下一代高能量密度電池有望以鋰金屬作為負(fù)極，然而金屬鋰內(nèi)在問題，尤其是枝晶生長(zhǎng)，一直是其實(shí)際應(yīng)用的障礙。
2024-03-18 09:10:22
193 晶棒，通常用于制造半導(dǎo)體材料如單晶硅，是光伏產(chǎn)業(yè)、集成電路等高科技領(lǐng)域的關(guān)鍵部件。制備晶棒是一個(gè)復(fù)雜且需要高精度的過程，主要步驟包括原料準(zhǔn)備、晶體生長(zhǎng)、切割和拋光等。
2024-03-13 18:10:05925 從液態(tài)的熔融硅中生長(zhǎng)單晶硅的及基本技術(shù)稱為直拉法（Czochralski）。半導(dǎo)體工業(yè)中超過90%的單晶硅都是采用這種方法制備的。
2024-03-12 11:15:44146 
2月28日，Advanced Energy又迎來了一個(gè)激動(dòng)人心的時(shí)刻 ，其電商平臺(tái)正式于AE官網(wǎng)上線啦！
2024-03-11 11:42:45176 在SiC晶體的擴(kuò)徑生長(zhǎng)上比較困難，比如我們有了4英寸的晶體，想把晶體直徑擴(kuò)展到6英寸或者8英寸上，需要花費(fèi)的周期特別長(zhǎng)。
2024-03-04 10:45:4166 
HTCVD法能通過控制源輸入氣體比例可以到達(dá)較為精準(zhǔn)的 Si/C比，進(jìn)而獲得高質(zhì)量、高純凈度的碳化硅晶體，但由于氣體作為原材料晶體生長(zhǎng)的成本很高，該法主要用于生長(zhǎng)半絕緣型晶體。
2024-02-29 10:30:43172 
連接技術(shù)是推動(dòng)生成式AI從云端到邊緣側(cè)再到終端側(cè)規(guī)?；瘮U(kuò)展的關(guān)鍵因素。作為5G技術(shù)的演進(jìn)第二階段，5G Advanced不僅是向6G過渡的關(guān)鍵橋梁，也是實(shí)現(xiàn)“智能計(jì)算無處不在”時(shí)代的重要路徑。5G Advanced通過支持更多擴(kuò)展特性，滿足了全場(chǎng)景下多元化的業(yè)務(wù)需求，為各個(gè)行業(yè)帶來了前所未有的機(jī)遇。
2024-02-29 09:52:39134 在外加電場(chǎng)作用下折射率發(fā)生變化，從而使通過晶體的一束激光分解為兩束偏振方向相互垂直的偏振光，并產(chǎn)生一根位差效應(yīng)的晶體。
2024-02-27 11:09:03192 
隨著全球移動(dòng)市場(chǎng)逐步邁向5G Advanced，無線網(wǎng)絡(luò)對(duì)于提升用戶體驗(yàn)的關(guān)鍵性日益凸顯。
2024-02-22 17:23:37660 LED倒裝芯片的制備始于制備芯片的硅晶圓。晶圓通常是通過晶體生長(zhǎng)技術(shù)，在高溫高壓的條件下生長(zhǎng)出具有所需電特性的半導(dǎo)體材料，如氮化鎵（GaN）。
2024-02-06 16:36:432621 RISC-V 的芯片都出來很久了，現(xiàn)在RISC-V 都有哪家公司再推?。恳院笫遣皇且环N趨勢(shì)呀？
沁恒的產(chǎn)品如何？
2024-02-05 22:30:29
電耦合的石英晶體材料，如AT-或SC-cut石英晶體，可以顯著提高振蕩器的相位噪聲性能。 2. 優(yōu)化晶體產(chǎn)線制造工藝：晶體的制造工藝對(duì)噪聲性能有重要影響。通過優(yōu)化晶體的生長(zhǎng)，切割和擇優(yōu)等工藝流程，可以降低內(nèi)部應(yīng)力和非均勻性，進(jìn)而提高
2024-01-26 14:20:49147 2023年9月國(guó)星光電重磅推出全新GT1010系列產(chǎn)品（中文名為“星馳”），一經(jīng)問世便迅速獲得了行業(yè)客戶的高度認(rèn)可和好評(píng)，點(diǎn)燃市場(chǎng)“熱焰”。
2024-01-15 09:06:16240 
GT301機(jī)箱搭載了ARGB（可調(diào)節(jié)RGB）照明系統(tǒng)，為了提供更加靈活的燈光效果，配備了ARGB控制器。本文將詳細(xì)介紹GT301機(jī)箱ARGB控制器的接口及操作方法，以幫助用戶充分發(fā)揮機(jī)箱的燈光效果
2024-01-09 11:16:03395 一旦晶體在切割塊上被定向了，我們就可以沿著切割塊的這一根軸線打磨出一個(gè)平面或缺口(具體可以見下圖所示)。
2024-01-08 09:47:22131 
在晶體生長(zhǎng)的過程中，由于某些條件的引入將會(huì)導(dǎo)致結(jié)構(gòu)缺陷的生成。
2024-01-05 09:12:33123 
阿聯(lián)酋綜合電信公司（EITC）旗下的du宣布，已聯(lián)合諾基亞在5G SA無線網(wǎng)現(xiàn)網(wǎng)成功完成阿聯(lián)酋首個(gè)5G-Advanced RedCap試驗(yàn)。
2024-01-04 11:05:27147 浮區(qū)晶體生長(zhǎng)是本文所解釋的幾個(gè)過程之一，這項(xiàng)關(guān)鍵性的技術(shù)是在歷史早期發(fā)展起來的技術(shù)，至今仍用于特殊用途的需求。
2023-12-28 09:12:07153 
我們看到的半導(dǎo)體晶圓是從一塊完整的半導(dǎo)體大晶體切成出來形成的。
2023-12-25 09:28:21213 
, 48mΩ @ 4.5V, 20Vgs (±V)- 閾值電壓（Vth）：-1.5V- 封裝類型：SOP8應(yīng)用簡(jiǎn)介：GT4953-VB是一款雙P溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET）
2023-12-22 10:45:08
晶體材料可能有兩層原子結(jié)構(gòu)。首先是原子以特定的形狀排列在單個(gè)晶胞的特定的點(diǎn)上。
2023-12-22 10:21:17225 
）已達(dá)到12英寸的尺寸。同時(shí)，其熔體的制備方法更容易制備出厚度更大的晶錠，最高可達(dá)1米以上，大大降低了單位面積的襯底成本。因此，目前的制備方法和晶體尺寸的限制導(dǎo)致SiC襯底的市場(chǎng)價(jià)格很高，嚴(yán)重限制了下游行業(yè)[5]的進(jìn)一步應(yīng)用。
2023-12-20 13:46:36827 
S7-PLCSIM Advanced是西門子公司推出的一款PLC仿真軟件，其中“PLCSIM”是“PLC simulation”的縮寫，即“PLC仿真”。
2023-12-18 09:33:301809 
在接下來的一個(gè)章節(jié)里面，我們將主要介紹用砂子制備半導(dǎo)體級(jí)硅的方法，以及后續(xù)如何將其轉(zhuǎn)化為晶體和晶圓片(材料制備階段)，以及如何來生產(chǎn)拋光晶圓的過程(晶體生長(zhǎng)和晶圓制備)。
2023-12-18 09:30:21217 
單相電機(jī)啟動(dòng)時(shí)如果電容壞了，用手推一下電機(jī)，電機(jī)會(huì)不會(huì)轉(zhuǎn)起來？
2023-12-18 07:33:49
隨著農(nóng)業(yè)生產(chǎn)技術(shù)的不斷發(fā)展，監(jiān)測(cè)戶外和大棚的作物生長(zhǎng)環(huán)境確實(shí)變得至關(guān)重要。通過監(jiān)測(cè)作物生長(zhǎng)環(huán)境，我們可以及時(shí)了解土壤養(yǎng)分、溫濕度、光照等關(guān)鍵參數(shù)的變化，從而優(yōu)化農(nóng)作物的生長(zhǎng)條件，提高產(chǎn)量和質(zhì)量。同時(shí)
2023-12-15 13:09:13131 Crystals Group Ltd.執(zhí)行總裁Yuri MAKAROV做了“利用碳化鉭的坩堝中物理氣相傳輸生長(zhǎng)SiC和AlN晶體”的主題報(bào)告。
2023-12-09 14:47:15567 
今日，真我realme舉辦新品發(fā)布會(huì)，正式推出全新旗艦——真我GT5 Pro。真我GT5 Pro搭載第三代驍龍8移動(dòng)平臺(tái)以及超芯長(zhǎng)焦影像系統(tǒng)，實(shí)現(xiàn)性能和影像的雙重越級(jí)，同時(shí)在屏幕、閃充續(xù)航、外觀設(shè)計(jì)等方面也帶來全面躍升的旗艦體驗(yàn)。
2023-12-07 20:25:01707 晶體和非晶體的區(qū)別? 晶體和非晶體是固體材料的兩種基本結(jié)構(gòu)形態(tài)。晶體由具有規(guī)則排列的原子、離子或分子組成，而非晶體則是由無規(guī)則排列的原子、離子或分子組成。晶體和非晶體之間存在著許多顯著的差異，包括
2023-12-07 17:03:391701 算力到影像算法等多方面展開深度聯(lián)調(diào)。合作的成果將首先體現(xiàn)在真我GT5 Pro旗艦新品上，該產(chǎn)品將首發(fā)超芯長(zhǎng)焦影像系統(tǒng)，為用戶帶來全新的長(zhǎng)焦影像體驗(yàn)，引領(lǐng)長(zhǎng)焦影像新拐點(diǎn)。 首個(gè)第三代驍龍8+IMX890長(zhǎng)焦組合 挑戰(zhàn)潛望長(zhǎng)焦畫質(zhì)巔峰 作為真我realme傾心打造的全新旗艦
2023-11-26 14:29:44713 來至網(wǎng)友的提問：如何選擇分立晶體管？
2023-11-24 08:16:54
"在材料科學(xué)中討論有關(guān)晶體的生長(zhǎng)、變形、相變及性能等問題時(shí)，常需涉及晶體中原子的位置、原子列的方向（稱為晶向）和原子構(gòu)成的平面（稱為晶面）。為了便于確定和區(qū)別晶體中不同方位的晶向和晶面，國(guó)際上通常用米勒指數(shù)（Miller indices）來統(tǒng)一標(biāo)定晶向指數(shù)和晶面指數(shù)。"
2023-11-13 14:34:014261 
使用攝像頭進(jìn)行網(wǎng)絡(luò)推流
2023-11-09 00:10:30
2023-11-08 08:32:04
0 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《硅單晶生長(zhǎng)工藝.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-11-02 10:33:180 詳解SAC305錫膏在腐蝕環(huán)境的錫須生長(zhǎng)
2023-11-01 09:19:51420 
近年來，基于鈮酸鋰單晶薄膜的集成光電子器件可實(shí)現(xiàn)單通100G以上超高帶寬的高速光調(diào)制，已經(jīng)成為國(guó)際上的研究熱點(diǎn)和開發(fā)的重點(diǎn)領(lǐng)域。鈮酸鋰是整個(gè)光通信世界的守門人，鈮酸鋰對(duì)于光通信來說，相當(dāng)于硅在半導(dǎo)體行業(yè)中的地位一樣。
2023-10-22 15:06:03550 為制備適用于300 mm RF-SOI的低氧高阻襯底，團(tuán)隊(duì)自主開發(fā)了耦合橫向磁場(chǎng)的三維晶體生長(zhǎng)傳熱傳質(zhì)模型，并首次揭示了晶體感應(yīng)電流對(duì)硅熔體內(nèi)對(duì)流和傳熱傳質(zhì)的影響機(jī)制以及結(jié)晶界面附近氧雜質(zhì)的輸運(yùn)機(jī)制，相關(guān)成果分別發(fā)表在晶體學(xué)領(lǐng)域的頂級(jí)期刊《Crystal growth & design》
2023-10-20 14:30:45358 
科友半導(dǎo)體8英寸碳化硅（SiC）中試線在2023年4月正式貫通后，同步推進(jìn)晶體生長(zhǎng)厚度、良率提升和襯底加工產(chǎn)線建設(shè)，加快襯底加工設(shè)備調(diào)試與工藝參數(shù)優(yōu)化。
2023-10-18 17:43:40722 電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供ADI(ADI)MAX14937: Two Channel, 5kV<sub>RMS</sub> I<sup>2</sup>
2023-10-17 19:11:42
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供ADI(ADI)MAX77962: 23V<sub>IN</sub> 3.2A<sub>OUT</sub> USB-C
2023-10-17 18:34:21
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供ADI(ADI)MAX77960B-MAX77961B: 25V<sub>IN</sub>, 3A<sub>OUT</sub>
2023-10-16 19:22:44
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供ADI(ADI)ADXL367: Micropower, 3-Axis, ±2 <em>g</em>/±4 <em>g</em>
2023-10-12 18:38:36
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供ADI(ADI)ATG2128: I <sup>2 </sup>2 </sup>C <sup/sup>CMOS 8 × 12
2023-10-10 18:59:16
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供ADI(ADI)LT3960:CAN-物理收發(fā)器數(shù)據(jù)表I <sup>2 </sup>C相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊(cè)，更有LT3960:CAN-物理收發(fā)器數(shù)據(jù)表
2023-10-10 18:50:00
地址和串流密鑰，組合在一起，就是你的推流地址了。
回到開發(fā)板，輸入下面的命令
ffmpeg -f v4l2 -i /dev/video0 -c:v libx264 -preset ultrafast
2023-10-09 23:01:57
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供ADI(ADI)LTM8080: 40V <sub>sub>In </sub>、雙500米A或單1AUltralow噪音、超高PSRR 微模調(diào)調(diào)
2023-10-09 19:21:17
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供ADI(ADI)ADXL362:微電、3軸、2 < em>g < em>g/em>/%4 <em>g </em>
2023-10-09 19:06:25
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供ADI(ADI)LTM4702: 16V <sub>sub>In </sub>,8A Ultralow Noise Silent Switcher
2023-10-09 19:03:29
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供ADI(ADI)LTM4710-1:低V <sub>sub>IN </sub>,四八A硅開關(guān) 微模調(diào)控?cái)?shù)據(jù)表相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊(cè)，更有
2023-10-08 16:38:54
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供ADI(ADI)ACD5208F/ADG5209F:過失防護(hù),-0.4 pC sub> INJ </sub > , 8:1/Dual 4:1 多車相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)
2023-10-08 16:38:03
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供ADI(ADI)AD5593R: 8-通道、12Bit、可配置的ACDC/DAC(芯片參考),I <sup>2 </sup>2 </sup>
2023-10-08 16:24:25
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供ADI(ADI)AD2437: A<sup>2 </sup>B收發(fā)器數(shù)據(jù)表相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊(cè)，更有AD2437: A<sup>2 <
2023-10-07 17:50:45
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供ADI(ADI)LTM4658:低V<subsu>/sub>、高效率 10A相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊(cè)，更有LTM4658:低V<subsu>
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《STM32G4 Advanced Timer Break功能詳解.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-09-19 15:09:041 半導(dǎo)體工程裝備、北方華創(chuàng)的主要品種是刻蝕、薄膜、清洗、熱處理、晶體生長(zhǎng)等核心技術(shù)裝備，廣泛應(yīng)用邏輯部件，存儲(chǔ)半導(dǎo)體零部件、先進(jìn)封裝、第三代半導(dǎo)體照明、微機(jī)電系統(tǒng)、新型顯示、新能源，襯底材料制造等工藝過程。
2023-09-18 09:47:19578 查看 rtsp 服務(wù)是否實(shí)時(shí)推流
2023-09-18 07:36:13
據(jù)了解，此次信越化學(xué)工業(yè)與OKI開發(fā)的新技術(shù)，可以在特有的基板上噴射鎵系氣體，使晶體生長(zhǎng)。信越化學(xué)工業(yè)的增厚晶體技術(shù)與OKI的接合技術(shù)相結(jié)合，可以從基板上只揭下晶體，晶體放在其他基板上作為功率半導(dǎo)體的晶圓使用。
2023-09-08 16:31:15562 8月，天科合達(dá)開工建設(shè)位于徐州的碳化硅二期擴(kuò)大生產(chǎn)工程，總投資8.3億元。該項(xiàng)目投入生產(chǎn)后，每年有16萬個(gè)碳化硅晶圓的生產(chǎn)能力。該公司已經(jīng)6英寸和8英寸碳化硅制造的需要，可以滿足開發(fā)了以第五代晶體生長(zhǎng)爐，到2024年8英寸碳化硅基片的少量供給為目標(biāo)，到2025年第三季度將確保穩(wěn)定的納涼。
2023-08-24 09:53:21745 報(bào)告期內(nèi)，晶盛機(jī)電設(shè)備及服務(wù)營(yíng)業(yè)收入610693.24萬元，同比增長(zhǎng)71.23%。材料業(yè)務(wù)營(yíng)業(yè)收入1888274.7萬元，同比增長(zhǎng)244.17%。截至2023年6月30日，公司未完成晶體生長(zhǎng)設(shè)備及智能化加工設(shè)備合同共277.51億元，其中半導(dǎo)體設(shè)備合同33.24億元。
2023-08-22 11:34:22576 原位拉曼系統(tǒng)實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)半導(dǎo)體薄膜生長(zhǎng)全過程前言原位拉曼系統(tǒng)可以實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)半導(dǎo)體薄膜生長(zhǎng)全過程，利用共聚焦拉曼光譜的“In-Situ”方式，在石英爐中原位觀察半導(dǎo)體薄膜生長(zhǎng)過程，并且通過監(jiān)控不同的生長(zhǎng)因素
2023-08-14 10:02:34465 
近日，傳音旗下Infinix品牌鎖定海外年輕游戲玩家，推出全新產(chǎn)品線GT系列，并在印度首發(fā)該系列旗艦產(chǎn)品GT10 Pro。作為GT系列的首款重磅產(chǎn)品，GT 10 Pro一經(jīng)亮相，即以獨(dú)特的賽博朋克
2023-08-10 16:16:44603 晶棒的制備過程通常涉及液相或氣相生長(zhǎng)技術(shù)。通過控制溫度、壓力和其他參數(shù)，使材料從熔融態(tài)或氣相重新結(jié)晶，逐漸生長(zhǎng)出大尺寸的晶體棒。生長(zhǎng)過程中，晶體結(jié)構(gòu)逐漸延伸，最終形成完整的晶體棒。
2023-08-03 15:32:342281 晚于用于制造 BJT 的合金結(jié)和生長(zhǎng)結(jié)工藝。貝爾實(shí)驗(yàn)室于 1954 年開發(fā)出第一個(gè)原型擴(kuò)散晶體管。最初的擴(kuò)散晶體管是擴(kuò)散基極晶體管。
這些晶體管仍然有合金發(fā)射極，有時(shí)還有合金集電極，就像早期的合金結(jié)晶體
2023-08-02 12:26:53
run_cmax > ./starrc_cmax.logs 2>&1中的 2>&1是啥意思?
2023-07-30 14:44:171008 IDTP9165 Advanced 數(shù)據(jù)表
2023-07-13 18:53:080 IDTP9167 Advanced 數(shù)據(jù)表
2023-07-13 18:52:000 IDTP9122 Advanced 數(shù)據(jù)表
2023-07-13 18:35:520 IDTP9120 Advanced 數(shù)據(jù)表
2023-07-13 18:35:370 8英寸SiC晶體生長(zhǎng)的難點(diǎn)在于：首先要研制出8英寸籽晶；其次要解決大尺寸帶來的溫場(chǎng)不均勻和氣相原料分布和輸運(yùn)效率問題。
2023-07-05 14:59:33237 
GreenPAK Advanced Development Platform 用戶指南
2023-06-30 20:59:300 ，學(xué)生和家長(zhǎng)可實(shí)時(shí)了解植物生長(zhǎng)過程中的環(huán)境參數(shù)，方便學(xué)生進(jìn)行記錄，為種植過程中的數(shù)據(jù)提供了有力保障，同時(shí)考慮到植物生長(zhǎng)過程中澆水的需求，設(shè)計(jì)了遠(yuǎn)程澆水的功能，方便對(duì)植物進(jìn)行澆水，本項(xiàng)目中設(shè)計(jì)的澆水系統(tǒng)為
2023-06-28 14:54:41
\\gt9xx\\gt9xx.c"(驅(qū)動(dòng)用的是系統(tǒng)自帶的驅(qū)動(dòng)代碼) 2. 電容觸控芯片GT9XX觸摸調(diào)試 2.1 調(diào)試總覽，調(diào)試步驟分析 步驟 ① 先將gt9xx驅(qū)動(dòng)添加進(jìn)SDK編譯規(guī)則 步驟
2023-06-13 10:47:321844 
HVPE（氫化物氣相外延法）與上述兩種方法的區(qū)別還是在于鎵源，此方法通常以鎵的氯化物GaCl3為鎵源，NH3為氮源，在襯底上以1000 ℃左右的溫度生長(zhǎng)出GaN晶體。
2023-06-11 11:11:32276 由于GaN在高溫生長(zhǎng)時(shí)N的離解壓很高，很難得到大尺寸的GaN單晶材料，因此，為了實(shí)現(xiàn)低成本、高效、高功率的GaN HEMTs器件，研究人員經(jīng)過幾十年的不斷研究，并不斷嘗試?yán)貌煌耐庋?b class="flag-6" style="color: red">生長(zhǎng)方法在Si
2023-06-10 09:43:44681 目前需要使用1126 rtsp推流，有沒有什么方向能夠減少直播過程中的延時(shí)
2023-06-08 16:40:51
碳化硅襯底 產(chǎn)業(yè)鏈核心材料，制備難度大碳化硅襯底制備環(huán)節(jié)主要包括原料合成、碳化硅晶體生長(zhǎng)、晶錠加工、晶棒切割、切割片研磨、研磨片拋光、拋光片清洗等環(huán)節(jié)。
2023-05-09 09:36:483426 
新方法在整個(gè)8英寸晶圓上生長(zhǎng)出一個(gè)光滑、高度均勻的層，而不像以前的方法，在將二維材料轉(zhuǎn)移到芯片或晶圓之前，要在其他地方生長(zhǎng)二維材料。這一過程經(jīng)常導(dǎo)致不完美，對(duì)設(shè)備和芯片性能產(chǎn)生負(fù)面影響。
2023-05-05 14:29:54696 LabVIEW自帶一個(gè)執(zhí)行系統(tǒng)命令VI（System Exec.vi），位于函數(shù)選板的“互連接口”>>“庫與可執(zhí)行程序”>>“執(zhí)行系統(tǒng)命令”
2023-04-25 11:47:495809 
日前，廣汽埃安全新高端純電豪華品牌系列車型Hyper GT在2023上海車展正式亮相。仿佛穿越未來世界而來，Hyper GT擁有的不僅是科幻旋翼的炫酷金屬外觀，更具有智能硬核內(nèi)在：新車基于廣汽AEP
2023-04-21 11:15:04440 晶體很難均勻生長(zhǎng)，探測(cè)器的光敏面以及不同芯片之間D*通常會(huì)發(fā)生變化，晶體生長(zhǎng)困難增加了探測(cè)器成本；2、探測(cè)器制冷增加了尺寸和運(yùn)行功耗；3、MCT含有重金屬元素汞，不符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)。 InAsSb探測(cè)器的出現(xiàn)就可以很好地解決以上問題。接下來我們通過展示與
2023-04-07 07:31:05639 
供應(yīng)15A600V絕緣柵雙極型晶體管SGT15T60SD1T(F)(S)，提供SGT15T60SD1T(F)(S)關(guān)鍵參數(shù) ，更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向士蘭微IGBT代理驪微電子申請(qǐng)。>>
2023-04-03 15:15:382 窄帶隙 (≈1.2 eV) Pb-Sn 合金鈣鈦礦太陽能電池是一種有前途的全鈣鈦礦串聯(lián)器件底部組件電池，有望提供比單結(jié)太陽能電池的理論Shockley-Queisser 極限更高的效率。
2023-04-01 17:25:181083 介紹了SIC碳化硅材料的特性，包括材料結(jié)構(gòu)，晶體制備，晶體生長(zhǎng)，器件制造工藝細(xì)節(jié)等等。。。歡迎大家一起學(xué)習(xí)
2023-03-31 15:01:4817 IDTP9165 Advanced 數(shù)據(jù)表
2023-03-30 19:22:570 IDTP9167 Advanced 數(shù)據(jù)表
2023-03-30 19:21:510 IDTP9122 Advanced 數(shù)據(jù)表
2023-03-30 19:04:430 IDTP9120 Advanced 數(shù)據(jù)表
2023-03-30 19:04:280 STM32F103ZET6小系統(tǒng)板 DEVB_50X80MM 5V
2023-03-28 13:06:25
STM32F407ZGT6小系統(tǒng)板 DEVB_50X80MM 5V
2023-03-28 13:06:25
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