I2C接口是一種串行通信協(xié)議，全稱為Inter-Integrated Circuit，即集成電路間總線。它是一種雙向、兩線制（SCL和SDA）的串行通信接口，主要用于連接微控制器和其他外圍設(shè)備，如傳感器、存儲器、顯示器等。
2024-02-17 14:39:00
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電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《存儲器接口產(chǎn)品手冊.pdf》資料免費下載
2024-01-29 09:31:17
0 I2C（Inter-Integrated Circuit）總線是一種跨設(shè)備進行通信的串行通信接口，常用于連接微控制器、傳感器、存儲器和其他外設(shè)等。
2024-01-10 16:05:03165 STM32F103是意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics）推出的一款32位單片機系列，該系列芯片具有高性能和豐富的外設(shè)接口，廣泛應(yīng)用于工業(yè)控制、消費電子、汽車電子等領(lǐng)域。其中
2024-01-09 11:21:36372 近日，普冉半導(dǎo)體推出創(chuàng)新的 P24C系列高可靠 EEPROM 產(chǎn)品，應(yīng)下游客戶及市場需求，公司該新款系列產(chǎn)品可達到 1000萬次擦寫壽命，是公司為電表市場開發(fā)的超群產(chǎn)品，達到目前行業(yè)領(lǐng)先的擦寫次數(shù)。
2023-12-01 11:12:50563 PY25Q64HA是一種串行接口閃存設(shè)備，設(shè)計用于各種大容量的基于消費者的應(yīng)用程序，其中程序代碼從閃存隱藏到嵌入式或外部RAM中進行執(zhí)行。該設(shè)備靈活的擦除架構(gòu)，其頁面擦除粒度也是數(shù)據(jù)存儲的理想選擇，消除了對額外數(shù)據(jù)存儲設(shè)備的需要。
2023-11-29 16:45:57390 
EEPROM存儲器 64-Kbit(4096 X 8bit)，I2C接口 1.8-5.5V 1MHz
2023-11-28 15:52:12
EEPROM存儲器 64-Kbit(4096 X 8bit)，I2C接口 1.8-5.5V 1MHz
2023-11-28 15:52:11
EEPROM存儲器 32-Kbit(4096 X 8bit)，I2C接口 1.8-5.5V 1MHz
2023-11-28 15:29:49
EEPROM存儲器 4-Kbit(512 X 8bit)，I2C接口 1.8-5.5V 1MHz
2023-11-28 11:55:14
EEPROM存儲器 16-Kbit(2048 X 8bit)，I2C接口 1.8-5.5V 1MHz
2023-11-28 11:55:14
EEPROM存儲器 2-Kbit(256 X 8bit)，I2C接口 1.8-5.5V 1MHz
2023-11-28 11:43:50
EEPROM存儲器 4-Kbit(512 X 8bit)，I2C接口 1.8-5.5V 1MHz
2023-11-28 11:43:50
EEPROM存儲器 2-Kbit(256 X 8bit)，I2C接口 1.8-5.5V 1MHz
2023-11-28 11:26:32
EEPROM存儲器 1-Kbit(256 X 4bit)，I2C接口 1.8-5.5V 1MHz
2023-11-28 11:22:55
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《半導(dǎo)體存儲器電子課件.ppt》資料免費下載
2023-11-21 14:40:030
SRAM存儲器 ：8KB， FLASH存儲器： 64KB
支持用戶定制ISP（在系統(tǒng)編程）更新用戶程序
支持自定義BOOT程序
串行接口 ： UART*4，具有獨立8字節(jié)FIFO，最高支持主時鐘16分頻
2023-11-20 15:43:07
何謂半導(dǎo)體存儲器？ 半導(dǎo)體存儲器是指通過對半導(dǎo)體電路加以電氣控制，使其具備數(shù)據(jù)存儲保持功能的半導(dǎo)體電路裝置。 與磁盤和光盤裝置等相比，具有 數(shù)據(jù)讀寫快 存儲密度高 耗電量少 耐震 等特點。 關(guān)閉電源
2023-11-15 10:20:01731 
CW32單片機I2C接口讀寫EEPROM芯片介紹
2023-11-09 17:42:12498 
根據(jù)專利摘要，該申請涉及提高三維存儲器存儲密度的半導(dǎo)體芯片技術(shù)領(lǐng)域。這個半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的外部層沉積層、電容器、第一次接觸柱子及首家信號線組成，外圍堆疊層包括層疊設(shè)置的多個膜層對，膜層對第一個防止介質(zhì)層和柵極層，包括各雙膜形成多個臺階。
2023-10-30 11:32:24540 
本文是IIC總線的實際應(yīng)用，將帶領(lǐng)讀者一步一步閱讀AT24C02數(shù)據(jù)手冊，看時序圖了解如何使用IIC接口EEPROM存儲模塊AT24C02，并編寫代碼使用STM32驅(qū)動這個模塊。
2023-10-26 14:25:26747 
EEPROM（帶電可擦可編程只讀存儲器）是用戶可更改的只讀存儲器，可通過高于普通電壓的作用來擦除和重編程（重寫）。不像EPROM芯片，EEPROM不需從計算機中取出即可修改。在一個EEPROM
2023-10-23 17:08:07357 
/F3訪問線8位微控制器提供8 KB閃存程序存儲器，以及集成的真數(shù)據(jù)EEPROM。STM8S微控制器系列參考手冊（RM0016）將該系列中的設(shè)備稱為低密度。它們具
2023-10-17 16:52:24
STM32H725ZGT6，ST/意法半導(dǎo)體，Arm?Cortex?-M7 32位550 MHz MCU，最高1 MB閃存，564 KB，RAM、以太網(wǎng)、USB、3個FD-CAN、圖形、2個16位
2023-10-16 15:52:51
自舉程序存儲在 STM32 器件的內(nèi)部自舉 ROM 存儲器（系統(tǒng)存儲器）中。在生產(chǎn)期間由 ST編程。其主要任務(wù)是通過一種可用的串行外設(shè)（USART、CAN、USB、I2C 等）將應(yīng)用程序下載到內(nèi)部
2023-09-28 07:15:06
如何檢測24c存儲器容量
2023-09-25 06:48:32
概述在MCU的使用中，經(jīng)常遇到需要存儲參數(shù)或掉電保持?jǐn)?shù)據(jù)等功能。其中，F(xiàn)lash和EEPROM是常見的非易失性存儲器，都可以做到設(shè)備掉電重啟后，數(shù)據(jù)還會保留。但二者有明顯的區(qū)別：EEPROM可以
2023-09-22 08:19:23676 
在MCU的使用中，經(jīng)常遇到需要存儲參數(shù)或掉電保持?jǐn)?shù)據(jù)等功能。其中，F(xiàn)lash和EEPROM是常見的非易失性存儲器
2023-09-21 09:14:39812 1. 描述 引腳排列
CW24C32A/64A/128A是32768/65536/131072位的串行電可擦除只讀存儲器(EEPROM)，分別采用4096/8192/16384×8位的組織結(jié)構(gòu)
2023-09-15 07:53:08
1. 描述 引腳排列
CW24C256A/512A是262144/524288位的串行電可擦除只讀存儲器(EEPROM)，分別采用32768/65536 ×8位的組織結(jié)構(gòu)，廣泛應(yīng)用于低電壓和低功耗
2023-09-15 07:45:35
1. 描述 引腳排列
CW24C256B/512B是262144/524288位的串行電可擦除只讀存儲器(EEPROM)，分別采用32768/65536 ×8位的組織結(jié)構(gòu)，廣泛應(yīng)用于低電壓和低功耗
2023-09-15 07:20:24
1. 描述 引腳排列
CW24C02A/04A/08A是2048/4096/8192位的串行電可擦除只讀存儲器（EEPROM），分別采用256/512/1024×8位的組織結(jié)構(gòu)，廣泛應(yīng)用于低電壓
2023-09-15 06:53:34
意法半導(dǎo)體ST25TV芯片系列提供了NFC forum標(biāo)簽，使消費者能夠體驗數(shù)字化生活。嵌入式EEPROM存儲器的存儲密度范圍從512位到64 Kb不等，可覆蓋各種應(yīng)用，包括品牌保護和門禁控制。
ST25TV系列提供最先進的RF性能以及強大的保護功能，例如block lock機制與加密密碼。
2023-09-14 08:25:12
▌峰會簡介第五屆意法半導(dǎo)體工業(yè)峰會即將啟程，現(xiàn)我們敬邀您蒞臨現(xiàn)場，直擊智能熱點，共享前沿資訊，通過意法半導(dǎo)體核心技術(shù)，推動加快可持續(xù)發(fā)展計劃，實現(xiàn)突破性創(chuàng)新~報名鏈接：https
2023-09-11 15:43:36
1.芯片簡介 24c02是一種串行電可擦除只讀存儲器(以下數(shù)據(jù)均以AT24C02為例)，即eeprom存儲器器件，采用的 IIC 總線技術(shù)。24c02在許多試驗中都有出現(xiàn)。24c02 的應(yīng)用，主要
2023-09-11 11:36:521090 
意法半導(dǎo)體擁有最先進的平面工藝，并且會隨著G4不斷改進：? 導(dǎo)通電阻約比G3低15%? 工作頻率接近1 MHz? 成熟且穩(wěn)健的工藝? 吞吐量、設(shè)計簡單性、可靠性、經(jīng)驗…? 適用于汽車的高生產(chǎn)率
2023-09-08 06:33:00
本應(yīng)用筆記描述了意法半導(dǎo)體開發(fā)的首款指令緩存(ICACHE)和數(shù)據(jù)緩存(DCACHE)。在 Arm? Cortex?-M33 處理器的 AHB 總線中引入的 ICACHE 和 DCACHE 嵌入到
2023-09-07 07:51:27
意法半導(dǎo)體的廣泛數(shù)字電源產(chǎn)品組合可滿足數(shù)字電源設(shè)計的要求。我們的產(chǎn)品包括MCU（專為數(shù)字功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用而設(shè)計，采用全數(shù)字控制方法）和數(shù)字控制器（具有面向軟件控制算法的專用ROM存儲器）。意法半導(dǎo)體
2023-09-07 06:49:47
意法半導(dǎo)體的廣泛數(shù)字電源產(chǎn)品組合可滿足數(shù)字電源設(shè)計的要求。我們的產(chǎn)品包括MCU（專為數(shù)字功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用而設(shè)計，采用全數(shù)字控制方法）和數(shù)字控制器（具有面向軟件控制算法的專用ROM存儲器）。意法半導(dǎo)體
2023-09-06 07:44:16
、意法半導(dǎo)體Nucleo-F429ZI和Nucleo-F746ZG。
然而，這些分析和原理大多是通用的，可以類似地應(yīng)用于其他具有存儲器保護單元(MPU)的Cortex-M設(shè)備。
該示例項目是作為商業(yè)FUSA RTS交付成果的一部分提供的。
聯(lián)系A(chǔ)RM銷售人員或當(dāng)?shù)谹RM經(jīng)銷商以獲得評估。
2023-09-05 06:10:22
本應(yīng)用筆記為將意法半導(dǎo)體環(huán)境傳感器 （氣壓、濕度、紫外線傳感器）成功集成到Linux/Android 操作系統(tǒng)提供指南。
2023-09-05 06:08:58
緩沖存儲器具有可選的ECC(糾錯碼)支持。
4.可選的64位指令緊耦合存儲器(I-Tcm)和可選的雙32位數(shù)據(jù)Tcm(D-Tcm)，支持每個Tcm接口的定制ECC實現(xiàn)。
5.可選的低延遲AHB外設(shè)總線接口
2023-09-04 06:28:56
庫的慢-慢工藝點對塊進行合成，以200 MHz的目標(biāo)速度確認(rèn)時序特性。
接口存儲器端口上的信號符合RAM編譯器為TSMC CL013G工藝技術(shù)生產(chǎn)的單端口同步存儲器組件所要求的時序要求
2023-08-21 06:55:33
主存儲器接口·APB v3.0接口，用于訪問外部專用外設(shè)總線·fpb-閃存補丁和調(diào)試·DWT-調(diào)試觀察點和跟蹤·MPU-存儲器保護單元(可選)·浮點單元(可選)-單精度和/或雙精度·Level 1存儲器系統(tǒng)
2023-08-12 07:01:53
基于先楫半導(dǎo)體RISC-V的四路CANFD轉(zhuǎn)USB接口卡
2023-08-07 11:55:02551 
Microwire總線是美國國家半導(dǎo)體公司研發(fā)的一種簡單的串行通訊接口協(xié)議，該總線是采用三線進行數(shù)據(jù)傳輸。
2023-07-20 17:48:261636 
EEPROM是“ElectricallyErasable Programmable Read-only”（電可擦寫可編程只讀存儲器）的縮寫，EEPROM在正常情況下和EPROM一樣，可以在掉電的情況下保存數(shù)據(jù)
2023-07-20 17:41:381103 
接口的選擇方法 EEPROM的常規(guī)接口有3個分別是Microwire和SPI與I2C。 這些接口各自具有技術(shù)特點。 請選擇符合客戶需求的接口。 【I2C】 微型控制器的使用端口存在限制，EEPROM
2023-07-12 17:37:38738 何謂半導(dǎo)體存儲器？ 半導(dǎo)體存儲器是指通過對半導(dǎo)體電路加以電氣控制，使其具備數(shù)據(jù)存儲保持功能的半導(dǎo)體電路裝置。 與磁盤和光盤裝置等相比，具有 數(shù)據(jù)讀寫快 存儲密度高 耗電量少 耐震 等特點。 關(guān)閉電源
2023-07-12 17:01:131098 
可編程控制器的存儲器由只讀存儲器ROM、隨機存儲器RAM和可電擦寫的存儲器EEPROM三大部分構(gòu)成，主要用于存放系統(tǒng)程序、用戶程序及工作數(shù)據(jù)。
2023-07-11 14:26:421719 半導(dǎo)體存儲器一般可分為易失性(Volatile Memory)和非易失性存儲器(Non Volatile Memory)。易失性存儲器是指數(shù)據(jù)信息只有在通電條件下才能保存，斷電后數(shù)據(jù)會丟失，主要有
2023-06-25 14:30:181959 
該BL24C512A提供524288位串行電可擦除和可編程只讀存儲器(EEPROM)，組織為65536字，每個8位。
該器件經(jīng)過優(yōu)化，可用于許多工業(yè)和商業(yè)應(yīng)用中，其中
低功耗和低電壓運行
2023-06-19 09:49:132012 
電機控制領(lǐng)域。
CMS32M65xx系列MCU是中微半導(dǎo)體推出的基于ARM-Cortex M0+內(nèi)核的高端電機控制專用芯片。主頻高達64MHz；工作電壓1.8V至5.5V；提供64KB Flash
2023-06-15 09:23:22
電機控制領(lǐng)域。CMS32M65xx系列MCU是中微半導(dǎo)體推出的基于ARM-Cortex M0+內(nèi)核的高端電機控制專用芯片。主頻高達64MHz；工作電壓1.8V至5.5V；提供64KB Flash
2023-06-09 09:11:16
武漢芯源半導(dǎo)體有限公司推出的CW32F030x6/x8又一國產(chǎn)芯片，小巧玲瓏，對標(biāo)國外品牌資源更豐富，性價比更高，為產(chǎn)品國產(chǎn)化取代提供新的產(chǎn)品。
開發(fā)板：分為底板和核心板，核心板兼容傳統(tǒng)
2023-06-07 11:04:28
現(xiàn)代社會很多電子產(chǎn)品都有接口，接口的設(shè)計規(guī)格是怎么樣的，接口有串行接口和并行接口，下面我們將圍繞串行接口和并行接口的區(qū)別這一中心進行討論。 串行接口和并行接口的區(qū)別： 串行接口 串行接口，簡稱串口
2023-06-05 11:36:031335 SPI 全稱為 Serial Peripheral Interface，譯為串行外設(shè)接口。它是 Motorola 公司推出的一種相對高速的同步、全雙工的通信總線協(xié)議。
2023-05-29 15:40:23781 
該BL24C128A提供131,072位串行電可擦除和可編程只讀內(nèi)存（EEPROM），組織為16,384個字，每個字8位。該設(shè)備經(jīng)過優(yōu)化，可用于許多工業(yè)和商業(yè)應(yīng)用，其中低功耗和低電壓操作基本。該
2023-05-27 11:03:18
BL24C02A/BL24C04A/BL24C08A/BL24C16A提供2048/4096/8192/16384位串行電可擦除和可編程只讀存儲器（EEPROM），組織方式為256/512/1024
2023-05-27 10:49:52
應(yīng)用領(lǐng)域：
64KB Flash，雙運放，雙比較器，雙可編程增益放大器，雙ADC模塊。 廣泛應(yīng)用于太陽能控制器、DALI照明、手持云臺、舞臺燈光等應(yīng)用領(lǐng)域。CMS32F035系列MCU是中微半導(dǎo)體
2023-05-22 09:29:18
在單板設(shè)計中，無論是涉及到一個簡易的CPU、MCU小系統(tǒng)或者是復(fù)雜的單板設(shè)計，都離不開存儲器設(shè)計：
1、存儲器介紹
存儲器的分類大致可以劃分如下：
ROM和RAM指的都是半導(dǎo)體存儲器，ROM在系統(tǒng)
2023-05-19 15:59:37
串行外圍設(shè)備接口(Serial Peripheral Interface,SPI)，用來在微控制器和外圍設(shè)備芯片之間提供一個低成本、易使用的接口(SPI有時候也被稱為4線接口)。這種接口可以用來連接存儲器(存儲數(shù)據(jù))、A/D轉(zhuǎn)換器、D/A轉(zhuǎn)換器、實時時鐘日歷、LCD驅(qū)動器、傳感器等等。
2023-05-19 14:45:551466 
應(yīng)用領(lǐng)域：
CMS32H3201是中微半導(dǎo)體基于高性能超低功耗Arm? Cortex?-M0+內(nèi)核推出的高精度測量SoC；主頻高達64MHz；工作電壓1.8V至4.4V；提供256K Flash
2023-05-19 09:15:32
描述? BL24C256A提供262144位串行電可擦除和可編程只讀存儲器（EEPROM），組織為32768字，每個8位。? 該設(shè)備被優(yōu)化用于許多工業(yè)和商業(yè)應(yīng)用，其中低功率和低壓操作是必不可少
2023-05-17 10:19:18
描述? BL24C02F提供了2048位的串行電可擦除和可編程的只讀存儲器（EEPROM），組織為256個字，每位8位。? 該設(shè)備被優(yōu)化用于許多工業(yè)和商業(yè)應(yīng)用，其中低功率和低壓操作是必不可少的。特點
2023-05-16 17:50:19
描述? BL24CM1A提供1048576位串行電可擦除和可編程只讀存儲器（EEPROM），組織為131072字，每位8位。? 該設(shè)備被優(yōu)化用于許多工業(yè)和商業(yè)應(yīng)用，其中低功率和低壓操作是必不可少
2023-05-16 17:32:07
描述? BL24C512A提供524288位串行電可擦除和可編程只讀存儲器（EEPROM），組織為65536字，每位8位。? 該設(shè)備被優(yōu)化用于許多工業(yè)和商業(yè)應(yīng)用，其中低功率和低壓操作是必不可少
2023-05-16 17:12:17
描述BL24C256A提供262144位串行電可擦可編程只讀存儲器（EEPROM），組織形式為32768每個字8位。該設(shè)備經(jīng)過優(yōu)化，可用于多種用途工業(yè)和商業(yè)應(yīng)用低功率和低電壓操作本質(zhì)
2023-05-16 15:12:07
大大通——大聯(lián)大線上技術(shù)支持平臺&方案知識庫意法半導(dǎo)體SL-VUI-CLOUD-01是將AVS for AWS IoT Services 集成到智能設(shè)備中的經(jīng)濟高效方式，可以實現(xiàn)基于自然語言
2023-05-16 14:41:56
下一階段，復(fù)旦微電全新FM24LN、FM24N系列EEPROM存儲器全系列產(chǎn)品將覆蓋64Kbit~2Mbit容量，F(xiàn)M25N將補全64Kbit~4Mbit全系列容量。
2023-05-05 11:23:26377 
2023年4月27日——上海復(fù)旦微電子集團股份有限公司今日舉辦線上發(fā)布會，推出FM25/FM29系列SLC NAND，F(xiàn)M24N/FM24LN/FM25N高可靠、超寬壓系列EEPROM，以及符合
2023-05-04 13:56:111160 
半導(dǎo)體存儲器是一種能存儲大量二值信息的半導(dǎo)體器件。在電子計算機以及其他一些數(shù)字系統(tǒng)的工作過程中，都需要對大量的數(shù)據(jù)進行存儲。因此，存儲器也就成為了數(shù)字系統(tǒng)不可缺少的組成部分。
2023-05-04 11:36:56425 
通過quad SPI接口選擇FLASH存儲器與RT1172一起使用時，應(yīng)該將其設(shè)置為Buffer Read模式還是Continuous Read模式？
2023-04-27 06:03:21
隨著環(huán)保意識日益普及EFI（電子控制燃油噴射系統(tǒng)）可以滿足更高標(biāo)準(zhǔn)的法規(guī) ,更高的燃油效率, 更好的性能, 更容易的冷啟動, 減少維護, 減少排放! ST 意法半導(dǎo)體推出
2023-04-26 16:04:05
XM25QH64C/XM25QH128C是64Mbit/128Mbit串行閃速存儲器，可直接從雙/四SPI接口執(zhí)行代碼，存儲語音、文本和數(shù)據(jù)，提供的靈活性和性能遠超普通串行閃速存儲器，非常適合于
2023-04-14 10:42:553817 
在嵌入式系統(tǒng)中，F(xiàn)lash和EEPROM能夠存儲可用于通信或執(zhí)行某些功能的數(shù)據(jù)。它們可以通過多種不同的串行協(xié)議（包括SPI或串行外圍設(shè)備接口）來連接存儲設(shè)備。在單片機中也集成了多種不同類型的SPI
2023-04-07 16:42:42
除了SPI這種串行接口比較受存儲器設(shè)計廠商的歡迎，還有比如由samsung和toshiba設(shè)計的Toggle NAND Interface，也被稱為 Asynchronous DDR NAND
2023-04-04 15:16:19763 
今天討論的SPI接口是一種十分常用的片外通信接口，經(jīng)常作為芯片與片外存儲器（多為 serial nand flash ）的通信接口。同時，硬件物理接口也是應(yīng)屆生面試時被提問最多的問題之一。有意在畢業(yè)后從事計算機硬件行業(yè)的朋友們可以在準(zhǔn)備應(yīng)聘的時候多多儲備這方面的知識。
2023-04-04 15:15:264636 
我們正在嘗試將內(nèi)部 ROM 閃存用作 LPC 1768、LPC 55S16 中的輔助存儲器（而不是 EEPROM）。是否可以將 FLASH 用作輔助存儲器，如果可能，我們?nèi)绾问褂?。請指?dǎo)我們實現(xiàn)這一目標(biāo)
2023-04-04 08:16:50
CoreMarkT M 和 1710 DMIPS-支持多種外部存儲器：QSPI/OSPI NOR Flash, PSRAM, HyperRAM/HyperFlash, 16b SDRAM 166 MHz,支持
2023-04-03 14:32:24
EEPROM存儲器 256K I2C串行 SOIC8
2023-03-28 18:25:28
EEPROM存儲器 64K I2C? 串行 SOIC8
2023-03-28 18:25:27
64M BIT 串行接口閃存
2023-03-28 13:02:28
1.8 v 64位 串行快閃存儲器 雙/四spi和qpi
2023-03-27 11:55:03
3 v 64位 串行快閃存儲器 雙/四spi & qpi & DTR
2023-03-27 11:45:15
存儲器容量：64Kb (8K x 8) 存儲器接口類型：I2C 工作電壓：1.7V ~ 5.5V
2023-03-27 11:43:20
存儲器容量：64Kb (8K x 8) 存儲器接口類型：I2C 工作電壓：1.7V ~ 5.5V 64-Kbit(8K x 8bit)，I2C接口,1.7V to 5.5V,-40~+85℃
2023-03-27 11:43:20
EEPROM存儲器 32K I2C? 串行 SOIC8
2023-03-23 04:56:32
EEPROM存儲器 1024K I2C? 串行EEPROM SOIJ8
2023-03-23 04:56:19
EEPROM存儲器 64K I2C? 串行 SOIC8
2023-03-23 04:56:18
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