掩模工藝中硬烘培的操作方法及顯影檢驗

硬烘培

硬烘培是在掩模工藝中的第二個熱處理操作。它的作用實質上和軟烘培是一樣的，通過溶液的蒸發(fā)來固化光刻膠。然而，對于硬烘培，其唯一的目標是使光刻膠和晶圓表面有良好的黏結，這個步驟有時稱為刻蝕前烘培。

硬烘培的方法

硬烘培是在設備和方法上與軟烘培相似。對流爐、在線及手動熱板、紅外線隧道爐、移動帶傳導爐和真空爐都用于硬烘培。對于自動生產線，軌道系統(tǒng)受到青睞。

硬烘培工藝

硬烘培的時間和溫度的選取與在軟烘培工藝中是相同的。起始點是由光刻膠制造商推薦的工藝。之后，工藝被精確調整，以達到黏結和尺寸控制的要求。一般使用對流爐的硬烘培的溫度是從130℃~200℃進行30分鐘。對于其他方法，時間和溫度有所不同。設定最低溫度使光刻膠圖案邊緣和晶圓表面達到良好黏結。熱烘培增強黏結的機理是脫水和聚合。加熱使水分脫離光刻膠，同時使之進一步聚合，從而增強了其耐刻蝕性。

硬烘培溫度的上限以光刻膠流動點而定。光刻膠有像塑料的性質，當加熱時會變軟并可流動。當光刻膠流動時，圖案尺寸便會改變。當在顯微鏡下觀察光刻膠流動時，將會明顯增厚光刻膠邊緣。極度的流動會在沿圖案邊緣處顯示出邊緣線。邊緣線是光刻膠流動后在光刻膠中留下的斜坡而形成的光學作用。

硬烘培是緊跟在顯影后或馬上再開始刻蝕前來進行的。在大多數(shù)生產情況中，硬烘培是由和顯影機并排在一起的隧道爐完成的。當使用此種操作規(guī)程時，把晶圓存放在氮氣中或是立即完成檢驗步驟以防止水分重新被吸收到光刻膠中，這一點非常重要。

工藝過程中的一個目標是有盡可能多的共同工藝。對于硬烘培工藝來說，由于各種晶圓表面的不同黏結性質有時會給工藝帶來困難。更加困難的表面，如鋁和摻雜磷的氧化物，有時要經高溫硬烘培或在即將要刻蝕之前對其在對流爐中進行二次硬烘培。

顯影檢驗

在顯影和烘培之后就要完成光刻掩模工藝的第一次質檢。恰當?shù)恼f，應該叫顯影檢驗，簡稱DI。檢驗的目的是區(qū)分那些通過最終掩模檢驗可能性很小的晶圓；提供工藝性能和工藝控制數(shù)據(jù)；以及分揀出需要返工的晶圓。

這時的檢驗良品率，也就是通過第一次質檢的晶圓數(shù)量，不會計入最終的工藝良品率的計算。但是兩個主要原因使之成為很受關注的良品率。光刻掩膜工藝對于電路性能的關鍵性已經著重強調。在顯影檢驗工藝，工藝師有第一個判斷工藝性能的機會。顯影檢驗步驟的第二個重要性與在檢驗時做的兩種拒收有關。首先，一部分晶圓是由于在上一步驟中遺留下來問題而要停止工藝處理。這些晶圓在顯影檢驗時會被拒絕接收并丟棄。其他在光刻膠上有光刻圖案問題的晶圓可以被通過去掉光刻膠的辦法重新進行工藝處理，因為在晶圓上還沒有永久改變，所以這是整個制造工藝中發(fā)生錯誤后能夠返工的幾個步驟之一。

晶圓被送回掩模工藝稱為返工或重做。工藝師的目標是保持盡可能低地返工率，應少于10%，而5%是一個最受歡迎的返工水平。經驗顯示經過光刻返工地晶圓在最終工藝完成時有較低的分選良品率。返工會引起黏結問題，并且再次傳輸操作會導致晶圓污染和破壞。如果太多地晶圓返工會使整個分選良品率受到嚴重影響，并且生產線將被堵塞。

保持低返工率地第二個原因與在及逆行返工晶圓處理時要求另外的計算和標識有關。顯影檢驗良品率和返工率隨掩模水平而變。總體上，在掩模次序中的第一級有較寬的特征圖形尺寸、較平的表面和較低的密度，所有這些會使掩模良品率更高。在晶圓到了關鍵的接觸和連線步驟時，返工率呈上升趨勢。

顯影檢驗的方法

自動檢驗：隨著芯片尺寸的增加和元件尺寸的減少，工藝變得更加繁多并精細，較老的和相對慢的人工檢驗的效率液到了極限。可探測表面和圖案失真的自動檢驗系統(tǒng)稱為在線和非在線檢驗的選擇。自動檢驗系統(tǒng)提供了更多數(shù)據(jù)，反過來，這又使工藝師能夠刻畫出工藝特色并對工藝加以控制。

人工檢驗：第一步是用眼睛直接檢驗晶圓表面。用這種方法可以非常有效的檢查出膜厚的不均勻、粗顯影問題、劃傷及污染，特別是污漬。

在顯影檢驗階段拒收的原因

有很多原因可使晶圓在顯影檢驗時被拒收。一般地，要找的僅是那些在當前光刻掩膜步驟增加的缺陷。每一片晶圓都會帶有一些缺陷問題，并且晶圓達到當前步驟時有可接受的質量，在這一原理下，從上一步留下的缺陷一般會被忽略掉。如果一片晶圓有嚴重的問題而在上一步未被發(fā)現(xiàn)，就會從本批中拿掉。