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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。
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SiC功率器件市場(chǎng)正處于快速增長階段,特別是在汽車電動(dòng)化趨勢(shì)的推動(dòng)下,其市場(chǎng)規(guī)模預(yù)計(jì)將持續(xù)擴(kuò)大。 根據(jù)Yole Group的報(bào)告,汽車行業(yè)對(duì)SiC功...
電動(dòng)汽車 (EV) 市場(chǎng)的快速增長推動(dòng)了對(duì)下一代功率半導(dǎo)體的需求,尤其是對(duì)碳化硅 (SiC) 半導(dǎo)體的需求尤為強(qiáng)勁。
2024-04-07 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車半導(dǎo)體功率器件 585 0
隨著全球?qū)δ苄Ш铜h(huán)保的要求日益提高,傳統(tǒng)硅基半導(dǎo)體器件逐漸暴露出其性能瓶頸,特別是在高溫、高壓和高頻應(yīng)用場(chǎng)景中。
安森美發(fā)布了第二代1200V碳化硅 (SiC) MOSFET—M3S
安森美(onsemi)發(fā)布了第二代1200V碳化硅 (SiC) MOSFET,命名為M3S,其中S代表開關(guān)。
2024-03-26 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車MOSFET安森美 1318 0
碳化硅功率器件:革新未來能源與電力電子技術(shù)的關(guān)鍵材料
隨著全球?qū)Ω咝茉吹牟粩嘧非蠛碗娮蛹夹g(shù)的快速發(fā)展,傳統(tǒng)的硅基功率器件已逐漸達(dá)到其性能邊界。
2024-03-21 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車功率器件SiC 477 0
淺析功率半導(dǎo)體IGBT及SiC技術(shù)的相關(guān)知識(shí)
電力電子技術(shù)在新能源汽車中應(yīng)用廣泛,是汽車動(dòng)力總成系統(tǒng)高效、快速、穩(wěn)定、安全能量變換的基礎(chǔ)。
Si-MOSFET根據(jù)制造工藝可分為平面柵極MOSFET和超結(jié)MOSFET。平面柵極MOSFET在提高額定電壓時(shí),漂移層會(huì)變厚,導(dǎo)致導(dǎo)通電阻增加的問題。
碳化硅是一種寬帶隙(Wide Bandgap,WBG)半導(dǎo)體材料,與傳統(tǒng)的硅(Si)材料相比,具有更寬的能隙、更高的擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度和熱導(dǎo)率。
2024-03-19 標(biāo)簽:功率轉(zhuǎn)換功率器件SiC 496 0
SiC驅(qū)動(dòng)電源設(shè)計(jì)要點(diǎn)(變壓器部分)
在設(shè)計(jì)SiC(碳化硅)驅(qū)動(dòng)電源時(shí),需要考慮以下幾個(gè)關(guān)鍵要點(diǎn):
2024-03-18 標(biāo)簽:IGBTSiC驅(qū)動(dòng)電源 1424 0
SiC器件如何提升電動(dòng)汽車的系統(tǒng)效率
SiC器件可以提高電動(dòng)汽車的充電模塊性能,包括提高頻率、降低損耗、縮小體積以及提升效率等。這有助于提升電動(dòng)汽車的整體性能表現(xiàn)。
2024-03-18 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車新能源汽車電機(jī)控制器 1488 0
本文采用的DTS(DieTopSystem)技術(shù)結(jié)合了芯片雙面銀燒結(jié)工藝與銅線鍵合工藝,此技術(shù)能夠避免直接在芯片上進(jìn)行銅線鍵合時(shí)造成的芯片損傷。
中國碳化硅襯底價(jià)格2024年快速滑落 800V的春天看來要到了
國際半導(dǎo)體IDM廠商,如意法半導(dǎo)體、英飛凌、安森美、羅姆電子等,在中國市場(chǎng)仍然占據(jù)碳化硅元件的重要地位。消息人士補(bǔ)充,外國汽車品牌或與中國合資的汽車品牌...
Infineon碳化硅布局加速,晶圓廠投資引發(fā)市場(chǎng)疑慮
雖然Infineon是歐洲五大芯片制造商之一,但他的作風(fēng)一向非常低調(diào)。就連Infineon的收購行動(dòng)也常常被低調(diào)處理。
探討碳化硅功率器件的工作原理、優(yōu)勢(shì)、應(yīng)用場(chǎng)景
碳化硅功率器件利用SiC半導(dǎo)體材料制成。SiC是一種寬帶隙半導(dǎo)體材料,具有比硅(Si)更高的電子飽和漂移速度和熱導(dǎo)率,以及更高的臨界擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度。
水下航行器電機(jī)的SiC MOSFET逆變器設(shè)計(jì)
利用 SiC 功率器件開關(guān)頻率高、開關(guān)損耗低等優(yōu)點(diǎn), 將 SiC MOSFET 應(yīng)用于水下航行器大功率高速電機(jī)逆變器模塊, 對(duì)軟硬件進(jìn)行設(shè)計(jì)。
SiC MOSFET非放電型RCD緩沖電路的設(shè)計(jì)
與放電型RCD緩沖電路不同,非放電型RCD緩沖電路的RSNB消耗的功率僅為浪涌能量,因此RSNB的容許損耗可以較小。這可以擴(kuò)大RSNB的選擇范圍,使得能...
同軸分流器在SiC和GaN器件中的測(cè)量應(yīng)用
隨著現(xiàn)代電力電子的高速發(fā)展,SiC/GaN 功率器件的應(yīng)用越來越廣泛,工程師經(jīng)常要測(cè)量頻率高達(dá)數(shù)百 kHz,電流高達(dá)數(shù)十安培的功率電路。
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