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標(biāo)簽 > hbm
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在現(xiàn)代芯片封裝技術(shù)中,"bump" 和 “micro bump” 是用于不同封裝類型的關(guān)鍵組件,尤其在3D集成技術(shù)中起到至關(guān)重要的作...
眾所周知,數(shù)據(jù)處理需求呈指數(shù)級增長,芯片技術(shù)正奮力攀登至性能極限的巔峰。高帶寬內(nèi)存(HBM)以其開創(chuàng)性的內(nèi)存堆疊技術(shù)獨占鰲頭,導(dǎo)致其容量需求激增;而傳統(tǒng)...
2024-09-23 標(biāo)簽:內(nèi)存數(shù)據(jù)中心HBM 563 0
芯樸科技所有5G n77 n77/79 PAMiF LFEM 天線口內(nèi)置IEC ESD保護(hù)電路設(shè)計,無需外加額外ESD保護(hù)電路情況下,都通過 IEC E...
2024-04-24 標(biāo)簽:寄生電容電磁感應(yīng)ESD保護(hù)電路 1027 0
一文詳解基于以太網(wǎng)的GPU Scale-UP網(wǎng)絡(luò)
最近Intel Gaudi-3的發(fā)布,基于RoCE的Scale-UP互聯(lián),再加上Jim Keller也在談用以太網(wǎng)替代NVLink。
如何打破內(nèi)存限制融合HBM與DDR5創(chuàng)新
正如我們在最初涉足Celestial的產(chǎn)品戰(zhàn)略時所討論的那樣,該公司的零件分為三大類:小芯片、中介層和英特爾EMIB或臺積電CoWoS的光學(xué)旋轉(zhuǎn),稱為OMIB。
B100將采用雙Die架構(gòu)。如果采用異構(gòu)Die合封方式,封裝基板面積將小于當(dāng)前先進(jìn)封裝4倍Reticle面積的約束。而如果采用計算Die和IO Die分...
什么是HBM3E內(nèi)存?Rambus HBM3E/3內(nèi)存控制器內(nèi)核
Rambus HBM3E/3 內(nèi)存控制器內(nèi)核針對高帶寬和低延遲進(jìn)行了優(yōu)化,以緊湊的外形和高能效的封裝為人工智能訓(xùn)練提供了最大的性能和靈活性。
HBM:突破AI算力內(nèi)存瓶頸,技術(shù)迭代引領(lǐng)高性能存儲新紀(jì)元
HBM制造集成前道工藝與先進(jìn)封裝,TSV、EMC、鍵合工藝是關(guān)鍵。HBM制造的關(guān)鍵在于TSV DRAM,以及每層TSV DRAM之間的連接方式。
重鑄AI云紀(jì)元:助力超大模型運(yùn)行的GPU集群
正如GigaIO全球銷售首席技術(shù)官M(fèi)att Demas在接受采訪時所說:"我們利用我們的SuperNODE為TensorWave創(chuàng)建了一個大型...
隨著信息技術(shù)的飛速發(fā)展,數(shù)據(jù)存儲和處理能力成為科技進(jìn)步的關(guān)鍵。在這種背景下,高帶寬內(nèi)存(High-Bandwidth Memory,簡稱HBM)應(yīng)運(yùn)而生...
大模型時代必備存儲之HBM進(jìn)入汽車領(lǐng)域
大模型時代AI芯片必備HBM內(nèi)存已是業(yè)內(nèi)共識,存儲帶寬也成為AI芯片僅次于算力的第二關(guān)健指標(biāo),甚至某些場合超越算力,是最關(guān)鍵的性能指標(biāo),而汽車行業(yè)也開始...
芯片制造商正在使用更多的DRAM。在某些情況下,DRAM——尤其是高帶寬存儲器(HBM)——正在取代一些SRAM。DRAM在耐用性方面有著良好的記錄,也...
2023-11-22 標(biāo)簽:DRAMSRAM數(shù)據(jù)中心 905 0
半導(dǎo)體封裝的四個主要作用,包括機(jī)械保護(hù)、電氣連接、機(jī)械連接和散熱。封裝的形狀和尺寸各異,保護(hù)和連接脆弱集成電路的方法也各不相同。
2023-11-20 標(biāo)簽:晶圓半導(dǎo)體封裝WLCSP封裝 1.2萬 0
HBM技術(shù)是一種基于3D堆疊工藝的高性能DRAM,它可以為高性能計算、人工智能、數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域提供高帶寬、高容量、低延遲和低功耗的存儲解決方案。本文將介...
2023-11-09 標(biāo)簽:DRAM數(shù)據(jù)傳輸HBM 1.4萬 0
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