車規(guī)級功率模塊封裝的現(xiàn)狀，SiC MOSFET對器件封裝的技術(shù)需求

1、SiC MOSFET對器件封裝的技術(shù)需求；2、車規(guī)級功率模塊封裝的現(xiàn)狀；3、英飛凌最新SiC HPD G2和SSC封裝；4、未來模塊封裝發(fā)展趨勢及看法

編輯：黃飛

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MOSFET(209665) MOSFET(209665)
封裝技術(shù)(67735) 封裝技術(shù)(67735)
SiC(61351) SiC(61351)
功率模塊(44656) 功率模塊(44656)

SiC功率模塊封裝技術(shù)及展望

SiC MOSFET器件的集成化、高頻化和高效化需求，對功率模塊封裝形式和工藝提出了更高的要求。本文中總結(jié)了近年來封裝形式的結(jié)構(gòu)優(yōu)化和技術(shù)創(chuàng)新，包括鍵合式功率模塊的金屬鍵合線長度、寬度和并聯(lián)

2023-01-07 10:24:37

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碳化硅功率器件封裝技術(shù)解析

碳化硅(silicon carbide，SiC)功率器件作為一種寬禁帶器件，具有耐高壓、高溫，導(dǎo)通電阻低，開關(guān)速度快等優(yōu)點。如何充分發(fā)揮碳化硅器件的這些優(yōu)勢性能則給封裝技術(shù)帶來了新的挑戰(zhàn)：傳統(tǒng)封裝

2023-09-24 10:42:40

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同是功率器件，為什么SiC主要是MOSFET，GaN卻是HEMT

電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/梁浩斌）在我們談?wù)摰谌雽?dǎo)體的時候，常說的碳化硅功率器件一般是指代SiC MOSFET（金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管），而氮化鎵功率器件最普遍的則是GaN HEMT（高電子

2023-12-27 09:11:36

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SiC-MOSFET功率晶體管的結(jié)構(gòu)與特征比較

SiC-DMOS的特性現(xiàn)狀是用橢圓圍起來的范圍。通過未來的發(fā)展，性能有望進(jìn)一步提升。從下一篇開始，將單獨介紹與SiC-MOSFET的比較。關(guān)鍵要點:?功率晶體管的特征因材料和結(jié)構(gòu)而異。?在特性方面各有優(yōu)缺點，但SiC-MOSFET在整體上具有優(yōu)異的特性。＜相關(guān)產(chǎn)品信息＞MOSFETSiC-DMOS

2018-11-30 11:35:30

SiC-MOSFET器件結(jié)構(gòu)和特征

另一方面，按照現(xiàn)在的技術(shù)水平，SiC-MOSFET的MOS溝道部分的遷移率比較低，所以溝道部的阻抗比Si器件要高?！　∫虼?，越高的門極電壓，可以得到越低的導(dǎo)通電阻（VCS=20V以上則逐漸飽和）?！　∪绻?/div>

2023-02-07 16:40:49

SiC-MOSFET與Si-MOSFET的區(qū)別

從本文開始，將逐一進(jìn)行SiC-MOSFET與其他功率晶體管的比較。本文將介紹與Si-MOSFET的區(qū)別。尚未使用過SiC-MOSFET的人，與其詳細(xì)研究每個參數(shù)，不如先弄清楚驅(qū)動方法等

2018-11-30 11:34:24

SiC-MOSFET有什么優(yōu)點

，SiC-MOSFET能夠在IGBT不能工作的高頻條件下驅(qū)動，從而也可以實現(xiàn)無源器件的小型化。與600V~900V的Si-MOSFET相比，SiC-MOSFET的優(yōu)勢在于芯片面積小（可實現(xiàn)小型封裝），而且體

2019-04-09 04:58:00

SiC-MOSFET的應(yīng)用實例

SiC-MOSFET，還可以從這里了解SiC-SBD、全SiC模塊的應(yīng)用實例。SiC-MOSFET應(yīng)用實例1：移相DC/DC轉(zhuǎn)換器下面是演示機(jī)，是與功率Power Assist Technology Ltd.聯(lián)合制

2018-11-27 16:38:39

SiC MOSFET的器件演變與技術(shù)優(yōu)勢

一樣，商用SiC功率器件的發(fā)展走過了一條喧囂的道路。本文旨在將SiC MOSFET的發(fā)展置于背景中，并且 - 以及器件技術(shù)進(jìn)步的簡要歷史 - 展示其技術(shù)優(yōu)勢及其未來的商業(yè)前景。　　碳化硅或碳化硅的歷史

2023-02-27 13:48:12

SiC MOSFET：經(jīng)濟(jì)高效且可靠的高功率解決方案

家公司已經(jīng)建立了SiC技術(shù)作為其功率器件生產(chǎn)的基礎(chǔ)。此外，幾家領(lǐng)先的功率模塊和功率逆變器制造商已為其未來基于SiC的產(chǎn)品的路線圖奠定了基礎(chǔ)。碳化硅（SiC）MOSFET即將取代硅功率開關(guān);性能和可靠性

2019-07-30 15:15:17

SiC功率器件SiC-MOSFET的特點

，SiC-MOSFET能夠在IGBT不能工作的高頻條件下驅(qū)動，從而也可以實現(xiàn)無源器件的小型化。與600V~900V的Si-MOSFET相比，SiC-MOSFET的優(yōu)勢在于芯片面積?。蓪崿F(xiàn)小型封裝），而且體

2019-05-07 06:21:55

SiC功率器件概述

1. SiC模塊的特征大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。由IGBT的尾

2019-05-06 09:15:52

SiC功率器件概述

載流子器件（肖特基勢壘二極管和MOSFET）去實現(xiàn)高耐壓，從而同時實現(xiàn) "高耐壓"、"低導(dǎo)通電阻"、"高頻" 這三個特性。另外，帶隙較寬，是Si的3倍，因此SiC功率器件即使在高溫下也可以穩(wěn)定工作。

2019-07-23 04:20:21

SiC功率器件的封裝技術(shù)研究

不具備足夠的堅固性。當(dāng)前對大功率、高溫器件封裝技術(shù)的大量需求引起了對這一領(lǐng)域的研發(fā)熱潮?！　?b class="flag-6" style="color: red">SiC器件的封裝襯底必須便于處理固態(tài)銅厚膜導(dǎo)電層，且具有高熱導(dǎo)率和低熱膨脹系數(shù)，從而可以把大尺寸SiC芯片直接焊接到襯底上

2018-09-11 16:12:04

SiC功率模塊的柵極驅(qū)動其1

的不是全SiC功率模塊特有的評估事項，而是單個SiC-MOSFET的構(gòu)成中也同樣需要探討的現(xiàn)象。在分立結(jié)構(gòu)的設(shè)計中，該信息也非常有用?！皷艠O誤導(dǎo)通”是指在高邊SiC-MOSFET＋低邊

2018-11-30 11:31:17

SiC功率模塊的特征與電路構(gòu)成

2019-03-25 06:20:09

SiC功率元器件的開發(fā)背景和優(yōu)點

前面對SiC的物理特性和SiC功率元器件的特征進(jìn)行了介紹。SiC功率元器件具有優(yōu)于Si功率元器件的更高耐壓、更低導(dǎo)通電阻、可更高速工作,且可在更高溫條件下工作。接下來將針對SiC的開發(fā)背景和具體優(yōu)點

2018-11-29 14:35:23

SiC器件在新能源電力系統(tǒng)中的發(fā)展分析和展望

SBD串聯(lián)技術(shù)，實現(xiàn)6支器件串聯(lián)，研制了39 kV/100 A SiC SBD組件，并在24 kV換流閥功率模塊中得到應(yīng)用?！　D1 ZPOC封裝示意圖　　應(yīng)用ZPOC封裝技術(shù)的模塊使用了焊接與壓接

2023-02-27 14:22:06

Sic MOSFET SCT30N120 、SCT50N120 功率管

Sic MOSFET 主要優(yōu)勢.更小的尺寸及更輕的系統(tǒng).降低無源器件的尺寸/成本.更高的系統(tǒng)效率.降低的制冷需求和散熱器尺寸Sic MOSFET ，高壓開關(guān)的突破.SCT30N120

2017-07-27 17:50:07

功率元器件

。SiC半導(dǎo)體的功率元器件SiC-SBD（肖特基勢壘二極管）和SiC-MOSFET已于2010年＊1量產(chǎn)出貨，SiC的MOSFET和SBD的“全SiC”功率模塊也于2012年＊1實現(xiàn)量產(chǎn)。此時，第二代

2018-11-29 14:39:47

封裝寄生電感對MOSFET性能的影響

。特別是，封裝源極寄生電感是是器件控制的關(guān)鍵因素。在本文中，英飛凌提出了一種用于快速開關(guān)超結(jié)MOSFET的最新推出的TO247 4引腳器件封裝解決方案。這個解決方案將源極連接分為兩個電流路徑；一個用于

2018-10-08 15:19:33

車規(guī)級GPS模塊有哪些特征？

車規(guī)級GPS模塊有哪些特征？

2021-05-18 06:54:02

車規(guī)級的器件選型

`各位今天聊聊車規(guī)級的芯片選型。如果需要的芯片沒有車規(guī)級別的，但又工業(yè)級別的。從穩(wěn)定性，可靠性方面考慮，應(yīng)該要層元器件的那些特性為主要的考慮因素呢，是溫度？`

2015-10-15 14:22:18

車規(guī)二級管

車規(guī)二級管，有通過AEC-Q101、TS16949、IATF16949希望對所有汽車電子設(shè)計有幫助，產(chǎn)品特點：1.領(lǐng)先全球薄型封裝片式二級管： 0402/0603/0805/1206/2010

2018-02-09 15:22:44

車用SiC元件討論

個月的研發(fā)合作。本文將討論本專案中與車用電子的相關(guān)內(nèi)容，并聚焦在有關(guān)SiC技術(shù)和封裝的創(chuàng)新。WInSiC4AP聯(lián)盟由來自4個歐盟國家（意大利、法國、德國和捷克共和國）的20個合作伙伴組成，包括大型企業(yè)

2019-06-27 04:20:26

GW1NZ系列車規(guī)級FPGA產(chǎn)品封裝與管腳手冊

GW1NZ系列車規(guī)級FPGA產(chǎn)品封裝與管腳手冊主要包括高云半導(dǎo)體GW1NZ系列FPGA產(chǎn)品（車規(guī)級）的封裝介紹、管腳定義說明、管腳數(shù)目列表、管腳分布示意圖以及封裝尺寸圖。

2022-09-28 11:05:08

GaN和SiC區(qū)別

半導(dǎo)體的關(guān)鍵特性是能帶隙，能帶動電子進(jìn)入導(dǎo)通狀態(tài)所需的能量。寬帶隙（WBG）可以實現(xiàn)更高功率，更高開關(guān)速度的晶體管，WBG器件包括氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC），以及其他半導(dǎo)體。 GaN和SiC

2022-08-12 09:42:07

MEMS器件的封裝級設(shè)計

MEMS器件有時也采用晶圓級封裝，并用保護(hù)帽把MEMS密封起來，實現(xiàn)與外部環(huán)境的隔離或在下次封裝前對MEMS器件提供移動保護(hù)。這項技術(shù)常常用于慣性芯片的封裝，如陀螺儀和加速度計。這樣的封裝步驟是在MEMS

2010-12-29 15:44:12

Microsem美高森美用于SiC MOSFET技術(shù)的極低電感SP6LI封裝

) MOSFET功率模塊的極低電感封裝這款全新封裝專為用于公司SP6LI 產(chǎn)品系列而開發(fā)，經(jīng)設(shè)計提供適用于SiC MOSFET技術(shù)的2.9 nH雜散電感，同時實現(xiàn)高電流、高開關(guān)頻率以及高效率。美高森美將在德國

2018-10-23 16:22:24

PCA9685是車規(guī)級的么？我想要一個車規(guī)級的PWM輸出信號芯片（引腳越多越好）有沒有推薦

PCA9685是車規(guī)級的么？我想要一個車規(guī)級的PWM輸出信號芯片（引腳越多越好）有沒有推薦。TLC5940-EP怎么樣

2021-05-24 09:43:54

PQFN封裝技術(shù)提高性能

標(biāo)準(zhǔn)(與線性電源相比具有更好的功率密度和效率)，組件設(shè)計人員設(shè)法通過芯片級創(chuàng)新和改進(jìn)封裝來不斷提升功率MOSFET的導(dǎo)通和開關(guān)性能。芯片的不斷更新?lián)Q代使得在導(dǎo)通電阻(RDS(ON))和影響開關(guān)性能

2018-09-12 15:14:20

ROHM的SiC MOSFET和SiC SBD成功應(yīng)用于Apex Microtechnology的工業(yè)設(shè)備功率模塊系列

技術(shù)領(lǐng)域都擁有強(qiáng)大的優(yōu)勢，雙方保持著技術(shù)交流并建立了合作關(guān)系。今后，通過將ROHM的SiC功率元器件和控制技術(shù)與Apex Microtechnology的模塊技術(shù)完美結(jié)合，雙方將能夠提供滿足市場需求的出色的功率系統(tǒng)解決方案，從而持續(xù)為工業(yè)設(shè)備的效率提升做出貢獻(xiàn)。

2023-03-29 15:06:13

【羅姆SiC-MOSFET 試用體驗連載】SiC MOSFET元器件性能研究

項目名稱：SiC MOSFET元器件性能研究試用計劃：申請理由本人在半導(dǎo)體失效分析領(lǐng)域有多年工作經(jīng)驗，熟悉MOSET各種性能和應(yīng)用，掌握各種MOSFET的應(yīng)用和失效分析方法，熟悉MOSFET的主要

2020-04-24 18:09:12

中國功率器件市場發(fā)展現(xiàn)狀

中國功率器件市場發(fā)展現(xiàn)狀:功率器件包括功率 IC 和功率分立器件，功率分立器件則主要包括功率MOSFET、大功率晶體管和IGBT 等半導(dǎo)體器件，功率器件幾乎用于所有的電子制造業(yè)，所應(yīng)用的產(chǎn)品包括

2009-09-23 19:36:41

為SiC mosfet選擇柵極驅(qū)動IC時的關(guān)鍵參數(shù)

Navitas的GeneSiC碳化硅(SiC) mosfet可為各種器件提供高效率的功率傳輸應(yīng)用領(lǐng)域，如電動汽車快速充電、數(shù)據(jù)中心電源、可再生能源、能源等存儲系統(tǒng)、工業(yè)和電網(wǎng)基礎(chǔ)設(shè)施。具有更高的效率

2023-06-16 06:04:07

為何使用 SiC MOSFET

要充分認(rèn)識 SiC MOSFET 的功能，一種有用的方法就是將它們與同等的硅器件進(jìn)行比較。SiC 器件可以阻斷的電壓是硅器件的 10 倍，具有更高的電流密度，能夠以 10 倍的更快速度在導(dǎo)通和關(guān)斷

2017-12-18 13:58:36

了解一下SiC器件的未來需求

Tesla的SiC MOSFET只用在主驅(qū)逆變器電力模塊上，共24顆，拆開封裝每顆有2個SiC裸晶(Die)所以共48顆SiC MOSFET。除此之外，其他包括OBC、一輛車附2個一般充電器、快充電樁等，都可以放上SiC，只是SiC久缺而未快速導(dǎo)入。不過，市場估算，循續(xù)漸進(jìn)采用SiC后，平均2輛Te.

2021-09-15 07:42:00

什么是車規(guī)級芯片

`　　誰來闡述一下什么是車規(guī)級芯片？`

2019-10-18 10:55:55

使采用了SiC MOSFET的高效AC/DC轉(zhuǎn)換器的設(shè)計更容易

業(yè)內(nèi)先進(jìn)的 AC/DC轉(zhuǎn)換器IC ，采用一體化封裝，已將1700V耐壓的SiC MOSFET*和針對其驅(qū)動而優(yōu)化的控制電路內(nèi)置于小型表貼封裝（TO263-7L）中。主要適用于需要處理大功率

2022-07-27 11:00:52

倒裝芯片和晶片級封裝技術(shù)及其應(yīng)用

定義的CSP分類中。晶片級CSP是多種應(yīng)用的一種低成本選擇,這些應(yīng)用包括EEPROM等引腳數(shù)量較少的器件，以及ASIC和微處理器。CSP采用晶片級封裝(WLP)工藝加工，WLP的主要優(yōu)點是所有裝配

2018-08-27 15:45:31

全SiC功率模塊介紹

從本文開始進(jìn)入新的一章。繼SiC概要、SiC-SBD（肖特基勢壘二極管）、SiC-MOSFET之后，來介紹一下完全由SiC功率元器件組成的“全SiC功率模塊”。本文作為第一篇，想讓大家了解全SiC

2018-11-27 16:38:04

全SiC功率模塊使逆變器重量減少6kg、尺寸減少43%

的內(nèi)部結(jié)構(gòu)和優(yōu)化了散熱設(shè)計的新封裝，成功提高了額定電流。另外，與普通的同等額定電流的IGBT＋FRD模塊相比，開關(guān)損耗降低了75%（芯片溫度150℃時）。不僅如此，利用SiC功率元器件的優(yōu)勢–高頻驅(qū)動，不僅

2018-12-04 10:24:29

全SiC功率模塊的開關(guān)損耗

SiC-MOSFET的量產(chǎn)。SiC功率模塊已經(jīng)采用了這種溝槽結(jié)構(gòu)的MOSFET，使開關(guān)損耗在以往SiC功率模塊的基礎(chǔ)上進(jìn)一步得以降低。右圖是基于技術(shù)規(guī)格書的規(guī)格值，對1200V/180A的IGBT模塊、采用第二代

2018-11-27 16:37:30

分立器件封裝技術(shù)及產(chǎn)品的主要發(fā)展?fàn)顩r

和雙極型功率晶體管的特點，現(xiàn)已開發(fā)出第5代技術(shù)的產(chǎn)品，在600V以上中等電壓范圍內(nèi)成為主流功率器件，從模塊化封裝轉(zhuǎn)向分立單管封裝，做成塑封器件，應(yīng)用于空調(diào)器、洗衣機(jī)、微波爐、電飯煲、電磁灶等白色家電中

2018-08-29 10:20:50

創(chuàng)新型MOSFET封裝：大大簡化您電源的設(shè)計

應(yīng)用。雖然3mm x 3mm功率封裝已經(jīng)使DC-DC電路使用的空間大幅減少，還是有機(jī)會能夠把所用的空間再減少一點，以及提高功率密度。實現(xiàn)這個目的的辦法之一是用組合了兩個器件的封裝替代分立的單片MOSFET

2013-12-23 11:55:35

基于EDT2技術(shù)及EasyPACK? 2B半橋封裝的功率模塊

英飛凌科技股份公司于近日推出了一款車規(guī)級基于EDT2技術(shù)及EasyPACK? 2B半橋封裝的功率模塊，這款模塊具有更高的靈活性及可擴(kuò)展性。根據(jù)逆變器的具體條件，這款750V的模塊最大可以支撐50kW

2021-11-29 07:42:30

歸納碳化硅功率器件封裝的關(guān)鍵技術(shù)

摘要：碳化硅(silicon carbide，SiC)功率器件作為一種寬禁帶器件，具有耐高壓、高溫，導(dǎo)通電阻低，開關(guān)速度快等優(yōu)點。如何充分發(fā)揮碳化硅器件的這些優(yōu)勢性能則給封裝技術(shù)帶來了新的挑戰(zhàn)

2023-02-22 16:06:08

微電子封裝技術(shù)

論述了微電子封裝技術(shù)的發(fā)展歷程發(fā)展現(xiàn)狀及發(fā)展趨勢主要介紹了微電子封裝技術(shù)中的芯片級互聯(lián)技術(shù)與微電子裝聯(lián)技術(shù) 芯片級互聯(lián)技術(shù)包括引線鍵合技術(shù) 載帶自動焊技術(shù) 倒裝芯片技術(shù) 倒裝芯片技術(shù)是目前

2013-12-24 16:55:06

搭載SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊

2019-03-12 03:43:18

晶圓級封裝的方法是什么？

晶圓級封裝技術(shù)源自于倒裝芯片。晶圓級封裝的開發(fā)主要是由集成器件制造廠家（IBM）率先啟動。1964年，美國IBM公司在其M360計算器中最先采用了FCOB焊料凸點倒裝芯片器件。

2020-03-06 09:02:23

晶圓級三維封裝技術(shù)發(fā)展

先進(jìn)封裝發(fā)展背景晶圓級三維封裝技術(shù)發(fā)展

2020-12-28 07:15:50

有效實施更長距離電動汽車用SiC功率器件

雖然電動和混合動力電動汽車（EV]從作為功率控制器件的標(biāo)準(zhǔn)金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）到基于碳化硅（SiC）襯底和工藝技術(shù)的FET的轉(zhuǎn)變代表了提高EV的效率和整體系統(tǒng)級特性的重要步驟

2019-08-11 15:46:45

有知道國內(nèi)生產(chǎn)車規(guī)級器件的嗎？求大神

求可靠的生產(chǎn)廠家，車規(guī)級器件。求推薦

2017-05-12 10:21:28

求一種基于Richtek RTQ7880的車規(guī)級充電應(yīng)用解決方案

基于Richtek RTQ7880的車規(guī)級充電裝置有哪些核心技術(shù)優(yōu)勢？

2021-08-06 06:19:11

淺析SiC-MOSFET

，一直被視為“理想器件”而備受期待。然而，相對以往的Si材質(zhì)器件，SiC功率器件在性能與成本間的平衡以及其對高工藝的需求，將成為SiC功率器件能否真正普及的關(guān)鍵。近年來，隨著國內(nèi)多品牌的進(jìn)入，SiC技術(shù)

2019-09-17 09:05:05

滿足供電需求的新型封裝技術(shù)和MOSFET

` 本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:50 編輯在小尺寸器件中驅(qū)動更高功率得益于半導(dǎo)體和封裝技術(shù)的進(jìn)步。一種采用頂部散熱標(biāo)準(zhǔn)封裝形式的新型功率MOSFET就使用了新一代

2012-12-06 14:32:55

用于汽車應(yīng)用的碳化硅MOSFET功率模塊

，LeapersSemiconductor使用其專利的電弧鍵合?技術(shù)（圖2）?！　∨c許多汽車級功率半導(dǎo)體制造商使用的傳統(tǒng)鋁引線鍵合技術(shù)不同，電弧鍵合?專利芯片表面連接技術(shù)可確保滿足汽車應(yīng)用要求的SiC模塊的可靠性，同時顯著降低寄生電阻

2023-02-20 16:26:24

電子封裝技術(shù)最新進(jìn)展

繼續(xù)從單芯片向多芯片發(fā)展，除了多芯片模塊(MCM)外還有多芯片封裝(MCP)、系統(tǒng)級封裝(SIP)及疊層封裝等。 ●電子封裝技術(shù)從分立向系統(tǒng)方向發(fā)展，出現(xiàn)了面向系統(tǒng)的SOC(片上系統(tǒng))、SOP和SIP等

2018-08-23 12:47:17

碳化硅SiC技術(shù)導(dǎo)入應(yīng)用的最大痛點

功率開關(guān)技術(shù)也是如此，特別是用SiC和GaN制作的寬帶隙器件。SiC已經(jīng)從5年前的商業(yè)起步躍升到今天的第三代，價格已與硅開關(guān)相當(dāng)，特別是在考慮到連鎖效益的情況下。　　隨著電動汽車、可再生能源和5G等

2023-02-27 14:28:47

羅姆成功實現(xiàn)SiC-SBD與SiC-MOSFET的一體化封裝

方面的所有課題。而且，與傳統(tǒng)產(chǎn)品相比，單位面積的導(dǎo)通電阻降低了約30％，實現(xiàn)了芯片尺寸的小型化。另外，通過獨創(chuàng)的安裝技術(shù)，還成功將傳統(tǒng)上需要外置的SiC-SBD一體化封裝，使SiC-MOSFET的體

2019-03-18 23:16:12

能推薦一些國內(nèi)車規(guī)級電子元器件原廠嗎？

誰能推薦一些國內(nèi)車規(guī)級的電子元器件廠商？主要是電源IC、ADC、邏輯IC、復(fù)位IC、高低邊IC等等，其它的分立元器件也可以推薦，要國產(chǎn)的，謝謝！本人在國內(nèi)一線整車廠上班。

2019-12-04 11:38:53

講解SRAM中晶圓級芯片級封裝的需求

SRAM中晶圓級芯片級封裝的需求

2020-12-31 07:50:40

請問車規(guī)級芯片到底有哪些要求？

請問車規(guī)級芯片到底有哪些要求？

2021-06-18 07:56:37

采用全SiC模塊解決方案的10kW 3級UPS逆變器可實現(xiàn)高效率并減小尺寸和重量

功率MCU，分立器件和功率器件的領(lǐng)先公司。為了追求卓越和高品質(zhì)的產(chǎn)品，羅姆已經(jīng)垂直整合了其碳化硅供應(yīng)鏈。SiC MOSFET，SBD，模塊和柵極驅(qū)動器產(chǎn)品組合已在Bodo的Power雜志（2015年4

2019-10-25 10:01:08

采用第3代SiC-MOSFET，不斷擴(kuò)充產(chǎn)品陣容

%。這非常有望進(jìn)一步實現(xiàn)應(yīng)用的高效化和小型化。全SiC功率模塊的產(chǎn)品陣容擴(kuò)充下表為全SiC功率模塊的產(chǎn)品陣容現(xiàn)狀。除BSM180D12P3C007外，采用第2代SiC-MOSFET的產(chǎn)品陣容中也增添了

2018-12-04 10:11:50

驅(qū)動功率MOSFET，IBGT，SiC MOSFET的PCB布局需要考慮哪些因素？

請問：驅(qū)動功率MOSFET，IBGT，SiC MOSFET的PCB布局需要考慮哪些因素？

2019-07-31 10:13:38

SiC功率器件的封裝技術(shù)要點

SiC功率器件的封裝技術(shù)要點　　具有成本效益的大功率高溫半導(dǎo)體器件是應(yīng)用于微電子技術(shù)的基本元件。SiC是寬帶隙半導(dǎo)體材料，與S

2009-11-19 08:48:43

2355

滿足供電需求的新型封裝技術(shù)和MOSFET

滿足供電需求的新型封裝技術(shù)和MOSFET

2012-08-29 14:52:06

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何謂全SiC功率模塊?

羅姆在全球率先實現(xiàn)了搭載羅姆生產(chǎn)的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC功率模塊”量產(chǎn)。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開關(guān)并可大幅降低損耗。

2018-05-17 09:33:13

13514

SiC功率半導(dǎo)體器件技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀及市場前景

本文首先介紹了SiC功率半導(dǎo)體器件技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀及市場前景，其次闡述了SiC功率器件發(fā)展中存在的問題，最后介紹了SiC功率半導(dǎo)體器件的突破。

2018-05-28 15:33:54

10899

采用ATPAK封裝功率MOSFET在開關(guān)器件設(shè)計中的應(yīng)用

視頻簡介：目前，市場對低能耗和節(jié)能型電子產(chǎn)品的需求極大，從而符合及超越政府及行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)組織的節(jié)能要求。功率MOSFET由于開關(guān)損耗低，已經(jīng)成為主要開關(guān)器件的標(biāo)準(zhǔn)選擇。功率MOSFET在高速開關(guān)、高擊穿

2019-03-06 06:05:00

3591

SiC MOSFET為什么會使用4引腳封裝

用源極引腳的 4 引腳封裝，改善了開關(guān)特性，使開關(guān)損耗可以降低 35%左右。此次，針對 SiC MOSFET 采用 4 引腳封裝的原因及其效果等議題，我們采訪了 ROHM 株式會社的應(yīng)用工程師。

2020-11-25 10:56:00

派恩杰SiC MOSFET批量“上車”，擬建車用SiC模塊封裝產(chǎn)線

自2018年特斯拉Model3率先搭載基于全SiC MOSFET模塊的逆變器后，全球車企紛紛加速SiC MOSFET在汽車上的應(yīng)用落地。

2021-12-08 15:55:51

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安森美推出采用TOLL封裝的SiC MOSFET

。該晶體管滿足了對適合高功率密度設(shè)計的高性能開關(guān)器件迅速增長的需求。直到最近，SiC器件一直采用明顯需要更大空間的D2PAK 7引腳封裝。

2022-05-11 11:29:33

2312

全SiC MOSFET模塊實現(xiàn)系統(tǒng)的低損耗和小型化

SiC MOSFET模塊是采用新型材料碳化硅（SiC）的功率半導(dǎo)體器件，在高速開關(guān)性能和高溫環(huán)境中，優(yōu)于目前主流應(yīng)用的硅（Si）IGBT和MOSFET器件。在需要更高額定電壓和更大電流容量的工業(yè)設(shè)備

2022-11-06 21:14:51

956

SiC功率器件的現(xiàn)狀與展望！

碳化硅（SiC）功率器件具有提高效率、動態(tài)性能和可靠性的顯著優(yōu)勢電子和電氣系統(tǒng)?；仡櫫?b class="flag-6" style="color: red">SiC功率器件發(fā)展的挑戰(zhàn)和前景

2022-11-11 11:06:14

1503

SIC功率器件的發(fā)展現(xiàn)狀！

近年來，SiC功率器件結(jié)構(gòu)設(shè)計和制造工藝日趨完善，已經(jīng)接近其材料特性決定的理論極限，依靠Si器件繼續(xù)完善來提高裝置與系統(tǒng)性能的潛力十分有限。本文首先介紹了SiC功率半導(dǎo)體器件技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀及市場前景，其次闡述了SiC功率器件發(fā)展中存在的問題，最后介紹了SiC功率半導(dǎo)體器件的突破。

2022-11-24 10:05:10

2020

新型EMIPAK 1B 封裝二極管和MOSFET功率模塊，滿足車載充電應(yīng)用

Vishay?七款新型二極管和 MOSFET 功率模塊靈活的器件采用 PressFit 引腳壓合技術(shù) 在小型封裝中內(nèi)置各種電路配置 Vishay? 針對車載充電應(yīng)用專門推出七款新型二極管

2022-11-25 15:20:05

926

碳化硅功率模塊封裝中4個關(guān)鍵問題的分析與研究

2022-12-12 13:57:58

1468

低雜感模塊封裝內(nèi)部是如何設(shè)計的

大家好，我們都知道無論是**功率半導(dǎo)體模塊封裝設(shè)計**還是**功率變換器的母線**設(shè)計，工程師們都在力求 **雜散電感最小化** ，因為這樣可以有效減小器件的 **開關(guān)振蕩及過壓風(fēng)險** ，今天我們結(jié)合主流功率半導(dǎo)體廠商的SiC MOSFET模塊，聊一下低雜感模塊封裝內(nèi)部是如何設(shè)計的？

2023-01-21 15:45:00

913

何謂全SiC功率模塊

繼SiC概要、SiC-SBD（肖特基勢壘二極管）、SiC-MOSFET之后，來介紹一下完全由SiC功率元器件組成的“全SiC功率模塊”。本文作為第一篇，想讓大家了解全SiC功率模塊具體是什么樣的產(chǎn)品，都有哪些機(jī)型。

2023-02-08 13:43:21

685

搭載了SiC-MOSFET/SiC-SBD的全SiC功率模塊介紹

ROHM在全球率先實現(xiàn)了搭載ROHM生產(chǎn)的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模塊量產(chǎn)。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開關(guān)并可大幅降低損耗。

2023-02-10 09:41:08

1333

SiC功率器件的封裝形式

SiC器件的封裝襯底必須便于處理固態(tài)銅厚膜導(dǎo)電層，且具有高熱導(dǎo)率和低熱膨脹系數(shù)，從而可以把大尺寸SiC芯片直接焊接到襯底上。SiN是一種極具吸引力的襯底，因為它具有合理的熱導(dǎo)率（60W/m-K）和低熱膨脹系數(shù)（2.7ppm/℃），與SiC的熱膨脹系數(shù) （3.9ppm/℃）十分接近。

2023-02-16 14:05:57

3194

何謂全SiC功率模塊

繼SiC概要、SiC-SBD（肖特基勢壘二極管）、SiC-MOSFET之后，來介紹一下完全由SiC功率元器件組成的“全SiC功率模塊”。本文想讓大家了解全SiC功率模塊具體是什么樣的產(chǎn)品，都有哪些機(jī)型。之后計劃依次介紹其特點、性能、應(yīng)用案例和使用方法。

2023-02-24 11:51:08

430

銀燒結(jié)技術(shù)在功率模塊封裝的應(yīng)用

作為高可靠性芯片連接技術(shù)，銀燒結(jié)技術(shù)得到了功率模塊廠商的廣泛重視，一些功率半導(dǎo)體頭部公司相繼推出類似技術(shù)，已在功率模塊的封裝中取得了應(yīng)用。

2023-03-31 12:44:27

1885

半導(dǎo)體功率器件封裝結(jié)構(gòu)熱設(shè)計綜述

摘要半導(dǎo)體技術(shù)的進(jìn)步使得芯片的尺寸得以不斷縮小，倒逼著封裝技術(shù)的發(fā)展和進(jìn)步，也由此產(chǎn)生了各種各樣的封裝形式。當(dāng)前功率器件的設(shè)計和發(fā)展具有低電感、高散熱和高絕緣能力的屬性特征，器件封裝上呈現(xiàn)出模塊

2023-04-20 09:59:41

711

SiC功率模塊封裝技術(shù)：探索高性能電子設(shè)備的核心競爭力

隨著電子技術(shù)的不斷發(fā)展，硅碳化物（SiC）功率模塊逐漸在各領(lǐng)域獲得了廣泛應(yīng)用。SiC功率模塊具有優(yōu)越的電性能、熱性能和機(jī)械性能，為高性能電子設(shè)備提供了強(qiáng)大的支持。本文將重點介紹SiC功率模塊的封裝技術(shù)及其在實際應(yīng)用中的優(yōu)勢。

2023-04-23 14:33:22

850

SiC MOSFET器件技術(shù)現(xiàn)狀分析

對于SiC功率MOSFET技術(shù)，報告指出，650-1700V SiC MOSFET技術(shù)快速迭代，單芯片電流可達(dá)200A。提升電流密度同時，解決好特有可靠性問題是提高技術(shù)成熟度關(guān)鍵。

2023-08-08 11:05:57

428

碳化硅功率器件：革命性的封裝技術(shù)揭秘

碳化硅(SiC)作為一個新興的寬帶隙半導(dǎo)體材料，已經(jīng)吸引了大量的研究關(guān)注。其優(yōu)越的電氣性能、高溫穩(wěn)定性和高頻響應(yīng)使其在功率電子器件領(lǐng)域中具有巨大的應(yīng)用潛力。但要完全發(fā)揮SiC功率器件的潛力，封裝技術(shù)同樣至關(guān)重要。本文主要探討碳化硅功率器件封裝的三個關(guān)鍵技術(shù)。

2023-08-15 09:52:11

701

賽晶科技發(fā)布一種車規(guī)級HEEV封裝SiC模塊

賽晶科技表示，為電動汽車應(yīng)用量身定做的HEEV封裝SiC模塊，導(dǎo)通阻抗低至1.8mΩ（@25℃），可用于高達(dá)250kW電驅(qū)系統(tǒng)，并滿足電動汽車驅(qū)動系統(tǒng)對高功率、小型化和高可靠性功率的需求。

2023-09-02 09:42:41

316

長電科技高可靠性車載SiC功率器件封裝設(shè)計

長電科技在功率器件封裝領(lǐng)域積累了數(shù)十年的技術(shù)經(jīng)驗，具備全面的功率產(chǎn)品封裝外形，覆蓋IGBT、SiC、GaN等熱門產(chǎn)品的封裝和測試。

2023-10-07 17:41:32

398

SiC功率器件的封裝技術(shù)

傳統(tǒng)的功率半導(dǎo)體封裝技術(shù)是采用鉛或無鉛焊接合金把器件的一個端面貼合在熱沉襯底上，另外的端面與10-20mil鋁線楔或金線鍵合在一起。這種方法在大功率、高溫工作條件下缺乏可靠性，而且不具備足夠的堅固性。

2023-10-09 15:20:58

299

SiC MOSFET的封裝、系統(tǒng)性能和應(yīng)用

，能夠像IGBT一樣進(jìn)行高壓開關(guān)，同時開關(guān)頻率等于或高于低壓硅MOSFET的開關(guān)頻率。之前的文章中，我們介紹了 SiCMOSFET特有的器件特性和如何優(yōu)化SiC柵極驅(qū)動電路。今天將帶來本系列文章的第三部分 SiC MOSFET的封裝、系統(tǒng)性能和應(yīng)用。封裝 WBG半導(dǎo)體使高壓轉(zhuǎn)換器能夠在更接近

2023-11-09 10:10:02

334

碳化硅功率器件封裝的關(guān)鍵技術(shù)

碳化硅（Silicon Carbide，SiC）功率器件因其寬禁帶、耐高壓、高溫、低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)等優(yōu)點備受矚目。然而，如何充分發(fā)揮碳化硅器件的性能卻給封裝技術(shù)帶來了新的挑戰(zhàn)。傳統(tǒng)封裝技術(shù)在應(yīng)對

2024-01-26 16:21:39

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