受惠晶片,三星電子Q3業(yè)績創(chuàng)新高,計劃明年繼續(xù)擴產(chǎn)DRAM

　　明年的DRAM市場將會迎來一場局變，因前段時間的存儲晶片價格上漲，三星電子在第三季度的凈利潤再創(chuàng)新高，所以三星計劃明年將會繼續(xù)擴大DRAM的產(chǎn)能，此舉有望改變明年DRAM供給緊俏的格局。

　　三星電子日前發(fā)布第三季度財報，數(shù)據(jù)顯示，受惠于晶片事業(yè)，三星電子第三季營收62兆韓元，年增29.8%，營業(yè)盈利較去年同期增長近2倍、凈利增長逾1倍，再創(chuàng)新高。市場調(diào)查機構(gòu)預測，三星有可能擴大明年的DRAM產(chǎn)出，有望改變明年DRAM供給緊俏的格局。

　　受惠晶片，三星電子Q3凈利創(chuàng)新高

　　受惠于強勁的晶片事業(yè)，三星電子第三季營業(yè)盈利較去年同期增長近2倍、凈利增長逾1倍，再創(chuàng)新高。三星并宣布，在2018至2020年期間，將發(fā)放股利共約29兆韓元。

　　三星電子公布，第三季營收年增29.8%，為62兆韓元，符合本月初公布的初估值。營業(yè)盈利為14.53兆韓元，較去年同期的5.2兆韓元大幅增長近2倍，符合先前公布的初估值。凈利為11.1兆韓元，較去年同期的4.53兆韓元增長逾1倍。

　　第三季晶片部門營業(yè)盈利為10兆韓元，較去年同期的3.4兆韓元增長近2倍，創(chuàng)歷史新高。移動事業(yè)第三季營業(yè)盈利為3.3兆韓元，相較去年同期的1000億韓元。

　　三星表示，存儲晶片需求仍將穩(wěn)健、供應仍然緊俏。軟性（flexibe）OLED面板出貨增長，以及推出新的硬式（rigid）OLED面板將增進業(yè)績表現(xiàn)。零組件事業(yè)仍將是2018年的增長引擎。存儲市場的景氣依然看好，2018年DRAM市場仍將呈現(xiàn)正增長。第四季年終旺季的智慧手機和平板電腦的需求都可望增長。今年總資本支出估算為46.2兆韓元，其中，半導體事業(yè)資本支出預估為29.5兆韓元，顯示器面板事業(yè)資本支出估為14.1兆韓元。

　　三星并宣布將回購1.9兆韓元自家普通股，并勾銷2.3兆韓元的自家股票，第三季股利為每股7000韓元，2018至2020年期間將發(fā)放股利共約29兆韓元。2018年的股東回報將較今年提高100%。

　　考慮明年擴大DRAM產(chǎn)能

　　市場調(diào)查機構(gòu)集邦科技發(fā)出預警，指出三星有可能擴大明年的DRAM產(chǎn)出，將其明年位元產(chǎn)出供給量由原本預估的18%成長上升至23%，此舉有望改變明年DRAM供給緊俏的格局。

　　由于DRAM廠近兩年來產(chǎn)能擴張幅度有限，加上制程轉(zhuǎn)換的難度，DRAM供給成長明顯較往年放緩，配合著下半年終端市場消費旺季的推波助瀾，DRAM合約價自2016年中開啟漲價序幕。然而，三星傳出在考慮提高競爭者進入門檻下，可能將擴大DRAM產(chǎn)能，恐將改變DRAM供給緊俏格局。

　　集邦指出，以主流標準型存儲模組（DDR4 4GB）合約價為例，從去年中開始起漲，由當時的DDR4 4GB 13美元均價拉升至今年第四季合約價30.5美元，報價連續(xù)六個季度向上，合計漲幅超過130%，帶動相關(guān)DRAM大廠獲利能力大幅提升。截至目前為止，三星第二季度DRAM事業(yè)營業(yè)盈利率來到59%，SK海力士也有54%的表現(xiàn)，美光亦達44%。展望第四季，DRAM合約價持續(xù)上漲，各家廠商的獲利能力亦可望繼續(xù)攀升。

　　正因DRAM產(chǎn)業(yè)已進入寡占格局，理論上廠商對于高獲利的運作模式是樂觀其成。然而，在連續(xù)數(shù)季存儲價格上升的帶動下，SK海力士、美光皆累積許多在手現(xiàn)金。有了豐沛的資源，SK海力士將在年底進行18奈米制程轉(zhuǎn)進，無錫二廠也將在明年興建，預計2019年產(chǎn)出；美光藉著股價水漲船高之際宣布現(xiàn)金增資，代表未來在蓋新廠、擴張產(chǎn)能與制程升級上預做準備，此舉無疑激起三星的警戒心，使得三星開始思索DRAM擴產(chǎn)計畫。

　　三星可能採取的擴產(chǎn)動作，除了是因應供給吃緊狀況，最重要的是藉由提高DRAM產(chǎn)出量，壓抑存儲價格上漲幅度。雖然短期內(nèi)的高資本支出將帶來折舊費用的提升，并導致獲利能力下滑，但三星著眼的是長期的產(chǎn)業(yè)布局與保有其在DRAM市場的領(lǐng)先地位，以及與其他DRAM大廠維持1-2年以上的技術(shù)差距。此外，明年堪稱中國存儲發(fā)展的元年，三星透過壓低DRAM或是NAND的價格，將能提升中國競爭者的進入門檻，并使競爭對手虧損擴大、增加發(fā)展難度并減緩其開發(fā)速度。

　　集邦指出，三星有意將其平澤廠二樓原定興建NAND的產(chǎn)線，部分轉(zhuǎn)往生產(chǎn)DRAM，并全數(shù)採用18奈米制程，加上原有Line17還有部分空間可以擴產(chǎn)，預計三星此舉最多將2018年DRAM產(chǎn)出量8萬片到10萬片，也代表三星的DRAM產(chǎn)能可能由2017年底的39萬片一口氣逼近至50萬片的水準，亦將帶動三星明年位元產(chǎn)出供給量由原本預估的18%成長上升至23%。

　　從整體DRAM供給來看，2018年供給年成長率將來到22.5%，高于今年的19.5%，亦即明年DRAM供需缺口將可能被彌平，預期SK海力士與美光將加入軍備競賽以鞏固市占可能性高，為DRAM市場增添新的變數(shù)。

　　然而，集邦認為，三星此舉將可能改變DRAM市場供給緊俏格局，只是修正目前競爭對手的超額利潤，降為較合理獲利結(jié)構(gòu)；再者，隨著大廠將部分投資重心由NAND Flash轉(zhuǎn)往DRAM，將可望降低明年NAND Flash供過于求的情形，并進而減緩整體NAND Flash平均售價（average selling price）下滑的速度。三星擴廠或許對2018年DRAM市場將帶來部分衝擊，但就整體存儲產(chǎn)業(yè)的長期發(fā)展來看，未必是負面訊息。