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標(biāo)簽 > MOSFET
簡(jiǎn)稱(chēng)金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類(lèi)型,通常又稱(chēng)為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱(chēng)尚包括NMOS、PMOS等。
金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管,簡(jiǎn)稱(chēng)金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類(lèi)型,通常又稱(chēng)為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱(chēng)尚包括NMOS、PMOS等。
除了傳統(tǒng)上應(yīng)用于諸如微處理器、微控制器等數(shù)位信號(hào)處理的場(chǎng)合上,也有越來(lái)越多模擬信號(hào)處理的集成電路可以用MOSFET來(lái)實(shí)現(xiàn)。
ST NPI 新上架開(kāi)發(fā)板 【EVL250WMG1L】
ESDAxxWY系列:汽車(chē)應(yīng)用中的ESD保護(hù)。在確保汽車(chē)應(yīng)用安全性的同時(shí)縮減PCB尺寸。ESDAxxWY采用緊湊的SOT323-3L封裝,使PCB尺寸減...
仁懋MOSFET在工業(yè)電焊機(jī)上的應(yīng)用
在現(xiàn)代工業(yè)制造領(lǐng)域,電焊機(jī)作為不可或缺的工具之一,其性能直接影響到焊接的質(zhì)量和效率。仁懋電子有限公司,作為一家專(zhuān)注于半導(dǎo)體功率器件智能智造的高新技術(shù)企業(yè)...
SiC MOSFET模塊封裝技術(shù)及驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)
碳化硅作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料,比傳統(tǒng)的硅基器件具有更優(yōu)越的性能。碳化硅SiC MOSFET作為一種新型寬禁帶半導(dǎo)體器件,具有導(dǎo)通電阻低,開(kāi)關(guān)損耗小的特...
汽車(chē)和清潔能源領(lǐng)域的制造商需要更高效的功率器件,能夠適應(yīng)更高的電壓,擁有更快的開(kāi)關(guān)速度,并且比傳統(tǒng)硅基功率器件提供更低的損耗,而溝槽結(jié)構(gòu)的 SiC 功率...
過(guò)去三十年,碳化硅功率半導(dǎo)體行業(yè)取得了長(zhǎng)足的進(jìn)步,但在降低缺陷方面依然面臨著重大挑戰(zhàn)。其主要問(wèn)題是——碳化硅與柵氧化層之間的界面處存在著大量的缺陷。在N...
超結(jié)結(jié)構(gòu)工藝實(shí)現(xiàn)方式
在過(guò)去的二十年,MOSFET主要用作開(kāi)關(guān)器件,得到了長(zhǎng)足的發(fā)展,由于它是多子器件,有相對(duì)較小的開(kāi)關(guān)損耗,但其通態(tài)功耗較高,要降低通態(tài)功耗,導(dǎo)通電阻受擊穿...
在過(guò)去的二十年間,MOSFET作為開(kāi)關(guān)器件發(fā)展迅速。然而,由于MOSFET的通態(tài)功耗較高,導(dǎo)通電阻受擊穿電壓限制而存在一個(gè)極限,被稱(chēng)為“硅極限”。為了突...
超結(jié)MOSFET的結(jié)構(gòu)和優(yōu)勢(shì)
在我們進(jìn)入超結(jié)MOSFET的細(xì)節(jié)之前,我們先了解一些背景知識(shí)。
2024-10-15 標(biāo)簽:MOSFET開(kāi)關(guān)電源MOS管 127 0
可編程直流電源是一種通過(guò)軟件接口控制輸出電壓和電流的電子設(shè)備。它采用先進(jìn)的數(shù)字控制技術(shù)和軟開(kāi)關(guān)器件技術(shù),能夠接收來(lái)自外部的、以數(shù)字形式提供的指令,并按照...
Buck-Boost轉(zhuǎn)換器是一種電力轉(zhuǎn)換裝置,能夠改變直流電壓的數(shù)值,實(shí)現(xiàn)升降壓的功能。其工作原理基于周期性的開(kāi)關(guān)操作,通過(guò)控制開(kāi)關(guān)元件的通斷狀態(tài)來(lái)實(shí)現(xiàn)...
2024-10-12 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFETBuck-Boost 294 0
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通過(guò)UCC27517來(lái)控制mosfet進(jìn)行開(kāi)關(guān),IN+引腳是否能輸入數(shù)字信號(hào)?
標(biāo)簽:MOSFET數(shù)字信號(hào) 74 0
通過(guò)覆蓋VLO調(diào)節(jié)器來(lái)改變UCC27221和UCC27222柵極驅(qū)動(dòng)電壓立即下載
類(lèi)別:電子資料 2024-10-21 標(biāo)簽:MOSFET調(diào)節(jié)器柵極驅(qū)動(dòng) 12 0
在飽和狀態(tài)下運(yùn)行UCC2888x離線(xiàn)降壓以降低成本立即下載
類(lèi)別:電子資料 2024-10-14 標(biāo)簽:MOSFET降壓轉(zhuǎn)換器UCC28880 37 0
集成負(fù)載開(kāi)關(guān)與分立MOSFETs立即下載
類(lèi)別:電子資料 2024-10-08 標(biāo)簽:MOSFET負(fù)載開(kāi)關(guān) 46 0
近日,納芯微正式推出了CSP封裝12V共漏極雙N溝道MOSFET——NPM12023A系列產(chǎn)品。這款新品以其優(yōu)異的短路過(guò)流能力與雪崩過(guò)壓能力,以及更強(qiáng)的...
在現(xiàn)代數(shù)據(jù)中心和關(guān)鍵基礎(chǔ)設(shè)施中,不間斷電源(UPS)扮演著至關(guān)重要的角色。它確保了在市電中斷時(shí),關(guān)鍵設(shè)備能夠持續(xù)運(yùn)行,保護(hù)了數(shù)據(jù)不受損失,保障了業(yè)務(wù)的連...
onsemi LV/MV MOSFET 產(chǎn)品介紹 & 行業(yè)應(yīng)用
01直播介紹直播時(shí)間2024/10/281430直播內(nèi)容1.onsemiLV/MVMOSFET產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)&市場(chǎng)地位。2.onsemiLV/MVMO...
銳駿半導(dǎo)體發(fā)布兩款全新MOSFET產(chǎn)品
近日,銳駿半導(dǎo)體正式推出了兩款全新的MOSFET產(chǎn)品,分別是N溝道RUH1H80R-A(100V/80A)和P溝道RU40P30L(-40V/-30A)...
2024-10-12 標(biāo)簽:MOSFET半導(dǎo)體銳駿半導(dǎo)體 143 0
意法半導(dǎo)體第四代碳化硅功率技術(shù)問(wèn)世
意法半導(dǎo)體(簡(jiǎn)稱(chēng)ST)推出第四代STPOWER碳化硅(SiC)MOSFET技術(shù)。第四代技術(shù)有望在能效、功率密度和穩(wěn)健性三個(gè)方面成為新的市場(chǎng)標(biāo)桿。在滿(mǎn)足汽...
2024-10-12 標(biāo)簽:MOSFET意法半導(dǎo)體碳化硅 300 0
高效率,全集成4-MOSFET 升降壓轉(zhuǎn)換器TMI5330
一周前迎來(lái)Apple發(fā)布新機(jī)iPhone16,該系列新機(jī)繼續(xù)秉承Qi2無(wú)線(xiàn)充電協(xié)議并且最高功率可達(dá)15W。而無(wú)線(xiàn)充為適應(yīng)市面紛繁復(fù)雜的充電器,在發(fā)射端的...
2024-10-08 標(biāo)簽:充電MOSFET升降壓轉(zhuǎn)換器 164 0
銳駿半導(dǎo)體發(fā)布全新超低導(dǎo)通電阻MOSFET
近日,銳駿半導(dǎo)體正式推出了兩款全新的超低導(dǎo)通電阻MOSFET產(chǎn)品,為市場(chǎng)帶來(lái)了更加高效的解決方案。
2024-10-08 標(biāo)簽:MOSFET導(dǎo)通電阻銳駿半導(dǎo)體 279 0
MOSFET-零溫度系數(shù)點(diǎn)ZTC(Zero Temperature Coefficient)
MOSFET完全導(dǎo)通時(shí),RDS(ON)處于正溫度系數(shù)區(qū),局部單元的溫度增加,電流減小溫度降低,芯片具有自動(dòng)平衡電流的分配能力。 但在跨越線(xiàn)性區(qū)時(shí),...
英飛凌推出全新StrongIRFET 2功率MOSFET 30V產(chǎn)品組合
英飛凌科技股份公司(股票代碼:FSE: IFX,OTCQX: IFNNY)近期推出了其StrongIRFET? 2系列中的全新30V功率MOSFET產(chǎn)品...
2024-09-30 標(biāo)簽:英飛凌MOSFETStrongIRFET 482 0
強(qiáng)茂受邀參加NEPCON Thailand 2024
強(qiáng)茂誠(chéng)摯邀請(qǐng)您參加在曼谷國(guó)際貿(mào)易展覽中心(BITEC)舉辦的2024年泰國(guó)國(guó)際電子生產(chǎn)設(shè)備暨微電子展(NEPCONThailand 2024),屆時(shí)我們...
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