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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。

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sic技術(shù)

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SiC功率器件市場(chǎng)正處于快速增長階段,特別是在汽車電動(dòng)化趨勢(shì)的推動(dòng)下,其市場(chǎng)規(guī)模預(yù)計(jì)將持續(xù)擴(kuò)大。 根據(jù)Yole Group的報(bào)告,汽車行業(yè)對(duì)SiC功...

2024-04-07 標(biāo)簽:新能源汽車晶圓功率器件 695 0

如何增強(qiáng)SiC功率器件的性能與可靠性?

電動(dòng)汽車 (EV) 市場(chǎng)的快速增長推動(dòng)了對(duì)下一代功率半導(dǎo)體的需求,尤其是對(duì)碳化硅 (SiC) 半導(dǎo)體的需求尤為強(qiáng)勁。

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碳化硅功率器件:能效革新的催化劑!

隨著全球?qū)δ苄Ш铜h(huán)保的要求日益提高,傳統(tǒng)硅基半導(dǎo)體器件逐漸暴露出其性能瓶頸,特別是在高溫、高壓和高頻應(yīng)用場(chǎng)景中。

2024-04-02 標(biāo)簽:半導(dǎo)體逆變器功率器件 475 0

深度解析碳化硅功率器件原理和優(yōu)勢(shì)

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SiC市場(chǎng)格局仍由海外巨頭主導(dǎo),市占率排名依次是:意法半導(dǎo)體、英飛凌、wolfspeed、羅姆、安森美、三菱電機(jī)等。

2024-04-01 標(biāo)簽:功率器件SiC碳化硅 2479 0

碳化硅功率器件的工作原理

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碳化硅功率器件的核心在于其能夠在極端條件下高效地控制電力的流動(dòng)。SiC材料的寬帶隙特性意味著它在高溫下仍能維持較高的能量障礙,從而保持穩(wěn)定的半導(dǎo)體特性。

2024-03-26 標(biāo)簽:功率器件SiC碳化硅 272 0

碳化硅晶片C面與硅面的存在原因探究

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Si-Si鍵能大小為 310 kJ/mol,可以理解鍵能是把這兩個(gè)原子拉開的力度,鍵能越大,需要拉開的力越大。 Si-C鍵原子間距為 1.89 ?,...

2024-03-26 標(biāo)簽:SiC晶片光刻機(jī) 718 0

安森美發(fā)布了第二代1200V碳化硅 (SiC) MOSFET—M3S

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安森美(onsemi)發(fā)布了第二代1200V碳化硅 (SiC) MOSFET,命名為M3S,其中S代表開關(guān)。

2024-03-26 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車MOSFET安森美 1318 0

碳化硅功率器件:革新未來能源與電力電子技術(shù)的關(guān)鍵材料

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隨著全球?qū)Ω咝茉吹牟粩嘧非蠛碗娮蛹夹g(shù)的快速發(fā)展,傳統(tǒng)的硅基功率器件已逐漸達(dá)到其性能邊界。

2024-03-21 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車功率器件SiC 477 0

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電力電子技術(shù)在新能源汽車中應(yīng)用廣泛,是汽車動(dòng)力總成系統(tǒng)高效、快速、穩(wěn)定、安全能量變換的基礎(chǔ)。

2024-03-21 標(biāo)簽:新能源汽車IGBT電機(jī)控制器 1828 0

碳化硅MOS、超結(jié)MOS與IGBT性能比較

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Si-MOSFET根據(jù)制造工藝可分為平面柵極MOSFET和超結(jié)MOSFET。平面柵極MOSFET在提高額定電壓時(shí),漂移層會(huì)變厚,導(dǎo)致導(dǎo)通電阻增加的問題。

2024-03-19 標(biāo)簽:二極管IGBTMOS 4924 0

碳化硅功率器件特性及基本原理

碳化硅是一種寬帶隙(Wide Bandgap,WBG)半導(dǎo)體材料,與傳統(tǒng)的硅(Si)材料相比,具有更寬的能隙、更高的擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度和熱導(dǎo)率。

2024-03-19 標(biāo)簽:功率轉(zhuǎn)換功率器件SiC 496 0

SiC驅(qū)動(dòng)電源設(shè)計(jì)要點(diǎn)(變壓器部分)

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在設(shè)計(jì)SiC(碳化硅)驅(qū)動(dòng)電源時(shí),需要考慮以下幾個(gè)關(guān)鍵要點(diǎn):

2024-03-18 標(biāo)簽:IGBTSiC驅(qū)動(dòng)電源 1424 0

SiC器件如何提升電動(dòng)汽車的系統(tǒng)效率

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SiC器件可以提高電動(dòng)汽車的充電模塊性能,包括提高頻率、降低損耗、縮小體積以及提升效率等。這有助于提升電動(dòng)汽車的整體性能表現(xiàn)。

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深入探索研究SiC功率器件高效互連技術(shù)

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本文采用的DTS(DieTopSystem)技術(shù)結(jié)合了芯片雙面銀燒結(jié)工藝與銅線鍵合工藝,此技術(shù)能夠避免直接在芯片上進(jìn)行銅線鍵合時(shí)造成的芯片損傷。

2024-03-18 標(biāo)簽:DTS功率器件SiC 289 0

中國碳化硅襯底價(jià)格2024年快速滑落 800V的春天看來要到了

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國際半導(dǎo)體IDM廠商,如意法半導(dǎo)體、英飛凌、安森美、羅姆電子等,在中國市場(chǎng)仍然占據(jù)碳化硅元件的重要地位。消息人士補(bǔ)充,外國汽車品牌或與中國合資的汽車品牌...

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雖然Infineon是歐洲五大芯片制造商之一,但他的作風(fēng)一向非常低調(diào)。就連Infineon的收購行動(dòng)也常常被低調(diào)處理。

2024-03-14 標(biāo)簽:SiCInfineon碳化硅 217 0

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碳化硅功率器件利用SiC半導(dǎo)體材料制成。SiC是一種寬帶隙半導(dǎo)體材料,具有比硅(Si)更高的電子飽和漂移速度和熱導(dǎo)率,以及更高的臨界擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度。

2024-03-14 標(biāo)簽:功率器件SiC碳化硅 338 0

水下航行器電機(jī)的SiC MOSFET逆變器設(shè)計(jì)

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利用 SiC 功率器件開關(guān)頻率高、開關(guān)損耗低等優(yōu)點(diǎn), 將 SiC MOSFET 應(yīng)用于水下航行器大功率高速電機(jī)逆變器模塊, 對(duì)軟硬件進(jìn)行設(shè)計(jì)。

2024-03-13 標(biāo)簽:MOSFET逆變器IGBT 286 0

SiC MOSFET非放電型RCD緩沖電路的設(shè)計(jì)

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與放電型RCD緩沖電路不同,非放電型RCD緩沖電路的RSNB消耗的功率僅為浪涌能量,因此RSNB的容許損耗可以較小。這可以擴(kuò)大RSNB的選擇范圍,使得能...

2024-03-13 標(biāo)簽:MOSFETemiSiC 424 0

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隨著現(xiàn)代電力電子的高速發(fā)展,SiC/GaN 功率器件的應(yīng)用越來越廣泛,工程師經(jīng)常要測(cè)量頻率高達(dá)數(shù)百 kHz,電流高達(dá)數(shù)十安培的功率電路。

2024-03-13 標(biāo)簽:功率器件SiCGaN 905 0

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無刷電機(jī) FOC IGBT 逆變器 文心一言 5G 英飛凌 羅姆
直流電機(jī) PID MOSFET 傳感器 人工智能 物聯(lián)網(wǎng) NXP 賽靈思
步進(jìn)電機(jī) SPWM 充電樁 IPM 機(jī)器視覺 無人機(jī) 三菱電機(jī) ST
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語音識(shí)別 萬用表 CPLD 耦合 電路仿真 電容濾波 保護(hù)電路 看門狗
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