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      sic

      sic

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      金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。

      文章：2343個 瀏覽：62286次 帖子：123個

      sic技術(shù)

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      到20世紀(jì)中葉，電力已然在人們的生活中發(fā)揮著重要作用。愛迪生發(fā)明的電燈通過照亮街道、工廠和住宅，提高了生產(chǎn)力、生活質(zhì)量和安全性;通過高效電機實現(xiàn)的制冷，...

      2022-12-08 標(biāo)簽：MOSFET晶體管SiC 1101 0

      橋式電路的開關(guān)產(chǎn)生的電流和電壓

      本文將介紹在SiC MOSFET這一系列開關(guān)動作中，SiC MOSFET的VDS和ID的變化會產(chǎn)生什么樣的電流和電壓。

      2022-12-05 標(biāo)簽：MOSFETSiCVDS 1049 0

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      碳化硅為代表的第三代寬禁帶半導(dǎo)體，可在更高溫度、電壓及頻率環(huán)境正常工作，同時消耗電力更少，持久性和可靠性更強，將為下一代更小體積、更快速度、更低成本、更...

      2022-12-02 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件SiC 1364 0

      碳化硅功率器件市場前景！

      在過去幾年中，半導(dǎo)體行業(yè)出現(xiàn)了新一代高功率開關(guān)，并開始商業(yè)化。使用基于碳化硅（SiC）的器件有望顯著降低開關(guān)損耗，并允許比目前使用純硅（Si）器件更高的...

      2022-11-29 標(biāo)簽：功率器件SiC碳化硅 365 0

      當(dāng)前碳化硅功率器件回顧！

      硅功率器件已經(jīng)達(dá)到了它們的材料極限，已經(jīng)達(dá)到了前所未有的成熟。SiC功率器件正在快速成熟，為汽車行業(yè)提供快速開關(guān)、高效的器件性能。然而，它們距離充分發(fā)揮...

      2022-11-28 標(biāo)簽：功率器件SiC碳化硅 539 0

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      汽車行業(yè)發(fā)展創(chuàng)新突飛猛進(jìn)，車載充電器（OBC）與DCDC轉(zhuǎn)換器（HV-LV DCDC）的應(yīng)用因此也迅猛發(fā)展，同應(yīng)對大多數(shù)工程挑戰(zhàn)一樣，設(shè)計人員把目光投向...

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      IGBT和SiC柵極驅(qū)動器基礎(chǔ)知識（一）

      大家好，看到TI一篇關(guān)于IGBT和SiC器件柵極驅(qū)動應(yīng)用的文檔，雖然比較基礎(chǔ)，但是概括的比較好，適合電力電子專業(yè)的初學(xué)者，總體內(nèi)容如下。

      2022-11-25 標(biāo)簽：MOSFETIGBT功率器件 1470 0

      SiC推動實現(xiàn)可再生的未來

      隨著世界朝著更加綠色的可持續(xù)未來邁進(jìn)，許多國家/地區(qū)正在減少化石燃料能源發(fā)電，轉(zhuǎn)而使用可再生能源。

      2022-11-24 標(biāo)簽：逆變器太陽能光伏SiC 670 0

      如何在使用SiC MOSFET時最大限度地降低EMI和開關(guān)損耗

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      碳化硅 （SiC） MOSFET 的快速開關(guān)速度、高額定電壓和低導(dǎo)通 RDS（on） 使其對電源設(shè)計人員極具吸引力，這些設(shè)計人員不斷尋找提高效率和功率密...

      2022-11-23 標(biāo)簽：MOSFETemiSiC 1995 0

      碳化硅SIC器件在工業(yè)應(yīng)用中的重要作用！

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      2022-11-23 標(biāo)簽：IGBT功率器件SiC 950 0

      SiC功率器件和模塊！

      SiC（碳化硅）是一種由硅（Si）和碳（C）組成的化合物半導(dǎo)體材料。表1-1顯示了每種半導(dǎo)體材料的電氣特性。SiC具有優(yōu)異的介電擊穿場強（擊穿場）和帶隙...

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      2022-11-21 標(biāo)簽：MOSFETSiC碳化硅 1541 0

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      碳化硅(SiC)是化合物半導(dǎo)體材料之一，具有獨特的材料性能。例如，它具有高電擊穿強度(硅的十倍)和導(dǎo)熱性(硅的三倍)。這些特性吸引了研究人員和工程師的更...

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      溝槽型SiC MOSFET工藝流程及SiC離子注入

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      2022-10-27 標(biāo)簽：MOSFET功率器件SiC 6526 0

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        ITECH 艾德克斯電子為專業(yè)的儀器制造商，致力于“功率電子”產(chǎn)品為核心的相關(guān)產(chǎn)業(yè)測試解決方案的研究，通過不斷深入了解各個行業(yè)的測試需求，持續(xù)提供給客戶具有競爭力的測試方案。
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