電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/黃山明）作為第三代半導(dǎo)體材料核心，碳化硅（SiC）與其它半導(dǎo)體產(chǎn)品去庫存的市場節(jié)奏截然不同。市場中高性能碳化硅仍然持續(xù)緊缺，并且隨著新能源汽車的蓬勃發(fā)展，也帶動著碳化硅市場熱度
2023-07-07 01:15:00
943 圓盤的能量吸收范圍高達(dá) 122,290J，允許圓盤組件具有數(shù)十兆焦耳的極高能量吸收額定值。 電氣參數(shù) EAK碳化硅磁盤應(yīng)用來自雷電、電感或電容耦合的電源過電壓。開關(guān)帶感性負(fù)載的觸點(diǎn)。變壓器、電機(jī)
2024-03-08 08:37:49
預(yù)計該項目投資總額3.5億元人民幣，將引進(jìn)碳化硅外延設(shè)備及輔助設(shè)備共計116套。其中包括一條具備24萬片年產(chǎn)量的6英寸低密度缺陷碳化硅外延材料產(chǎn)線。
2024-02-29 16:24:01216 碳化硅功率器件主要包括碳化硅二極管（SiC Diode）、碳化硅晶體管（SiC Transistor）等。這些器件通過利用碳化硅材料的優(yōu)良特性，可以在更高的溫度和電壓下工作，實(shí)現(xiàn)更高的功率密度和效率。
2024-02-29 14:23:24125 共讀好書 碳化硅是第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要基礎(chǔ)材料，碳化硅功率器件以其優(yōu)異的耐高壓、耐高溫、低損耗等性能，能夠有效滿足電力電子系統(tǒng)的高效率、小型化和輕量化要求。 碳化硅MOSFET具有高頻高效
2024-02-21 18:24:15408 
平煤神馬集團(tuán)碳化硅半導(dǎo)體粉體驗證線傳來喜訊——實(shí)驗室成功生長出河南省第一塊8英寸碳化硅單晶，全面驗證了中宜創(chuàng)芯公司碳化硅半導(dǎo)體粉體在長晶方面的獨(dú)特優(yōu)勢。
2024-02-21 09:32:31336 2024年以來，包括廣汽集團(tuán)等4家企業(yè)均推出了基于碳化硅技術(shù)的汽車充電方案，意味著碳化硅有望在充電基礎(chǔ)設(shè)施領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)大規(guī)模應(yīng)用
2024-01-29 16:53:252814 
晶片切割是半導(dǎo)體器件制造的關(guān)鍵步驟，切割方式和質(zhì)量直接影響晶片的厚度、表面光滑度、尺寸和生產(chǎn)成本，同時對器件制造也有重大影響。碳化硅作為第三代半導(dǎo)體材料，在電子領(lǐng)域中具有重要地位。高質(zhì)量碳化硅晶體
2024-01-23 09:42:20693 
碳化硅（SiC）是一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，具有高熱導(dǎo)率、高擊穿場強(qiáng)、高飽和電子漂移速率和高鍵合能等優(yōu)點(diǎn)。由于這些優(yōu)異的性能，碳化硅在電力電子、微波射頻、光電子等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景。然而，由于碳化硅
2024-01-11 17:33:14291 
碳化硅逆變器是一種基于碳化硅（SiC）半導(dǎo)體材料的功率電子設(shè)備，主要用于將直流電轉(zhuǎn)換為交流電。與傳統(tǒng)的硅基功率器件相比，碳化硅逆變器具有許多優(yōu)越性能，如更高的開關(guān)頻率、更低的導(dǎo)通損耗、更高的工作溫度
2024-01-10 13:55:54272 碳化硅（Silicon Carbide，簡稱SiC）器件封裝與模塊化是實(shí)現(xiàn)碳化硅器件性能和可靠性提升的關(guān)鍵步驟。
2024-01-09 10:18:27112 
SiC是碳化硅的縮寫。它是一種由硅原子和碳原子組成的化合物。碳化硅以其優(yōu)異的性能著稱，是一種用途廣泛的材料。
2024-01-09 09:41:31195 碳化硅（SiC）是一種優(yōu)良的寬禁帶半導(dǎo)體材料，具有高擊穿電場、高熱導(dǎo)率、低介電常數(shù)等特點(diǎn)，因此在高溫、高頻、大功率應(yīng)用領(lǐng)域具有顯著優(yōu)勢。碳化硅功率器件是利用碳化硅材料制成的電力電子器件，主要包括
2024-01-09 09:26:49379 的優(yōu)勢高頻率：碳化硅材料的電子遷移率比硅高，使得碳化硅功率器件能夠承受更高的開關(guān)頻率。這有助于減小無源元件的尺寸，提高系統(tǒng)的整體效率。低損耗：碳化硅的導(dǎo)通電阻比硅低，使得碳化硅功率器件在導(dǎo)通狀態(tài)下的損耗遠(yuǎn)低于硅器件。這有助于減小系統(tǒng)的散熱需求，提高設(shè)備的能效。高效率：碳化硅
2024-01-06 14:15:03353 在當(dāng)今快速發(fā)展的電力電子領(lǐng)域，碳化硅（SiC）材料因其出色的物理性能而備受關(guān)注。作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，碳化硅在制造高效、高溫和高速的電子器件方面具有巨大潛力。其中，碳化硅肖特基二極管作為一種重要
2023-12-29 09:54:29186 導(dǎo)電型碳化硅功率器件主要是通過在導(dǎo)電型襯底上生長碳化硅外延層，得到碳化硅外延片后進(jìn)一步加工制成，品種包括SBD（肖特基二極管）、MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）、IGBT（絕緣柵雙極性晶體管）等，主要用于電動汽車、光伏、軌道交通、數(shù)據(jù)中心、充電等基礎(chǔ)建設(shè)。
2023-12-27 10:08:56305 
碳化硅二極管的優(yōu)點(diǎn)和局限性分析 碳化硅（SiC）二極管是一種新型半導(dǎo)體材料，在高頻電源電子裝置中得到了廣泛應(yīng)用。與傳統(tǒng)的硅（Si）材料相比，碳化硅二極管具有許多優(yōu)點(diǎn)和局限性。下面是對碳化硅二極管
2023-12-21 11:31:27408 電子元件，用于功率放大和開關(guān)應(yīng)用。阻值測試是對此類元件進(jìn)行電性能評估和質(zhì)量控制的重要測試之一。本文將詳細(xì)介紹碳化硅三極管阻值測試的方法和注意事項。 一、阻值測試的原理 碳化硅三極管的阻值是指在特定電流和電壓條
2023-12-21 11:27:20318 碳化硅功率器件的實(shí)用性不及硅基功率器件嗎? 碳化硅功率器件相較于傳統(tǒng)的硅基功率器件具有許多優(yōu)勢，主要體現(xiàn)在以下幾個方面：材料特性、功率密度、溫度特性和開關(guān)速度等。盡管碳化硅功率器件還存在一些挑戰(zhàn)
2023-12-21 11:27:09285 碳化硅MOSFET在高頻開關(guān)電路中的應(yīng)用優(yōu)勢? 碳化硅MOSFET是一種新型的功率半導(dǎo)體器件，具有在高頻開關(guān)電路中廣泛應(yīng)用的多個優(yōu)勢。 1. 高溫特性： 碳化硅MOSFET具有極低的本征載流子濃度
2023-12-21 10:51:03356 碳化硅陶瓷應(yīng)用在光纖領(lǐng)域的優(yōu)勢有哪些？ 碳化硅陶瓷是一種具有廣泛應(yīng)用潛力的材料，特別是在光纖領(lǐng)域。以下是碳化硅陶瓷在光纖領(lǐng)域的優(yōu)勢。 1. 高溫穩(wěn)定性：碳化硅陶瓷具有出色的高溫穩(wěn)定性，能夠在極端環(huán)境
2023-12-19 13:47:10154 碳化硅在溫度傳感器中的應(yīng)用? 碳化硅 (SiC) 是一種廣泛應(yīng)用于溫度傳感器中的材料。由于其出色的耐高溫和抗腐蝕能力，碳化硅成為了各種工業(yè)和高溫環(huán)境下的溫度測量領(lǐng)域中的首選材料。在本文中，我們將討論
2023-12-19 11:48:30206 隨著科技的快速發(fā)展，碳化硅（SiC）功率器件作為一種先進(jìn)的電力電子設(shè)備，已經(jīng)廣泛應(yīng)用于能源轉(zhuǎn)換、電機(jī)控制、電網(wǎng)保護(hù)等多個領(lǐng)域。本文將詳細(xì)介紹碳化硅功率器件的原理、應(yīng)用、技術(shù)挑戰(zhàn)以及未來發(fā)展趨勢。
2023-12-16 10:29:20358 碳化硅襯底有諸多缺陷無法直接加工，需要在其上經(jīng)過外延工藝生長出特定單晶薄膜才能制作芯片晶圓，這層薄膜便是外延層。幾乎所有的碳化硅器件均在外延材料上實(shí)現(xiàn)，高質(zhì)量的碳化硅同質(zhì)外延材料是碳化硅器件研制的基礎(chǔ)，外延材料的性能直接決定了碳化硅器件性能的實(shí)現(xiàn)。
2023-12-15 09:45:53605 
隨著電力電子技術(shù)的不斷發(fā)展，碳化硅（SiC）功率器件作為一種新型的半導(dǎo)體材料，在電力電子領(lǐng)域的應(yīng)用越來越廣泛。與傳統(tǒng)的硅功率器件相比，碳化硅功率器件具有高效率、高功率密度、高耐壓、高耐流等優(yōu)點(diǎn)
2023-12-14 09:14:46240 碳化硅晶片薄化技術(shù)，碳化硅斷裂韌性較低，在薄化過程中易開裂，導(dǎo)致碳化硅晶片的減薄非常困難。碳化硅切片的薄化主要通過磨削與研磨實(shí)現(xiàn)。
2023-12-12 12:29:24189 
碳化硅（SiC），又名碳化硅，是一種硅和碳化合物。其材料特性使SiC器件具有高阻斷電壓能力和低比導(dǎo)通電阻。
2023-12-12 09:47:33455 
碳化硅（SiC）具有更低的阻抗和更寬的禁帶寬度，使其能夠承受更大的電流和電壓，同時實(shí)現(xiàn)更小尺寸的產(chǎn)品設(shè)計和更高的效率。
2023-12-11 11:48:24390 
碳化硅和igbt的區(qū)別? 碳化硅（SiC）和絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）都是在電子領(lǐng)域中常見的器件。雖然它們都用于功率電子應(yīng)用，但在結(jié)構(gòu)、材料、性能和應(yīng)用方面存在一些顯著差異。本文將詳細(xì)介紹碳化硅
2023-12-08 11:35:531782 碳化硅和氮化鎵的區(qū)別? 碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）是兩種常見的寬禁帶半導(dǎo)體材料，在電子、光電和功率電子等領(lǐng)域中具有廣泛的應(yīng)用前景。雖然它們都是寬禁帶半導(dǎo)體材料，但是碳化硅和氮化鎵在物理性質(zhì)
2023-12-08 11:28:51739 碳化硅，又稱SiC，是一種由純硅和純碳組成的半導(dǎo)體基材。您可以將SiC與氮或磷摻雜以形成n型半導(dǎo)體，或?qū)⑵渑c鈹、硼、鋁或鎵摻雜以形成p型半導(dǎo)體。雖然碳化硅的品種和純度很多，但半導(dǎo)體級質(zhì)量的碳化硅只是在過去幾十年中才浮出水面。
2023-12-08 09:49:23437 單晶生長，以高純硅粉和高純碳粉作為原材料形成碳化硅晶體；2）襯底環(huán)節(jié)，碳化硅晶體經(jīng)過切割、研磨、拋光、清洗等工序加工形成單晶薄片，也即半導(dǎo)體襯底材料；
2023-12-05 15:26:53555 
碳化硅器件在UPS中的應(yīng)用研究
2023-11-29 16:39:00239 
碳化硅MOSFET尖峰的抑制
2023-11-28 17:32:26321 
本推文主要介碳化硅器件，想要入門碳化硅器件的同學(xué)可以學(xué)習(xí)了解。
2023-11-27 17:48:06641 
前段時間，奧迪宣布年底生產(chǎn)碳化硅車型Q6 e-tron（，最近，奧迪又有1款碳化硅車型公布，同時Lucid也發(fā)布了最新的900V碳化硅車型。
2023-11-25 16:13:051423 目前汽車業(yè)仍結(jié)構(gòu)性缺芯，比如，電源類、控制類、通信類、計算類、功率類的芯片均緊缺。像碳化硅芯片項目投資建設(shè)期需18-24個月，去年有許多碳化硅項目的投資，要2025年才會釋放產(chǎn)能，預(yù)計2025年碳化硅功率半導(dǎo)體的緊缺狀況才會得到緩解。
2023-11-17 17:12:18664 碳化硅（SiC）技術(shù)比傳統(tǒng)硅（Si）、絕緣柵雙極晶體管（IGBT）和其他技術(shù)更具優(yōu)勢，包括更高的開關(guān)頻率、更低的工作溫度、更高的電流和電壓容量以及更低的損耗，從而提高功率密度、可靠性和效率。本文將介紹碳化硅的發(fā)展趨勢及其在儲能系統(tǒng)（ESS）中的應(yīng)用，以及Wolfspeed推出的碳化硅電源解決方案。
2023-11-17 10:10:29389 硅是半導(dǎo)體的傳統(tǒng)材料，但其近親碳化硅（SiC）最近已成為激烈的競爭對手。碳化硅的特性特別適合高溫、高壓應(yīng)用。它提供了更高的效率，并擴(kuò)展了功率密度和工作溫度等領(lǐng)域的功能。
2023-11-10 09:36:59481 Nexperia與京瓷AVX合作為高頻電源應(yīng)用生產(chǎn)新型碳化硅(SiC)整流器模塊
2023-11-02 09:27:26292 中游器件制造環(huán)節(jié)，不少功率器件制造廠商在硅基制造流程基礎(chǔ)上進(jìn)行產(chǎn)線升級便可滿足碳化硅器件的制造需求。當(dāng)然碳化硅材料的特殊性質(zhì)決定其器件制造中某些工藝需要依靠特定設(shè)備進(jìn)行特殊開發(fā)，以促使碳化硅器件耐高壓、大電流功能的實(shí)現(xiàn)。
2023-10-27 12:45:361170 
在碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈中，碳化硅襯底制造是碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈技術(shù)壁壘最高、價值量最大的環(huán)節(jié)，是未來碳化硅大規(guī)模產(chǎn)業(yè)化推進(jìn)的核心環(huán)節(jié)。
碳化硅襯底的生產(chǎn)流程包括長晶、切片、研磨和拋光四個環(huán)節(jié)。
2023-10-27 09:35:57927 SiC 技術(shù)的先驅(qū)引領(lǐng)系統(tǒng)效率，高度關(guān)注可靠性和耐用性。近 20 年來， GeneSiC 開創(chuàng)了高性能， 堅固， 和可靠的碳化硅 （SiC） 用于汽車、工業(yè)和國防應(yīng)用的功率器件.作為首批碳化硅器件
2023-10-25 16:32:01603 
業(yè)內(nèi)人士預(yù)測，今年將成為8英寸碳化硅器件的元年。國際功率半導(dǎo)體巨頭Wolfspeed和意法半導(dǎo)體等公司正在加速推進(jìn)8英寸碳化硅技術(shù)。在國內(nèi)市場方面，碳化硅設(shè)備、襯底和外延領(lǐng)域也有突破性進(jìn)展，多家行業(yè)龍頭選擇與國際功率半導(dǎo)體巨頭合作。
2023-10-24 17:11:21965 MOSFET也已經(jīng)發(fā)展到了第3代，新推出的650V和1200V電壓產(chǎn)品現(xiàn)已量產(chǎn)。其柵極驅(qū)動電路設(shè)計簡單，可靠性得到進(jìn)一步的提高。 碳化硅MOSFET的優(yōu)勢 相同功率等級的硅MOSFET相比，新一代碳化硅MOSFET導(dǎo)通電阻、開關(guān)損耗大幅降低，適用于更高的工作頻率，
2023-10-17 23:10:02268 
碳化硅（SiC）功率器件是由硅和碳制成的半導(dǎo)體，用于制造電動汽車、電源、電機(jī)控制電路和逆變器等高壓應(yīng)用的功率器件。
2023-10-17 09:43:16169 
的臨界擊穿電場，有利于碳化硅器件實(shí)現(xiàn)更高的耐壓；更高的飽和電子漂移速度，有利于實(shí)現(xiàn)更快的開關(guān)速度；3倍的熱導(dǎo)率，有利于提高器件散熱效率。因此，碳化硅器件具有高耐壓、低導(dǎo)通阻抗、開關(guān)速度快及熱導(dǎo)率高等特性
2023-10-07 10:12:26
碳化硅功率器件是一種利用碳化硅材料制作的功率半導(dǎo)體器件，具有高溫、高頻、高效等優(yōu)點(diǎn)，被廣泛應(yīng)用于電力電子、新能源等領(lǐng)域。下面介紹一些碳化硅功率器件的基礎(chǔ)知識。
2023-09-28 18:19:571219 碳化硅MOS管是以碳化硅半導(dǎo)體材料為基礎(chǔ)的金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管，與傳統(tǒng)的硅MOS管有很大的不同。KeepTops來給大家詳細(xì)介紹碳化硅MOS管與普通MOS管在材料、特性、工作原理及應(yīng)用等方面的區(qū)別。
2023-09-27 14:49:05812 
碳化硅(silicon carbide，SiC)功率器件作為一種寬禁帶器件，具有耐高壓、高溫，導(dǎo)通電阻低，開關(guān)速度快等優(yōu)點(diǎn)。
2023-09-27 10:08:55300 
碳化硅又稱金剛砂，是以石英砂、石油焦、木屑、食鹽等為原料，經(jīng)電阻爐高溫冶煉而成。事實(shí)上，碳化硅在很久以前就被發(fā)現(xiàn)了。其特點(diǎn)是:化學(xué)性能穩(wěn)定，導(dǎo)熱系數(shù)高，熱膨脹系數(shù)小，耐磨性好，硬度高（莫氏硬度等級
2023-09-22 15:11:04306 
碳化硅晶圓是晶體通過切割，粗磨，精磨，粗拋，精拋等工藝加工成型的單晶晶圓。由于其硬度和脆性，需要投入更多的能量、更高的溫度和更多的精力來加工和結(jié)晶。因此，生產(chǎn)碳化硅晶圓的成本是同等級硅晶圓成本的3倍。
2023-09-22 11:26:43162 隨著新能源汽車市場的爆發(fā)，電動汽車已經(jīng)成為碳化硅最大的下游應(yīng)用市場，行業(yè)普遍預(yù)估，2027年車用碳化硅功率器件市場規(guī)模能達(dá)到60億美元。
2023-09-11 11:52:50186 
碳化硅（SiC），通常被稱為金剛砂，是唯一由硅和碳構(gòu)成的合成物。雖然在自然界中以碳硅石礦物的形式存在，但其出現(xiàn)相對罕見。然而，自從1893年以來，粉狀碳化硅就已大規(guī)模生產(chǎn)，用作研磨劑。碳化硅在研磨領(lǐng)域有著超過一百年的歷史，主要用于磨輪和多種其他研磨應(yīng)用。
2023-09-08 15:24:02879 
東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）近日宣布，推出采用有助于降低開關(guān)損耗的4引腳TO-247-4L(X)封裝的碳化硅（SiC）MOSFET---“TWxxxZxxxC系列”，該產(chǎn)品采用東芝最新的[1]第3代碳化硅MOSFET芯片，用于支持工業(yè)設(shè)備應(yīng)用。
2023-09-07 09:59:32731 
? 隨著新能源汽車的快速發(fā)展，碳化硅功率器件在新能源汽車領(lǐng)域中的應(yīng)用也越來越多。碳化硅功率器件相比傳統(tǒng)的硅功率器件具有更高的工作溫度、更高的能耗效率、更高的開關(guān)速度和更小的尺寸等優(yōu)點(diǎn)，因此在新能源
2023-09-05 09:04:421880 點(diǎn)擊“東芝半導(dǎo)體”，馬上加入我們哦！ 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布， 推出采用有助于降低開關(guān)損耗的4引腳TO-247-4L(X)封裝的碳化硅（SiC）MOSFET---
2023-09-04 15:13:401134 
目前市場上出現(xiàn)的碳化硅半導(dǎo)體包括的類型相對較多，常見的主要有二極管、金屬氧化物、半導(dǎo)體場效應(yīng)、晶體管、晶閘管、結(jié)算場、效應(yīng)晶體管等等這些不同類型的碳化硅器件，單元結(jié)構(gòu)和漂移區(qū)參雜以及厚度之間存在較為明顯的差異。那么下文主要針對不同類型的碳化硅功率器件的相關(guān)內(nèi)容進(jìn)行分析。
2023-08-31 14:14:22285 柵雙極晶體管）和碳化硅器件所使用的半導(dǎo)體材料不同。IGBT主要使用的是硅材料，而碳化硅使用的則是碳化硅材料。硅材料是非常成熟的半導(dǎo)體材料，具有一定的電性能和可靠性，但是它的熱穩(wěn)定性不如碳化硅材料。碳化硅材料的熱穩(wěn)定性非常好，具有更高的耐溫性能，能夠承受更高的工作溫度和電壓。
2023-08-25 14:50:049031 碳化硅具備耐高壓、耐高溫、高頻、抗輻射等優(yōu)良電氣特性，突破硅基半導(dǎo)體材料物理限制，是第三代半導(dǎo)體核心材料。碳化硅材料主要可以制成碳化硅基氮化鎵射頻器件和碳化硅功率器件。受益于5G通信、國防軍工、新能源汽車和新能源光伏等領(lǐng)域的發(fā)展，碳化硅需求增速可觀。
2023-08-19 11:45:221041 當(dāng)前，全球碳化硅產(chǎn)業(yè)格局呈現(xiàn)美、歐、日三足鼎立態(tài)勢，碳化硅材料七成以上來自美國公司，歐洲擁有完整的碳化硅襯底、外延、器件以及應(yīng)用產(chǎn)業(yè)鏈，日本則在碳化硅芯片、模塊和應(yīng)用開發(fā)方面占據(jù)領(lǐng)先優(yōu)勢。
2023-08-15 10:07:41260 
來源：TechSugar 碳化硅器件正處于起飛之時。 編輯：感知芯視界 相對于硅材料，碳化硅具有諸多優(yōu)勢，這也讓它在越來越多領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用，并逐漸有取代之勢。 電動車和新能源推動碳化硅需求增
2023-08-14 12:27:01468 碳化硅（SiC）是一種由硅（Si）和碳（C）組成的半導(dǎo)體化合物，屬于寬帶隙（WBG）材料家族。
2023-08-12 11:46:08468 隨著國內(nèi)對碳化硅技術(shù)的日益重視和不斷加大的研發(fā)投入，國內(nèi)碳化硅MOSFET芯片設(shè)計的水平逐步提升，研究和應(yīng)用領(lǐng)域也在不斷擴(kuò)展。
2023-08-10 18:17:49853 
碳化硅(silicon carbide，SiC)功率器件作為一種寬禁帶器件，具有耐高壓、高溫，導(dǎo)通電阻低，開關(guān)速度快等優(yōu)點(diǎn)。
2023-08-03 14:34:59347 
輸入電壓：1000V,輸出12V/2A
要把此電源做成反激電源，用碳化硅MOS來驅(qū)動的話，請問去驅(qū)動IC用哪個？要怎么處理？有專門的IC嗎？
2023-07-31 17:36:47
碳化硅，也稱為SiC，是一種由純硅和純碳組成的半導(dǎo)體基礎(chǔ)材料。您可以將SiC與氮或磷摻雜以形成n型半導(dǎo)體，或?qū)⑵渑c鈹，硼，鋁或鎵摻雜以形成p型半導(dǎo)體。雖然碳化硅存在許多品種和純度，但半導(dǎo)體級質(zhì)量的碳化硅僅在過去幾十年中浮出水面以供使用。
2023-07-28 10:57:451092 羅姆收購Solar Frontier碳化硅工廠 計劃到2027碳化硅功率半導(dǎo)體業(yè)務(wù)達(dá)139億 羅姆一直看好碳化硅功率半導(dǎo)體的發(fā)展，一直在積極布局碳化硅業(yè)務(wù)。羅姆計劃到2025年拿下碳化硅市場30
2023-07-19 19:37:01724 眾所周知，對于碳化硅MOSFET(SiC MOSFET)來說，高質(zhì)量的襯底可以從外部購買得到，高質(zhì)量的外延片也可以從外部購買到，可是這只是具備了獲得一個碳化硅器件的良好基礎(chǔ)，高性能的碳化硅器件對于器件的設(shè)計和制造工藝有著極高的要求，
2023-07-10 10:49:09712 
碳化硅（SiC）功率器件是一種基于碳化硅材料的半導(dǎo)體器件，具有許多優(yōu)勢和廣泛的應(yīng)用前景。
2023-06-28 09:58:092317 
，這一塊也是金航標(biāo)產(chǎn)品的研發(fā)方向。薩科微slkoric（www.slkoric.com）半導(dǎo)體研發(fā)的igbt、碳化硅場效應(yīng)管、ldo電源管理芯片，也廣泛應(yīng)用于逆變器、電池管理等場合，和金航標(biāo)的信號連接器一起使用！
2023-06-25 11:24:21
碳化硅肖特基二極管是一種基于碳化硅材料的半導(dǎo)體器件，具有高速、高溫、高功率特性。其原理基于肖特基效應(yīng)，即在金屬與半導(dǎo)體接觸處形成一個肖特基勢壘，使得半導(dǎo)體中的載流子向金屬一側(cè)偏移，形成整流效應(yīng)。
2023-06-07 17:10:34800 碳化硅原理用途及作用是什么 碳化硅是一種非金屬陶瓷材料，具有高溫、耐腐蝕、抗氧化、熱穩(wěn)定性好等優(yōu)良性能。它由碳素和硅素兩種元素組成，碳化硅由結(jié)構(gòu)單元SiC構(gòu)成，每個SiC結(jié)構(gòu)單元都由一個硅原子
2023-06-05 12:48:351971 碳化硅肖特基二極管（Silicon Carbide Schottky Diode）是一種高性能半導(dǎo)體器件，具有低開啟電壓、高速開關(guān)、高溫性能等優(yōu)點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于電源、驅(qū)動、逆變器、電動汽車等領(lǐng)域。
2023-06-04 16:09:002089 MOSFET相比傳統(tǒng)的硅MOSFET具有更高的電子遷移率、更高的耐壓、更低的導(dǎo)通電阻、更高的開關(guān)頻率和更高的工作溫度等優(yōu)點(diǎn)。因此，碳化硅MOSFET可以被廣泛應(yīng)用于能源轉(zhuǎn)換、交流/直流電源轉(zhuǎn)換、汽車和航空航天等領(lǐng)域。
2023-06-02 15:33:151180 碳化硅二極管是什么 碳化硅二極管是一種半導(dǎo)體器件，它由碳化硅材料制成。碳化硅具有高的耐壓能力和高的溫度耐受性，因此碳化硅二極管具有較低的反向漏電流、高溫下穩(wěn)定性良好、響應(yīng)速度快等特點(diǎn)，廣泛用于高功率、高頻率、高溫、高壓等領(lǐng)域，如電源、變頻器、太陽能、電動汽車等。
2023-06-02 14:10:32747 碳化硅mosfet有哪些主要參數(shù) 碳化硅MOSFET相關(guān)的主要參數(shù)包括： 1. 閾值電壓（Vth）- 這是MOSFET開啟的電壓。隨著Vth的增加，MOSFET的開關(guān)速度會變慢。 2. 導(dǎo)通電
2023-06-02 14:09:032008 碳化硅功率模組有哪些 碳化硅功率器件系列研報深受眾多專業(yè)讀者喜愛，本期為番外篇，前五期主要介紹了碳化硅功率器件產(chǎn)業(yè)鏈的上中下游，本篇將深入了解碳化硅功率器件的應(yīng)用市場，以及未來的發(fā)展趨勢，感謝各位
2023-05-31 09:43:20390 碳化硅SiC MOSFET的閾值電壓穩(wěn)定性相對Si材料來講，是比較差的，對應(yīng)用端的影響也很大。
2023-05-30 16:06:181170 
關(guān)注，隨著市場對電動汽車長續(xù)航、高壓電氣架構(gòu)、快充等需求，碳化硅正在電動汽車上加速普及。 ? 近幾年可以看到國內(nèi)多家廠商，包括整車廠、功率器件廠商等都在陸續(xù)推出車規(guī)級碳化硅功率模塊產(chǎn)品，同時也有國內(nèi)廠商推出車
2023-05-29 18:09:521941 
碳化硅 （SiC） 是一種成熟的器件技術(shù)，在 900 V 至 1，200 V 以上的高壓、高開關(guān)頻率應(yīng)用中，與硅 （Si） 技術(shù)（包括硅超結(jié) （SJ） 和絕緣柵雙極晶體管 （IGBT） ）相比具有
2023-05-24 09:27:40610 
首先，讓我們簡要介紹一下碳化硅到底是什么，以及它與傳統(tǒng)硅的一些不同之處。關(guān)于SiC的一個有趣的事實(shí)是，碳化硅的碳化物成分不是天然存在的物質(zhì)。事實(shí)上，碳化物最初是從隕石的碎片中發(fā)現(xiàn)的。其獨(dú)特的性能非常有前途，以至于今天，我們合成了用于碳化硅功率產(chǎn)品的硬質(zhì)合金。
2023-05-20 17:00:09614 碳化硅（SiC）技術(shù)推動多種應(yīng)用和功率系統(tǒng)的設(shè)計創(chuàng)新。與硅（Si）相比，SiC 憑借更快的開關(guān)速度、在溫度范圍內(nèi)平穩(wěn)的導(dǎo)通電阻 RDS(on) 和更優(yōu)的體二極管性能，展現(xiàn)出更佳的功率密度和效率。
2023-05-20 15:55:29988 
本文介紹了激光在碳化硅（SiC）半導(dǎo)體晶圓制程中的應(yīng)用，概括講述了激光與碳化硅相互作用的機(jī)理，并重點(diǎn)對碳化硅晶圓激光標(biāo)記、背金激光表切去除、晶粒隱切分片的應(yīng)用進(jìn)行了介紹。
2023-05-17 14:39:041221 
碳化硅襯底 產(chǎn)業(yè)鏈核心材料，制備難度大碳化硅襯底制備環(huán)節(jié)主要包括原料合成、碳化硅晶體生長、晶錠加工、晶棒切割、切割片研磨、研磨片拋光、拋光片清洗等環(huán)節(jié)。
2023-05-09 09:36:483426 
碳化硅功率器件在新能源汽車領(lǐng)域的應(yīng)用主要有以下幾個方面。
2023-04-27 14:05:52635 意法半導(dǎo)體（ST）宣布與采埃孚科技集團(tuán)公司(ZF)簽署碳化硅器件長期供應(yīng)協(xié)議。從 2025 年起，采埃孚將從意法半導(dǎo)體采購碳化硅器件。
2023-04-26 10:18:51930 本文介紹了激光在碳化硅（SiC）半導(dǎo)體晶圓制程中的應(yīng)用，概括講述了激光與碳化硅相互作用的機(jī)理，并重點(diǎn)對碳化硅晶圓激光標(biāo)記、背金激光表切去除、晶粒隱切分片的應(yīng)用進(jìn)行了介紹。
2023-04-23 09:58:27712 
按照電學(xué)性能的不同，碳化硅材料制成的器件分為導(dǎo)電型碳化硅功率器件和半絕緣型碳化硅射頻器件，兩種類型碳化硅器件的終端應(yīng)用領(lǐng)域不同。導(dǎo)電型碳化硅功率器件是通過在低電阻率的導(dǎo)電型襯底上生長碳化硅外延層后進(jìn)一步加工制成
2023-04-21 14:14:372436 點(diǎn)擊藍(lán)字?關(guān)注我們 本文來源：中國電子報 在能源電子產(chǎn)業(yè)加速發(fā)展的背景下，全球光伏裝機(jī)量持續(xù)攀升，為碳化硅帶來可觀的市場增量。Yole研報預(yù)計，應(yīng)用于光伏發(fā)電及儲能的碳化硅市場規(guī)模將在2025年達(dá)到
2023-04-20 07:15:07582 
Diodes公司(Diodes) (Nasdaq：DIOD)推出碳化硅(SiC) 系列最新產(chǎn)品：DMWS120H100SM4 N 通道碳化硅 MOSFET。
2023-04-13 16:30:16215 來源：碳化硅芯觀察對于碳化硅MOSFET(SiCMOSFET)而言，高質(zhì)量的襯底可以從外部購買得到，高質(zhì)量的外延片也可以從外部購買到，可是這只是具備了獲得一個碳化硅器件的良好基礎(chǔ)，高性能的碳化硅器件
2023-04-07 11:16:201219 
眾所周知，對于碳化硅MOSFET(SiC MOSFET)來說，高質(zhì)量的襯底可以從外部購買得到，高質(zhì)量的外延片也可以從外部購買到，可是這只是具備了獲得一個碳化硅器件的良好基礎(chǔ)，高性能的碳化硅器件對于
2023-04-06 16:19:011295 
在半導(dǎo)體材料領(lǐng)域，碳化硅與氮化鎵無疑是當(dāng)前最炙手可熱的明星。其中，碳化硅擁有高壓、高頻和高效率等特性，其耐高頻耐高溫的性能，是同等硅器件耐壓的10倍。
2023-04-06 11:06:53465 全球碳化硅產(chǎn)業(yè)呈現(xiàn)明顯的行業(yè)上下游收購兼并、大廠積極布局的特征。襯底作為碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈中的核心環(huán)節(jié)，已成為兵家必爭之地。
2023-03-23 10:30:041284
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