英飛凌科技股份公司推出的新一代碳化硅（SiC）MOSFET溝槽柵技術(shù)，無疑為功率系統(tǒng)和能量轉(zhuǎn)換領(lǐng)域帶來了革命性的進步。與上一代產(chǎn)品相比，全新的CoolSiC? MOSFET 650V和1200V
2024-03-20 10:32:36
126 一端的溫度、T2為物體另一端熱源的溫度，P 為熱源的功率。適用于 一維、穩(wěn)態(tài)、無內(nèi)熱源的情況下的熱阻。在近似分析中，我們依然可以參照此式。 簡單的說， 熱阻 Rth就是描述阻礙散熱的物理量，熱阻越大
2024-03-13 07:01:48
MOS管瞬態(tài)熱阻測試（DVDS）失效品分析如何判斷是封裝原因還是芯片原因，有什么好的建議和思路
2024-03-12 11:46:57
意法半導(dǎo)體（ST）近日推出了一系列功率MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動器，這些產(chǎn)品不僅在設(shè)計上追求穩(wěn)健性和可靠性，還致力于提供高度的系統(tǒng)集成性和靈活性，以滿足不同應(yīng)用場景的需求。
2024-03-12 10:54:43224 全球知名半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商Vishay日前宣布推出其最新型的多功能30V N溝道TrenchFET?第五代功率MOSFET——Vishay Siliconix SiSD5300DN。這款新型功率
2024-03-12 10:38:14102 近日，全球知名的半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商Vishay宣布推出新型80V對稱雙通道N溝道功率MOSFET，型號為SiZF4800LDT。這款新產(chǎn)品將高邊和低邊TrenchFET? Gen IV
2024-03-12 10:32:0293 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（以下簡稱“東芝”）近日宣布，其最新研發(fā)的DTMOSVI系列高速二極管型功率MOSFET已正式推出。該系列產(chǎn)品特別適用于數(shù)據(jù)中心和光伏功率調(diào)節(jié)器等關(guān)鍵應(yīng)用的開關(guān)電源，展現(xiàn)了東芝在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的深厚實力與持續(xù)創(chuàng)新。
2024-03-12 10:27:36255 另外，CoolSiC MOSFET產(chǎn)品組合還成功實現(xiàn)了SiC MOSFET市場中的最低導(dǎo)通電阻值（Rdson），這大大提高了能效、功率密度，以及在電力系統(tǒng)中的可靠性，降低了零件使用數(shù)量。
2024-03-10 12:32:41502 安森美，智能電源和智能感知技術(shù)的領(lǐng)軍企業(yè)，今日宣布推出SPM31智能功率模塊（IPM），該模塊采用了創(chuàng)新的場截止第7代（FS7）絕緣柵雙極晶體管（IGBT）技術(shù)。SPM31 IPM以其更高的能效、更小的尺寸和更高的功率密度，顯著降低了總體系統(tǒng)成本，為行業(yè)樹立了新的標桿。
2024-03-01 09:53:53163 英飛凌為基于CYW43012的設(shè)計降低功率峰值提供了哪些指導(dǎo)。
開機和喚醒時似乎出現(xiàn)浪涌功率峰值。
基于 CYW43012 的模塊似乎需要大約 600ma-700mA 的峰值電流消耗。
是否有偏移或序列函數(shù)的選項，這些函數(shù)需要較大的浪涌才能將峰值電流限制在 500mA 以內(nèi)？
2024-02-29 07:34:38
意法半導(dǎo)體（下文為ST）的功率MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動器旨在提供穩(wěn)健性、可靠性、系統(tǒng)集成性和靈活性的完美結(jié)合。
2024-02-27 09:05:36578 
在關(guān)斷狀態(tài)下，功率MOSFET的體二極管結(jié)構(gòu)的設(shè)計是為了阻斷最小漏極-源極電壓值。MOSFET體二極管的擊穿或雪崩表明反向偏置體二極管兩端的電場使得漏極和源極端子之間有大量電流流動。典型的阻斷狀態(tài)漏電流在幾十皮安到幾百納安的數(shù)量級。
2024-02-23 09:38:53343 
東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，在新一代[1]具有超結(jié)結(jié)構(gòu)的DTMOSVI系列中推出高速二極管型功率MOSFET——DTMOSVI（HSD），
2024-02-22 18:22:41976 
Vishay 推出多功能新型 30 V N 溝道 TrenchFET 第五代功率 MOSFET，進一步提高工業(yè)、計算機、消費電子和通信應(yīng)用的功率密度，增強熱性能。
2024-02-22 17:11:08353 
功率MOSFET是一種廣泛應(yīng)用于電力電子轉(zhuǎn)換器的高性能開關(guān)器件。它具有高輸入阻抗、低導(dǎo)通電阻、快速開關(guān)速度和良好的熱穩(wěn)定性等特點，因此在各種高壓、高頻、高效率的電源系統(tǒng)中發(fā)揮著重要作用。 結(jié)構(gòu)
2024-01-17 17:24:36294 
表面絕緣阻抗是指表面材料在電場中對電流的阻礙程度，通常用于衡量一個材料的絕緣性能。當三防漆噴涂在某個表面后，如果這個表面的絕緣阻抗降低，意味著三防漆涂層并未提供預(yù)期的絕緣保護，可能存在電流在這個表面上的穿透或泄漏的問題。
2024-01-12 09:45:49293 等大功率領(lǐng)域，能顯著提高效率，降低裝置體積。在這些應(yīng)用領(lǐng)域中，對功率器件的可靠性要求很高，為此，針對自主研制的3300V SiC MOSFET 開展柵氧可靠性研究。首先，按照常規(guī)的評估技術(shù)對其進行了高溫
2024-01-04 09:41:54593 
英飛凌推出業(yè)內(nèi)首款采用全新 OptiMOS 7 技術(shù)的 15 V 溝槽功率 MOSFET。這項技術(shù)經(jīng)過系統(tǒng)和應(yīng)用優(yōu)化，主要應(yīng)用于服務(wù)器和計算應(yīng)用中的低輸出電壓 DC-DC 轉(zhuǎn)換。英飛凌是首家推出15
2023-12-29 12:30:49362 
電機的熱繼電器的電流設(shè)置是電機額電功率的多少倍啊？
2023-12-19 08:18:44
如何避免功率MOSFET發(fā)生寄生導(dǎo)通?
2023-12-06 18:22:24522 
功率MOSFET在電力電子設(shè)備中應(yīng)用十分廣泛，因其故障而引起的電子設(shè)備損壞也比較常見。分析研究功率MOSFET故障的原因、后果，對于MOSFET的進一步推廣應(yīng)用具有重要意義。
2023-12-04 15:57:241113 
性能提升，功耗降低！，這樣的MOSFET是你的最愛么？
2023-12-04 15:09:36114 
功率MOSFET雪崩特性分析
2023-12-04 14:12:36315 
問題1：在功率MOSFET管應(yīng)用中，主要考慮哪些參數(shù)？在負載開關(guān)的功率MOSFET管導(dǎo)通時間計算，通常取多少比較好？相應(yīng)的PCB設(shè)計，銅箔面積布設(shè)多大散熱會比較好？漏極、源極銅箔面積大小是否需要一樣？有公式可以計算嗎？
2023-12-03 09:30:40408 
隨著車載電子設(shè)備越來越多，功耗問題變得日趨嚴重。例如，如果音頻功率放大器的靜態(tài)電流達到200ma，則采用12v電源時靜態(tài)功耗就高達2.4w。有沒有一種方法能開機但不需要揚聲器發(fā)出聲音的時候，關(guān)閉放大器來降低功耗？
2023-11-29 08:14:15
電機熱功率應(yīng)該如何計算呢？
強制風冷的選型如何選擇呢？和電機的熱功率又有什么樣的聯(lián)系呢？
2023-11-24 06:54:24
使用SiC MOSFET時如何盡量降低電磁干擾和開關(guān)損耗
2023-11-23 09:08:34333 
功率MOSFET零電壓軟開關(guān)ZVS的基礎(chǔ)認識
2023-11-23 09:06:38407 
隨著汽車行業(yè)逐步縱深電氣化，我們已經(jīng)創(chuàng)造出了顯著減少碳排放的可能性。然而，由此而來的是，增加的電子設(shè)備使得汽車對電力運作的需求日益攀升，這無疑對電源網(wǎng)絡(luò)提出了更高的功率密度和效率的要求。在其中，MOSFET以其在電源管理設(shè)計中的關(guān)鍵切換功能，成為了提升功率密度不可或缺的元素。
2023-11-20 14:10:06672 
高壓功率MOSFET管早期主要為平面型結(jié)構(gòu)，采用厚低摻雜的N-外延層epi，保證器件具有足夠擊穿電壓，低摻雜N-外延層epi尺寸越厚，耐壓額定值越大，但是，導(dǎo)通電阻隨電壓以2.4-2.6次方增長，導(dǎo)通電阻急劇增大，電流額定值降低。
2023-11-04 08:46:121426 
MOSFET中文名為金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，簡稱金氧半場效晶體管或MOS管，可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管。而功率MOSFET則指處于功率輸出級的MOSFET器件，通常工作電流大于1A。
2023-11-03 09:38:34196 
功率MOSFET選型的幾點經(jīng)驗在此，根據(jù)學到的理論知識和實際經(jīng)驗，和廣大同行一起分享、探討交流下功率MOSFET的選型。由于相應(yīng)理論技術(shù)文章有很多介紹MOSFET參數(shù)和性能的，這里不作贅述，只對實際
2023-10-26 08:02:47373 
在此，根據(jù)學到的理論知識和實際經(jīng)驗，和廣大同行一起分享、探討交流下功率MOSFET的選型。
2023-10-25 10:43:16765 
和小功率MOSFET類似，功率MOSFET也有分為N溝道和P溝道兩大類;每個大類又分為增強型和耗盡型兩種。
2023-10-25 10:42:27493 
Littelfuse宣布推出首款汽車級PolarP P通道功率MOSFET產(chǎn)品 IXTY2P50PA。這個創(chuàng)新的產(chǎn)品設(shè)計能滿足汽車應(yīng)用的嚴苛要求，提供卓越的性能和可靠性。
2023-10-25 09:43:25402 汽車電子MOSFET發(fā)展的一個最終方向是提高感測、控制和保護功率開關(guān)的性能。功率器件正集成到智能化車載系統(tǒng)中。現(xiàn)在在最低功率級別，MOSFET可以與功率器件上的感測元件一起使用。
2023-10-20 11:44:58148 
Littelfuse 公司宣布推出CPC3981Z，一種800V、100mA、45歐姆小功率N溝道耗盡型MOSFET。
2023-10-18 09:13:28502 眾所周知，由于采用了絕緣柵，功率MOSFET器件只需很小的驅(qū)動功率，且開關(guān)速度優(yōu)異。可以說具有“理想開關(guān)”的特性。其主要缺點是開態(tài)電阻(RDS(on))和正溫度系數(shù)較高。本教程闡述了高壓N型溝道功率
2023-10-18 09:11:42621 
MOSFET也已經(jīng)發(fā)展到了第3代，新推出的650V和1200V電壓產(chǎn)品現(xiàn)已量產(chǎn)。其柵極驅(qū)動電路設(shè)計簡單，可靠性得到進一步的提高。 碳化硅MOSFET的優(yōu)勢 相同功率等級的硅MOSFET相比，新一代碳化硅MOSFET導(dǎo)通電阻、開關(guān)損耗大幅降低，適用于更高的工作頻率，
2023-10-17 23:10:02268 
全新的OptiMOS6 40V功率MOSFET以及OptiMOS5 25V和30V 功率MOSFET進一步優(yōu)化了用于高性能設(shè)計的成熟OptiMOS技術(shù)。新產(chǎn)品采用超小型PQFN 2x2 mm2封裝，具備先進的硅技術(shù)、穩(wěn)定可靠的封裝與極低的熱阻（RthJC最大值為3.2 K/W）。
2023-10-13 16:25:12518 中壓MOSFET，是美格納40~200V溝槽MOSFET的尖端產(chǎn)品組合。 在大功率設(shè)備中，能源效率對于降低功耗和確保穩(wěn)定性至關(guān)重要。利用美格納尖端的溝槽式MOSFET技術(shù)，這些新發(fā)布的第8代150V MXT MV
2023-10-12 17:15:09736 在過去的十幾年中，大功率場效應(yīng)管引發(fā)了電源工業(yè)的革命，而且大大地促進了電子工業(yè)的發(fā)展。由于MOSFET管具有更快的開關(guān)速度,電源開關(guān)頻率可以做得更高,可以從50kHz提高到200kHz 甚至
2023-09-28 06:33:09
MOSFET功率損耗的詳細計算
2023-09-28 06:09:39
如何避免功率MOSFET發(fā)生寄生導(dǎo)通?
2023-09-18 16:54:35590 
的性能，限制了其在一些特定應(yīng)用領(lǐng)域的應(yīng)用。因此，研究如何降低MOSFET的1/f噪聲是非常重要的。 1. 優(yōu)化器件結(jié)構(gòu) MOSFET的1/f噪聲來源于復(fù)雜的表面效應(yīng)。為了減小這種噪聲，可以從優(yōu)化器件結(jié)構(gòu)的角度入手。一種方法是增加器件面積。隨著面積的增加，器件中的1/f噪聲相對于總噪聲
2023-09-17 17:17:361208 SJ MOSFET是一種先進的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明，
高性能適配器等。
2023-09-15 08:19:34
SJ MOSFET是一種先進的高電壓功率MOSFET，根據(jù)P&S的超結(jié)原理。報價設(shè)備提供了快速切換的所有好處并且導(dǎo)通電阻低，使其特別適用于需要更多高效，更緊湊，LED照明，高
性能適配器等。
2023-09-15 08:16:02
SJ MOSFET是一種先進的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明，
高性能適配器等。
2023-09-15 06:19:23
相對于IGBT，SiC-MOSFET降低了開關(guān)關(guān)斷時的損耗，實現(xiàn)了高頻率工作，有助于應(yīng)用的小型化。相對于同等耐壓的SJ-MOSFET，導(dǎo)通電阻較小，可減少相同導(dǎo)通電阻的芯片面積，并顯著降低恢復(fù)損耗。
2023-09-11 10:12:33566 
東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）近日宣布，推出采用有助于降低開關(guān)損耗的4引腳TO-247-4L(X)封裝的碳化硅（SiC）MOSFET---“TWxxxZxxxC系列”，該產(chǎn)品采用東芝最新的[1]第3代碳化硅MOSFET芯片，用于支持工業(yè)設(shè)備應(yīng)用。
2023-09-07 09:59:32731 
? 【 2023 年 8 月 3 日，德國慕尼黑訊】 小型分立式功率MOSFET在節(jié)省空間、降低成本和簡化應(yīng)用設(shè)計方面發(fā)揮著至關(guān)重要的作用。此外，更高的功率密度還能實現(xiàn)靈活的布線并縮小系統(tǒng)的整體尺寸
2023-09-06 14:18:431202 
功率MOSFET是便攜式設(shè)備中大功率開關(guān)電源的主要組成部分。此外，對于散熱量極低的筆記本電腦來說，這些MOSFET是最難確定的元件。本文給出了計算MOSFET功耗以及確定其工作溫度的步驟，并通過多相、同步整流、降壓型CPU核電源中一個30A單相的分布計算示例，詳細說明了上述概念。
2023-09-06 09:14:32446 
點擊“東芝半導(dǎo)體”，馬上加入我們哦！ 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布， 推出采用有助于降低開關(guān)損耗的4引腳TO-247-4L(X)封裝的碳化硅（SiC）MOSFET
2023-09-04 15:13:401134 
閃爍噪聲，也稱為1/f噪聲，是由于導(dǎo)體接觸點電導(dǎo)的隨機漲落引起的。在低頻區(qū)域，這種噪聲功率譜密度與頻率成反比，因此，它對電路的影響可能更加顯著。
在RF振蕩器中，閃爍噪聲尤其可能占主導(dǎo)地位。這可
2023-09-01 16:59:12
為了劃分所涉及的功率并創(chuàng)建可以承受更多功率的器件，開關(guān)、電阻器和 MOSFET 并聯(lián)連接。
2023-08-29 11:47:48302 
功率MOSFET數(shù)據(jù)表參數(shù)
2023-08-24 09:13:06552 
據(jù)介紹，瞻芯電子開發(fā)的第二代SiC MOSFET產(chǎn)品驅(qū)動電壓(Vgs)為15-18V，可提升應(yīng)用兼容性，簡化應(yīng)用系統(tǒng)設(shè)計。在產(chǎn)品結(jié)構(gòu)上，第二代SiC MOSFET與第一代產(chǎn)品同為平面柵MOSFET，但進一步優(yōu)化了柵氧化層工藝和溝道設(shè)計，使器件比導(dǎo)通電阻降低約25%，并顯著降低開關(guān)損耗，提升系統(tǒng)效率。
2023-08-23 15:38:01703 隨著現(xiàn)代電子設(shè)備對小型化和高效率的要求不斷提高,對電源管理芯片的技術(shù)也提出了更高要求。針對此趨勢,安森德半導(dǎo)體公司推出了新一代異步整流MOSFET—ASDM100R090NKQ。這款100V N溝道功率MOSFET憑借其卓越的靜態(tài)和動態(tài)性能參數(shù),將助您的設(shè)計實現(xiàn)更高功率密度和轉(zhuǎn)換效率。
2023-08-14 15:04:45367 
..........................................................................................................................................17
6 MOSFET 的放置和功率級布線
2023-08-11 17:16:13
采用 SOP8 封裝，且外圍元器件少。
特點
1.5A 的最大輸出電流
60V/2A 的內(nèi)部功率 MOSFET
效率高達 93%
頻率可調(diào)
熱關(guān)斷
逐周期過流保護
寬輸入電壓范圍：6~60V
采用 SOP8 封裝
應(yīng)用
分布式電源系統(tǒng)
電池充電器
工業(yè)電源系統(tǒng)
行車記錄儀，車載充電器，掃地機
2023-07-29 14:13:39
森國科隆重推出IGBT分立器件新品，兼具功率MOSFET易于驅(qū)動、控制簡單、開關(guān)頻率高和功率雙極型晶體管(BJT)低飽和壓降、大電流運輸能力及低損耗的優(yōu)點。
2023-07-26 17:34:13355 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《DMC4040SSD可降低MOSFET損耗 確?？煽窟\行.pdf》資料免費下載
2023-07-25 16:07:11
0 在過去的幾年里，MOSFET已經(jīng)成為功率開關(guān)的首選器件應(yīng)用程序。雖然導(dǎo)通電阻顯著降低，但它們通常需要驅(qū)動器級以獲得最佳性能，特別是當由低電壓、低電流源驅(qū)動時。這就是雙極晶體管固有優(yōu)勢的優(yōu)勢所在
2023-07-24 10:01:370 MOSFET的漏伏安特性（輸出特性）：截止區(qū)（對應(yīng)GTR的截止區(qū)）;飽和區(qū)（對應(yīng)于GTR的放大區(qū)）;非飽和區(qū)（對應(yīng)于GTR的飽和區(qū)）。功率MOSFET在開關(guān)狀態(tài)下工作，即截止區(qū)域和不飽和區(qū)之間的轉(zhuǎn)換
2023-07-04 16:46:37975 
功率MOSFET的UIS雪崩損壞有三種模式：熱損壞、寄生三極管導(dǎo)通損壞和VGS尖峰誤觸發(fā)導(dǎo)通損壞。
2023-06-29 15:40:541276 
功率 MOSFET 即金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（ Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor ）有三個管腳，分別為柵極（ Gate
2023-06-28 08:39:353665 
功率MOSFET最常用于開關(guān)型應(yīng)用中，發(fā)揮著開關(guān)的作用。
2023-06-27 17:41:20369 
電池到系統(tǒng)（BAT-to-SYS）連接阻抗至關(guān)重要，它通過減少裕量和功耗來影響電池運行時間。外部調(diào)整管可將阻抗降低 50% 以上。本應(yīng)用筆記給出了MAX8662電源管理IC的智能電源選擇器功能，可驅(qū)動外部MOSFET，以降低開關(guān)電阻和功耗。顯示性能數(shù)據(jù)。
2023-06-25 14:26:07245 
PCB板為什么要做表面處理？
由于PCB上的銅層很容易被氧化，因此生成的銅氧化層會嚴重降低焊接質(zhì)量，從而降低最終產(chǎn)品的可靠性和有效性，為了避免這種情況的發(fā)生，需要對PCB進行表面處理。
常見的表面
2023-06-25 11:35:01
PCB板為什么要做表面處理？
由于PCB上的銅層很容易被氧化，因此生成的銅氧化層會嚴重降低焊接質(zhì)量，從而降低最終產(chǎn)品的可靠性和有效性，為了避免這種情況的發(fā)生，需要對PCB進行表面處理。
常見的表面
2023-06-25 11:17:44
PCB板為什么要做表面處理？
由于PCB上的銅層很容易被氧化，因此生成的銅氧化層會嚴重降低焊接質(zhì)量，從而降低最終產(chǎn)品的可靠性和有效性，為了避免這種情況的發(fā)生，需要對PCB進行表面處理。
常見的表面
2023-06-25 10:37:54
引言：電阻器可施加的最大功率會隨著溫度而變化，但以往大多不考慮電阻器的溫度，僅通過“電阻器負載功率在額定功率的30％以內(nèi)”等條件來進行設(shè)計，在引腳型電阻器為主流的時代，即使使用這樣的設(shè)計，在產(chǎn)品
2023-06-14 16:53:00916 
【 2023 年 5 月 12 日，德國慕尼黑訊】 英飛凌科技股份公司（FSE 代碼：IFX / OTCQX 代碼：IFNNY）推出 OptiMOS? 7 40V MOSFET 系列。作為英飛凌
2023-06-06 11:01:361026 
功率MOSFET即金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）有三個管腳，分別為柵極（Gate
2023-06-05 15:12:10671 
分享功率MOSFET驅(qū)動保護電路方案大全，希望能幫助大家
2023-05-24 10:22:02
同步整流技術(shù)就是用功率MOSFET代替普通二極管或者肖特基二極管進行整流,所以,研究同步整流技術(shù),就必須首先深入地了解同步整流器件,即功率MOSFET。
2023-05-18 09:10:06421 
在測試過程中，發(fā)現(xiàn)在NFC TX過程中，主板的GND 有干擾。
VBAT 和 VDD(up) 都連接到電池。
有什么辦法可以改善嗎？
降低發(fā)射功率有用嗎？
如何通過軟件或硬件降低TX功率？
2023-05-18 08:34:45
功率MOSFET的雪崩強度限值是衡量器件針對于感性負載在開關(guān)動作應(yīng)用中的重要參數(shù)。 清楚地理解雪崩強度的定義，失效的現(xiàn)象及評估的方法是功率MOSFET電路設(shè)計必備的能力。 本文將以下面三個方面進行探討。
2023-05-15 16:17:451133 
在功率MOSFET的數(shù)據(jù)手冊中會有一個看似復(fù)雜的SOA（Safe Operation Area）圖片，這個安全工作區(qū)域圖告訴我們只有MOSFET工作在曲線內(nèi)才是安全可靠的。如下面的Nexperia的NMOS管PHB32N06LT的SOA圖。
2023-05-15 16:16:311174 
功率MOSFET怎樣關(guān)斷？能否用PWM實現(xiàn)？怎樣實現(xiàn)？
2023-05-08 16:16:27
我想降低有源和 LPCD 模式下的射頻功率，以減少讀取范圍和功耗。我目前正在讀取 70mm 的 ISO 卡。
當前配置如下：
我想我應(yīng)該降低 VDDPA，但有很多與此相關(guān)的設(shè)置。
TXLDO_VDDPA_MAX_RDR（0008h）設(shè)置為3V3，但讀取范圍相同。
我應(yīng)該觸摸哪些鍵設(shè)置？
2023-04-28 07:24:02
污染物，從而阻止了活化反應(yīng)的發(fā)生。在熱的化學鎳溶液中，會產(chǎn)生氫氣釋放出焊料掩膜單體。然后，它禁止化學鎳的反應(yīng)并破壞化學平衡。
原因2：阻焊層不良的表面會導(dǎo)致焊盤表面劣化。
原因3：填充在微通孔中
2023-04-24 16:07:02
如何影響功率MOSFET器件內(nèi)部的工作溫度。將要考查的因素包括： ?外殼材料和外殼表面處理 ?上殼，下殼和周圍的內(nèi)部間距PCB ?PCB的底部冷卻（即PCB的底部表面與外殼的內(nèi)部表面接觸
2023-04-21 15:19:53
的拋光鋁外殼，由于鋁是良好的導(dǎo)熱體，輻射交換差，其效果更為顯著； l 陽極化鋁材料的溫度變化介于前兩組結(jié)果之間。這是因為，雖然鋁具有良好的導(dǎo)熱性，但陽極化鋁的表面性質(zhì)允許良好的輻射換熱； l 并排地看
2023-04-21 15:00:28
如何影響功率MOSFET器件內(nèi)部的工作溫度。將要考查的因素包括： ?外殼材料和外殼表面處理 ?上殼，下殼和周圍的內(nèi)部間距PCB ?PCB的底部冷卻（即PCB的底部表面與外殼的內(nèi)部表面接觸
2023-04-20 17:08:27
器件的系統(tǒng)時，電路設(shè)計人員應(yīng)該注意以下的熱因素： l 即使完全打開，MOSFET也會因為I2.R而耗散功率。（RDS（on）為器件導(dǎo)通電阻） l I2.RDS（on）損失將導(dǎo)致器件和其他地方的溫度
2023-04-20 16:49:55
PCB阻焊油墨根據(jù)固化方式，阻焊油墨有感光顯影型的油墨，有熱固化的熱固油墨，還有UV光固化的UV油墨。而根據(jù)板材分類，又有PCB硬板阻焊油墨，F(xiàn)PC軟板阻焊油墨，還有鋁基板阻焊油墨，鋁基板油墨也
2023-04-19 10:07:46
MOSFET作為主要的開關(guān)功率器件之一，被大量應(yīng)用于模塊電源。了解MOSFET的損耗組成并對其分析，有利于優(yōu)化MOSFET損耗，提高模塊電源的功率;但是一味的減少MOSFET的損耗及其他方面的損耗
2023-04-18 09:22:021248 MOSFET作為功率開關(guān)管，已經(jīng)是開關(guān)電源領(lǐng)域的絕對主力器件。雖然MOSFET作為電壓型驅(qū)動器件，其驅(qū)動表面上看來是非常簡單，但是詳細分析起來并不簡單。下面我會花一點時間，一點點來解析MOSFET的驅(qū)動技術(shù)，以及在不同的應(yīng)用，應(yīng)該采用什么樣的驅(qū)動電路。
2023-04-18 09:19:31600 像蠟燭一樣，功率MOSFET（功率場效應(yīng)晶體管）是切換負載最常見的方式，其四周圍繞著眾多分立電阻器與電容器（以及用于控制功率MOSFET的雙極結(jié)型晶體管（BJT）/第二個場效應(yīng)晶體管）圍繞的功率MOSFET）。但在多數(shù)情況下，使用全面集成的負載開關(guān)具有更顯著的優(yōu)點。
2023-04-15 09:17:39512 
阻并提高可靠性。東芝實驗證實，與現(xiàn)有SiC MOSFET相比，這種設(shè)計結(jié)構(gòu)在不影響可靠性的情況下[1]，可將導(dǎo)通電阻[2]（RonA）降低約20%。功率器件是管理各種電子設(shè)備電能，降低功耗以及實現(xiàn)碳中和
2023-04-11 15:29:18
OC5822 是一款內(nèi)置功率 MOSFET的單片降壓型開關(guān)模式轉(zhuǎn)換器。OC5822在6-60V 寬輸入電源范圍內(nèi)實現(xiàn) 1.5 A最大輸出電流，并且具有出色的線電壓和負載調(diào)整率。OC5822 采用
2023-04-07 16:52:54
OC5864 是一款內(nèi)置功率 MOSFET0.6A 的峰值輸出電流的單片降壓型開關(guān)模式轉(zhuǎn)換器。OC58640.9Q 的內(nèi)部功率 MOSFET在 5.5-60V 寬輸入電源范圍內(nèi)實現(xiàn) 0.6 A峰值
2023-04-07 16:43:02
KUU推出超小型SOT-723封裝MOSFET，特別為空間受限的便攜式應(yīng)用優(yōu)化的新一代MOSFET，這些新低閾值電壓MOSFET采用KUU先進的溝槽工藝技術(shù)來取得能夠和SOT-523等大上許多
2023-04-04 16:10:39987 
顯影不良，降低解像度；預(yù)烘時間過短，或溫度過低，在曝光時會粘連底片，在顯影時，阻焊膜會受到碳酸鈉溶液的侵蝕，引起表面失去光澤或阻焊膜膨脹脫落?！ ?、曝光 曝光是整個工藝過程的關(guān)鍵。如果曝光
2023-03-31 15:13:51
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