電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/梁浩斌）近日英飛凌推出了CoolSiC MOSFET G2技術(shù)，據(jù)官方介紹，這是新一代的溝槽柵SiC MOSFET技術(shù)，相比上一代產(chǎn)品也就是CoolSiC MOSFET G1
2024-03-19 18:13:18
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供應(yīng)商器件封裝 P 14 x 8
2024-03-14 21:19:01
在電力電子領(lǐng)域持續(xù)創(chuàng)新的英飛凌科技股份公司近日宣布，其已成功推出新一代碳化硅（SiC）MOSFET溝槽柵技術(shù)——CoolSiC? MOSFET Generation 2。這一創(chuàng)新技術(shù)的推出，標志著功率系統(tǒng)和能量轉(zhuǎn)換領(lǐng)域迎來了新的里程碑，為行業(yè)的低碳化進程注入了強大動力。
2024-03-12 09:43:29125 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《封裝外形圖34引線功率四平面無引線（PQFN）塑料封裝介紹.pdf》資料免費下載
2024-01-31 10:04:17
0 Alpha and Omega Semiconductor Limited (AOS) 推出了一款 100V MOSFET——AONA66916，采用了創(chuàng)新的雙面散熱 DFN 5 x 6 封裝。這一創(chuàng)新型封裝為 AOS 產(chǎn)品賦予了卓越的散熱性能，使其在長期惡劣的運行條件下仍能保持穩(wěn)定的性能。
2024-01-26 18:25:151382 碳化硅器件的快速開關(guān)特性時面臨諸多問題，例如雜散電感參數(shù)大、高溫工作可靠性差以及多功能集成封裝與高功率密度需求等。 1.低雜散電感封裝技術(shù) 單管翻轉(zhuǎn)貼片封裝： 借鑒BGA封裝技術(shù)，采用單管的翻轉(zhuǎn)貼片封裝，通過金屬連接件將芯片背部電極翻轉(zhuǎn)到
2024-01-26 16:21:39218 
光伏IR相機是一種特殊的光電設(shè)備，它使用紅外線（IR）技術(shù)來檢測和捕捉光伏電池板上的熱圖像。這種相機的主要功能是檢測光伏電池板上的熱分布和異常，幫助工程師和科學家更好地了解光伏電池板的性能和存在的問題。
2024-01-23 11:36:23235 
2104全橋驅(qū)動電路原理 IR2104是一種高速、低成本的高和低電平電荷泵驅(qū)動器。它可通過邏輯輸入信號控制兩個N溝MOSFET或IGBT的驅(qū)動信號，實現(xiàn)全橋輸出。IR2104內(nèi)部集成了一個高壓引發(fā)電荷泵、邏輯電平和電流檢測電路。其主要包括低側(cè)和高側(cè)驅(qū)動器。 低側(cè)驅(qū)動器：
2024-01-05 16:11:041106 近日，昕感科技在新能源領(lǐng)域取得重大突破，推出了一款具有業(yè)界領(lǐng)先超低導通電阻的SiC MOSFET器件新產(chǎn)品（N2M120007PP0）。該產(chǎn)品的導通電阻達到了驚人的7mΩ，電壓規(guī)格為1200V，將為新能源領(lǐng)域提供更為高效、可靠的功率半導體開關(guān)解決方案。
2024-01-04 14:37:57316 英飛凌推出業(yè)內(nèi)首款采用全新 OptiMOS 7 技術(shù)的 15 V 溝槽功率 MOSFET。這項技術(shù)經(jīng)過系統(tǒng)和應(yīng)用優(yōu)化，主要應(yīng)用于服務(wù)器和計算應(yīng)用中的低輸出電壓 DC-DC 轉(zhuǎn)換。英飛凌是首家推出15
2023-12-29 12:30:49362 
降低，為充分發(fā)揮 SiC 器件的優(yōu)勢需要改進現(xiàn)有的封裝技術(shù)。針對上述挑戰(zhàn)，對國內(nèi)外現(xiàn)有的低寄生電感封裝方式進行了總結(jié)。分析了現(xiàn)有的高溫封裝技術(shù)，結(jié)合新能源電力系統(tǒng)的發(fā)展趨勢，對 SiC 器件封裝技術(shù)進行歸納和展望。
2023-12-27 09:41:37621 
應(yīng)用的80V 和 100V MOSFET，這兩款車規(guī)級器件是TO-Leadless (TOLL)?封裝。AOS TOLL 封裝旨在優(yōu)化功率半導體器件成為電動汽車發(fā)展中的重要組件，尤其是在兩輪和三輪及其
2023-12-15 11:26:49279 應(yīng)用的80V 和 100V MOSFET，這兩款車規(guī)級器件是TO-Leadless (TOLL) 封裝。AOS TOLL 封裝旨在優(yōu)化功率半導體器件成為電動汽車發(fā)展中的重要組件，尤其是在兩輪和三輪及其
2023-12-14 16:55:24949 基礎(chǔ)半導體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家 Nexperia（安世半導體）近日宣布推出新款 GaN FET 器件，該器件采用新一代高壓 GaN HEMT 技術(shù)和專有銅夾片 CCPAK 表面貼裝封裝，為工業(yè)和可再生能源應(yīng)用的設(shè)計人員提供更多選擇。
2023-12-13 10:38:17312 。 ? OptiMOS 7 功率MOSFET ? 該半導體產(chǎn)品組合包含最新的PQFN 3.3 x 3.3 mm2源極底置（Source-Down）封裝，標準門級和門級居中
2023-12-12 18:04:37494 
工程師必看！MOSFET器件選型的3大法則
2023-12-06 15:58:49209 ，NSF040120L3A0和NSF080120L3A0是安世半導體SiC MOSFET產(chǎn)品組合中首批發(fā)布的產(chǎn)品，隨后安世半導體將持續(xù)擴大產(chǎn)品陣容，推出多款具有不同RDS(on)的器件，并提供通孔封裝和表面貼裝封裝供選擇。
2023-12-05 10:33:32177 基礎(chǔ)半導體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家 Nexperia（安世半導體）近日宣布推出其首款碳化硅(SiC) MOSFET，并發(fā)布兩款采用 3 引腳 TO-247 封裝的 1200 V 分立器件，RDS(on) 分別為 40 mΩ 和 80 mΩ。
2023-12-04 10:39:50413 隨著晶圓級封裝技術(shù)的不斷提升，眾多芯片設(shè)計及封測公司開始思考并嘗試采用晶圓級封裝技術(shù)替代傳統(tǒng)封裝。其中HRP（Heat?Re-distribution?Packaging）晶圓級先進封裝工藝技術(shù)
2023-11-30 09:23:241119 
) MOSFET，并發(fā)布兩款采用3引腳TO-247封裝的1200 V分立器件，RDS(on)分別為40 mΩ 和80 mΩ。NSF040120L3A0和NSF080120L3A0是Nexperia
2023-11-30 09:12:02432 
為了擴大QSiC SiC模塊的選擇范圍，SemiQ推出了一系列采用SOT-1封裝的200,227V MOSFET，可與或不與1,200V SiC肖特基二極管一起使用。 最近推出的 SemiQ SiC
2023-11-26 16:40:46862 （Double In-line Package，DIP），主要有塑料封裝和金屬封裝，塑料封裝用于消費類電子產(chǎn)品，金屬封裝主要用于軍工或航天技術(shù)，這種封裝方式的芯片有兩排引腳，直插式元器件封裝的焊盤一般貫穿整個
2023-11-22 11:30:40
在高功率和高電流方面，電源模塊提供分立封裝和集成模塊，根據(jù)設(shè)備規(guī)格和使用條件為制造商提供競爭優(yōu)勢。領(lǐng)先的公司供應(yīng)數(shù)百種分立功率器件，但其中一些最常見的包括通孔封裝，例如帶長銀引線的 TO-247
2023-11-20 17:18:24498 
Wolfspeed 采用 TOLL 封裝的碳化硅 MOSFET 產(chǎn)品組合豐富，提供優(yōu)異的散熱，極大簡化了熱管理。
2023-11-20 10:24:00319 
為了擴大QSiC SiC模塊的選擇范圍，SemiQ推出了一系列采用SOT-227封裝的1,200V MOSFET，可與或不與1,200V SiC肖特基二極管一起使用。 最近推出的 SemiQ SiC
2023-11-16 17:18:25570 管理應(yīng)用的 MRigidCSP? 封裝技術(shù)。AOS首顆應(yīng)用該新型封裝技術(shù)的12V 共漏極雙 N 溝道 MOSFET——AOCR33105E，實現(xiàn)在降低導通電阻的同時提高CSP產(chǎn)品的機械強度。這項新升級
2023-11-13 18:11:28219 
，能夠像IGBT一樣進行高壓開關(guān)，同時開關(guān)頻率等于或高于低壓硅MOSFET的開關(guān)頻率。之前的文章中，我們介紹了 SiCMOSFET特有的器件特性 和 如何優(yōu)化SiC柵極驅(qū)動電路 。今天將帶來本系列文章的第三部分 SiC MOSFET的封裝、系統(tǒng)性能和應(yīng)用 。 封裝 WBG半導體使高壓轉(zhuǎn)換器能夠在更接近
2023-11-09 10:10:02333 
1、SiC MOSFET對器件封裝的技術(shù)需求
2、車規(guī)級功率模塊封裝的現(xiàn)狀
3、英飛凌最新SiC HPD G2和SSC封裝
4、未來模塊封裝發(fā)展趨勢及看法
2023-10-27 11:00:52419 
、大電流、低頻應(yīng)用。SiC MOSFET 很好地兼顧了高壓、高頻和開關(guān)性能優(yōu)勢。它是電壓控制的場效應(yīng)器件，能夠像
2023-10-18 16:05:02328 全新的OptiMOS6 40V功率MOSFET以及OptiMOS5 25V和30V 功率MOSFET進一步優(yōu)化了用于高性能設(shè)計的成熟OptiMOS技術(shù)。新產(chǎn)品采用超小型PQFN 2x2 mm2封裝，具備先進的硅技術(shù)、穩(wěn)定可靠的封裝與極低的熱阻（RthJC最大值為3.2 K/W）。
2023-10-13 16:25:12518 傳統(tǒng)的功率半導體封裝技術(shù)是采用鉛或無鉛焊接合金把器件的一個端面貼合在熱沉襯底上，另外的端面與10-20mil鋁線楔或金線鍵合在一起。這種方法在大功率、高溫工作條件下缺乏可靠性，而且不具備足夠的堅固性。
2023-10-09 15:20:58299 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《MOSFET符合AEC-Q101標準 采用小型有引腳和無引腳DFN的SMD封裝.pdf》資料免費下載
2023-09-26 15:36:081 碳化硅(silicon carbide，SiC)功率器件作為一種寬禁帶器件，具有耐高壓、高溫，導通電阻低，開關(guān)速度快等優(yōu)點。如何充分發(fā)揮碳化硅器件的這些優(yōu)勢性能則給封裝技術(shù)帶來了新的挑戰(zhàn)：傳統(tǒng)封裝
2023-09-24 10:42:40391 
基礎(chǔ)半導體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家 Nexperia（安世半導體）近日宣布推出首批 80 V 和 100 V 熱插拔專用 MOSFET(ASFET)，該系列產(chǎn)品采用緊湊型 8x8 mm
2023-09-22 09:08:10385 和功率水平。這些快速恢復硅基功率MOSFET的器件適用于工業(yè)和汽車應(yīng)用，提供廣泛的封裝選項，包括長引線TO-247、TO-LL，以及SOT223-2封裝。
2023-09-08 06:00:53
供應(yīng)商器件封裝 P 9 x 5
2023-09-07 11:50:43
供應(yīng)商器件封裝 RM 8
2023-09-07 11:50:35
供應(yīng)商器件封裝
2023-09-07 11:50:32
供應(yīng)商器件封裝 E 13 x 7 x 4
2023-09-07 11:50:25
供應(yīng)商器件封裝 RM 5
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供應(yīng)商器件封裝 P 9 x 5
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供應(yīng)商器件封裝 P 9 x 5
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供應(yīng)商器件封裝 RM 6
2023-09-07 11:50:10
供應(yīng)商器件封裝 E 6 x 3
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供應(yīng)商器件封裝 RM 8
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供應(yīng)商器件封裝 E 8 x 8
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供應(yīng)商器件封裝
2023-09-07 11:49:12
供應(yīng)商器件封裝 RM 4
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供應(yīng)商器件封裝 E 6 x 3
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供應(yīng)商器件封裝 E 6 x 3
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供應(yīng)商器件封裝 E 6 x 3
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供應(yīng)商器件封裝 RM 7
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供應(yīng)商器件封裝 EP 7
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供應(yīng)商器件封裝 P 9 x 5
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供應(yīng)商器件封裝 P 9 x 5
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供應(yīng)商器件封裝 P 7 x 4
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供應(yīng)商器件封裝 P 14 x 8
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供應(yīng)商器件封裝 RM 6
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供應(yīng)商器件封裝 RM 8
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供應(yīng)商器件封裝 EP 7
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供應(yīng)商器件封裝 RM 4
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供應(yīng)商器件封裝 P 9 x 5
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供應(yīng)商器件封裝 RM 6
2023-09-07 11:46:58
東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）近日宣布，推出采用有助于降低開關(guān)損耗的4引腳TO-247-4L(X)封裝的碳化硅（SiC）MOSFET---“TWxxxZxxxC系列”，該產(chǎn)品采用東芝最新的[1]第3代碳化硅MOSFET芯片，用于支持工業(yè)設(shè)備應(yīng)用。
2023-09-07 09:59:32731 
1 功率分立產(chǎn)品概述
2 IGBT 產(chǎn)品系列
3 HV MOSFET 產(chǎn)品系列
4 SiC MOSFET 產(chǎn)品系列
5 整流器及可控硅產(chǎn)品系列
6 能源應(yīng)用
2023-09-07 08:01:40
。英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）近日推出先進的全新OptiMOS?功率MOSFET，進一步擴大其采用PQFN 2x2 mm2封裝的功率MOSFET的產(chǎn)品陣容，此舉旨在提供功率半導體行業(yè)標桿解決方案，在更小的封裝尺寸內(nèi)實現(xiàn)更高的效率和更加優(yōu)異的性能。新產(chǎn)品廣
2023-09-06 14:18:431202 
點擊“東芝半導體”，馬上加入我們哦！ 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布， 推出采用有助于降低開關(guān)損耗的4引腳TO-247-4L(X)封裝的碳化硅（SiC）MOSFET
2023-09-04 15:13:401134 
東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）宣布，推出兩款采用東芝新型S-TOGL（小型晶體管輪廓鷗翼式引腳）封裝與U-MOS IX-H工藝芯片的車載40V N溝道功率MOSFET——“XPJR6604PB”和“XPJ1R004PB”。兩款產(chǎn)品已于8月17日開始支持批量出貨。
2023-08-24 11:19:10600 
東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出兩款采用東芝新型S-TOGLTM（小型晶體管輪廓鷗翼式引腳）封裝與U-MOS IX-H工藝芯片的車載40V N溝道功率MOSFET——“XPJR6604PB”和“XPJ1R004PB”。兩款產(chǎn)品于今日開始支持批量出貨。
2023-08-22 11:03:21557 
KUU推出采用DFN5*6-8L無鉛塑料封裝的N-SGTMOSFET產(chǎn)品KM4110N-568。產(chǎn)品使用先進的屏蔽柵溝槽（ShieldGateTrench）技術(shù)，同時降低了器件導通電阻Ronsp
2023-08-19 08:30:24391 
產(chǎn)品推薦 | TOLL封裝MOSFET系列
2023-08-16 09:17:34885 
碳化硅(SiC)作為一個新興的寬帶隙半導體材料，已經(jīng)吸引了大量的研究關(guān)注。其優(yōu)越的電氣性能、高溫穩(wěn)定性和高頻響應(yīng)使其在功率電子器件領(lǐng)域中具有巨大的應(yīng)用潛力。但要完全發(fā)揮SiC功率器件的潛力，封裝技術(shù)同樣至關(guān)重要。本文主要探討碳化硅功率器件封裝的三個關(guān)鍵技術(shù)。
2023-08-15 09:52:11701 
微光電子機械系統(tǒng)（MOEMS）是一種新興技術(shù)，日前已成為熱門的技術(shù)之一。MOEMS是利用光子系統(tǒng)的微電子機械系統(tǒng)（MEMS），內(nèi)含微機械光調(diào)制器、微機械光學開關(guān)、IC及其他構(gòu)件，并利用了MEMS技術(shù)的小型化、多重性、微電子性，實現(xiàn)了光器件與電器件的無縫集成。
2023-08-14 11:21:42143 2023年8月1日，九峰山實驗室6寸碳化硅（SiC）中試線全面通線，首批溝槽型MOSFET器件晶圓下線。實驗室已具備碳化硅外延、工藝流程、測試等全流程技術(shù)服務(wù)能力。
2023-08-11 17:00:54226 對于SiC功率MOSFET技術(shù)，報告指出，650-1700V SiC MOSFET技術(shù)快速迭代，單芯片電流可達200A。提升電流密度同時，解決好特有可靠性問題是提高技術(shù)成熟度關(guān)鍵。
2023-08-08 11:05:57428 MOEMS器件按其物理工作原理分為干涉、衍射、透射、反射型（見表1），大多數(shù)采用反射型器件。MOEMS在過去幾年中已獲得顯著發(fā)展。近幾年，由于對高速率通信和數(shù)據(jù)傳輸需求的增長，大大激發(fā)了對MOEMS技術(shù)及其器件的研發(fā)。已開發(fā)出所需的低損耗、低EMV敏感性、低串話的高數(shù)據(jù)率反射光型MOEMS器件。
2023-08-03 14:43:50217 及產(chǎn)業(yè)化項目、研發(fā)中心建設(shè)及第三代半導體功率器件研發(fā)項目等。 華羿微電成立于2017年，是一家聚焦高性能功率器件研發(fā)、設(shè)計、封裝測試、銷售為主的半導體企業(yè)，主要產(chǎn)品包括自有品牌的SGT MOSFET、Trench MOSFET等功率器件和硅基MOSFET及模塊、IGBT、二極管
2023-07-06 16:45:02520 
鎵器件大約在2015年推出市場，與具有相同導通電阻和額定電壓的硅功率MOSFET相比，其價格更低 。從那時起，產(chǎn)量繼續(xù)提升、氮化鎵器件的價格持續(xù)下降、氮化鎵技術(shù)不斷改進和芯片進一步更小化。下圖顯示了
2023-06-25 14:17:47
（VLSI）設(shè)備采用的設(shè)計方式有極大的不同，它仍然采用了與VLSI電路類似的半導體加工工藝。金屬氧化物半導體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)從70年代的初級場效應(yīng)晶體管發(fā)展而來。圖1描述了MOSFET的器件原理圖，傳輸特性和器件符號。雙極結(jié)型晶體管（BJT)自身的局限性驅(qū)動了功率
2023-06-17 14:24:52591 
采用了GaNSense?技術(shù)的NV6169 PQFN 8×8 GaNFast?功率IC，適用于更高功率的應(yīng)用
2023-06-16 11:12:02
大部分從事后端設(shè)計的同行應(yīng)該沒有接觸過帶封裝的IR Drop分析（模塊級別的IR分析不需要考慮封裝），一般只有PA工程師、后端項目經(jīng)理、封裝同事等才會接觸這一部分內(nèi)容。
2023-06-16 10:05:18674 
Navitas的GeneSiC碳化硅(SiC) mosfet可為各種器件提供高效率的功率傳輸應(yīng)用領(lǐng)域，如電動汽車快速充電、數(shù)據(jù)中心電源、可再生能源、能源等存儲系統(tǒng)、工業(yè)和電網(wǎng)基礎(chǔ)設(shè)施。具有更高的效率
2023-06-16 06:04:07
高速公路服務(wù)區(qū)的重要基礎(chǔ)設(shè)施，確保電動汽車在日常駕駛和長途旅行中有地方充電。 安森德ASDsemi SJ MOSFET系列產(chǎn)品，通過優(yōu)化器件結(jié)構(gòu)設(shè)計，采用先進的工藝制造技術(shù)，進一步提高了產(chǎn)品性能，具有
2023-06-13 16:30:37
蘭奈梅亨--(美國商業(yè)資訊)--Nexperia(安世半導體)，分立器件、邏輯器件和 MOSFET 器件的全球領(lǐng)導者，今日宣布其已采用 Trench 11 技術(shù)實現(xiàn)具有史上最低導通阻抗
2023-06-08 13:57:21441 最新一代面向汽車應(yīng)用的功率 MOSFET，OptiMOS? 7 40V MOSFET提供多種無引腳、堅固的功率封裝。該系列產(chǎn)品采用了 300 毫米薄晶圓技術(shù)和創(chuàng)新的封裝，相比于其它采用微型封裝的器件，具有
2023-06-06 11:01:361026 
PRISEMI芯導產(chǎn)品推薦 | TOLL封裝MOSFET系列
2023-06-06 10:02:58824 
Nexperia | 推出用于自動安全氣囊的專用MOSFET (ASFET)新產(chǎn)品組合 基礎(chǔ)半導體器件領(lǐng)域的專家 Nexperia（安世半導體）推出了用于自動化安全氣囊應(yīng)用的專用 MOSFET
2023-05-29 10:35:11372 TOLL（Transistor Outline Leadless）封裝的MOSFET，由于其封裝形式具有小體積、低封裝電阻、低寄生電感、低熱阻等特點，已經(jīng)在電動自行車、電動摩托車、鋰電保護、通信電源等終端客戶得到廣泛使用。
2023-05-26 09:52:42393 
“ 引言 ” 近年來，為了更好地實現(xiàn)自然資源可持續(xù)利用，需要更多節(jié)能產(chǎn)品，因此，關(guān)于焊機能效的強制性規(guī)定應(yīng)運而生。經(jīng)改進的碳化硅CoolSiC? MOSFET 1200 V采用基于.XT擴散焊技術(shù)
2023-05-23 17:14:18618 
為設(shè)計選擇正確器件的第一步是決定采用N溝道還是P溝道MOSFET。在典型的功率應(yīng)用中，當一個MOSFET接地，而負載連接到干線電壓上時，該MOSFET就構(gòu)成了低壓側(cè)開關(guān)。在低壓側(cè)開關(guān)中，應(yīng)采用N溝道
2023-05-22 11:11:391173 TOLL（Transistor Outline Leadless）封裝的MOSFET，由于其封裝形式具有小體積、低封裝電阻、低寄生電感、低熱阻等特點，已經(jīng)在電動自行車、電動摩托車、鋰電保護、通信電源等終端客戶得到廣泛使用。
2023-05-13 17:38:521981 
不久前，英飛凌科技股份公司宣布其適用于高壓MOSFET的QDPAK和DDPAK頂部散熱（TSC）封裝技術(shù)正式注冊為JEDEC標準。
2023-04-29 03:28:004585 
大部分從事后端設(shè)計的同行應(yīng)該沒有接觸過帶封裝的IR Drop分析（模塊級別的IR分析不需要考慮封裝），一般只有PA工程師、后端項目經(jīng)理、封裝同事等才會接觸這一部分內(nèi)容。
2023-04-21 09:31:091573 摘要半導體技術(shù)的進步使得芯片的尺寸得以不斷縮小，倒逼著封裝技術(shù)的發(fā)展和進步，也由此產(chǎn)生了各種各樣的封裝形式。當前功率器件的設(shè)計和發(fā)展具有低電感、高散熱和高絕緣能力的屬性特征，器件封裝上呈現(xiàn)出模塊化
2023-04-20 09:59:41710 
MOSFET作為功率開關(guān)管，已經(jīng)是開關(guān)電源領(lǐng)域的絕對主力器件。雖然MOSFET作為電壓型驅(qū)動器件，其驅(qū)動表面上看來是非常簡單，但是詳細分析起來并不簡單。下面我會花一點時間，一點點來解析MOSFET的驅(qū)動技術(shù)，以及在不同的應(yīng)用，應(yīng)該采用什么樣的驅(qū)動電路。
2023-04-18 09:19:31600 光電紅外（EO/IR）系統(tǒng)是一種傳感器技術(shù)，其采用光學和電子技術(shù)組合來檢測、跟蹤和識別紅外光譜中的物體或目標。
2023-04-15 10:10:34870 了BGA封裝的更多成本，直接采用板級封裝，這種封裝技術(shù)的進步是需要我們跟蹤和學習的。我們國內(nèi)的TCB熱壓鍵合已經(jīng)推出幾年了，取得了不錯的效果。原作者：真空回流焊中科同志
2023-04-11 15:52:37
KUU推出超小型SOT-723封裝MOSFET，特別為空間受限的便攜式應(yīng)用優(yōu)化的新一代MOSFET，這些新低閾值電壓MOSFET采用KUU先進的溝槽工藝技術(shù)來取得能夠和SOT-523等大上許多封裝
2023-04-04 16:10:39987 采用溝槽MOSFET技術(shù)的超小型扁平引線SOT666表面安裝器件（SMD）塑料封裝中的雙P溝道增強型場效應(yīng)晶體管（FET）
2023-03-28 18:19:58
TSUS4300 是一款采用 GaAs 技術(shù)的紅外 950 nm 發(fā)光二極管，采用藍色塑料封裝。
2023-03-28 13:02:41
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