TDK-EPC推出基于SESUB新型集成技術(shù)

　　TDK-EPC下屬EPCOS公司推出一款基于SESUB新型集成技術(shù)。與以往的技術(shù)相比，這個(gè)源自TDK嵌入式硅基板的SESUB，不僅可集成被動(dòng)電子元器件，如電容器、電感器、壓敏電阻器或SAW和BAW濾波器，而且能集成半導(dǎo)體。

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　　據(jù)EPCOS大中華區(qū)聲表面波元件產(chǎn)品市場(chǎng)總監(jiān)徐冰輝介紹，SESUB允許高度集成的專用集成電路(ASIC)與含有大量細(xì)微輸入輸出線的控制器芯片直接嵌入基板層。無(wú)法嵌入基板的零件則可安裝在多層基板的頂部。通過此方法，模塊和系統(tǒng)級(jí)封裝(SIP)可實(shí)現(xiàn)更為細(xì)小的尺寸：其嵌入高度可減少約35%，如從1.55毫米減至1.0毫米以下。這是由厚度僅為300微米的超薄多層基板來(lái)實(shí)現(xiàn)?；ヂ?lián)結(jié)構(gòu)和通道的內(nèi)部尺寸均不超過40微米。EPCOS的新一代導(dǎo)向聲體波(GBAW)濾波器技術(shù)能進(jìn)一步減小未來(lái)模塊的嵌入高度。

　　徐冰輝表示，SESUB也可明顯減少新型模塊的底面積：由于集成了半導(dǎo)體元件，模塊的底面積可減少40%以上，相比分立解決方案，可減少70%。該產(chǎn)品同樣具有良好的電磁兼容性(EMC)以及優(yōu)越的熱性能。

　　EPCOS在三維射頻(3D-RF)設(shè)計(jì)領(lǐng)域的能力以及TDK的SESUB基板技術(shù)，使得TDK-EPC進(jìn)一步推動(dòng)整體射頻前端解決方案的微型化。這意味著未來(lái)手機(jī)在保持緊湊尺寸的同時(shí)，可支持更多功能和額外頻段的服務(wù)。新型模塊結(jié)構(gòu)比以前更大程度地減少了手機(jī)制造商耗時(shí)的設(shè)計(jì)工作。此外，由于僅需要一個(gè)SIP零件即可替代大量的分立元件，因此制造商的物流費(fèi)用也相應(yīng)減少。

　　徐冰輝表示，SESUB作為一個(gè)新型的集成平臺(tái)并非僅適用于射頻模塊，SESUB同樣可用來(lái)實(shí)現(xiàn)微型DC/DC變頻器，并將其用于手機(jī)、消費(fèi)裝置以及汽車電子器件。此項(xiàng)新型集成技術(shù)的高可靠性已在數(shù)項(xiàng)測(cè)試中得到證實(shí)。

　　SESUB主要用途：高集成前端模塊及微型DC/DC變換器;主要性能和優(yōu)點(diǎn)：相比常規(guī)模塊嵌入高度可減少約35%，相比分立解決方案面積要求可減少70%;同時(shí)具有高可靠性和極大的靈活性。

　　在創(chuàng)新工藝基礎(chǔ)上，EPCOS還面向消費(fèi)電子、電源領(lǐng)域推出了最新器件：

　　全球最小的數(shù)字界面MEMS麥克風(fēng)

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　　EPCOS的T4030是全球最小的、集成了數(shù)字界面的麥克風(fēng)，尺寸僅為3.25 × 2.25 × 1.1 mm3，比同類產(chǎn)品小60%。使手機(jī)、MP3和數(shù)碼相機(jī)等消費(fèi)電子產(chǎn)品能實(shí)現(xiàn)更加緊湊的設(shè)計(jì)。

　　T4030的靈敏度為-26 dB FS(滿刻度)，信噪比為60 dBA。即便在100 dB的聲平下，它的失真度仍然低于1%。頻率響應(yīng)特點(diǎn)為高帶寬和低振幅波動(dòng)。由于采用了數(shù)字式PDM(脈沖密度調(diào)制) 輸出，T4030具有極高的抗電磁干擾能力，電源噪聲抑制能力為-82 dB FS。

　　焊片電容器基底冷卻的優(yōu)化

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　　新推出EPCOS生產(chǎn)的焊片式鋁電解電容器，因與散熱片有良好接觸，鏈路電容器可以高效冷卻，從而大大提高了波紋電流能力和使用壽命，適合應(yīng)用于可提供基底冷卻的波紋電流負(fù)載極高的變頻器和專業(yè)電源。

　　用于基底散熱的焊片電容器包括B43540*(85 °C)、B43543*(105 °C)和B43505*(105 °C)系列，尺寸介于30 x 35 mm至35 x 55 mm。

　　緊湊型反激變壓器

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　　EPCOS新推出的緊湊型SMD反激變壓器，用于緊湊型電源。由于采用EFD磁心，不同類型變壓器的插入高度僅8.65至14.8毫米。

　　新B82802*系列包括三種磁心尺寸，功率范圍介于12至55 W。SMD逆向變壓器適合于36至60 V的輸入電壓、100 kHz時(shí)鐘頻率和最高50%的負(fù)荷比。在標(biāo)準(zhǔn)版本中，輸出功率在兩個(gè)或三個(gè)繞組之間分割，這產(chǎn)生了3.3 V電壓，電流為1.2至3.3 A;5 V電壓，電流為0.8至5.5 A;12V電壓，電流為0.5至2.3 A。

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