臺(tái)積電的 Suk Lee 發(fā)表了題為“摩爾定律和半導(dǎo)體行業(yè)的第四個(gè)時(shí)代”的主題演講。Suk Lee表示，任何試圖從半導(dǎo)體行業(yè)傳奇而動(dòng)蕩的歷史中發(fā)掘出一些意義的事情都會(huì)引起我的注意。正如臺(tái)積電所解釋
2024-03-13 16:52:37
瞻芯電子近日宣布成功推出三款第二代650V SiC MOSFET產(chǎn)品，這些產(chǎn)品不僅通過了嚴(yán)格的車規(guī)級(jí)可靠性認(rèn)證（AEC-Q101 Qualified），還具備業(yè)界領(lǐng)先的低損耗水平。這些新型MOSFET的推出，標(biāo)志著瞻芯電子在半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域的又一重要突破。
2024-03-13 09:24:13
279 意法半導(dǎo)體新推出的八路高邊開關(guān)兼?zhèn)渲悄芄δ芎驮O(shè)計(jì)靈活性，每條通道導(dǎo)通電阻RDS(on)(典型值)僅為110mΩ，保護(hù)系統(tǒng)能效，體積緊湊，節(jié)省 PCB 空間。
2024-03-12 11:41:49250 榮湃半導(dǎo)體近日宣布推出其最新研發(fā)的Pai8265xx系列柵極驅(qū)動(dòng)器，該系列驅(qū)動(dòng)器基于電容隔離技術(shù)，集成了多種保護(hù)功能，專為驅(qū)動(dòng)SiC、IGBT和MOSFET等功率管而設(shè)計(jì)。這款產(chǎn)品的推出，標(biāo)志著榮湃半導(dǎo)體在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的技術(shù)創(chuàng)新再次取得突破。
2024-03-12 11:11:52248 蓉矽半導(dǎo)體近日宣布，其自主研發(fā)的1200V 40mΩ SiC MOSFET產(chǎn)品NC1M120C40HT已順利通過AEC-Q101車規(guī)級(jí)測(cè)試和HV-H3TRB加嚴(yán)可靠性考核。這一里程碑式的成就不僅彰顯了蓉矽半導(dǎo)體在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的技術(shù)實(shí)力，也進(jìn)一步證明了其產(chǎn)品在新能源汽車、光伏逆變等高端應(yīng)用領(lǐng)域的強(qiáng)大競(jìng)爭(zhēng)力。
2024-03-12 11:06:30228 意法半導(dǎo)體（ST）近日推出了一系列功率MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器，這些產(chǎn)品不僅在設(shè)計(jì)上追求穩(wěn)健性和可靠性，還致力于提供高度的系統(tǒng)集成性和靈活性，以滿足不同應(yīng)用場(chǎng)景的需求。
2024-03-12 10:54:43224 近日，全球知名的半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商Vishay宣布推出新型80V對(duì)稱雙通道N溝道功率MOSFET，型號(hào)為SiZF4800LDT。這款新產(chǎn)品將高邊和低邊TrenchFET? Gen IV
2024-03-12 10:32:0293 想問一下，半導(dǎo)體設(shè)備需要用到溫度傳感器的有那些設(shè)備，比如探針臺(tái)有沒有用到，具體要求是那些，
2024-03-08 17:04:59
，TSS已經(jīng)成為電子領(lǐng)域中的重要組成部分，被廣泛應(yīng)用于電力電子、通訊、光電子等領(lǐng)域。
二、半導(dǎo)體放電管TSS的工作原理TSS的工作原理基于快速開關(guān)的思想，其結(jié)構(gòu)主要由一個(gè)PN結(jié)或P-i-N結(jié)、一個(gè)控制電極
2024-03-06 10:07:51
意法半導(dǎo)體（下文為ST）的功率MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器旨在提供穩(wěn)健性、可靠性、系統(tǒng)集成性和靈活性的完美結(jié)合。
2024-02-27 09:05:36578 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《N-通道100V1.04 mohmMOSFET和CCPAK1212包裝中增強(qiáng)的SOA.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-02-20 10:52:14
0 安建半導(dǎo)體 (JSAB) 隆重推出全新的150V SGT MOSFET產(chǎn)品平臺(tái)，平臺(tái)采用先進(jìn)的技術(shù)和設(shè)計(jì)，提供了卓越的開關(guān)特性和低導(dǎo)通電阻，從而實(shí)現(xiàn)了高效的能源轉(zhuǎn)換和低能耗操作，不僅可以顯著提高
2024-01-23 13:36:49291 
安建半導(dǎo)體推出具有完全自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的1200V-17mΩ SiC MOSFET，通過獨(dú)特設(shè)計(jì)確保產(chǎn)品的卓越性能和可靠性，在國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的碳化硅晶圓代工廠流片，產(chǎn)能充裕，供應(yīng)穩(wěn)定，性價(jià)比高。
2024-01-20 17:54:00916 
今日（1月18日），意法半導(dǎo)體在官微宣布，公司與聚焦于碳化硅（SiC）半導(dǎo)體功率模塊和先進(jìn)電力電子變換系統(tǒng)的中國(guó)高科技公司致瞻科技合作，為致瞻科技電動(dòng)汽車車載空調(diào)中的壓縮機(jī)控制器提供意法半導(dǎo)體第三代碳化硅（SiC）MOSFET技術(shù)。
2024-01-19 09:48:16254 
band gap power devices, power management ICs, and modules, today announced the release of two aMOS5? 600V FRD Super Junction MO
2024-01-05 15:05:39844 V 功率 MOSFET 的半導(dǎo)體制造商，采用全新系統(tǒng)和應(yīng)用優(yōu)化的OptiMOS 7 MOSFET 技術(shù)。新產(chǎn)品創(chuàng)建行業(yè)新基準(zhǔn)，我們使客戶能夠在低輸出電壓的 DC-DC 轉(zhuǎn)換領(lǐng)域邁出新的一步, 釋放更優(yōu)秀系統(tǒng)效率和性能，賦能未來。
2023-12-29 12:30:49362 
【科普小貼士】金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）
2023-12-13 14:22:41260 
根據(jù)不同的誘因，常見的對(duì)半導(dǎo)體器件的靜態(tài)損壞可分為人體，機(jī)器設(shè)備和半導(dǎo)體器件這三種。
當(dāng)靜電與設(shè)備導(dǎo)線的主體接觸時(shí)，設(shè)備由于放電而發(fā)生充電，設(shè)備接地，放電電流將立即流過電路，導(dǎo)致靜電擊穿。外部物體
2023-12-12 17:18:54
小型封裝（6.50mm×7.00mm×1.66mm）的600V耐壓Super Junction MOSFET *1 ，新產(chǎn)品非常適用于照明用小型電源、電泵和電機(jī)等應(yīng)用。 R6004END4
2023-12-12 12:10:01222 
全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都市)開發(fā)出采用SOT-223-3小型封裝(6.50mm×7.00mm×1.66mm)的600V耐壓Super Junction MOSFET
2023-12-08 17:38:08242 
，NSF040120L3A0和NSF080120L3A0是安世半導(dǎo)體SiC MOSFET產(chǎn)品組合中首批發(fā)布的產(chǎn)品，隨后安世半導(dǎo)體將持續(xù)擴(kuò)大產(chǎn)品陣容，推出多款具有不同RDS(on)的器件，并提供通孔封裝和表面貼裝封裝供選擇。
2023-12-05 10:33:32177 據(jù)介紹，NSF040120L3A0和NSF080120L3A0是安世半導(dǎo)體SiC MOSFET產(chǎn)品組合中首批發(fā)布的產(chǎn)品，隨后安世半導(dǎo)體將持續(xù)擴(kuò)大產(chǎn)品陣容，推出多款具有不同RDS(on)的器件，并提供通孔封裝和表面貼裝封裝供選擇。
2023-12-04 16:49:11519 基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家 Nexperia（安世半導(dǎo)體）近日宣布推出其首款碳化硅(SiC) MOSFET，并發(fā)布兩款采用 3 引腳 TO-247 封裝的 1200 V 分立器件，RDS(on) 分別為 40 mΩ 和 80 mΩ。
2023-12-04 10:39:50413 官方網(wǎng)站稱，2015年6月成立的鉅芯科技是從事半導(dǎo)體輸出芯片和零部件研發(fā)，生產(chǎn)，銷售的高新技術(shù)企業(yè)。產(chǎn)品包括半導(dǎo)體分立元件芯片、半導(dǎo)體分立元件、半導(dǎo)體功率模塊及mosfet等。
2023-11-30 10:07:46343 來源：ACT半導(dǎo)體芯科技 2023年已接近尾聲，半導(dǎo)體行業(yè)依然在挑戰(zhàn)中前行。隨著市場(chǎng)需求和應(yīng)用領(lǐng)域的變化，半導(dǎo)體企業(yè)需要不斷推出新產(chǎn)品和解決方案，以滿足市場(chǎng)的需求。 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)作為現(xiàn)代信息技術(shù)
2023-11-20 18:32:52262 
美格納半導(dǎo)體宣布推出微納加工增強(qiáng)型第六代 600V 超級(jí)結(jié)金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (SJ MOSFET)。 這款第六代 600V SJ MOSFET (MMD60R175S6ZRH) 采用
2023-11-02 17:04:01473 供應(yīng)APG082N01 100v控制器mos管銓力N通道增強(qiáng)型MOSFET管，是ALLPOWER銓力半導(dǎo)體代理商，提供APG082N01規(guī)格參數(shù)等，更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向驪微電子申請(qǐng)。>>
2023-10-27 16:35:09
－通孔式小型封裝有助于減小表貼面積和電機(jī)電路板尺寸－ ? 中國(guó)上海， 2023 年 10 月 26 日 ——東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）今日宣布，推出兩款600V小型智能功率器件
2023-10-27 16:18:50791 
東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）今日宣布，推出兩款600V小型智能功率器件（IPD）—“TPD4163K”和“TPD4164K”，可用于空調(diào)、空氣凈化器和泵等直流無刷電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用。
2023-10-27 11:05:54657 
Littelfuse宣布推出首款汽車級(jí)PolarP P通道功率MOSFET產(chǎn)品 IXTY2P50PA。這個(gè)創(chuàng)新的產(chǎn)品設(shè)計(jì)能滿足汽車應(yīng)用的嚴(yán)苛要求，提供卓越的性能和可靠性。
2023-10-25 09:43:25402 MOSFET、600V~1350V溝槽柵場(chǎng)截止型IGBT，相關(guān)核心技術(shù)已獲得多項(xiàng)專利授權(quán)，四大系列產(chǎn)品均獲得江蘇省高新技術(shù)產(chǎn)品認(rèn)定。
l 深圳芯能
成立時(shí)間：2013年
業(yè)務(wù)模式：設(shè)計(jì)
簡(jiǎn)介：深圳芯能半導(dǎo)體
2023-10-16 11:00:14
《半導(dǎo)體芯科技》編譯 來源：EENEWS EUROPE 牛津大學(xué)的一家衍生公司籌集了600萬(wàn)美元用于半導(dǎo)體設(shè)計(jì)的機(jī)器學(xué)習(xí)設(shè)備。 Machine Discovery從用于模擬半導(dǎo)體仿真的AI配套設(shè)備
2023-10-08 16:50:14180 供應(yīng)APG022N06G 150a 60v逆變器mos封裝PDFN5x6-銓力半導(dǎo)體代理，是ALLPOWER銓力半導(dǎo)體代理商，提供APG022N06G規(guī)格參數(shù)等，更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向驪微電子申請(qǐng)。>>
2023-09-27 15:38:22
本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是半導(dǎo)體芯片的制作和半導(dǎo)體芯片封裝的詳細(xì)資料概述
2023-09-26 08:09:42
=4.5VRDS（ON）< 6mΩ @ VGS=10V?高功率和電流處理能力?ESD保護(hù)?表面安裝包?無鉛和綠色設(shè)備可用（RoHS兼容）應(yīng)用?PWM應(yīng)用程序?負(fù)載交換機(jī)?電源管理?供電系統(tǒng)
2023-09-25 12:00:40
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《600V三相MOSFET/IGBT驅(qū)動(dòng)器.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-09-25 11:27:500 SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點(diǎn)，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明，
高性能適配器等。
2023-09-15 06:19:23
數(shù)明半導(dǎo)體最新推出的SiLM59xx和SiLM58xx系列是帶有主動(dòng)保護(hù)和高CMTI的單通道隔離門極驅(qū)動(dòng)芯片，擁有強(qiáng)勁的驅(qū)動(dòng)能力、完善的保護(hù)功能、超高的CMTI能力。其中，SiLM59xx系列提供
2023-09-13 10:29:491274 
解決方案·低壓伺服驅(qū)動(dòng)解決方案·基于SiC的光伏逆變器DC-AC解決方案·8通道IO-Link主站解決方案
▌峰會(huì)議程
▌參會(huì)福利
1、即日起-9月27日，深圳用戶報(bào)名預(yù)約【意法半導(dǎo)體工業(yè)峰會(huì)2023
2023-09-11 15:43:36
安建半導(dǎo)體40V SGT MOSFET產(chǎn)品已經(jīng)通過AEC-Q101車規(guī)認(rèn)證的全部測(cè)試。
2023-09-06 17:48:45474 用于IGBT的STGAP2HD和用于SiC MOSFET的STGAP2SICD，采用意法半導(dǎo)體新型6kV電流隔離技術(shù)，以及SO-36W寬體封裝。瞬態(tài)抗擾度為±100V/ns，可防止電噪音工作條件
2023-09-05 06:59:59
穩(wěn)定性和效率兼?zhèn)?，雷?b class="flag-6" style="color: red">MOSFET改變您的產(chǎn)品。一.MOSFET工作原理及作用1.工作原理MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)是一種常用的半導(dǎo)體器件，由源(Source)、漏(Drain
2023-09-04 16:19:19342 
MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)是一種常用的半導(dǎo)體器件，由源(Source)、漏(Drain)和柵(Gate)三個(gè)主要區(qū)域組成。依照其“通道”(工作載流子的極性不同，可分為“N型“與“P 型”的兩種類型，通又稱為 NMOS與 PMOS。。
2023-09-01 09:53:331158 
TDM3478 N-通道增強(qiáng)模式MOSFET芯片 概述 TDM3478使用先進(jìn)的溝槽技術(shù)，提供優(yōu)良的RDS（ON）和低柵極電荷。該設(shè)備適用于作為負(fù)載開關(guān)或在PWM應(yīng)用程序中使用。 一般說明 ?RDS
2023-09-01 09:46:40251 
和管理者。今年，Nexperia（安世半導(dǎo)體）的熱插拔MOSFET與碳化硅肖特基二極管兩款明星產(chǎn)品現(xiàn)已雙雙入圍年度功率半導(dǎo)體！ 采用SMD銅夾片LFPAK88封裝的熱插拔專用MOSFET(ASFET) 同時(shí)
2023-08-28 15:45:311140 ?Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation（下稱“Toshiba”）推出了兩款適用于直流無刷電動(dòng)機(jī)應(yīng)用領(lǐng)域的600V小型智能功率元件(IPD
2023-08-25 11:20:34496 ，減少人力資源消耗，為半導(dǎo)體行業(yè)降本增效。Novator系列全自動(dòng)影像儀創(chuàng)新推出的飛拍測(cè)量、圖像拼接、環(huán)光獨(dú)立升降、圖像匹配、無接觸3D掃描成像等功能，多方面滿足客戶測(cè)量需求，解決各行業(yè)尺寸測(cè)量難題。
2023-08-21 13:38:06
（Ta=25°C）：70W(Tc) 類型：N溝道 N溝道 600V 4A。應(yīng)用場(chǎng)景：適用于高效率開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和照明應(yīng)用等，可用于電源因數(shù)校正（PFC）電路中
2023-08-21 10:49:56
報(bào)告中介紹，隨著功率半導(dǎo)體應(yīng)用領(lǐng)域逐漸擴(kuò)大，當(dāng)應(yīng)用在計(jì)算機(jī)和航空電子等領(lǐng)域中時(shí)，低導(dǎo)通壓降能夠縮小整機(jī)的冷卻系統(tǒng)，從而降低整機(jī)尺寸和成本，所以用戶對(duì)器件的導(dǎo)通電阻提出了更高的要求。
2023-08-09 16:21:36326 先楫半導(dǎo)體使用上怎么樣？
2023-08-08 14:56:29
金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）的革命，讓我們可以在相同面積的晶圓上同時(shí)制造出更多晶體管。
2023-07-27 15:24:51609 
功率半導(dǎo)體包括功率半導(dǎo)體分立器件（含模塊）以及功率 IC 等。其中，功率半導(dǎo)體分立器件，按照器件結(jié)構(gòu)劃分，可分為二極管、晶閘管和晶體管等。
2023-07-26 09:31:035043 
供應(yīng)ID5S609SEC-R1 600V高低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)芯片可代換IR2304，提供id5s609芯片資料關(guān)鍵參數(shù) ，廣泛應(yīng)用于中小型功率電機(jī)驅(qū)動(dòng)、功率MOSFET或IGBT驅(qū)動(dòng)、半橋功率逆變器
2023-07-20 14:20:134 供應(yīng)ID7U603SEC-R1 600V半橋MOS柵極驅(qū)動(dòng)IC，提供ID7U603規(guī)格書關(guān)鍵參數(shù) ，更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向芯朋微代理商深圳市驪微電子申請(qǐng)。>>
2023-07-20 14:11:044 供應(yīng)ID7U603SEC-R1 600V高速功率MOSFET和IGBT半橋驅(qū)動(dòng)芯片可代換IR2104，提供ID7U603SEC-R1關(guān)鍵參數(shù) ，更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向芯朋微代理商深圳市驪微電子申請(qǐng)。>>
2023-07-20 14:10:05
逆變器中600V-1200V 碳化硅MOSFET未來十年的復(fù)合年增長(zhǎng)率為27%。
2023-07-17 11:33:24277 
同時(shí)實(shí)現(xiàn)業(yè)界超快反向恢復(fù)時(shí)間和業(yè)界超低導(dǎo)通電阻，可進(jìn)一步降低工業(yè)設(shè)備和白色家電的損耗 ROHM的600V耐壓Super Junction MOSFET PrestoMOS 產(chǎn)品陣容中又新增
2023-07-12 12:10:08437 基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia (安世半導(dǎo)體)今日宣布，將憑借600 V器件系列進(jìn)軍絕緣柵雙極晶體管(IGBT)市場(chǎng)，而30A NGW30T60M3DF將打響進(jìn)軍市場(chǎng)的第一炮
2023-07-05 16:34:291053 TF23892M是一種三相柵極驅(qū)動(dòng)IC，設(shè)計(jì)用于高壓、高速應(yīng)用，驅(qū)動(dòng)半橋配置的n通道MOSFETs和igbt。TF半導(dǎo)體的高壓工藝使TF23892M高側(cè)能夠在引導(dǎo)操作中切
2023-07-04 11:14:43
TF21364M是一種三相柵極驅(qū)動(dòng)器IC，設(shè)計(jì)用于高壓、高速應(yīng)用，驅(qū)動(dòng)半橋配置的n通道MOSFETs和igbt。TF半導(dǎo)體的高壓工藝使TF21364M高側(cè)能夠在引導(dǎo)操作中切
2023-07-04 10:59:30
TF2136M是一種三相柵極驅(qū)動(dòng)器IC，設(shè)計(jì)用于高壓、高速應(yīng)用，驅(qū)動(dòng)半橋配置的n通道MOSFETs和igbt。TF半導(dǎo)體的高壓工藝使TF2136M高側(cè)能夠在引導(dǎo)操作中切
2023-07-04 10:46:50
TF21064M是一種高壓、高速柵極驅(qū)動(dòng)器，能夠在半橋配置中驅(qū)動(dòng)n通道MOSFET和IGBT。TF半導(dǎo)體的高壓過程使TF21064M的高側(cè)能夠在引導(dǎo)操作中切換到600V
2023-06-29 10:14:02
TF21814是一種高壓、高速的柵極驅(qū)動(dòng)器，能夠在半橋式配置中驅(qū)動(dòng)n-通道MOSFETs和igbt。TF半導(dǎo)體的高壓過程使TF2181M的高側(cè)在
2023-06-29 09:10:24
為滿足汽車市場(chǎng)對(duì)產(chǎn)品可靠性和安全性的需求，數(shù)明半導(dǎo)體近期推出車規(guī)級(jí)高壓、高速MOSFET/IGBT驅(qū)動(dòng)芯片SiLM21814-AQ，該產(chǎn)品通過AEC-Q100認(rèn)證。600V,2.5A/3.5A的高低
2023-06-27 14:56:17510 TF21844M是一種高壓、高速柵極驅(qū)動(dòng)器，能夠在半橋配置中驅(qū)動(dòng)n通道MOSFET和IGBT。TF半導(dǎo)體的高壓過程使TF21844M的高側(cè)能夠在引導(dǎo)操作中切換到600V
2023-06-26 15:00:48
致力于提供高品質(zhì)芯片的國(guó)內(nèi)優(yōu)秀模擬及數(shù)模混合芯片設(shè)計(jì)商上海類比半導(dǎo)體技術(shù)有限公司（下稱“類比半導(dǎo)體”或“類比”）宣布推出低功耗、多通道、支持呼吸阻抗測(cè)量的生物電勢(shì)模擬前端芯片AFE95x。該系列芯片
2023-06-26 10:18:48900 
TF2103M是一種高壓、高速的柵極驅(qū)動(dòng)器，能夠在半橋式配置中驅(qū)動(dòng)n-通道MOSFETs和igbt。TF半導(dǎo)體的高壓過程使TF2103M高側(cè)切換到600V的引導(dǎo)操作
2023-06-25 16:39:30
TF2184是一種高壓、高速柵極驅(qū)動(dòng)器，能夠在半橋配置中驅(qū)動(dòng)n通道MOSFET和igbt。TF半導(dǎo)體的高壓過程使TF2184的高側(cè)能夠在引導(dǎo)
2023-06-25 16:25:20
氮化鎵(GaN)是一種全新的使能技術(shù)，可實(shí)現(xiàn)更高的效率、顯著減小系統(tǒng)尺寸、更輕和于應(yīng)用中取得硅器件無法實(shí)現(xiàn)的性能。那么，為什么關(guān)于氮化鎵半導(dǎo)體仍然有如此多的誤解？事實(shí)又是怎樣的呢？
關(guān)于氮化鎵技術(shù)
2023-06-25 14:17:47
升級(jí)到半橋GaN功率半導(dǎo)體
2023-06-21 11:47:21
GaNFast功率半導(dǎo)體建模(氮化鎵)
2023-06-19 07:07:27
中國(guó)上海， 2023 年 6 月 13 日 ——東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）今日宣布，推出采用最新一代工藝制造[1]的TK055U60Z1，進(jìn)一步擴(kuò)充了N溝道功率MOSFET系列產(chǎn)品
2023-06-13 16:38:50712 
電機(jī)控制領(lǐng)域。CMS32M65xx系列MCU是中微半導(dǎo)體推出的基于ARM-Cortex M0+內(nèi)核的高端電機(jī)控制專用芯片。主頻高達(dá)64MHz；工作電壓1.8V至5.5V；提供64KB Flash
2023-06-09 09:11:16
ZXGD3114N7產(chǎn)品簡(jiǎn)介 DIODES 的 ZXGD3114N7 是一款 600V 有源 OR-ing MOSFET 控制器，設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng)極低 RDS(ON) 功率 MOSFET 作為
2023-06-02 16:15:17
根據(jù)中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)人才白皮書數(shù)據(jù)來看，目前行業(yè)內(nèi)從業(yè)人員僅46w左右，人才缺口仍有30w之 巨 。在國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體行業(yè)快速發(fā)展的當(dāng)下，定位、搶奪優(yōu)質(zhì)人才是企業(yè)未來長(zhǎng)期發(fā)展的基石。
那么每年秋招就是贏得
2023-06-01 14:52:23
Nexperia | 推出用于自動(dòng)安全氣囊的專用MOSFET (ASFET)新產(chǎn)品組合 基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的專家 Nexperia（安世半導(dǎo)體）推出了用于自動(dòng)化安全氣囊應(yīng)用的專用 MOSFET
2023-05-29 10:35:11372 MOSFET 等類型；從技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)看，采用制程復(fù)雜芯片工藝以及采用氮化鎵等新型材料和與之相匹配的封裝工藝制造具有優(yōu)異性能參數(shù)產(chǎn)品是場(chǎng)效應(yīng)管生產(chǎn)廠商不斷追蹤的熱點(diǎn)。
廣東友臺(tái)半導(dǎo)體有限公司(簡(jiǎn)稱
2023-05-26 14:24:29
上海數(shù)明半導(dǎo)體有限公司最新推出的雙通道 30V, 5A/5A 的高速低邊門極驅(qū)動(dòng)器 SiLM27624 系列，支持高達(dá) 30V 的輸入電源供電，滿足更高的驅(qū)動(dòng)電壓輸出。
2023-05-17 11:18:21438 
Limited?（AOS,?納斯達(dá)克代碼:AOSL)推出 600V aMOS7? 超結(jié)高壓MOSFET。 aMOS7? 是 AOS最新一代高壓 MOSFET平臺(tái)，旨在滿足服務(wù)器、工作站、通信電源整流器
2023-05-11 13:52:15664 
數(shù)明半導(dǎo)體最新推出的SiLM572x和SiLM574x是雙通道和四通道數(shù)字隔離器，支持最高100Mbps的數(shù)據(jù)傳輸率，并通過車規(guī)級(jí)AEC-Q100認(rèn)證。
2023-04-25 11:47:37783 
有助于配備小型電機(jī)的設(shè)備減少抗噪聲設(shè)計(jì)工時(shí)和部件數(shù)量，并降低功率損耗 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）在其600V耐壓Super Junction MOSFET
2023-04-19 17:50:02407 
、5G新應(yīng)用、新型顯示的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈。 ? 本屆展會(huì)規(guī)模達(dá)5,0000㎡，匯聚600多家半導(dǎo)體企業(yè)。SEMI-e 深入挖掘半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈上下游優(yōu)質(zhì)企業(yè)，同步推出電子元器件、IC設(shè)計(jì)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)高峰會(huì) 匯集鎂伽科技、聯(lián)想凌拓、眾鴻、研華科技、魯汶儀器、格靈精睿、中科藍(lán)海
2023-04-18 13:38:15784 
制造產(chǎn)業(yè)的轉(zhuǎn)移、下游行業(yè)需求的拉動(dòng)以及國(guó)家推出的支持政策，半導(dǎo)體分立器件行業(yè)已經(jīng)進(jìn)入快速發(fā)展通道。目前，我國(guó)已經(jīng)成為全球重要的半導(dǎo)體分立器件制造基地和全球最大的半導(dǎo)體分立器件市場(chǎng)，根據(jù)中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)
2023-04-14 16:00:28
制造產(chǎn)業(yè)的轉(zhuǎn)移、下游行業(yè)需求的拉動(dòng)以及國(guó)家推出的支持政策，半導(dǎo)體分立器件行業(yè)已經(jīng)進(jìn)入快速發(fā)展通道。目前，我國(guó)已經(jīng)成為全球重要的半導(dǎo)體分立器件制造基地和全球最大的半導(dǎo)體分立器件市場(chǎng)，根據(jù)中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)
2023-04-14 13:46:39
創(chuàng)新、自主可控，推出HPM6000高性能RISC-V MCU產(chǎn)品系列，助力推動(dòng)國(guó)產(chǎn)創(chuàng)新型替代進(jìn)程。國(guó)潮崛起，先楫半導(dǎo)體邀您一起共同邁向高性能 “芯” 時(shí)代。
2023-04-10 18:39:28
供應(yīng)ups逆變器igbt單管SGT60N60FD1P7 ，提供SGT60N60FD1P7 600v 60a規(guī)格書參數(shù) ，更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向驪微電子申請(qǐng)。>>
2023-04-04 10:39:344 供應(yīng)ups逆變器中的igbt管600v 60a SGT60N60FD1P7，是士蘭微IGBT代理，提供SGT60N60FD1P7關(guān)鍵參數(shù) ，可應(yīng)用于光伏，變頻器，UPS,SMPS以及PFC等領(lǐng)域，更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向驪微電子申請(qǐng)。>>
2023-04-04 10:37:48
供應(yīng)50a 600v igbt 驅(qū)動(dòng)電路SGTP50V60FD2PF，提供SGTP50V60FD2PF關(guān)鍵參數(shù) ，更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向士蘭微IGBT代理驪微電子申請(qǐng)。>>
2023-04-03 17:15:592 供應(yīng)全橋逆變IGBT耐壓600V、20A SGT20T60SDM1P7，提供SGT20T60SDM1P7關(guān)鍵參數(shù) ，更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向士蘭微IGBT代理驪微電子申請(qǐng)。>>
2023-04-03 16:02:491 國(guó)產(chǎn)RISC-V MCU 之 先楫半導(dǎo)體 MCU 介紹HPM6700/6400系列-RISC-V 內(nèi)核支持雙精度浮點(diǎn)運(yùn)算及強(qiáng)大的 DSP 擴(kuò)展，主頻高達(dá) 816 MHz，創(chuàng)下了高達(dá)
2023-04-03 14:32:24
逆變器、全橋驅(qū)動(dòng)逆變器等領(lǐng)域。ir2104替代芯片ID7U603SEC-R1特點(diǎn)■浮動(dòng)工作電壓可達(dá)600V■拉灌電流典型值210mA/360mA■兼容3.3V/5V的輸入邏輯電平■dV/dt抗干擾能力±5
2023-03-29 09:24:35930 
POWER SUPERFET MOSFET N-CHANNEL
2023-03-27 14:32:04
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