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電子發(fā)燒友網(wǎng)>音視頻及家電>液晶電視>MIMI的通訊機(jī)理

MIMI的通訊機(jī)理

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2021-05-19 14:49:5348

開關(guān)電源EMC產(chǎn)生機(jī)理及EMI設(shè)計(jì)綜述

開關(guān)電源EMC產(chǎn)生機(jī)理及EMI設(shè)計(jì)綜述
2021-06-18 10:06:5327

ESP8266之硬件機(jī)理

ESP8266硬件機(jī)理1.ESP8266簡(jiǎn)介2.硬件結(jié)構(gòu)3.運(yùn)行機(jī)理3.1 Warning3.2 機(jī)理4.快速搭建服務(wù)器Attention4.1進(jìn)入STA模式4.2復(fù)位4.3獲取附近能夠連接
2021-12-09 12:21:1129

電阻器常見(jiàn)的失效模式與失效機(jī)理

失效模式:各種失效的現(xiàn)象及其表現(xiàn)的形式。 失效機(jī)理:是導(dǎo)致失效的物理、化學(xué)、熱力學(xué)或其他過(guò)程。
2022-02-10 09:49:0618

運(yùn)放輸出鉗位機(jī)理及避免辦法

運(yùn)放輸出鉗位機(jī)理及避免辦法
2022-10-28 12:00:210

SEI膜的成膜機(jī)理及影響因素分析

摘要:本文著重闡述了鋰離子電池中負(fù)極表面的“固體電解質(zhì)界面膜”(SEI 膜) 的成膜機(jī)理,并通過(guò)參考文獻(xiàn)分析了SEI膜形成過(guò)程中可能的影響因素。
2022-10-31 14:47:583114

什么是半導(dǎo)體MiMi推拉力機(jī)?維護(hù)保養(yǎng)、核查、內(nèi)校

半導(dǎo)體MiMi推拉力機(jī),也稱之為大面積推拉力機(jī),產(chǎn)品型號(hào)為L(zhǎng)B-8500L,整機(jī)采用全自動(dòng)化設(shè)計(jì)模式,能對(duì)半導(dǎo)體、薄膜、焊線、焊球、晶圓、金球、固晶、金線、線束、芯片、電子元件、微電子、模塊、內(nèi)引線
2022-12-13 15:16:05442

10張動(dòng)圖搞懂常用總線的信號(hào)傳輸?shù)?b class="flag-6" style="color: red">機(jī)理

這些顯示電子系統(tǒng)中信號(hào)波形的動(dòng)圖,有助于幫助我們理解信號(hào)傳輸?shù)?b class="flag-6" style="color: red">機(jī)理。
2023-01-05 11:43:40689

淺析總線的通信信號(hào)傳輸?shù)?b class="flag-6" style="color: red">機(jī)理

這些顯示電子系統(tǒng)中信號(hào)波形的動(dòng)圖,有助于幫助我們理解信號(hào)傳輸?shù)?b class="flag-6" style="color: red">機(jī)理。
2023-02-06 10:49:36363

MOSFET的失效機(jī)理

MOSFET等開關(guān)器件可能會(huì)受各種因素影響而失效。因此,不僅要準(zhǔn)確了解產(chǎn)品的額定值和工作條件,還要全面考慮電路工作中的各種導(dǎo)致失效的因素。本系列文章將介紹MOSFET常見(jiàn)的失效機(jī)理。
2023-03-20 09:31:07640

鋰電池過(guò)充機(jī)理及防過(guò)充措施

過(guò)充是目前鋰電池安全測(cè)試中較難通過(guò)的一項(xiàng),因此有必要了解過(guò)充機(jī)理及目前防過(guò)充的措施。
2023-03-20 09:53:541729

PCB熔錫不良現(xiàn)象背后的失效機(jī)理

PCB熔錫不良現(xiàn)象背后的失效機(jī)理
2023-08-04 09:50:01546

簡(jiǎn)述半導(dǎo)體的導(dǎo)電機(jī)理

簡(jiǎn)述半導(dǎo)體的導(dǎo)電機(jī)理? 半導(dǎo)體是一種非金屬材料,具有介于導(dǎo)體和絕緣體之間的電導(dǎo)率。在半導(dǎo)體中,是否能導(dǎo)電的關(guān)鍵是它的能帶結(jié)構(gòu)。由于原子的能級(jí)分布,半導(dǎo)體的導(dǎo)電機(jī)理與金屬和絕緣體有很大的不同。 半導(dǎo)體
2023-08-27 15:49:023865

半導(dǎo)體和導(dǎo)體的導(dǎo)電機(jī)理有何不同

半導(dǎo)體和導(dǎo)體的導(dǎo)電機(jī)理有何不同 半導(dǎo)體和導(dǎo)體是電子學(xué)中常見(jiàn)的兩種材料,它們?cè)陔娮觽鲗?dǎo)方面有著不同的導(dǎo)電機(jī)理。在本文中,我們將詳細(xì)探討半導(dǎo)體和導(dǎo)體的導(dǎo)電機(jī)理,以及它們的區(qū)別。 導(dǎo)體的導(dǎo)電機(jī)理 導(dǎo)體
2023-08-27 16:00:251348

肖特基二極管失效機(jī)理

肖特基二極管失效機(jī)理? 肖特基二極管(Schottky Barrier Diode, SBD)作為一種快速開關(guān)元件,在電子設(shè)備中得到了廣泛的應(yīng)用。但是,隨著SBD所承受的工作壓力和工作溫度不斷升高
2023-08-29 16:35:08973

ADPA7008: 20千兆赫至54千兆赫、GAAs、pHEMT、MIMI、31 dBm(1 W) ADPA7008: 20千兆赫至54千兆赫、GAAs、pHEMT、MIMI、31 dBm(1 W)

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2023-10-07 17:47:59

ADMV15555:15千兆赫至55千兆赫,GAAs,MIMI,雙平衡混合初步數(shù)據(jù)表 ADI

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2023-10-09 19:02:25

HMC963 GAAs pHEMT MIMI MMI 低噪音放大器,6 - 26.5千兆赫數(shù)據(jù)表 ADI

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2023-10-10 19:22:24

HMC962 GAAs pHEMT MIMI MMI 低噪音放大器,7.5 - 26.5千兆赫數(shù)據(jù)表 ADI

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2023-10-10 19:27:11

HMC375 GAAs pHEMT MIMI MMI 低噪音放大器, 1.7-2.2 GHz數(shù)據(jù)表 ADI

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2023-10-11 18:30:24

HMC517-Die:GaAs pHEMT MIMI MMI 低噪音放大器,17-26千兆赫數(shù)據(jù)表 ADI

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2023-10-11 18:30:52

HMC594LLLC3B GAAs pHEMT MIMI MMI 低噪音放大器, 2-4千兆赫數(shù)據(jù)表 ADI

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2023-10-11 18:31:33

HMC311ST89/HMC311ST89/HMC311ST89E: DC-6千兆赫數(shù)據(jù)表 InGaP HBT 增益塊 MIMI 放大器 ADI

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2023-10-11 18:32:43

ESD的保護(hù)機(jī)理和主要測(cè)試模式有哪些?

ESD的保護(hù)機(jī)理和主要測(cè)試模式有哪些? ESD(Electrostatic Discharge)是靜電放電的縮寫,指的是靜電在兩個(gè)物體之間突然放電的現(xiàn)象。ESD是電子設(shè)備和電子元件面臨的主要故障來(lái)源
2023-11-07 10:21:47385

半導(dǎo)體器件擊穿機(jī)理分析及設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)

半導(dǎo)體器件擊穿機(jī)理分析及設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)
2023-11-23 17:38:36476

電磁兼容簡(jiǎn)明教程(3)電磁騷擾的耦合機(jī)理

電磁兼容簡(jiǎn)明教程(3)電磁騷擾的耦合機(jī)理
2023-12-05 15:28:54257

保護(hù)器件過(guò)電應(yīng)力失效機(jī)理和失效現(xiàn)象淺析

保護(hù)器件過(guò)電應(yīng)力失效機(jī)理和失效現(xiàn)象淺析
2023-12-14 17:06:45267

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