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電子發(fā)燒友網(wǎng)>新品快訊>英飛凌推出IGBT系列RC-D功率開關(guān)器件

英飛凌推出IGBT系列RC-D功率開關(guān)器件

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英飛凌推出TDM2254xD系列雙相功率模塊

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Vishay發(fā)布五款新型半橋IGBT功率模塊

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最新IGBT7系列分立器件常見問題

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IGBT是什么類型的器件 IGBT是電壓驅(qū)動(dòng)還是電流驅(qū)動(dòng)

Field-Effect Transistor)的控制性能,又具有異質(zhì)結(jié)的管子功率特性。IGBT也是一個(gè)開關(guān)器件,可以在高電壓和高電流條件下工作,并且被廣泛應(yīng)用于各種電力電子設(shè)備中。 IGBT由三個(gè)主要區(qū)域組成
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IGBT是什么驅(qū)動(dòng)型器件

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是一種功率半導(dǎo)體器件,結(jié)合了絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)和雙極型晶體管(BJT)的特點(diǎn)。IGBT被廣泛應(yīng)用于電力
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功率電力設(shè)備是利用什么器件完成升降壓的?

元件完成電路的升降壓?jiǎn)幔坑绕涫窃谕秸髦?,前?jí)輸入有LCL濾波裝置,LCL僅僅起到一個(gè)濾波的作用嗎,對(duì)整流的升降壓有沒有起到作用,低壓三相380同步整流輸出電壓范圍510-710V左右。 此時(shí)的功率器件是采用MOSFET還是IGBT什么的?
2024-01-17 16:26:41

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英飛凌榮獲年度國際功率器件行業(yè)卓越獎(jiǎng)

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2023-12-30 17:02:00702

英飛凌榮獲年度國際功率器件行業(yè)卓越獎(jiǎng)

英飛凌是全球半導(dǎo)體領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者,12月23日,英飛凌160VMOTIX三相柵極驅(qū)動(dòng)器IC獲得年度國際功率器件行業(yè)卓越獎(jiǎng)。本次評(píng)獎(jiǎng)活動(dòng)由世紀(jì)電源網(wǎng)舉辦,旨在通過客觀、真實(shí)、公開的評(píng)選方式,評(píng)選
2023-12-30 08:14:04173

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什么是宇宙射線?宇宙射線導(dǎo)致IGBT失效的機(jī)理

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2023-12-27 09:39:34671

igbt與igct的區(qū)別

開關(guān)器件。雖然它們的名稱相似,但在構(gòu)造、原理和應(yīng)用方面存在一些不同之處。 結(jié)構(gòu)與構(gòu)造差異: IGBT是一種由晶體管和MOSFET結(jié)合而成的雙極型功率開關(guān)器件。它由三個(gè)控制結(jié)構(gòu)——門級(jí)結(jié)、PN結(jié)和PNP
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igbt開關(guān)和硬開關(guān)的區(qū)別

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是一種電力開關(guān)裝置,常被用于控制大電流和高電壓的電力設(shè)備。IGBT開關(guān)和硬開關(guān)是兩種不同的IGBT工作模式,它們?cè)?b class="flag-6" style="color: red">開關(guān)
2023-12-21 17:59:32658

igbt和二極管的區(qū)別

IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) 和二極管是電子設(shè)備中常見的兩種功率開關(guān)器件。它們?cè)谠S多應(yīng)用中起著關(guān)鍵作用,主要用于交流電轉(zhuǎn)換、能量轉(zhuǎn)換和電流控制
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英飛凌IGBT模塊封裝

是一種重要的關(guān)鍵技術(shù),被廣泛應(yīng)用于能源轉(zhuǎn)換和能量控制系統(tǒng)中。 首先,我們來了解一下什么是IGBT模塊。IGBT模塊是一種功率半導(dǎo)體器件,是繼MOSFET和BJT之后的第三代功率開關(guān)器件。它具有低導(dǎo)通壓降、高開關(guān)速度和高耐受電壓的特點(diǎn),適用于高
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igbt的作用和功能? IGBT,即絕緣柵雙極型晶體管(Insulated Gate Bipolar Transistor),是一種用于功率電子器件中的雙極型晶體管。IGBT 融合了絕緣
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IGBT單管數(shù)據(jù)手冊(cè)參數(shù)解析(上)

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高壓功率器件開關(guān)技術(shù)簡(jiǎn)單的包括硬開關(guān)技術(shù)和軟開關(guān)技術(shù)
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2023-10-19 17:08:051887

IGBT基礎(chǔ)知識(shí)及國內(nèi)廠商盤點(diǎn)

及IC,目前已形成IGBT、MOSFET、SCR、SBD、IPM、FRD、BJT等為營銷主線的系列產(chǎn)品,產(chǎn)品種類基本覆蓋功率半導(dǎo)體器件全部范圍,廣泛應(yīng)用于汽車電子、電力電子、光伏逆變、工業(yè)控制與LED
2023-10-16 11:00:14

英飛凌如何控制基于SiC功率半導(dǎo)體器件的可靠性呢?

英飛凌如何控制和保證基于 SiC 的功率半導(dǎo)體器件的可靠性
2023-10-11 09:35:49686

IGBT器件介紹 IGBT結(jié)構(gòu)與工作原理

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是絕緣柵雙極晶體管的簡(jiǎn)稱,其由雙極結(jié)型晶體管(BJT)和金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)組成,是一種復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式開關(guān)功率半導(dǎo)體器件,是實(shí)現(xiàn)電能轉(zhuǎn)換的核心器件,也是目前MOS-雙極型功率器件的主要發(fā)展方向之一。
2023-09-22 16:54:103325

IGBT功率模塊的開關(guān)特性有哪些呢?

IGBT 功率模塊的開關(guān)特性是由它的內(nèi)部結(jié)構(gòu),內(nèi)部的寄生電容和內(nèi)部和外接的電阻決定的。
2023-09-22 09:06:14432

新能源汽車IGBT功率器件溫度測(cè)試方案

IGBT 屬于功率半導(dǎo)體器件, 在新能源汽車領(lǐng)域, IGBT 作為電子控制系統(tǒng)和直流充電樁的核心器件, 直接影響電動(dòng)汽車的動(dòng)力釋放速度, 車輛加速能力和高速度.
2023-09-14 15:17:04358

IGBT的應(yīng)用領(lǐng)域及現(xiàn)狀分析

近年來,新型功率開關(guān)器件IGBT(圖1)已逐漸被人們所認(rèn)識(shí),IGBT是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件(圖2),IGBT
2023-09-11 10:42:41907

功率器件igbt工藝流程圖解

功率器件IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor的縮寫。當(dāng)然功率半導(dǎo)體元件除了IGBT之外,還有MOSFET、BIPOLAR等,這些都能用來作為半導(dǎo)體開關(guān),今天單說IGBT的工藝流程。
2023-09-07 09:55:521082

功率器件在工業(yè)應(yīng)用中的解決方案

功率器件在工業(yè)應(yīng)用中的解決方案,議程分為:功率分立器件概覽 、 IGBT產(chǎn)品3、高壓MOSFET 、 碳化硅Mosfet、碳化硅二極管和整流器、氮化鎵PowerGaN、工業(yè)電源中的應(yīng)用和總結(jié)八個(gè)部分。
2023-09-05 06:13:28

功率模塊IPM、IGBT及車用功率器件

功率半導(dǎo)體器件在現(xiàn)代電力控制和驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中發(fā)揮著重要作用。IGBT模塊和IPM模塊是其中兩個(gè)最為常見的器件類型。它們都可以用于控制大功率負(fù)載和驅(qū)動(dòng)電機(jī)等應(yīng)用,但是它們的內(nèi)部結(jié)構(gòu)和功能有所不同,那么
2023-09-04 16:10:494672

英飛凌單管功率器件的SPICE模型解析及使用方法# #工欲善其事必先利其器,曬一曬你的工具庫

英飛凌功率器件模型
英飛凌工業(yè)半導(dǎo)體發(fā)布于 2023-08-31 19:21:23

igbt反向并聯(lián)二極管作用

igbt反向并聯(lián)二極管作用 IGBT是一種強(qiáng)勁的功率半導(dǎo)體器件,被廣泛應(yīng)用于高電壓、高電流和高速開關(guān)的領(lǐng)域。與傳統(tǒng)的大功率晶體管相比,IGBT能夠提供更高的功率密度,同時(shí)也具有更高的效率和更低
2023-08-29 10:25:571118

薩科微推出IGBT40T120FL系列,引領(lǐng)電力電子行業(yè)發(fā)展

深圳市薩科微半導(dǎo)體公司公司,是以研究制造第三代半導(dǎo)體新材料碳化硅功率器件器件發(fā)展起來的公司,薩科微slkoric于2022年獲授“國家級(jí)高新技術(shù)企業(yè)”,原始取得關(guān)于MOS管、IGBT管、元器件封測(cè)
2023-08-26 13:56:28286

英飛凌(Infineon)IGBT管前10熱門型號(hào)

Infineon(英飛凌)作為一家全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體解決方案提供商,其IGBT管產(chǎn)品在市場(chǎng)上備受矚目。下面將介紹英飛凌IGBT管前10熱門型號(hào):一、英飛凌IGBT管前10熱門
2023-08-25 16:58:531477

igbt功率管怎么檢測(cè)好壞?

igbt功率管怎么檢測(cè)好壞? 簡(jiǎn)介: 隨著電力電子技術(shù)越來越先進(jìn)和高效,IGBT已成為工業(yè)應(yīng)用的熱門選擇。IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種三端半導(dǎo)體器件,支持高電壓和高電流應(yīng)用,同時(shí)提供快速開關(guān)
2023-08-25 15:03:352090

igbt的優(yōu)缺點(diǎn)介紹

igbt的優(yōu)缺點(diǎn)介紹 IGBT的優(yōu)缺點(diǎn)介紹 IGBT是一種晶體管,是MOSFET和BJT集成而成的開關(guān),具有高速開關(guān)能力和較低的導(dǎo)通電阻,用于高效率的功率調(diào)節(jié)。IGBT具有一些優(yōu)點(diǎn)和缺點(diǎn),下面將詳細(xì)
2023-08-25 15:03:293998

英飛凌推出全新的TEGRION?系列安全控制器

代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)于近日宣布推出全新的TEGRION?系列安全控制器,這是英飛凌迄今為止最廣泛的28 nm安全控制器產(chǎn)品組合。該系列安全控制器集成了全新的Integrity
2023-08-21 14:32:22514

p柱浮空的超結(jié)IGBT器件的設(shè)計(jì)案例

摘要: 針對(duì)傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)超結(jié) IGBT 器件在大電流應(yīng)用時(shí)的電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)較弱,削弱了 IGBT 器 件低飽和導(dǎo)通壓降優(yōu)點(diǎn)的問題,設(shè)計(jì)了 p 柱浮空的超結(jié) IGBT 器件 ( FP-SJ-IGBT
2023-08-08 10:20:000

車用IGBT器件技術(shù)概述

車用IGBT器件技術(shù)概述
2023-08-08 10:00:312

以高度靈活性滿足高功率密度和性能需求:英飛凌擴(kuò)展1200 V 62 mm IGBT7 產(chǎn)品組合,推出全新電流額定值模塊

【 2023 年 8 月 4 日 , 德國慕尼黑訊】 英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)推出搭載1200 V TRENCHSTOP? IGBT7芯片的62 mm
2023-08-07 11:12:56417

分立器件IGBT驅(qū)動(dòng)電源板中的應(yīng)用

IGBT驅(qū)動(dòng)電源板 中有著廣泛的應(yīng)用。 ? ? ? ?IGBT驅(qū)動(dòng)板是控制系統(tǒng)和開關(guān)器件中的中間環(huán)節(jié),承擔(dān)著接受控制系統(tǒng)信號(hào)并傳輸信號(hào),確保IGBT執(zhí)行開關(guān)、保護(hù)、和反饋器件工作狀態(tài)的重任。 ? ? ? ?通常,IGBT驅(qū)動(dòng)板由IGBT驅(qū)動(dòng)芯片、驅(qū)動(dòng)外圍電路、驅(qū)動(dòng)輔
2023-08-04 17:35:03609

發(fā)展神速!薩科微半導(dǎo)體推出IGBT和電源管理芯片系列高端產(chǎn)品

近年來薩科微半導(dǎo)體發(fā)展神速,在掌握第三代半導(dǎo)體碳化硅功率器件技術(shù)的基礎(chǔ)上,薩科微slkor投入大量精力和資金,推出IGBT和電源管理芯片等系列高端產(chǎn)品。薩科微副總經(jīng)理賀俊駒介紹,在功率器件應(yīng)用市場(chǎng)
2023-07-31 11:14:43404

英飛凌高壓超結(jié) MOSFET 系列產(chǎn)品新增工業(yè)級(jí)和車規(guī)級(jí)器件,用于靜態(tài)開關(guān)應(yīng)用

,英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)正在擴(kuò)大其CoolMOS? S7 系列高壓超結(jié)(SJ)MOSFET 的產(chǎn)品陣容。該系列器件主要適用于開關(guān)電源(SMPS)、太陽能系統(tǒng)、電池保護(hù)、固態(tài)繼電器(SSR)、電機(jī)啟動(dòng)器和固態(tài)斷路器以及可編程邏輯控制器(PLC)
2023-07-28 15:05:301065

igbt模塊參數(shù)怎么看 igbt的主要參數(shù)有哪些?

IGBT模塊動(dòng)態(tài)參數(shù)是評(píng)估IGBT模塊開關(guān)性能如開關(guān)頻率、開關(guān)損耗、死區(qū)時(shí)間、驅(qū)動(dòng)功率等的重要依據(jù),本文重點(diǎn)討論以下動(dòng)態(tài)參數(shù):模塊內(nèi)部柵極電阻、外部柵極電阻、外部柵極電容、IGBT寄生電容參數(shù)、柵極充電電荷、IGBT開關(guān)時(shí)間參數(shù),結(jié)合IGBT模塊靜態(tài)參數(shù)可全面評(píng)估IGBT芯片的性能。
2023-07-28 10:19:543284

森國科推出功率IGBT分立器件

森國科隆重推出IGBT分立器件新品,兼具功率MOSFET易于驅(qū)動(dòng)、控制簡(jiǎn)單、開關(guān)頻率高和功率雙極型晶體管(BJT)低飽和壓降、大電流運(yùn)輸能力及低損耗的優(yōu)點(diǎn)。
2023-07-26 17:34:13355

IGBT如何選型,在選擇IGBT時(shí)需要考慮的參數(shù)

IGBT是繼MOSFET之后,新一代的開關(guān)器件,主要用于高壓和高電流的開關(guān)控制。IGBT的全稱是Isolated Gate Bipolar Transistor,是由晶體管和MOSFET的優(yōu)點(diǎn)相結(jié)合
2023-07-20 16:39:514479

Nexperia憑借600 V器件進(jìn)入IGBT市場(chǎng)

除了這些新材料外,絕緣柵雙極晶體管(IGBT)這一較老的技術(shù)在電力電子領(lǐng)域仍占有重要地位。本周,Nexperia首次進(jìn)入IGBT市場(chǎng),推出了一系列新的600 V設(shè)備。本文將介紹IGBT、trench-gate設(shè)備和Nexperia的新產(chǎn)品系列
2023-07-18 15:35:53367

聊聊IGBT功率模塊的結(jié)溫計(jì)算及其模型

電機(jī)控制器的功率模塊,即IGBT器件和續(xù)流二極管,在開關(guān)和導(dǎo)通電流會(huì)產(chǎn)生損耗,損失的能量會(huì)轉(zhuǎn)化成熱能,表現(xiàn)為功率模塊發(fā)熱。
2023-07-12 15:53:142495

一文解析IGBT結(jié)構(gòu)、原理、電氣特性

IGBT : 是一種大功率的電力電子器件,是一個(gè)非通即斷的開關(guān),IGBT沒有放大電壓的功能,導(dǎo)通時(shí)可以看做導(dǎo)線,斷開時(shí)當(dāng)做開路。三大特點(diǎn)就是高壓、大電流、高速。它是電力電子領(lǐng)域非常理想的開關(guān)器件。 編輯:黃飛
2023-07-07 09:36:321089

安世半導(dǎo)體推出新款600 V單管IGBT

。Nexperia在其龐大的產(chǎn)品組合中增加了IGBT,滿足了市場(chǎng)對(duì)于高效高壓開關(guān)器件不斷增長(zhǎng)的需求以及在性能和成本方面的要求。這些器件有助于提高電源轉(zhuǎn)換和電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用中的功率密度,包括工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)(例如
2023-07-05 16:34:291053

Nexperia推出新款600 V單管IGBT,可在電源應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)出色效率

V器件系列進(jìn)軍絕緣柵雙極晶體管(IGBT)市場(chǎng),而30A NGW30T60M3DF將打響進(jìn)軍市場(chǎng)的第一炮。Nexperia在其龐大的產(chǎn)品組合中增加了IGBT,滿足了市場(chǎng)對(duì)于高效高壓開關(guān)器件不斷增長(zhǎng)的需求以及在性能和成本方面的要求。這些器件有助于提高電源轉(zhuǎn)換和電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用中的功率密度,包括工業(yè)電機(jī)驅(qū)
2023-07-05 09:20:27459

GaN器件在Class D上的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)

地被開發(fā)出來。GaN器件的低導(dǎo)通內(nèi)阻、低寄生電容和高開關(guān)速度等特性,使得對(duì)應(yīng)的Class D功放系統(tǒng)能夠具有更高的效率,更高的功率密度,同時(shí)因?yàn)楦俚姆答佇枨笏鶐淼姆蔷€性失真度將更低,由此Class
2023-06-25 15:59:21

IGBT及第三代半導(dǎo)體功率器件技術(shù)與應(yīng)用

IGBT技術(shù)在功率密度、工作頻率、損耗控制等方面不斷創(chuàng)新。新一代IGBT產(chǎn)品在提高開關(guān)速度、降低開關(guān)損耗、增強(qiáng)耐壓能力等方面取得了顯著進(jìn)展,提高了系統(tǒng)效率和可靠性。
2023-06-21 11:24:33919

了解這些 就可以搞懂 IGBT

絕緣柵雙極晶體管 (IGBT, InsulatedGate Bipolar Transistor)是一種三端功率半導(dǎo)體器件,主要用作電子開關(guān),在較新的器件中以結(jié)合高效和快速開關(guān)而聞名。IGBT通過
2023-06-14 20:15:012111

你真的了解IGBT嗎?干貨收藏!

IGBT是由MOSFET和GTR技術(shù)結(jié)合而成的復(fù)合型開關(guān)器件,是通過在功率MOSFET的漏極上追加p+層而構(gòu)成的,性能上也是結(jié)合了MOSFET和雙極型功率晶體管的優(yōu)點(diǎn)。
2023-06-13 16:23:21414

英飛凌推出全新 EiceDRIVER? 1200 V 半橋驅(qū)動(dòng)器 IC系列,有源米勒鉗位保護(hù)可提升高功率系統(tǒng)的耐用性

? 【 2023 年 5 月 6 日,德國慕尼黑訊】 英飛凌科技股份公司(FSE 代碼:IFX / OTCQX 代碼:IFNNY)繼推出 EiceDRIVER? 6ED223xS12T 系列
2023-06-06 11:03:03420

英飛凌推出面向汽車應(yīng)用的新型 OptiMOS? 7 40V MOSFET系列,改進(jìn)導(dǎo)通電阻、提升開關(guān)效率和設(shè)計(jì)魯棒性

【 2023 年 5 月 12 日,德國慕尼黑訊】 英飛凌科技股份公司(FSE 代碼:IFX / OTCQX 代碼:IFNNY)推出 OptiMOS? 7 40V MOSFET 系列。作為英飛凌
2023-06-06 11:01:361026

IGBT短路時(shí)的工作狀態(tài)、短路保護(hù)電路的原理

每次談到IGBT都要把它的優(yōu)點(diǎn)先說一遍,就當(dāng)我嘮叨了。IGBT結(jié)合了電力場(chǎng)效應(yīng)管和電力晶體管導(dǎo)通、關(guān)斷機(jī)制的優(yōu)點(diǎn),相比于其他大功率開關(guān)器件IGBT的驅(qū)動(dòng)功率小、開關(guān)速度快、沒有二次擊穿效應(yīng)且易于并聯(lián)。
2023-05-25 17:31:342943

英飛凌推出120-200A 750V EDT2工業(yè)級(jí)分立IGBT

英飛凌推出采用TO-247PLUS SMD封裝的EDT2工業(yè)級(jí)分立IGBT,采用750V EDT2 IGBT技術(shù),具有最低的導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗,這可以使電動(dòng)商用車的電池電壓達(dá)到450Vdc
2023-05-19 12:42:27453

IGBT和MOSFET該用誰?你選對(duì)了嗎?

半導(dǎo)體功率器件主要包括功率二極管、功率三極管、晶閘管、MOSFET、IGBT等。其中MOSFET和IGBT屬于電壓控制型開關(guān)器件,具有開關(guān)速度快、易于驅(qū)動(dòng)、損耗低等優(yōu)勢(shì)。IGBT全稱是絕緣柵極
2023-05-18 09:51:583446

賽米控丹佛斯推出配備羅姆1200V IGBT功率模塊

合作關(guān)系。此次,賽米控丹佛斯向低功率領(lǐng)域推出功率模塊中,采用了羅姆的新產(chǎn)品——1200V IGBT “RGA系列”。今后,雙方將繼續(xù)保持緊密合作,全力響應(yīng)全球電機(jī)驅(qū)動(dòng)用戶的需求。 ROHM Co., Ltd. 董事 常務(wù)執(zhí)行官 CFO 伊野和英 (左) 賽米控丹佛斯
2023-05-17 13:35:02938

什么是智能功率開關(guān) 智能功率開關(guān)的選擇

功率器件可以在各種非正常工況下保護(hù)自己并報(bào)錯(cuò)會(huì)大大提高功率器件自身的可靠性和整個(gè)系統(tǒng)的安全性。以下圖中英飛凌的智能高邊經(jīng)典產(chǎn)品PROFET系列為例,它集成了診斷和保護(hù)功能(Protect)的功率器件
2023-05-02 15:44:00927

代對(duì)于不間斷電源高頻逆變電路是選擇IGBT還是MOSFET的功率開關(guān)管呢?

對(duì)于不間斷電源高頻逆變電路是選擇IGBT還是MOSFET的功率開關(guān)管呢?
2023-04-20 10:19:351433

半導(dǎo)體IGBT功率器件封裝結(jié)構(gòu)熱設(shè)計(jì)探討

)雙極型三極管和絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管(MetalOxideSemiconductor,MOS)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有(Metal-Oxide-Semi
2023-04-20 09:54:432097

?壓接型IGBT器件的封裝結(jié)構(gòu)及特性

絕緣柵雙極型晶體管(Insulated Gate Bipolar Transistor,IGBT)是一種復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,具有高輸入阻抗和低導(dǎo)通壓降的優(yōu)點(diǎn)。
2023-04-15 14:23:581287

一文詳解IGBT的過流和短路保護(hù)

 IGBT是高頻開關(guān)器件,芯片內(nèi)部的電流密度大。當(dāng)發(fā)生過流或短路故障時(shí),器件中流過的大于額定值的電流時(shí),極易使器件管芯結(jié)溫升高,導(dǎo)致器件燒壞。今天我們就來聊聊IGBT的過流和短路保護(hù)。
2023-04-06 17:31:175475

IGBT功率逆變器的重點(diǎn)保護(hù)對(duì)象

IGBT是一種功率器件,在功率逆變器中承擔(dān)功率轉(zhuǎn)換和能量傳輸?shù)墓δ堋K悄孀兤鞯男呐K。同時(shí),IGBT也是功率逆變器中最不可靠的元件之一。它對(duì)器件的溫度、電壓和電流非常敏感。稍有超出,就會(huì)變得無能
2023-03-30 10:29:45992

用arduino來控制IR2104芯片驅(qū)動(dòng)半橋IGBT功率

IGBT芯片的開關(guān)特性,需要仿真確定D1和C1器件的參數(shù);  02.仿真運(yùn)行是慢速的時(shí)間點(diǎn),需要等待緩慢運(yùn)行,與CPU處理量有關(guān);  03.修改電路后會(huì)存在參數(shù)報(bào)錯(cuò)無法運(yùn)行,出現(xiàn)這種情況后讓其自動(dòng)修正
2023-03-27 14:57:37

英飛凌推出適用于低功耗設(shè)備的高度集成的 iMOTION? IMI110 系列模塊

【 2023 年 03 月 27 日, 德國慕尼黑 訊】 英飛凌科技股份公司(FSE 代碼:IFX / OTCQX 代碼:IFNNY)日前宣布,推出全新的 iMOTION? IMI110 系列智能
2023-03-27 14:42:30446

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