深圳市薩科微半導(dǎo)體有限公司，技術(shù)骨干來(lái)自清華大學(xué)和韓國(guó)延世大學(xué)，掌握第三代半導(dǎo)體碳化硅功率器件國(guó)際領(lǐng)先的工藝，和第五代超快恢復(fù)功率二極管技術(shù)。薩科微slkor（www.slkormicro.com
2024-03-15 11:22:07
臺(tái)積電的 Suk Lee 發(fā)表了題為“摩爾定律和半導(dǎo)體行業(yè)的第四個(gè)時(shí)代”的主題演講。Suk Lee表示，任何試圖從半導(dǎo)體行業(yè)傳奇而動(dòng)蕩的歷史中發(fā)掘出一些意義的事情都會(huì)引起我的注意。正如臺(tái)積電所解釋
2024-03-13 16:52:37
蓉矽半導(dǎo)體近日宣布，其自主研發(fā)的1200V 40mΩ SiC MOSFET產(chǎn)品NC1M120C40HT已順利通過(guò)AEC-Q101車(chē)規(guī)級(jí)測(cè)試和HV-H3TRB加嚴(yán)可靠性考核。這一里程碑式的成就不僅彰顯了蓉矽半導(dǎo)體在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的技術(shù)實(shí)力，也進(jìn)一步證明了其產(chǎn)品在新能源汽車(chē)、光伏逆變等高端應(yīng)用領(lǐng)域的強(qiáng)大競(jìng)爭(zhēng)力。
2024-03-12 11:06:30
228 想問(wèn)一下，半導(dǎo)體設(shè)備需要用到溫度傳感器的有那些設(shè)備，比如探針臺(tái)有沒(méi)有用到，具體要求是那些，
2024-03-08 17:04:59
景等多個(gè)方面進(jìn)行詳細(xì)介紹，幫助大家更好地了解這一電子元件。接下來(lái)就跟著深圳比創(chuàng)達(dá)電子EMC小編一起來(lái)看下吧！一、半導(dǎo)體放電管TSS的定義和發(fā)展歷程半導(dǎo)體放電管TSS，全稱Transient Solid
2024-03-06 10:07:51
半導(dǎo)體放電管TSS是一種高壓、高速、低電流的電子元件，廣泛用于電力電子、通訊、光電子等領(lǐng)域。本文將從TSS的定義、工作原理、應(yīng)用場(chǎng)景等多個(gè)方面進(jìn)行詳細(xì)介紹，幫助大家更好地了解這一電子元件。接下來(lái)
2024-03-06 10:03:11
意法半導(dǎo)體（下文為ST）的功率MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器旨在提供穩(wěn)健性、可靠性、系統(tǒng)集成性和靈活性的完美結(jié)合。
2024-02-27 09:05:36578 
引言：EV和充電樁將成為IGBT和MOSFET最大單一產(chǎn)業(yè)鏈?zhǔn)袌?chǎng)！EV中的電機(jī)控制系統(tǒng)、引擎控制系統(tǒng)、車(chē)身控制系統(tǒng)均需使用大量的半導(dǎo)體功率器件，它的普及為汽車(chē)功率半導(dǎo)體市場(chǎng)打開(kāi)了增長(zhǎng)的窗口。充電
2024-02-19 12:28:04191 
N型單導(dǎo)體和P型半導(dǎo)體是兩種不同類(lèi)型的半導(dǎo)體材料，它們具有不同的電子特性和導(dǎo)電能力。
2024-02-06 11:02:18319 
的基本結(jié)構(gòu)。MOSFET是金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）的簡(jiǎn)稱。它由一個(gè)絕緣層上方的金屬接電
2024-01-31 13:39:45300 服務(wù)范圍MOSFET、IGBT、DIODE、BJT，第三代半導(dǎo)體器件等分立器件，以及上述元件構(gòu)成的功率模塊。檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn)l AEC-Q101分立器件認(rèn)證l MIL-STD-750
2024-01-29 22:00:42
AEC-Q101認(rèn)證試驗(yàn)廣電計(jì)量在SiC第三代半導(dǎo)體器件的AEC-Q認(rèn)證上具有豐富的實(shí)戰(zhàn)經(jīng)驗(yàn)，為您提供專(zhuān)業(yè)可靠的AEC-Q101認(rèn)證服務(wù)，同時(shí)，我們也開(kāi)展了間歇工作壽命（IOL）、HAST
2024-01-29 21:35:04
安建半導(dǎo)體推出具有完全自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的1200V-17mΩ SiC MOSFET，通過(guò)獨(dú)特設(shè)計(jì)確保產(chǎn)品的卓越性能和可靠性，在國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的碳化硅晶圓代工廠流片，產(chǎn)能充裕，供應(yīng)穩(wěn)定，性價(jià)比高。
2024-01-20 17:54:00916 
今日（1月18日），意法半導(dǎo)體在官微宣布，公司與聚焦于碳化硅（SiC）半導(dǎo)體功率模塊和先進(jìn)電力電子變換系統(tǒng)的中國(guó)高科技公司致瞻科技合作，為致瞻科技電動(dòng)汽車(chē)車(chē)載空調(diào)中的壓縮機(jī)控制器提供意法半導(dǎo)體第三代碳化硅（SiC）MOSFET技術(shù)。
2024-01-19 09:48:16254 
本文將介紹半導(dǎo)體的可靠性測(cè)試及標(biāo)準(zhǔn)。除了詳細(xì)介紹如何評(píng)估和制定相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)以外，還將介紹針對(duì)半導(dǎo)體封裝預(yù)期壽命、半導(dǎo)體封裝在不同外部環(huán)境中的可靠性，及機(jī)械可靠性等評(píng)估方法。 什么是產(chǎn)品可靠性？ 半導(dǎo)體
2024-01-13 10:24:17711 
根據(jù)清洗介質(zhì)的不同，目前半導(dǎo)體清洗技術(shù)主要分為濕法清洗和干法清洗兩種工藝路線
2024-01-12 23:14:23769 
功率半導(dǎo)體是一類(lèi)特殊的半導(dǎo)體器件，具有高電壓、大電流和高溫等特點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于電力電子、電力系統(tǒng)、新能源等領(lǐng)域。本文將對(duì)功率半導(dǎo)體的原理和功能進(jìn)行詳細(xì)介紹。 功率半導(dǎo)體的工作原理 功率半導(dǎo)體的工作原理
2024-01-09 16:22:11380 
近日，澎芯半導(dǎo)體在產(chǎn)品開(kāi)拓方面取得了多項(xiàng)進(jìn)展
2023-12-28 13:40:31395 
據(jù)麥姆斯咨詢介紹，意法半導(dǎo)體的最新一代8 x 8多區(qū)飛行時(shí)間（ToF）測(cè)距傳感器VL53L8CX實(shí)現(xiàn)了一系列改進(jìn)，包括更強(qiáng)的抗環(huán)境光干擾能力、更低的功耗和更強(qiáng)的光學(xué)性能。
2023-12-27 09:23:24584 
無(wú)可否認(rèn)，不論是半導(dǎo)體技術(shù)還是其產(chǎn)業(yè)本身，都已經(jīng)成為所有市場(chǎng)中最大的產(chǎn)業(yè)之一。全球媒體、企業(yè)和政府也紛紛把目光投向了半導(dǎo)體工廠的下一個(gè)建設(shè)地。而每一次的技術(shù)革新都會(huì)進(jìn)一步增加對(duì)智能設(shè)備的需求，半導(dǎo)體芯片的重要性也隨之變得愈加突顯。
2023-12-25 11:18:431037 
處理器共同推出米爾MYC-YD9360核心板及開(kāi)發(fā)板，賦能新一代車(chē)載智能、電力智能、工業(yè)控制、新能源、機(jī)器智能等行業(yè)發(fā)展，滿足多屏的顯示需求。
2023-12-22 18:07:58
半導(dǎo)體分為哪幾種類(lèi)型 怎么判斷p型半導(dǎo)體 p型半導(dǎo)體如何導(dǎo)電? 半導(dǎo)體是一種具有介于導(dǎo)體和絕緣體之間特性的物質(zhì)，其導(dǎo)電性能可以通過(guò)控制雜質(zhì)的加入而改變。半導(dǎo)體可以分為兩種類(lèi)型：p型半導(dǎo)體和n型半導(dǎo)體
2023-12-19 14:03:481382 功耗，走紅了全球。
今天給大家分享的是 TI 新一代明星CPU——AM62x，它相比上一代AM335x在工藝、外設(shè)、性能等多方面都有很大提升。
這里結(jié)合米爾電子的“MYC-YM62X核心板及開(kāi)發(fā)板”給
2023-12-15 18:59:50
MOSFET (金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管) 和 IGBT (絕緣柵雙極晶體管) 是兩種常見(jiàn)的功率半導(dǎo)體器件。它們?cè)诓煌膽?yīng)用場(chǎng)景中具有不同的特點(diǎn)和優(yōu)勢(shì)。本文將對(duì)MOSFET和IGBT進(jìn)行詳盡
2023-12-15 15:25:35366 11 月 28 日，安世半導(dǎo)體 BG MOS 產(chǎn)品線高級(jí)應(yīng)用經(jīng)理方舟先生，為廣大工程師帶來(lái)了《Nexperia車(chē)規(guī)級(jí) MOSFET - 提升 EV 驅(qū)動(dòng)能效的絕佳選擇》的網(wǎng)絡(luò)研討會(huì)，重點(diǎn)介紹了安世半導(dǎo)體最新車(chē)規(guī)級(jí) MOSFET 產(chǎn)品，及其在新能源汽車(chē)車(chē)身和底盤(pán)中的應(yīng)用。
2023-12-15 10:35:31417 【科普小貼士】金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）
2023-12-13 14:22:41260 
本征半導(dǎo)體：本征半導(dǎo)體主要由價(jià)電子和空穴組成。在常溫下，自由電子和空穴的數(shù)量很少，因此它的導(dǎo)電能力比較微弱。另外，本征半導(dǎo)體的載流子濃度與溫度密切相關(guān)，具有熱敏、光敏特性。
2023-12-13 11:10:05612 是物體，人體會(huì)釋放大量電荷，絕緣體的情況下放電能量要比外部物體大得多；當(dāng)外部物體是設(shè)備時(shí)，如果不接地，即使導(dǎo)體也會(huì)積累電荷，一旦與半導(dǎo)體設(shè)備接觸，電流就會(huì)流過(guò)設(shè)備，導(dǎo)致靜電擊穿；除去人體和設(shè)備的外部原因
2023-12-12 17:18:54
，NSF040120L3A0和NSF080120L3A0是安世半導(dǎo)體SiC MOSFET產(chǎn)品組合中首批發(fā)布的產(chǎn)品，隨后安世半導(dǎo)體將持續(xù)擴(kuò)大產(chǎn)品陣容，推出多款具有不同RDS(on)的器件，并提供通孔封裝和表面貼裝封裝供選擇。
2023-12-05 10:33:32177 功率半導(dǎo)體和集成電路是兩種不同類(lèi)型的電子器件，它們?cè)谠O(shè)計(jì)、制造、應(yīng)用等方面有著顯著的區(qū)別。下面將詳細(xì)介紹功率半導(dǎo)體和集成電路的區(qū)別。 一、定義 功率半導(dǎo)體指的是能夠承受較大功率和電流的半導(dǎo)體器件
2023-12-04 17:00:57682 據(jù)介紹，NSF040120L3A0和NSF080120L3A0是安世半導(dǎo)體SiC MOSFET產(chǎn)品組合中首批發(fā)布的產(chǎn)品，隨后安世半導(dǎo)體將持續(xù)擴(kuò)大產(chǎn)品陣容，推出多款具有不同RDS(on)的器件，并提供通孔封裝和表面貼裝封裝供選擇。
2023-12-04 16:49:11519 基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專(zhuān)家 Nexperia（安世半導(dǎo)體）近日宣布推出其首款碳化硅(SiC) MOSFET，并發(fā)布兩款采用 3 引腳 TO-247 封裝的 1200 V 分立器件，RDS(on) 分別為 40 mΩ 和 80 mΩ。
2023-12-04 10:39:50413 按施敏教授的觀點(diǎn)，半導(dǎo)體器件有四個(gè)最基本的結(jié)構(gòu)單元：金半接觸、PN結(jié)、異質(zhì)結(jié)、MOS結(jié)構(gòu)。所有的半導(dǎo)體器件都可以看作是這四種基本結(jié)構(gòu)的組合，比如BJT由兩個(gè)背靠背的PN結(jié)構(gòu)成，MOSFET由MOS結(jié)構(gòu)和兩對(duì)PN結(jié)構(gòu)成。
2023-11-30 15:56:171032 
官方網(wǎng)站稱，2015年6月成立的鉅芯科技是從事半導(dǎo)體輸出芯片和零部件研發(fā)，生產(chǎn)，銷(xiāo)售的高新技術(shù)企業(yè)。產(chǎn)品包括半導(dǎo)體分立元件芯片、半導(dǎo)體分立元件、半導(dǎo)體功率模塊及mosfet等。
2023-11-30 10:07:46343 半導(dǎo)體材料是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的核心，它是制造電子和計(jì)算機(jī)芯片的基礎(chǔ)。半導(dǎo)體材料的種類(lèi)繁多，不同的材料具有不同的特性和用途。本文將介紹現(xiàn)代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中常用的半導(dǎo)體材料。 一、硅(Si) 硅是最常見(jiàn)的半導(dǎo)體
2023-11-29 10:22:17516 
mosfet工作原理 jfet和mosfet的區(qū)別? MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）是一種現(xiàn)代電子器件，常用于電子電路中的開(kāi)關(guān)和放大器。它的工作原理與JFET（結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管）有很大
2023-11-22 17:33:301060 半導(dǎo)體材料具有一些與我們已知的導(dǎo)體、絕緣體完全不同的電學(xué)、化學(xué)和物理特性，正是由于這些特點(diǎn)，使得半導(dǎo)體器件和電路具有獨(dú)特的功能。在接下來(lái)的半導(dǎo)體材料的特性這一期中，我們將對(duì)這些性質(zhì)進(jìn)行深入的探討，并將它們與原子的基礎(chǔ)、固體的電分類(lèi)以及什么是本征和摻雜半導(dǎo)體等一系列關(guān)鍵性的問(wèn)題共同做一個(gè)介紹。
2023-11-03 10:24:30427 
半導(dǎo)體是我們生活中使用的電器里比較常用的一種器件，那么你對(duì)半導(dǎo)體有多少了解呢？今天我們就從最基礎(chǔ)的半導(dǎo)體功率器件入手，全面了解半導(dǎo)體的“前世今生”。
2023-11-02 10:29:34807 關(guān)鍵詞：半導(dǎo)體芯片，電子封裝，膠粘劑（膠水，粘接劑），膠接工藝，膠粘技術(shù)引言：近幾年，5G、人工智能、智能手機(jī)、新能源汽車(chē)、物聯(lián)網(wǎng)等新興產(chǎn)業(yè)迅猛發(fā)展，拉動(dòng)了我國(guó)半導(dǎo)體及半導(dǎo)體材料的高速發(fā)展。尤其是
2023-10-27 08:10:461202 想找一個(gè)先楫半導(dǎo)體的HPM6750 使用linux剪裁操作系統(tǒng)的例程，SDK里給了FREERT的，沒(méi)有LINUX的。哪里可以下載的到？
2023-10-25 16:18:18
MOSFET柵極電路電壓對(duì)電流的影響？MOSFET柵極電路電阻的作用？ MOSFET（金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）是一種廣泛應(yīng)用于電子設(shè)備中的半導(dǎo)體器件。在MOSFET中，柵極電路的電壓和電阻
2023-10-22 15:18:121367 一 F-200A-60V 半導(dǎo)體器件測(cè)試機(jī)專(zhuān)為以下測(cè)試需求研制： 二 技術(shù)參數(shù)
2023-10-12 15:38:30
SiC器件是一種新型的硅基MOSFET，特別是SiC功率器件具有更高的開(kāi)關(guān)速度和更寬的輸出頻率。SiC功率芯片主要由MOSFET和PN結(jié)組成。
在眾多的半導(dǎo)體器件中，碳化硅材料具有低熱導(dǎo)率、高擊穿
2023-09-26 16:42:29342 
本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是半導(dǎo)體芯片的制作和半導(dǎo)體芯片封裝的詳細(xì)資料概述
2023-09-26 08:09:42
在本節(jié)中，我們將逐一闡述半導(dǎo)體發(fā)展的歷史性產(chǎn)品和世界主流半導(dǎo)體制程的代際演進(jìn)過(guò)程。從半導(dǎo)體主要制造階段所需主要材料的準(zhǔn)備開(kāi)始，到最終的產(chǎn)品封裝階段，我們將沿著主流的半導(dǎo)體產(chǎn)品類(lèi)型，半導(dǎo)體晶體管的制造
2023-09-22 10:35:47370 
介紹了一種以小型PLC為控制核心的大功率半導(dǎo)體激光治療儀。該治療儀采用單管激光器光纖耦合技術(shù)設(shè)計(jì)了波長(zhǎng)為808rim、輸出功率30W 的激光器模塊，采用恒流充電技術(shù)設(shè)計(jì)了高效激光器驅(qū)動(dòng)電路，整機(jī)具有散熱好、低功耗和高可靠性等優(yōu)點(diǎn)。
2023-09-19 08:23:52
▌峰會(huì)簡(jiǎn)介第五屆意法半導(dǎo)體工業(yè)峰會(huì)即將啟程，現(xiàn)我們敬邀您蒞臨現(xiàn)場(chǎng)，直擊智能熱點(diǎn)，共享前沿資訊，通過(guò)意法半導(dǎo)體核心技術(shù)，推動(dòng)加快可持續(xù)發(fā)展計(jì)劃，實(shí)現(xiàn)突破性創(chuàng)新~報(bào)名鏈接：https
2023-09-11 15:43:36
? 上市周期短（距第3代不到2年）意法半導(dǎo)體溝槽技術(shù)：長(zhǎng)期方法? 意法半導(dǎo)體保持并鞏固了領(lǐng)先地位? 相比現(xiàn)有結(jié)構(gòu)的重大工藝改良? 優(yōu)化和完善的關(guān)鍵步驟
2023-09-08 06:33:00
安建半導(dǎo)體40V SGT MOSFET產(chǎn)品已經(jīng)通過(guò)AEC-Q101車(chē)規(guī)認(rèn)證的全部測(cè)試。
2023-09-06 17:48:45474 機(jī)、氟弧焊機(jī)、脈沖焊機(jī)等，本文將介紹武漢芯源半導(dǎo)體CW32F030系列單片機(jī)在電弧焊機(jī)中的應(yīng)用。
CW32F030系列MCU在電焊機(jī)的應(yīng)用框圖
方案特色：
●可實(shí)現(xiàn)對(duì)電焊機(jī)的自動(dòng)化控制，可以通過(guò)輸入
2023-09-06 09:14:04
STM32U599平衡圖顯性能與功耗的新一代產(chǎn)品，內(nèi)容包含： STM32U5x9 的高性能與高階圖形加速器 、STM32U5的矢量圖形 、STM32U5x9 的低功耗設(shè)計(jì) 、LPBAM - sensor hub等。
2023-09-05 07:21:11
和管理者。今年，Nexperia（安世半導(dǎo)體）的熱插拔MOSFET與碳化硅肖特基二極管兩款明星產(chǎn)品現(xiàn)已雙雙入圍年度功率半導(dǎo)體！ 采用SMD銅夾片LFPAK88封裝的熱插拔專(zhuān)用MOSFET(ASFET) 同時(shí)
2023-08-28 15:45:311140 半導(dǎo)體材料的電學(xué)特性。半導(dǎo)體材料的導(dǎo)電性取決于其材料構(gòu)造、摻雜方式以及操作條件等多種因素。本文將詳細(xì)討論半導(dǎo)體的導(dǎo)電性及其相關(guān)知識(shí)。 首先，我們來(lái)介紹一下半導(dǎo)體材料的基本構(gòu)造。半導(dǎo)體材料通常是由硅（Si）、鍺（
2023-08-27 16:05:291029 半導(dǎo)體具有哪些導(dǎo)電特性 半導(dǎo)體是一種電導(dǎo)率介于導(dǎo)體和絕緣體之間的物質(zhì)。它具有一些獨(dú)特的導(dǎo)電特性。在本文中，我們將從以下方面介紹半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性：半導(dǎo)體的能帶結(jié)構(gòu)、載流子和摻雜、PN結(jié)和二極管的導(dǎo)電
2023-08-27 15:55:201120 半導(dǎo)體區(qū)別于導(dǎo)體的重要特征? 半導(dǎo)體和導(dǎo)體是電子領(lǐng)域中的兩個(gè)重要概念，它們雖然有些相似，但是在性質(zhì)、應(yīng)用和制造過(guò)程等方面都有重要的區(qū)別。本文將詳細(xì)介紹半導(dǎo)體與導(dǎo)體的重要特征，以及它們之間的區(qū)別
2023-08-27 15:55:122665 和太陽(yáng)能電池板等等。i型半導(dǎo)體、n型半導(dǎo)體和p型半導(dǎo)體是最基礎(chǔ)的半導(dǎo)體類(lèi)型。本文將詳細(xì)介紹p型半導(dǎo)體是如何導(dǎo)電的。 什么是p型半導(dǎo)體？ p型半導(dǎo)體是由硅、鍺等離子體（摻雜劑）加入純半導(dǎo)體材料中形成的半導(dǎo)體。摻雜劑在材料中
2023-08-27 15:49:062628 半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性有哪三種? 半導(dǎo)體是一種介于導(dǎo)體和絕緣體之間的材料，具有特殊的導(dǎo)電特性。在半導(dǎo)體中，電子在晶體中的運(yùn)動(dòng)方式和原子結(jié)構(gòu)的特性都對(duì)其導(dǎo)電特性產(chǎn)生影響。在本文中，我們將詳細(xì)介紹半導(dǎo)體的導(dǎo)電
2023-08-27 15:48:592989 先楫半導(dǎo)體使用上怎么樣？
2023-08-08 14:56:29
半導(dǎo)體材料是制作半導(dǎo)體器件和集成電路的電子材料，是半導(dǎo)體工業(yè)的基礎(chǔ)。利用半導(dǎo)體材料制作的各種各樣的半導(dǎo)體器件和集成電路，促進(jìn)了現(xiàn)代信息社會(huì)的飛速發(fā)展。
2023-08-07 10:22:031978 
MOSFET，也稱為金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor），是一種常見(jiàn)的電子器件。它是一種半導(dǎo)體器件
2023-08-04 15:24:152045 金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）的革命，讓我們可以在相同面積的晶圓上同時(shí)制造出更多晶體管。
2023-07-27 15:24:51609 
功率半導(dǎo)體包括功率半導(dǎo)體分立器件（含模塊）以及功率 IC 等。其中，功率半導(dǎo)體分立器件，按照器件結(jié)構(gòu)劃分，可分為二極管、晶閘管和晶體管等。
2023-07-26 09:31:035043 
半導(dǎo)體后封裝工藝及設(shè)備介紹
2023-07-13 11:43:20
8 簡(jiǎn)介：蘇州鐳拓激光科技有限公司智能化一站式激光設(shè)備供應(yīng)商，多款高精度塑料半導(dǎo)體激光焊接機(jī)，咨詢塑料激光焊接機(jī)多少錢(qián)，歡迎聯(lián)系蘇州鐳拓激光！產(chǎn)品描述：品名：塑料半導(dǎo)體激光焊接機(jī)品牌：鐳拓
2023-07-06 16:24:04
《中國(guó)半導(dǎo)體國(guó)產(chǎn)化推進(jìn)狀況》報(bào)告稱，中國(guó)正在擴(kuò)大對(duì)電動(dòng)汽車(chē)及能源儲(chǔ)存系統(tǒng)（ess）用新一代電力半導(dǎo)體（sic及gan配件）的支援，并追求技術(shù)優(yōu)勢(shì)。
2023-06-29 09:59:59319 ，以及分享GaN FET和集成電路目前在功率轉(zhuǎn)換領(lǐng)域替代硅器件的步伐。
誤解1：氮化鎵技術(shù)很新且還沒(méi)有經(jīng)過(guò)驗(yàn)證
氮化鎵器件是一種非常堅(jiān)硬、具高機(jī)械穩(wěn)定性的寬帶隙半導(dǎo)體，于1990年代初首次用于生產(chǎn)高
2023-06-25 14:17:47
GaN功率半導(dǎo)體與高頻生態(tài)系統(tǒng)(氮化鎵)
2023-06-25 09:38:13
突破GaN功率半導(dǎo)體的速度限制
2023-06-25 07:17:49
升級(jí)到半橋GaN功率半導(dǎo)體
2023-06-21 11:47:21
基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專(zhuān)家 Nexperia（安世半導(dǎo)體）近日宣布擴(kuò)充 NextPower 80/100 V MOSFET 產(chǎn)品組合的封裝系列。此前該產(chǎn)品組合僅提供 LFPAK56E 封裝
2023-06-21 10:34:32562 GaN功率半導(dǎo)體在快速充電市場(chǎng)的應(yīng)用(氮化鎵)
2023-06-19 11:00:42
GaN功率半導(dǎo)體(氮化鎵)的系統(tǒng)集成優(yōu)勢(shì)
2023-06-19 09:28:46
GaNFast功率半導(dǎo)體建模(氮化鎵)
2023-06-19 07:07:27
;amp;做高ROI秋招策略
2、半導(dǎo)體行業(yè)人才資源趨勢(shì)
3、高端人才校招：雇主品牌與效能提升！
未來(lái)一年贏在高端人才校招！
主講人介紹
黃博同
復(fù)醒科技CEO·復(fù)旦大學(xué)微電子博士
主講人黃博同先生
2023-06-01 14:52:23
第二代碳化硅MOSFET系列器件，比上一代器件在比導(dǎo)通電阻、開(kāi)關(guān)損耗以及可靠性等方面性能更加出色。 碳化硅MOSFET器件具有高的擊穿電壓強(qiáng)度，更低的損耗和
2023-05-29 10:16:48
分立器件行業(yè)概況
半導(dǎo)體分立器件是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ)及核心領(lǐng)域之一，其具有應(yīng)用領(lǐng)域廣闊、高成品率、特殊器件不可替代等特性。
從市場(chǎng)需求看，分立器件受益于物聯(lián)網(wǎng)、可穿戴設(shè)備、智能家居、健康護(hù)理、安防電子
2023-05-26 14:24:29
為進(jìn)一步順應(yīng)智能硬件產(chǎn)業(yè)的發(fā)展趨勢(shì)，增強(qiáng)學(xué)生對(duì)智能硬件產(chǎn)品學(xué)習(xí)和研究興趣，激發(fā)創(chuàng)新熱情，培養(yǎng)我國(guó)智能硬件產(chǎn)業(yè)人才，依據(jù)《“十四五”信息化和工業(yè)化深度融合發(fā)展規(guī)劃》、《國(guó)家新一代人工智能標(biāo)準(zhǔn)體系建設(shè)
2023-05-22 14:42:12
在半導(dǎo)體科學(xué)技術(shù)的發(fā)展中，氣相外延發(fā)揮了重要作用，該技術(shù)已廣泛用于Si半導(dǎo)體器件和集成電路的工業(yè)化生產(chǎn)。
2023-05-19 09:06:462459 
第95期什么是寬禁帶半導(dǎo)體？半導(dǎo)體迄今為止共經(jīng)歷了三個(gè)發(fā)展階段：第一代半導(dǎo)體以硅（Si）、鍺（Ge）為代表；第二代半導(dǎo)體以砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）等化合物為代表；第三代半導(dǎo)體是以碳化硅
2023-05-06 10:31:461673 
半導(dǎo)體迄今為止共經(jīng)歷了三個(gè)發(fā)展階段：第一代半導(dǎo)體以硅（Si）、鍺（Ge）為代表；第二代半導(dǎo)體以砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）等化合物為代表；第三代半導(dǎo)體是以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN
2023-05-05 17:46:226166 
霍爾傳感器，依據(jù)霍爾效應(yīng)來(lái)制作的?；魻栃?yīng)是研究半導(dǎo)體材料性能的基本方法，通過(guò)霍爾效應(yīng)實(shí)驗(yàn)測(cè)定的霍爾系數(shù)，能夠判斷半導(dǎo)體材料的導(dǎo)電類(lèi)型、載流子濃度及載流子遷移率等重要參數(shù)。
2023-04-28 15:55:501031 
試述為什么金屬的電阻溫度系數(shù)是正的而半導(dǎo)體的是負(fù)的？
2023-04-23 11:27:04
本章教程將在CH32V103開(kāi)發(fā)板上實(shí)現(xiàn)SD卡檢測(cè)和SD卡容量信息讀取。 1、SD卡簡(jiǎn)介及相關(guān)函數(shù)介紹SD存儲(chǔ)卡( Secure Digital Memory Card)是一種基于半導(dǎo)體快閃存
2023-04-19 16:32:36
中國(guó)半導(dǎo)體分立器件產(chǎn)業(yè)在上世紀(jì)50年代初創(chuàng)，70年代逐漸成長(zhǎng)，80年代的改革開(kāi)放到90年代以后進(jìn)入全面發(fā)展階段，21世紀(jì)初中國(guó)加入WTO，為我國(guó)半導(dǎo)體分立器件產(chǎn)業(yè)帶來(lái)了新的發(fā)展契機(jī)。受益于國(guó)際電子
2023-04-14 16:00:28
功率半導(dǎo)體產(chǎn)品介紹及主要種類(lèi)！
2023-04-14 15:26:45554 
中國(guó)半導(dǎo)體分立器件產(chǎn)業(yè)在上世紀(jì)50年代初創(chuàng)，70年代逐漸成長(zhǎng)，80年代的改革開(kāi)放到90年代以后進(jìn)入全面發(fā)展階段，21世紀(jì)初中國(guó)加入WTO，為我國(guó)半導(dǎo)體分立器件產(chǎn)業(yè)帶來(lái)了新的發(fā)展契機(jī)。受益于國(guó)際電子
2023-04-14 13:46:39
全自動(dòng)半導(dǎo)體激光COS測(cè)試機(jī)TC 1000 COS（chip on submount）是主流的半導(dǎo)體激光器封裝形式之一，對(duì)COS進(jìn)行全功能的測(cè)試必不可少
2023-04-13 16:28:40
Toshiba研發(fā)出一種SiC金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET)，其將嵌入式肖特基勢(shì)壘二極管（SBD）排列成格子花紋（check-pattern embedded SBD），以降低導(dǎo)通電
2023-04-11 15:29:18
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