逆變器。 *附件：原理圖.zip *附件：BOM.zip *附件：Gerber.zip...

2024-09-19 標簽：GaN 微型逆變器雙向微型逆變器 5243 0

碳化硅（SiC）與氮化鎵（GaN）應用 | 氮化硼高導熱絕緣片

SiC和GaN被稱為“寬帶隙半導體”(WBG)。由于使用的生產(chǎn)工藝，WBG設備顯示出以下優(yōu)點：1.寬帶隙半導體氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）在帶隙和...

2024-09-16 標簽：SiC 氮化鎵 GaN 247 0

三菱電機發(fā)布用于5G massive MIMO基站的16W GaN PAM

三菱電機集團近日宣布，開始為5G massive MIMO*1（mMIMO）基站提供新型16W平均功率氮化鎵（GaN）功率放大器模塊（PAM）的樣品。P...

2024-09-13 標簽：功率放大器三菱電機 GaN 449 0

今日看點丨龍芯中科下一代八核3B6600 CPU明年流片；英飛凌推出全球首創(chuàng)12英寸GaN晶圓技術

1. 英飛凌推出全球首創(chuàng)12 英寸GaN 晶圓技術 ? 英飛凌日前表示，公司已能夠在12英寸（300mm）晶圓上生產(chǎn)GaN芯片，該技術為世界首創(chuàng)，希望滿...

2024-09-12 標簽：英飛凌 cpu GaN 760 1

gan數(shù)據(jù)手冊

型號	描述	數(shù)據(jù)手冊	參考價格
GS61008P-MR	增強型硅基氮化鎵功率晶體管 VDS=100V ID=90A MODULE_7.55X4.59MM_SM		獲取價格

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