深圳市薩科微半導(dǎo)體有限公司，技術(shù)骨干來(lái)自清華大學(xué)和韓國(guó)延世大學(xué)，掌握第三代半導(dǎo)體碳化硅功率器件國(guó)際領(lǐng)先的工藝，和第五代超快恢復(fù)功率二極管技術(shù)。薩科微slkor（www.slkormicro.com
2024-03-15 11:22:07
意法半導(dǎo)體（ST）近日推出了一系列功率MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器，這些產(chǎn)品不僅在設(shè)計(jì)上追求穩(wěn)健性和可靠性，還致力于提供高度的系統(tǒng)集成性和靈活性，以滿足不同應(yīng)用場(chǎng)景的需求。
2024-03-12 10:54:43
224 絕緣柵雙極晶體管（Insulated Gate Bipolar Transistor，IGBT）是一種功率半導(dǎo)體，具有MOSFET 的高速、電壓相關(guān)柵極開(kāi)關(guān)特性以及 BJT 的最小導(dǎo)通電阻（低飽和電壓）特性。
2024-02-27 16:08:49579 
意法半導(dǎo)體（下文為ST）的功率MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器旨在提供穩(wěn)健性、可靠性、系統(tǒng)集成性和靈活性的完美結(jié)合。
2024-02-27 09:05:36578 
？
再者在場(chǎng)效應(yīng)管這種單極性導(dǎo)電半導(dǎo)體中，為什么只是有一種離子導(dǎo)電，而非兩種離子，不像晶體管那種兩種離子導(dǎo)電，請(qǐng)問(wèn)這是為什么？同樣對(duì)于場(chǎng)效應(yīng)管也有上面的問(wèn)題？
2024-02-21 21:39:24
MOSFET，全稱(chēng)為Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor，即金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，也稱(chēng)為功率MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管。
2024-02-21 16:25:23516 
MOSFET，全稱(chēng)為Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，即金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，是一種半導(dǎo)體器件。這種晶體管利用控制輸入回路
2024-02-19 16:38:061952 
雙極結(jié)型晶體管（Bipolar Junction Transistor，BJT），也被稱(chēng)為半導(dǎo)體三極管或三極管，是一種具有三個(gè)終端的電子器件。它由三部分摻雜程度不同的半導(dǎo)體組成，這三部分分別是發(fā)射區(qū)、基區(qū)和集電區(qū)。這種晶體管的工作方式涉及電子和空穴兩種載流子的流動(dòng)，因此被稱(chēng)為雙極性的。
2024-02-19 15:15:05290 
IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）是一種半導(dǎo)體功率器件。它結(jié)合了MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）和雙極型晶體管的特性。
2024-02-06 10:47:041016 是，最大輸出電流時(shí)產(chǎn)生0.2 V壓降。功率場(chǎng)效應(yīng)管可以無(wú)需任何外接元件而直接并聯(lián)，因?yàn)槠渎O電流具有負(fù)溫度系數(shù)。
1、晶體管的Vbe擴(kuò)散現(xiàn)象是什么原理，在此基礎(chǔ)上為什么要加電阻？
2、場(chǎng)效應(yīng)管無(wú)需任何外接
2024-01-26 23:07:21
管子多用于集成放大電路中的電流源電路。
請(qǐng)問(wèn)對(duì)于這種多發(fā)射極或多集電極的晶體管時(shí)候該如何分析？按照我的理解，在含有多發(fā)射極或多集電極的晶體管電路時(shí)，如果多發(fā)射極或多集電極的每一極分別接到獨(dú)立的電源回路中
2024-01-21 13:47:56
常用的半導(dǎo)體元件還有利用一個(gè)PN結(jié)構(gòu)成的具有負(fù)阻特性的器件一單結(jié)晶體管，請(qǐng)問(wèn)這個(gè)單結(jié)晶體管是什么？能夠?qū)崿F(xiàn)負(fù)阻特性？
2024-01-21 13:25:27
晶體管是一種三端半導(dǎo)體器件，用于開(kāi)關(guān)或放大信號(hào)。其輸入端的小電流或電壓可用于控制非常高的輸出電壓或電流。
2024-01-19 10:07:271167 
相比較，GaN具有更加優(yōu)異的性能；包含更高的擊穿場(chǎng)強(qiáng)；更高的飽和電子漂移效率和更高的導(dǎo)熱系數(shù)。與GaAs晶體管相比較，GaN HEMT還推出更高的功率密度和更寬的帶寬。CGHV96050F1使用金屬/陶瓷
2024-01-19 09:27:13
三極管功率會(huì)先上升后下降，因?yàn)殡妷航翟谙陆刀娏髟谏仙?b class="flag-6" style="color: red">功率最大點(diǎn)在中間位置。
3、當(dāng)基射極電流增大到一定水平，集射極電壓降低到不能再降的程度時(shí)，晶體管進(jìn)入飽和，此時(shí)無(wú)論基射極電流如何增大，集射極電流也
2024-01-18 16:34:45
MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）是一種常用的功率開(kāi)關(guān)器件，也是現(xiàn)代電子設(shè)備和電路中最重要的元件之一。它由金屬-氧化物-半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)組成。
2024-01-17 17:16:44365 IGBT）是一種半導(dǎo)體器件，它將MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）和BJT（雙極型晶體管）的優(yōu)點(diǎn)集于一身，具有高輸入阻抗、低導(dǎo)通壓降、高電流密度等優(yōu)點(diǎn)。IGBT廣泛應(yīng)用于電力電子、軌道交通
2024-01-03 15:14:22268 
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/梁浩斌）在我們談?wù)摰谌?b class="flag-6" style="color: red">半導(dǎo)體的時(shí)候，常說(shuō)的碳化硅功率器件一般是指代SiC MOSFET（金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管），而氮化鎵功率器件最普遍的則是GaN HEMT（高電子
2023-12-27 09:11:361219 晶體管是一種半導(dǎo)體器件，用于放大電信號(hào)、開(kāi)關(guān)電路和邏輯運(yùn)算等。它是現(xiàn)代電子技術(shù)和計(jì)算機(jī)科學(xué)的核心之一。在晶體管中，有三個(gè)電極：基極、發(fā)射極和集電極。這三個(gè)電極的電壓之間的關(guān)系對(duì)于理解晶體管的工作原理
2023-12-20 14:50:491193 功率器件包括二極管、晶體管和晶閘管三大類(lèi)，其中晶體管市場(chǎng)份額最大，常見(jiàn)的晶體管主要包括MOSFET、IGBT、BJT等。功率 IC是指將高壓功率器件與其控制電路、外圍接口電路及各種保護(hù)電路等集成于同一芯片的集成電路，是系統(tǒng)信號(hào)處理部分和執(zhí)行部分的橋梁。
2023-12-18 10:43:09668 
MOSFET (金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管) 和 IGBT (絕緣柵雙極晶體管) 是兩種常見(jiàn)的功率半導(dǎo)體器件。它們?cè)诓煌膽?yīng)用場(chǎng)景中具有不同的特點(diǎn)和優(yōu)勢(shì)。本文將對(duì)MOSFET和IGBT進(jìn)行詳盡
2023-12-15 15:25:35366 【科普小貼士】金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）
2023-12-13 14:22:41260 
該陪審員同意了普度的意見(jiàn)，即電動(dòng)汽車(chē)用充電器及其他產(chǎn)品使用的碳化物金屬氧化物半導(dǎo)體電場(chǎng)效果晶體管（mosfet）侵害了高電壓電源應(yīng)用（high power power application）使用的晶體管的專(zhuān)利。
2023-12-06 13:55:23420 ，如功率二極管、功率晶體管、功率MOSFET（金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）等。它們主要在電源、變頻器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等功率電子領(lǐng)域中使用。 集成電路是將大量電子器件（如晶體管、電阻、電容等）集成在單個(gè)芯片上，形成一個(gè)完整的
2023-12-04 17:00:57682 基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專(zhuān)家 Nexperia（安世半導(dǎo)體）近日宣布推出其首款碳化硅(SiC) MOSFET，并發(fā)布兩款采用 3 引腳 TO-247 封裝的 1200 V 分立器件，RDS(on) 分別為 40 mΩ 和 80 mΩ。
2023-12-04 10:39:50413 [半導(dǎo)體前端工藝：第一篇] 計(jì)算機(jī)、晶體管的問(wèn)世與半導(dǎo)體
2023-11-29 16:24:59193 
功率半導(dǎo)體有多種類(lèi)型，我們可以使用它們的應(yīng)用甚至更多?；旧希?b class="flag-6" style="color: red">功率半導(dǎo)體器件都可以分為三類(lèi)：二極管、晶閘管和晶體管。
2023-11-27 13:24:26239 IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極性三極管)和MOSFET(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件。
2023-11-24 15:51:59682 
來(lái)至網(wǎng)友的提問(wèn)：如何選擇分立晶體管？
2023-11-24 08:16:54
在電力電子領(lǐng)域，絕緣柵雙極晶體管（IGBT）和金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）是兩種關(guān)鍵的功率半導(dǎo)體器件。它們的獨(dú)特特性使它們?cè)诟咝芎透哳l率應(yīng)用中非常重要。本文將探討IGBT和MOSFET的工作原理、封裝技術(shù)及其廣泛的應(yīng)用。
2023-11-15 14:12:32176 
據(jù)悉，匯芯半導(dǎo)體成立于2020年，是一家專(zhuān)注于功率芯片及模塊開(kāi)發(fā)和生產(chǎn)的企業(yè)，其主要產(chǎn)品包括高壓集成電路（HVIC）、絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）、功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管（PowerMOS）、微控制單元（MCU）、傳感器（Sensor）及其集成化。
2023-11-09 14:41:48470 MOSFET （Metal -Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）是金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的英文縮寫(xiě)，由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電，也稱(chēng)為單極
2023-11-07 14:51:15638 
MOSFET中文名為金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，簡(jiǎn)稱(chēng)金氧半場(chǎng)效晶體管或MOS管，可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管。而功率MOSFET則指處于功率輸出級(jí)的MOSFET器件，通常工作電流大于1A。
2023-11-03 09:38:34196 
美格納半導(dǎo)體宣布推出微納加工增強(qiáng)型第六代 600V 超級(jí)結(jié)金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (SJ MOSFET)。 這款第六代 600V SJ MOSFET (MMD60R175S6ZRH) 采用
2023-11-02 17:04:01473 GTO、GTR、MOSFET和IGBT四種晶體管有何優(yōu)點(diǎn)和缺點(diǎn)？ GTO、GTR、MOSFET和IGBT常被用于功率電子器件中，各有強(qiáng)項(xiàng)和弱點(diǎn)，本文著重闡述四種晶體管的優(yōu)點(diǎn)和缺點(diǎn)。 一、 GTO
2023-10-19 17:01:256156 STM32H725ZGT6，ST/意法半導(dǎo)體，Arm?Cortex?-M7 32位550 MHz MCU，最高1 MB閃存，564 KB，RAM、以太網(wǎng)、USB、3個(gè)FD-CAN、圖形、2個(gè)16位
2023-10-16 15:52:51
根據(jù)專(zhuān)利摘要，該公開(kāi)是關(guān)于半導(dǎo)體元件及其制造方法的。半導(dǎo)體器件包括電裝效應(yīng)晶體管。電場(chǎng)效應(yīng)晶體管包括柵極、漏極、源極和氧化物半導(dǎo)體溝道。漏極和源極分別位于氧化物半導(dǎo)體通道的兩端。
2023-10-11 14:23:08417 
專(zhuān)業(yè)圖書(shū)47-《新概念模擬電路》t-I晶體管
2023-09-28 08:04:05
電源設(shè)計(jì)者只要熟悉雙極型晶體管的設(shè)計(jì)，掌握關(guān)于MOSFET管特性的基本信息，就可以很快學(xué)會(huì)使用MOSFET管進(jìn)行電路設(shè)計(jì)。對(duì)電路設(shè)計(jì)者來(lái)說(shuō),決定MOSFET管特性的制造材料和固態(tài)物理結(jié)構(gòu)并不太重要,這里
2023-09-28 06:33:09
晶體管是通常用于放大器或電控開(kāi)關(guān)的半導(dǎo)體器件。晶體管是調(diào)節(jié)計(jì)算機(jī)、移動(dòng)電話和所有其他現(xiàn)代電子電路運(yùn)行的基本構(gòu)件。
2023-09-27 10:59:402306 
參數(shù)參數(shù)名稱(chēng)屬性值Brand NameSTMicroelectronics廠商名稱(chēng)ST(意法半導(dǎo)體)零件包裝代碼SFM包裝說(shuō)明FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3針數(shù)3Reach
2023-09-26 21:23:46
介紹：
晶體管是一種用于放大或切換電子信號(hào)和電力的半導(dǎo)體器件。它是一種三端口半導(dǎo)體器件，這些引腳分別標(biāo)記為集電極（C）、基極（B）和發(fā)射極（E）。現(xiàn)在，我將展示如何使用萬(wàn)用表檢查晶體管。
2023-09-21 13:48:18832 
MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）晶體管是一種廣泛用于電子設(shè)備中開(kāi)關(guān)和放大電子信號(hào)的半導(dǎo)體器件。
MOSFET 是一種四端子器件，具有源極 (S)、柵極 (G)、漏極 (D) 和體 (B) 端子。MOSFET 的主體經(jīng)常連接到源極端子，因此使其成為類(lèi)似于場(chǎng)效應(yīng)晶體管的三端器件。
2023-09-20 15:09:28791 
2023 年 9 月 11 日，中國(guó) – 意法半導(dǎo)體新系列 IGBT晶體管將擊穿電壓提高到 1350V，最高工作溫度拓寬到175°C，更高的額定值確保晶體管在所有工作條件下具有更大的設(shè)計(jì)余量、耐變性能和更長(zhǎng)久的可靠性。
2023-09-19 11:07:01190 意法半導(dǎo)體新系列 IGBT晶體管將擊穿電壓提高到 1350V，最高工作溫度拓寬到175°C，更高的額定值確保晶體管在所有工作條件下具有更大的設(shè)計(jì)余量、耐變性能和更長(zhǎng)久的可靠性。
2023-09-12 10:38:00483 ▌峰會(huì)簡(jiǎn)介第五屆意法半導(dǎo)體工業(yè)峰會(huì)即將啟程，現(xiàn)我們敬邀您蒞臨現(xiàn)場(chǎng)，直擊智能熱點(diǎn)，共享前沿資訊，通過(guò)意法半導(dǎo)體核心技術(shù)，推動(dòng)加快可持續(xù)發(fā)展計(jì)劃，實(shí)現(xiàn)突破性創(chuàng)新~報(bào)名鏈接：https
2023-09-11 15:43:36
開(kāi)關(guān)頻率的PFC? SLLIMM* IPM逆變器電源? MDmesh M2超結(jié)功率MOSFET? 意法半導(dǎo)體Turbo 2超快高壓整流器? VIPER31輔助電源
2023-09-08 06:59:33
意法半導(dǎo)體擁有最先進(jìn)的平面工藝，并且會(huì)隨著G4不斷改進(jìn)：? 導(dǎo)通電阻約比G3低15%? 工作頻率接近1 MHz? 成熟且穩(wěn)健的工藝? 吞吐量、設(shè)計(jì)簡(jiǎn)單性、可靠性、經(jīng)驗(yàn)…? 適用于汽車(chē)的高生產(chǎn)率
2023-09-08 06:33:00
2023 年 9 月 6 日，中國(guó) ——意法半導(dǎo)體推出了首款具有電流隔離功能的氮化鎵 (GaN) 晶體管柵極驅(qū)動(dòng)器，新產(chǎn)品 STGAP2GS縮小了芯片尺寸，降低了物料清單成本，能夠滿足應(yīng)用對(duì)寬禁帶芯片的能效以及安全性和電氣保護(hù)的更高要求。
2023-09-07 10:12:13183 25年來(lái)，技術(shù)創(chuàng)新一直是意法半導(dǎo)體公司的戰(zhàn)略核心，這也是意法半導(dǎo)體當(dāng)前能夠?yàn)殡娏湍茉垂芾眍I(lǐng)域提供廣泛尖端產(chǎn)品的原因。意法半導(dǎo)體的產(chǎn)品組合包括高效率的電源技術(shù)，如：? 碳化硅功率分立器件? 高壓
2023-09-07 07:36:32
絕緣柵雙極晶體管也簡(jiǎn)稱(chēng)為IGBT ，是傳統(tǒng)雙極結(jié)型晶體管(BJT) 和場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)的交叉體，使其成為理想的半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)器件。
2023-09-06 15:12:291490 
本應(yīng)用筆記為將意法半導(dǎo)體環(huán)境傳感器 （氣壓、濕度、紫外線傳感器）成功集成到Linux/Android 操作系統(tǒng)提供指南。
2023-09-05 06:08:58
穩(wěn)定性和效率兼?zhèn)洌酌?b class="flag-6" style="color: red">MOSFET改變您的產(chǎn)品。一.MOSFET工作原理及作用1.工作原理MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)是一種常用的半導(dǎo)體器件，由源(Source)、漏(Drain
2023-09-04 16:19:19342 
晶體管是一種半導(dǎo)體元器件，它由三個(gè)層疊在一起的材料構(gòu)成，分別是 P 型半導(dǎo)體、N 型半導(dǎo)體和 P 型半導(dǎo)體。其中 NPN 和 PNP 型晶體管是最常用的兩種。晶體管有三個(gè)電極，分別是基極、發(fā)射極和集電極。
2023-08-25 17:17:47651 晶閘管和晶體管區(qū)別是什么？ 晶閘管和晶體管都屬于半導(dǎo)體器件的范疇，它們的出現(xiàn)都徹底改變了電子行業(yè)的發(fā)展。但是，晶閘管和晶體管之間存在著一些關(guān)鍵的區(qū)別，這些區(qū)別在分析它們的工作原理、特點(diǎn)、應(yīng)用等方面
2023-08-25 15:47:411278 晶體管的工作原理介紹? 晶體管是一種電子器件，它是現(xiàn)代電子設(shè)備的基礎(chǔ)，如計(jì)算機(jī)、手機(jī)、電視等。晶體管是一個(gè)半導(dǎo)體器件，它可以放大或開(kāi)關(guān)電流信號(hào)。晶體管的工作原理是由三個(gè)不同類(lèi)型的材料組成：N型半導(dǎo)體
2023-08-25 15:35:141791 晶體管和芯片的關(guān)系介紹 晶體管和芯片是現(xiàn)代電子技術(shù)中最重要的兩個(gè)概念，二者有密不可分的關(guān)系。晶體管是一種半導(dǎo)體材料制造的電子器件，而芯片則是晶體管等電子器件及相關(guān)電路的集成體。 一、晶體管 晶體管
2023-08-25 15:29:372440 、胸腔晶體管、雙極交接晶體管、金屬-氧化半導(dǎo)體外效晶體管和隔熱雙極晶體管的特性和使用。 Power Diode Diode Basics 在電子應(yīng)用中,二極管發(fā)揮簡(jiǎn)單的開(kāi)關(guān)功能,只允許電流向一個(gè)方向流動(dòng),電極二極管擁有更大的動(dòng)力、電壓和當(dāng)前處理能力,在電
2023-08-15 17:17:32699 
的制造商生產(chǎn)半導(dǎo)體（晶體管是該設(shè)備家族的成員），因此有數(shù)千種不同的類(lèi)型。有低功率、中功率和高功率晶體管，用于高頻和低頻工作，用于非常高電流和/或高電壓工作。本文概述了什么是晶體管、不同類(lèi)型的晶體管
2023-08-02 12:26:53
金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）的革命，讓我們可以在相同面積的晶圓上同時(shí)制造出更多晶體管。
2023-07-27 15:24:51609 
功率半導(dǎo)體包括功率半導(dǎo)體分立器件（含模塊）以及功率 IC 等。其中，功率半導(dǎo)體分立器件，按照器件結(jié)構(gòu)劃分，可分為二極管、晶閘管和晶體管等。
2023-07-26 09:31:035043 
MOSFET金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管。
2023-07-21 16:13:21480 
MOSFET是金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Metallic Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）的簡(jiǎn)稱(chēng)，有時(shí)候我們也會(huì)簡(jiǎn)寫(xiě)成MOS。下面是一個(gè)典型的MOSFET結(jié)構(gòu)。
2023-07-11 10:56:241285 
功率 MOSFET 即金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（ Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor ）有三個(gè)管腳，分別為柵極（ Gate
2023-06-28 08:39:353665 
功率/高頻射頻晶體管和發(fā)光二極管。2010年，第一款增強(qiáng)型氮化鎵晶體管普遍可用，旨在取代硅功率MOSFET。之后隨即推出氮化鎵功率集成電路- 將GaN FET、氮化鎵基驅(qū)動(dòng)電路和電路保護(hù)集成為單個(gè)器件
2023-06-25 14:17:47
升級(jí)到半橋GaN功率半導(dǎo)體
2023-06-21 11:47:21
用于無(wú)線充電應(yīng)用的高壓GaN功率半導(dǎo)體單級(jí)6.78 MHz功率放大器設(shè)計(jì)
2023-06-21 11:45:06
GaNFast功率半導(dǎo)體建模(氮化鎵)
2023-06-19 07:07:27
（VLSI）設(shè)備采用的設(shè)計(jì)方式有極大的不同，它仍然采用了與VLSI電路類(lèi)似的半導(dǎo)體加工工藝。金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)從70年代的初級(jí)場(chǎng)效應(yīng)晶體管發(fā)展而來(lái)。圖1描述了MOSFET的器件原理圖，傳輸特性和器件符號(hào)。雙極結(jié)型晶體管（BJT)自身的局限性驅(qū)動(dòng)了功率
2023-06-17 14:24:52591 
金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）的革命，讓我們可以在相同面積的晶圓上同時(shí)制造出更多晶體管。MOSFET體積越小，單個(gè) MOSFET的耗電量就越少，還可以制造出更多的晶體管，讓其發(fā)揮作用，可謂是一舉多得。
2023-06-13 12:29:09596 
和設(shè)計(jì)師的首選。本文將深入探討RX65T125HS1B功率晶體管的工作原理，并介紹其在不同應(yīng)用領(lǐng)域中的突出應(yīng)用。 一、RX65T125HS1B功率晶體管的工作原理 功率晶體管簡(jiǎn)介： 功率晶體管是一種用于控制和放大電力信號(hào)的半導(dǎo)體器件。與傳統(tǒng)的小信號(hào)晶體管相比
2023-06-12 16:48:161016 功率MOSFET即金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）有三個(gè)管腳，分別為柵極（Gate
2023-06-05 15:12:10671 
） 7. Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor (MOSFET)（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管） 8. Complementary MOSFET (CMOS)（互補(bǔ)MOSFET）
2023-06-02 14:15:36937 晶體管是什么控制型器件 晶體管屬于電流控制電流控制型器件。 晶體管是一種固體半導(dǎo)體器件（包括二極管、三極管、場(chǎng)效應(yīng)管、晶閘管等，有時(shí)特指雙極型器件），具有檢波、整流、放大、開(kāi)關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制等多種
2023-05-30 15:32:362177 我正在尋找摩托羅拉收音機(jī) VHF 射頻末級(jí)中使用的這些舊射頻晶體管的數(shù)據(jù)表，有人可以幫我嗎？
2023-05-30 07:40:02
MOSFET是金屬－氧化物－半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor，MOSFET）
2023-05-26 17:23:471114 
Nexperia | 為什么使用雙極性晶體管驅(qū)動(dòng)功率LED？
2023-05-24 12:15:48341 
IGBT（絕緣柵雙極晶體管）和MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）用于許多不同類(lèi)型的電源應(yīng)用，包括可再生能源、航空航天、汽車(chē)和運(yùn)輸、測(cè)試和測(cè)量以及電信。在設(shè)計(jì)階段，這些廣泛使用的功率晶體管
2023-05-24 11:25:281214 MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）是一種場(chǎng)效應(yīng)晶體管，這意味著它通過(guò)使用電場(chǎng)來(lái)控制電流。MOSFET 通常有三個(gè)端子：柵極、漏極和源極。漏極和源極之間傳導(dǎo)的電流通過(guò)施加到柵極的電壓進(jìn)行控制
2023-05-24 11:19:06720 柵型場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件。
2023-05-20 15:19:12583 
按照器件結(jié)構(gòu)，分為二極管、功率晶體管、晶閘管等，其中功率晶體管分為雙極性結(jié)型晶體管（BJT）、結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管（JFET）、金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）和絕緣柵雙極晶體管（IGBT）等。
2023-05-06 11:10:022967 
差分放大電路輸入共模信號(hào)時(shí)
為什么說(shuō)RE對(duì)每個(gè)晶體管的共模信號(hào)有2RE的負(fù)反饋效果
這里說(shuō)的每個(gè)晶體管的共模信號(hào)是指什么信號(hào) 是指輸入信號(hào) 還是指ie1 ie2 uoc ?
另外為什么是負(fù)的反饋
2023-04-25 16:15:31
為什么使用雙極性晶體管驅(qū)動(dòng)功率LED？
2023-04-24 09:09:55413 
）雙極型三極管和絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管（MetalOxideSemiconductor，MOS）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有（Metal-Oxide-Semi
2023-04-20 09:54:432097 
及前瞻產(chǎn)業(yè)研究院數(shù)據(jù)，預(yù)計(jì)2021年我國(guó)半導(dǎo)體分立器件市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到3,229億元。就國(guó)內(nèi)市場(chǎng)而言，二極管、三極管、晶閘管等分立器件產(chǎn)品大部分已實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)化，而MOSFET、IGBT等分立器件產(chǎn)品由于其
2023-04-14 16:00:28
及前瞻產(chǎn)業(yè)研究院數(shù)據(jù)，預(yù)計(jì)2021年我國(guó)半導(dǎo)體分立器件市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到3,229億元。就國(guó)內(nèi)市場(chǎng)而言，二極管、三極管、晶閘管等分立器件產(chǎn)品大部分已實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)化，而MOSFET、IGBT等分立器件產(chǎn)品由于其
2023-04-14 13:46:39
Toshiba研發(fā)出一種SiC金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET)，其將嵌入式肖特基勢(shì)壘二極管（SBD）排列成格子花紋（check-pattern embedded SBD），以降低導(dǎo)通電
2023-04-11 15:29:18
有沒(méi)有負(fù)觸發(fā)導(dǎo)通正的晶體管呢？哪位大神知道請(qǐng)賜教。謝謝啦！
2023-03-31 11:47:46
DU2860U 射頻功率 MOSFET 晶體管 60W，2-175MHz，28V 射頻功率 MOSFET 晶體管 60W，2-175MHz，28V
2023-03-31 10:37:00
DU2840S 射頻功率 MOSFET 晶體管 40W，2-175MHz，28V 射頻功率 MOSFET 晶體管
2023-03-30 18:07:32
半導(dǎo)體分立器件是由單個(gè)半導(dǎo)體晶體管構(gòu)成的具有獨(dú)立、完整功能的器件。例如：二極管、三極管、雙極型功率晶體管(GTR)、晶閘管(可控硅)、場(chǎng)效應(yīng)晶體管(結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管、MOSFET)、IGBT
2023-03-29 16:59:37404 
半導(dǎo)體分立器件是由單個(gè)半導(dǎo)體晶體管構(gòu)成的具有獨(dú)立、完整功能的器件。例如：二極管、三極管、雙極型功率晶體管(GTR)、晶閘管(可控硅)、場(chǎng)效應(yīng)晶體管(結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管、MOSFET)、IGBT
2023-03-28 13:10:04457 我在設(shè)計(jì) PCB 時(shí)犯了一個(gè)錯(cuò)誤，我的一些晶體管在原理圖上將集電極和發(fā)射極調(diào)換了?！罢！狈绞绞怯?1：基極，2：發(fā)射極，3：集電極，但我需要一個(gè)晶體管，1：基極，2：集電極，3：發(fā)射極。引腳號(hào)與此圖像相關(guān)：你知道有這種封裝的晶體管嗎？我知道我可以將它倒置并旋轉(zhuǎn)，但我想知道我是否可以正確使用一個(gè)。
2023-03-28 06:37:56
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