恩智浦推出全新Gen8+ LDMOS RF功率晶體管

　　中國上海，2013年6月20日訊 – 恩智浦半導(dǎo)體（NXP Semiconductors N.V.）（納斯達(dá)克：NXPI）近日宣布推出全新Gen8+ LDMOS RF功率晶體管，作為特別關(guān)注TD-LTE的無線基站第八代LDMOS產(chǎn)品線的擴(kuò)展產(chǎn)品。隨著中國開始鋪設(shè)全球最大4G網(wǎng)絡(luò)，Gen8+的推出將鞏固恩智浦TD-LTE產(chǎn)品組合（目前最完善的TD-LTE LDMOS產(chǎn)品組合）的地位，并且顯著提升性能、靈活性和經(jīng)濟(jì)性。BLC8G27LS-160AV是即將發(fā)布的第一款Gen8+器件，這全球最小也最經(jīng)濟(jì)的解決方案，用于有源天線戶外基站（2.6 GHz）的15 W和20 W功率放大器。該設(shè)備可同時支持多達(dá)5個TD-LTE載波，并提供覆蓋全波段（2.5至2.7 GHz）的高效率。

　　Gen8+產(chǎn)品組合的一項突破性功能是采用了空腔塑料（ACP）封裝。相比陶瓷封裝，ACP更加經(jīng)濟(jì)、靈活，這意味著各款新產(chǎn)品將能更快和客戶見面。全新ACP封裝還允許使用改進(jìn)型無源器件，通過降低功耗并增加增益和效率來提升性能。Gen8+還加入了大量其他封裝選項，包括QFN、OMP和陶瓷封裝。

　　Gen8+產(chǎn)品組合最初設(shè)計用于頻率范圍在2300-2700 MHz之間的基站應(yīng)用。作為現(xiàn)有恩智浦LDMOS產(chǎn)品系列的擴(kuò)展，Gen8+增加了各個波段功耗水平的范圍，從5瓦到240瓦不等。Gen8+擁有出色的功率和較小尺寸，這意味著它還能進(jìn)一步節(jié)省成本。

　　恩智浦基站功率放大器產(chǎn)品市場總監(jiān)Christophe Cugge表示：“該產(chǎn)品組合針對支持TD-LTE網(wǎng)絡(luò)的無線基站、Gen8+的發(fā)布以及即將在中國鋪設(shè)的全球最大4G網(wǎng)絡(luò)進(jìn)行了優(yōu)化。我們提供最完善的此類RF功率產(chǎn)品，重點(diǎn)關(guān)注于讓客戶能夠以最低成本提供最佳品質(zhì)的服務(wù)。Gen8+ LDMOS技術(shù)運(yùn)用恩智浦在RF功率產(chǎn)品領(lǐng)域的深厚積淀，以顯著的低成本提供前所未有的高性能、低功耗和更高效率，發(fā)揮出競爭優(yōu)勢，我們也計劃近期將其拓展到在所有其它制式基站應(yīng)用中去?！?/p>

　　上市時間

　　合格用戶可即刻索取Gen8+ ACP產(chǎn)品的工程樣本。BLC8G27LS-160AV和其他Gen8+ LDMOS晶體管的樣本將于2013年第3季度提供。

　　鏈接

　　· 恩智浦射頻手冊（第17版）：http://www.nxp.com/rfmanual

　　· BLC8G27LS-160AV – Gen8+陶瓷非對稱Doherty LDMOS晶體管，用于2496 MHz至2690 MHz多波段應(yīng)用：http://www.nxp.com/pip/BLC8G27LS-160AV

　　關(guān)于恩智浦半導(dǎo)體

　　恩智浦半導(dǎo)體NXP Semiconductors N.V. （Nasdaq： NXPI） 以其領(lǐng)先的射頻、模擬、電源管理、接口、安全和數(shù)字處理方面的專長，提供高性能混合信號（High Performance Mixed Signal）和標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品解決方案。這些創(chuàng)新的產(chǎn)品和解決方案可廣泛應(yīng)用于汽車、智慧識別、無線基礎(chǔ)設(shè)施、照明、工業(yè)、移動、消費(fèi)和計算等領(lǐng)域。公司在全球逾25個國家都設(shè)有業(yè)務(wù)執(zhí)行機(jī)構(gòu)，2011年公司營業(yè)額達(dá)到42億美元。更多恩智浦相關(guān)信息，請登錄公司官方網(wǎng)站http://cn.nxp.com/查詢。