JW7109是一款具有可編程導(dǎo)通上升時間的低導(dǎo)通電阻雙通道負(fù)載開關(guān)，且支持較快的上升斜率，以滿足快速時序的要求。它包含兩個N溝道MOSFET，每個溝道可以提供6A的最大連續(xù)電流。每個通道可以在
2024-03-18 14:39:12
JW7107S是一款具有可編程導(dǎo)通上升時間的低導(dǎo)通電阻雙通道負(fù)載開關(guān)。它包含兩個N溝道MOSFET，每個溝道可以提供6A的最大連續(xù)電流。每個通道可以在0.8V到5.5V的輸入電壓范圍內(nèi)工作。 每個
2024-03-18 14:36:43
如何區(qū)別普通電阻和保險電阻？如何檢驗(yàn)保險電阻好壞？ 普通電阻和保險電阻是兩種不同的電子元件，下面將詳細(xì)介紹如何區(qū)分普通電阻和保險電阻，并說明如何檢驗(yàn)保險電阻的好壞。 1. 普通電阻和保險電阻的定義
2024-03-05 15:48:06
201 二極管種類有很多，按照所用的半導(dǎo)體材料，可分為鍺?極管（Ge管）和硅?極管（Si管），現(xiàn)在也有用碳化硅做材料的二極管，美國的cree和深圳薩科微slkor（www.slkoric.com)半導(dǎo)體推出
2024-03-05 14:23:46
帶來怎樣的驚喜呢？拭目以待吧。
瑞薩 RZ/G2UL 系列處理器是一款專為工業(yè)級應(yīng)用設(shè)計(jì)的芯片，它集成了 ARM Cortex-A55 高性能 CPU 和 ARM Cortex-M33 實(shí)時CPU
2024-02-04 23:38:07
150V高耐壓降壓芯片是一種電源管理芯片，其主要功能是將輸入電壓降低到較低的輸出電壓。以下是一般的高耐壓降壓芯片的工作原理：
輸入電壓穩(wěn)壓：首先，芯片會接收輸入電壓，這個電壓可能來自電池、電源適配器
2024-01-26 14:13:26
安建半導(dǎo)體 (JSAB) 隆重推出全新的150V SGT MOSFET產(chǎn)品平臺，平臺采用先進(jìn)的技術(shù)和設(shè)計(jì)，提供了卓越的開關(guān)特性和低導(dǎo)通電阻，從而實(shí)現(xiàn)了高效的能源轉(zhuǎn)換和低能耗操作，不僅可以顯著提高
2024-01-23 13:36:49291 
抗浪涌電阻和普通電阻的區(qū)別? 抗浪涌電阻和普通電阻雖然都屬于電阻器件，但在功能、結(jié)構(gòu)和特性方面有很大的區(qū)別。本文將詳盡、詳實(shí)、細(xì)致地從多個方面對這兩種電阻進(jìn)行比較分析。 1. 功能區(qū)別: 抗浪涌電阻
2024-01-18 16:16:58559 瑞薩電子推出圍繞64位RISC-V CPU內(nèi)核構(gòu)建的RZ/5個通用微處理器單元（MPU），具體的型號是多少？性能怎么樣？
2024-01-11 13:03:31
band gap power devices, power management ICs, and modules, today announced the release of two aMOS5? 600V FRD Super Junction MO
2024-01-05 15:05:39844 近日，昕感科技在新能源領(lǐng)域取得重大突破，推出了一款具有業(yè)界領(lǐng)先超低導(dǎo)通電阻的SiC MOSFET器件新產(chǎn)品（N2M120007PP0）。該產(chǎn)品的導(dǎo)通電阻達(dá)到了驚人的7mΩ，電壓規(guī)格為1200V，將為新能源領(lǐng)域提供更為高效、可靠的功率半導(dǎo)體開關(guān)解決方案。
2024-01-04 14:37:57316 用萬用表如何檢測普通電阻器？ 萬用表是一種多功能測量工具，用于測量電流、電壓和電阻。它可以用于檢測各種類型的電阻器，包括普通電阻器。在本文中，我們將介紹如何使用萬用表來檢測普通電阻器的詳細(xì)步驟
2023-12-20 10:46:24669 惠斯通電橋測電阻的基本原理和方法 惠斯通電橋是一種常用的電阻測量工具，廣泛應(yīng)用于實(shí)驗(yàn)室和工業(yè)控制領(lǐng)域。本文將詳細(xì)介紹惠斯通電橋的基本原理和方法，并說明其測量電阻的優(yōu)勢和局限性。 一、基本原理
2023-12-15 10:55:392758 型號：PV600BA-VB絲?。篤BA1311品牌：VBsemi參數(shù)說明：- MOSFET類型：N溝道- 額定電壓：30V- 最大電流：12A- 導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）：12mΩ @ 10V
2023-12-14 11:43:03
型號: NTJD4001NT1G-VB絲印: VBK3215N品牌: VBsemi詳細(xì)參數(shù)說明:- 溝道類型: N溝道- 額定電壓: 20V- 最大電流: 2A- 靜態(tài)導(dǎo)通電阻 (RDS
2023-12-14 10:34:15
小型封裝（6.50mm×7.00mm×1.66mm）的600V耐壓Super Junction MOSFET *1 ，新產(chǎn)品非常適用于照明用小型電源、電泵和電機(jī)等應(yīng)用。 R6004END4
2023-12-12 12:10:01222 
全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都市)開發(fā)出采用SOT-223-3小型封裝(6.50mm×7.00mm×1.66mm)的600V耐壓Super Junction MOSFET
2023-12-08 17:38:08242 
SL3038的輸入電壓范圍為4.5V至150V，使得它能夠適應(yīng)各種不同的電源電壓。這意味著您可以在不同的輸入電壓下使用SL3038，從而實(shí)現(xiàn)更靈活的應(yīng)用。
2. 高耐壓能力
SL3038的最大
2023-11-28 17:03:22
華芯微特SWM241系列性能完美兼容瑞薩的R5F100LEA，提供更高性價比的小家電32位MCU，SWM241 系列 32 位 MCU 內(nèi)嵌 ARM? CortexTM-M0 內(nèi)核
24位系統(tǒng)定時器
2023-11-20 15:43:07
的工作效率。在這些應(yīng)用中，中等耐壓的MOSFET被廣泛應(yīng)用于各種電 路中，制造商要求進(jìn)一步降低功耗。另一方面，“導(dǎo)通電阻
2023-11-20 01:30:56189 高壓功率MOSFET管早期主要為平面型結(jié)構(gòu)，采用厚低摻雜的N-外延層epi，保證器件具有足夠擊穿電壓，低摻雜N-外延層epi尺寸越厚，耐壓額定值越大，但是，導(dǎo)通電阻隨電壓以2.4-2.6次方增長，導(dǎo)通電阻急劇增大，電流額定值降低。
2023-11-04 08:46:121426 
美格納半導(dǎo)體宣布推出微納加工增強(qiáng)型第六代 600V 超級結(jié)金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管 (SJ MOSFET)。 這款第六代 600V SJ MOSFET (MMD60R175S6ZRH) 采用
2023-11-02 17:04:01473 請教大俠們 瑞薩的集成LO芯片8V97051，8V97051 L,8V97051 A
這三款有沒有區(qū)別？？
2023-10-30 12:36:41
精密電阻和普通電阻的區(qū)別 普通電阻能否代替精密電阻？ 電阻是電子工程中一個常見的元件，它被用來控制電流和電壓。精密電阻和普通電阻是電阻中的兩個主要類別，它們之間的區(qū)別在于精度和穩(wěn)定性。本文將詳細(xì)介紹
2023-10-29 11:21:55933 瑞薩RX130在時鐘頻率32MHz時，指令最短執(zhí)行時間是多少？
2023-10-28 07:01:18
東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出兩款600V小型智能功率器件（IPD）—“TPD4163K”和“TPD4164K”，可用于空調(diào)、空氣凈化器和泵等直流無刷電機(jī)驅(qū)動應(yīng)用。
2023-10-27 11:05:54657 
TDK的NTCRP系列（NTC熱敏電阻）廣泛應(yīng)用于各種可靠性要求較高的應(yīng)用中，包括電動汽車的驅(qū)動電機(jī)和電池、工業(yè)設(shè)備的溫度檢測等。而嚴(yán)格的絕緣電阻和絕緣耐壓測試是保障用戶使用安全性和可靠性的重要措施
2023-10-25 15:55:03283 
羅姆半導(dǎo)體推出了雙 MOSFET，該器件在單個封裝中集成了兩個 100V 芯片，使其適用于驅(qū)動通信基站和工業(yè)設(shè)備中的風(fēng)扇電機(jī)。這五款新型號已添加到HP8KEx/HT8KEx(Nch+Nch
2023-10-23 15:44:02482 美格納半導(dǎo)體公司 宣布推出兩款基于其第8代溝槽MOSFET技術(shù)的新型150V MXT MV 金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）。MXT MV MOSFET，代表美格納極限溝槽
2023-10-12 17:15:09736 ? 1、超級結(jié)構(gòu) 高壓功率MOSFET管早期主要為平面型結(jié)構(gòu)，采用厚低摻雜的N-外延層epi，保證器件具有足夠擊穿電壓，低摻雜N-外延層epi尺寸越厚，耐壓額定值越大，但是，導(dǎo)通電阻隨電壓
2023-10-07 09:57:362772 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《600V三相MOSFET/IGBT驅(qū)動器.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-09-25 11:27:50
0 SL3160
150V/0.8A 開關(guān)降壓型轉(zhuǎn)換器
概述
SL3160 是一款用于開關(guān)電源的內(nèi)置150V 高壓MOSFET 的DC-DC 控制器。
SL3160 內(nèi)置高壓啟動和自供電功能，可滿足
2023-09-18 14:44:25
說明
SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點(diǎn)，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明
2023-09-18 08:28:24
說明
SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點(diǎn)，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明
2023-09-18 08:28:22
說明
SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點(diǎn)，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明
2023-09-18 08:09:45
說明
SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點(diǎn)，使其特別適用于要求更高效、更緊湊、更輕、更高
2023-09-18 07:44:11
說明
SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點(diǎn)，使其特別適用于要求更高效、更緊湊、更輕、更高
2023-09-18 07:42:05
說明
SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點(diǎn)，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明
2023-09-18 07:30:53
說明
SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點(diǎn)，使其特別適用于要求更高效、更緊湊、更輕、更高
2023-09-18 06:56:21
說明
SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點(diǎn)，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明
2023-09-18 06:47:35
說明
SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點(diǎn)，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明
2023-09-18 06:28:58
說明
SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點(diǎn)，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明
2023-09-18 06:19:55
說明
SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點(diǎn)，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明
2023-09-18 06:19:44
說明
SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點(diǎn)，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明
2023-09-18 06:08:07
說明
SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點(diǎn)，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明
2023-09-18 06:07:42
SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點(diǎn)，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明，
高性能適配器等。
2023-09-15 08:19:34
說明
SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點(diǎn)，使其特別適用于要求更高效、更緊湊、更輕、更高
2023-09-15 08:16:35
SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高電壓功率MOSFET，根據(jù)P&S的超結(jié)原理。報(bào)價設(shè)備提供了快速切換的所有好處并且導(dǎo)通電阻低，使其特別適用于需要更多高效，更緊湊，LED照明，高
性能適配器等。
2023-09-15 08:16:02
SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superp&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點(diǎn)，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明
2023-09-15 08:12:36
SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點(diǎn)，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明，
高性能適配器等。
2023-09-15 08:08:54
SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點(diǎn)，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明，
高性能適配器等。
2023-09-15 07:55:12
說明
SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點(diǎn)，使其特別適用于要求更高效、更緊湊、更輕、更高
2023-09-15 07:17:57
說明
SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點(diǎn)，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明
2023-09-15 07:12:49
說明
SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點(diǎn)，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明
2023-09-15 07:06:08
SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點(diǎn)，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明，
高性能適配器等。
2023-09-15 06:55:35
SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點(diǎn)，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明，
高性能適配器等。
2023-09-15 06:19:23
SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點(diǎn)，使其特別適用于要求更高效、更緊湊、更輕、更高
2023-09-15 06:17:30
說明
SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點(diǎn)，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明
2023-09-15 06:09:58
波動，起到開關(guān)作用的MOSFET需要具備100V的耐壓能力。而另一方面，提高耐壓意味著與其存在權(quán)衡關(guān)系的導(dǎo)通電阻也會提高，效率會變差，因此，如何同時兼顧更高耐壓和更低導(dǎo)通電阻，是一個很大的挑戰(zhàn)。風(fēng)扇電機(jī)通常會使用多個MOSFET進(jìn)行驅(qū)動，為了節(jié)
2023-09-14 19:12:41305 
相對于IGBT，SiC-MOSFET降低了開關(guān)關(guān)斷時的損耗，實(shí)現(xiàn)了高頻率工作，有助于應(yīng)用的小型化。相對于同等耐壓的SJ-MOSFET，導(dǎo)通電阻較小，可減少相同導(dǎo)通電阻的芯片面積，并顯著降低恢復(fù)損耗。
2023-09-11 10:12:33566 
這些超結(jié)快速恢復(fù)硅基功率MOSFET兼具超低恢復(fù)電荷（Qrr）和超快快恢復(fù)時間（trr），以及出色的品質(zhì)因數(shù)（RDS(on) x Qg），能夠?yàn)橐髧?yán)苛的橋式拓?fù)浜蚙VS相移轉(zhuǎn)換器帶來極高的效率
2023-09-08 06:00:53
射頻電阻和普通電阻區(qū)別? 隨著科技的不斷進(jìn)步和應(yīng)用范圍的擴(kuò)大，射頻技術(shù)在越來越多領(lǐng)域被廣泛使用。在射頻電路中使用的電阻，被稱為射頻電阻，而普通電路中使用的電阻，被稱為普通電阻。射頻電阻和普通電阻之間
2023-09-02 10:25:431207 【瑞薩RAMCU創(chuàng)意氛圍賽】基于RA6M5的電子墨水屏微信信息站大信(QQ:8125036)一、創(chuàng)意方案簡介
手機(jī)微信是我們?nèi)粘Ｉ钪惺褂迷絹碓蕉嗟耐ㄐ殴ぞ咧唬謾C(jī)微信在給我們帶來便利的同時，也
2023-08-28 04:06:56
器件描述：漏源電壓（Vdss）：600V 連續(xù)漏極電流（Id）（25°C 時）：4A(Tc) 柵源極閾值電壓：4.5V @ 50uA 漏源導(dǎo)通電阻：2Ω @ 2A,10V 最大功率耗散
2023-08-21 10:49:56
SLH60R028E7是一款600VN溝道多層外延工藝的超結(jié)MOS，由于MOSFET的導(dǎo)通電阻隨著擊穿電壓的上升而迅速增大，故在高壓領(lǐng)域，普通MOSFET導(dǎo)通阻抗大，難以滿足實(shí)際應(yīng)用需要
2023-08-18 08:32:56513 
全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都市)面向通信基站和工業(yè)設(shè)備等的風(fēng)扇電機(jī)驅(qū)動應(yīng) 用，開發(fā)出將兩枚100V耐壓MOSFET* 1一體化封裝的雙MOSFET新產(chǎn)品。新產(chǎn)品分“HP8KEx
2023-08-11 11:16:16538 
報(bào)告中介紹，隨著功率半導(dǎo)體應(yīng)用領(lǐng)域逐漸擴(kuò)大，當(dāng)應(yīng)用在計(jì)算機(jī)和航空電子等領(lǐng)域中時，低導(dǎo)通壓降能夠縮小整機(jī)的冷卻系統(tǒng)，從而降低整機(jī)尺寸和成本，所以用戶對器件的導(dǎo)通電阻提出了更高的要求。
2023-08-09 16:21:36326 比起通用型片式電阻（RK73）把最高使用電壓加以高耐壓化
2023-08-02 16:47:01506 
收到米爾瑞薩RZ/G2L開發(fā)板后一直對米爾旗下開發(fā)板的做工感到非常精致，同時也有著很強(qiáng)大的功能，也一直很喜歡米爾系列開發(fā)板。
引領(lǐng)工業(yè)市場從32位MPU向64位演進(jìn)
基于瑞薩高性價比RZ/G2L
2023-07-29 00:21:11
同時實(shí)現(xiàn)業(yè)界超快反向恢復(fù)時間和業(yè)界超低導(dǎo)通電阻，可進(jìn)一步降低工業(yè)設(shè)備和白色家電的損耗 ROHM的600V耐壓Super Junction MOSFET PrestoMOS 產(chǎn)品陣容中又新增
2023-07-12 12:10:08437 關(guān)于電阻的使用，很多做低壓供電電子產(chǎn)品的硬件工程師不關(guān)注耐壓，甚至不知道有這個參數(shù)。
2023-07-10 10:35:28651 
納芯微全新推出120V半橋驅(qū)動NSD1224系列產(chǎn)品，該系列產(chǎn)品具備3A/-4A的峰值驅(qū)動電流能力，集成 高壓自舉二極管 ，提供使能、互鎖、欠壓保護(hù)不同版本，有SOP8、HSOP8、DFN10
2023-06-27 15:14:07
兩者因?yàn)槠鋿艠O都是在外延表面生長出來的平面結(jié)構(gòu)所以都統(tǒng)稱為平面柵MOSFET。還有另外一種結(jié)構(gòu)是把柵極構(gòu)建在結(jié)構(gòu)內(nèi)部，挖出來的溝槽里面，叫做溝槽型MOSFET。針對兩種不同的結(jié)構(gòu)，對其導(dǎo)通電阻的構(gòu)成進(jìn)行簡單的分析介紹。
2023-06-25 17:19:021448 
線。該器件采用超級結(jié)結(jié)構(gòu)，耐壓600V，適用于數(shù)據(jù)中心、開關(guān)電源和光伏發(fā)電機(jī)功率調(diào)節(jié)器。該新產(chǎn)品是東芝DTMOSVI系列中的首款600V產(chǎn)品，于今日開始批量出貨。 ? ? 通過對柵極設(shè)計(jì)和工藝進(jìn)行優(yōu)化，與具有相同漏源電壓額定值的東芝目前的DTMOSIV-H系列產(chǎn)品相比，600V DTMOSVI系列產(chǎn)品的
2023-06-13 16:38:50712 
效的保證，芯片的內(nèi)部缺陷遠(yuǎn)小于低成本的溝槽工藝產(chǎn)品，其高溫穩(wěn)定性大大提高。 內(nèi)阻低 超結(jié)MOS具有極低的內(nèi)阻，在相同的芯片面積下，超結(jié)MOS芯片的內(nèi)阻甚至只有傳統(tǒng)MOS的一半以上。
體積小 在同等
2023-06-13 16:30:37
收到的米爾瑞薩RZ/G2L開發(fā)板上電測試一下SSH登錄方式和其它測試！
SSH登錄
在使用之前，需要事先連接網(wǎng)絡(luò)，筆者這里使用的是以太網(wǎng)，事先需要使用串口的登錄，然后輸入以下命令查看IP地址
2023-06-11 21:47:39
【瑞薩RA MCU創(chuàng)意氛圍賽】1. PWM驅(qū)動LED以及STLINK下載配置【瑞薩RA MCU創(chuàng)意氛圍賽】2. KEIL下串口重定向printf和scanf
前言
OLED是單片機(jī)開發(fā)中會
2023-05-26 14:06:17
大多是基于51、stm32、arduino，所以想試試將自己玩過的模塊移植到瑞薩上
PS:本人本次參賽題目為基于NBIOT和阿里云的采集系統(tǒng)，但是發(fā)現(xiàn)板子上自帶esp8266模塊，會先采用esp8266
2023-05-26 09:42:11
今天剛剛收到米爾瑞薩RZ/G2L開發(fā)板，拆開包裹后給人的感覺是驚艷，板卡設(shè)計(jì)真的很棒，來看看視頻做個簡單了解吧。
更多板卡可以登錄官網(wǎng)了解哦。https://www.myir.cn/
2023-05-22 21:58:13
引言
很高興能有機(jī)會參加【瑞薩RA MCU創(chuàng)意氛圍賽】，在以前學(xué)習(xí)stm32的時候，就是野火的開發(fā)板、文檔以及視頻帶我入門的?，F(xiàn)在有空體驗(yàn)一下野火的產(chǎn)品——瑞薩系統(tǒng)的 啟明4M2 ，主控
2023-05-21 17:02:36
近日羅姆新推出“ RS6xxxx 系列/ RH6xxxx 系列 ”共13款Nch MOSFET產(chǎn)品（40V/60V/80V/100V/150V），備受各個廠家的青睞。本文將為各位工程師呈現(xiàn)該系
2023-05-17 13:35:02471 
Limited?（AOS,?納斯達(dá)克代碼:AOSL)推出 600V aMOS7? 超結(jié)高壓MOSFET。 aMOS7? 是 AOS最新一代高壓 MOSFET平臺，旨在滿足服務(wù)器、工作站、通信電源整流器
2023-05-11 13:52:15664 
新產(chǎn)品不僅利用微細(xì)化工藝提高了器件性能，還通過采用低阻值銅夾片連接的HSOP8封裝和HSMT8封裝，實(shí)現(xiàn)了僅2.1mΩ的業(yè)界超低導(dǎo)通電阻（Ron）*2，相比以往產(chǎn)品，導(dǎo)通電阻降低了50%。
2023-05-10 14:20:06215 
、靈活性較差。為此，RT-Thread 聯(lián)合 瑞薩 推出了全新的 HMI Board 開發(fā)模式，取代傳統(tǒng)的 HMI + 主控板 硬件，一套硬件即可實(shí)現(xiàn) HMI + IoT + 控制 的全套能力。依托于瑞薩
2023-05-08 08:22:12
ROHM | 開發(fā)出具有業(yè)界超低導(dǎo)通電阻的Nch MOSFET
2023-05-03 11:31:44372 
瑞薩RH850 R7F7010693 誰能破解？可以的加我V：13520223020
2023-04-22 14:29:33
有助于配備小型電機(jī)的設(shè)備減少抗噪聲設(shè)計(jì)工時和部件數(shù)量，并降低功率損耗 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）在其600V耐壓Super Junction MOSFET
2023-04-19 17:50:02407 
Toshiba研發(fā)出一種SiC金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET)，其將嵌入式肖特基勢壘二極管（SBD）排列成格子花紋（check-pattern embedded SBD），以降低導(dǎo)通電阻
2023-04-11 15:29:18
供應(yīng)電機(jī)常用igbt管SGTP50V60FD2PU耐壓600V 50A，提供SGTP50V60FD2PU關(guān)鍵參數(shù) ，更多產(chǎn)品手冊、應(yīng)用料資請向士蘭微IGBT代理驪微 電子申請。>>
2023-04-03 17:24:105 供應(yīng)全橋逆變IGBT耐壓600V、20A SGT20T60SDM1P7，提供SGT20T60SDM1P7關(guān)鍵參數(shù) ，更多產(chǎn)品手冊、應(yīng)用料資請向士蘭微IGBT代理驪微電子申請。>>
2023-04-03 16:02:491 供應(yīng)5a、600v耐壓igbt SGTP5T60SD1DFS可代換AOD5B65M1 ，提供SGTP5T60SD1DFS規(guī)格書參數(shù) ，可應(yīng)用于光伏，變頻器，UPS,SMPS以及PFC等領(lǐng)域，更多產(chǎn)品手冊、應(yīng)用料資請向士蘭微IGBT代理商驪微電子申請。>>
2023-04-03 14:48:131 1 比賽歷程總結(jié)我是在RA4M2測評活動第一次深入接觸瑞薩，瑞薩的產(chǎn)品真的是非常豐富，而且生態(tài)也做得非常好，有專業(yè)的開發(fā)工具，比如e2Studio，Renesas RA Smart
2023-04-02 21:56:47
感言有幸參加瑞薩舉辦的RA4M2網(wǎng)關(guān)設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)賽，了解了瑞薩RA系列單片機(jī)布局，工具鏈支持等。因?yàn)楣ぞ哝湹耐昝乐С?，RA4M2作品開發(fā)起來事半功倍，用戶可以只專注于功能邏輯的開發(fā)而不需要了解底層硬件
2023-03-31 16:07:32
中國上海， 2023 年 3 月 30 日 ——東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出150V N溝道功率MOSFET---“TPH9R00CQ5”，其采用最新一代
2023-03-30 13:37:14609 
逆變器、全橋驅(qū)動逆變器等領(lǐng)域。ir2104替代芯片ID7U603SEC-R1特點(diǎn)■浮動工作電壓可達(dá)600V■拉灌電流典型值210mA/360mA■兼容3.3V/5V的輸入邏輯電平■dV/dt抗干擾能力±5
2023-03-29 09:24:35930 
1200V耐壓的MOS管。當(dāng)前市面上這種MOSFET較少，且價格都很貴。另外，常規(guī)的1200V高壓MOSFET，其導(dǎo)通電阻比600V MOSFET的Rds(on)高，不容易實(shí)現(xiàn)高效率的要求。選擇ISOP交錯并聯(lián)LLC拓?fù)?，就可以繼續(xù)采用600V的MOS管，型號豐富，成本低，且模塊效率高。
2023-03-24 11:08:587905 
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