半導(dǎo)體行業(yè)三足鼎立 誰(shuí)將坐上芯片霸主之位

　　近年來(lái)，英特爾、三星與臺(tái)積電三足鼎立之勢(shì)已成，龍頭地位爭(zhēng)奪戰(zhàn)愈演愈烈。與此同時(shí)，隨著智能硬件對(duì)芯片性能、功耗的要求提升，對(duì)先進(jìn)工藝的掌控成為三家企業(yè)互相競(jìng)爭(zhēng)的主要手段之一。

　　近幾年來(lái)，隨著智能硬件對(duì)芯片性能、功耗的要求提升，英特爾、臺(tái)積電、三星等半導(dǎo)體制造巨頭在先進(jìn)工藝方面進(jìn)行了大規(guī)模的投資。目前，競(jìng)爭(zhēng)的焦點(diǎn)正從14/16納米工藝轉(zhuǎn)移至10納米之上。

　　其中，臺(tái)積電在公布2015年年報(bào)時(shí)表示，2016年臺(tái)積電將完成10納米的技術(shù)驗(yàn)證，預(yù)計(jì)于2017年進(jìn)入量產(chǎn)；三星半導(dǎo)體資深總監(jiān)Kevin Low在一次演講中表示，2016年稍晚三星半導(dǎo)體10納米芯片制程技術(shù)將投入生產(chǎn)，有信心三星半導(dǎo)體在制程技術(shù)上再次取得領(lǐng)先。

　　相較而言，高居半導(dǎo)體龍頭地位的英特爾一直顯得“老神在在”，很少對(duì)外說(shuō)明其10納米的進(jìn)度。然而，在三星以及臺(tái)積電的追趕下，英特爾也有些撐不住氣。就在IDF 2016上，英特爾高調(diào)宣布了其與ARM公司達(dá)成的新授權(quán)協(xié)議，根據(jù)協(xié)議條款，英特爾計(jì)劃允許第三方半導(dǎo)體公司使用其10納米生產(chǎn)線來(lái)制造基于ARM的智能機(jī)芯片。

　　不難看出，英特爾、臺(tái)積電、三星這三大勢(shì)力實(shí)力相當(dāng)，單憑一己之力可能短時(shí)間內(nèi)無(wú)法決出勝負(fù)?；诜N種考慮，英特爾展開(kāi)了與其中一方臺(tái)積電的合作。據(jù)報(bào)道稱(chēng)，英特爾將推出搭載由臺(tái)積電20nm代工的Altera Arria 10可程式邏輯閘陣列的深度學(xué)習(xí)加速卡，以及搭載由臺(tái)積電28nm代工的Lake Crest處理器的類(lèi)神經(jīng)網(wǎng)路加速平臺(tái)。

　　此次英特爾為AI推出Intel Nervana平臺(tái)，同時(shí)預(yù)定在未來(lái)3年讓訓(xùn)練深度學(xué)習(xí)模型所耗用的時(shí)間比采用繪圖處理器解決方案減少百倍。一是針對(duì)基本機(jī)器深度學(xué)習(xí)設(shè)計(jì)的英特爾Skylake架構(gòu)Xeon處理器，亦即將在2017年下半年面市的Purley平臺(tái)，二是針對(duì)高效能機(jī)器學(xué)習(xí)打造、研發(fā)代號(hào)為Knights Mill的Xeon Phi協(xié)同處理器，可大幅縮減機(jī)器學(xué)習(xí)的訓(xùn)練時(shí)間。

　　三是英特爾針對(duì)低延遲及可程式化機(jī)器深度學(xué)習(xí)推出基于FPGA的AI加速解決方案，亦即英特爾在2016年底宣布將推出的深度學(xué)習(xí)加速卡DLIA，不僅可用在影像辨識(shí)應(yīng)用，搭配了由臺(tái)積電20nm制程代工的Altera Arria 10系列FPGA，可讓數(shù)據(jù)中心具備大量數(shù)據(jù)吞吐能力。

　　四是英特爾透過(guò)結(jié)合Xeon處理器及針對(duì)AI打造的Lake Crest處理器，可針對(duì)類(lèi)神經(jīng)網(wǎng)路進(jìn)行最佳化，為深度學(xué)習(xí)提供最高效能，而Lake Crest芯片主要委由臺(tái)積電28nm制程代工，將在2017年上半年進(jìn)行測(cè)試，完整平臺(tái)會(huì)在下半年正式推出。

　　其實(shí)這并不是英特爾與臺(tái)積電的第一次合作，早在2009年3月，英特爾就曾宣布，已與臺(tái)積電簽署諒解備忘錄。根據(jù)這一備忘錄，英特爾將向臺(tái)積電提供其“凌動(dòng)”處理器內(nèi)核，并由后者制造基于“凌動(dòng)”處理器的系統(tǒng)芯片等產(chǎn)品。

　　而此次英特爾與臺(tái)積電的聯(lián)手，看似美好，或許只是英特爾的一廂情愿。在2017年剛剛來(lái)臨之際，臺(tái)積電有了新動(dòng)作。媒體援引供應(yīng)鏈廠商消息稱(chēng)，臺(tái)積電的7納米芯片制造工藝將于2018年初大規(guī)模量產(chǎn)，從而趕上蘋(píng)果秋季的iPhone升級(jí)。今年二季度流片主要是為了提前調(diào)試良品率，為明年秋天的新iPhone和新iPad做準(zhǔn)備。

　　消息人士透露，臺(tái)積電聯(lián)席首席執(zhí)行官劉德音表示，公司將于今年完成7納米工藝開(kāi)發(fā)，然后2018年對(duì)生產(chǎn)線進(jìn)行改造，2019年完成5納米工藝開(kāi)發(fā)。Foxbusiness披露，臺(tái)積電披露了7納米工藝細(xì)節(jié)，與16納米工藝相比，7納米工藝速度將提升40%，能耗將降低逾65%，芯片面積只相當(dāng)于原來(lái)的0.43倍。

　　除了蘋(píng)果，將來(lái)高通、賽靈思和英偉達(dá)也將成為臺(tái)積電的大客戶(hù)。另外，目前已確定有15家客戶(hù)將使用臺(tái)積電的7納米技術(shù)，而臺(tái)積電希望能達(dá)到20家。臺(tái)積電此舉對(duì)于英特爾、三星而言，可謂重磅炸彈。

　　眾所周知，近年來(lái)全球半導(dǎo)體業(yè)中“大者恒大”的趨勢(shì)日益明顯，英特爾、三星與臺(tái)積電三足鼎立之勢(shì)已成，正在持續(xù)爭(zhēng)奪龍頭地位。在此情況下，對(duì)先進(jìn)工藝的掌控成為三家企業(yè)互相競(jìng)爭(zhēng)的主要手段之一。臺(tái)積電率先量產(chǎn)7nm芯片，無(wú)疑將其他兩大巨頭甩在身后。2對(duì)此，英特爾與三星將會(huì)作何反應(yīng)，2017年又將有何布局，想必這一年的半導(dǎo)體市場(chǎng)不會(huì)太平靜。