宜普推出氮化鎵場效應(yīng)晶體管(eGaN FET)EPC2012

　　宜普電源轉(zhuǎn)換公司(www.epc-co.com)宣布推出第二代增強性能氮化鎵場效應(yīng)晶體管(eGaN FET)系列中的最新成員——EPC2012。EPC2012具有環(huán)保特性、無鉛、無鹵化物以及符合RoHS(有害物質(zhì)限制)條例。

　　EPC2012 FET是一款面積為1.6平方毫米的200VDS器件，RDS(ON)最大值是100mΩ，柵極電壓為5V。這種eGaN FET具有比第一代EPC1012 eGaN器件明顯更高的性能優(yōu)勢。EPC2012的脈沖額定電流提高至15A(而EPC1012只有12A)，因此在較低柵極電壓時，其性能得以全面增強，而且由于提高了QGD/QGS比率，EPC2012還具有優(yōu)異的dv/dt抗干擾性能。

　　與具有相同導(dǎo)通電阻的先進硅功率MOSFET相比，EPC2012體積小很多，而開關(guān)性能卻高出許多倍。受益于eGaN FET性能的應(yīng)用包括高速DC/DC電源、負載點轉(zhuǎn)換器、D類音頻放大器、硬開關(guān)和高頻電路。

　　“隨著宜普氮化鎵場效應(yīng)晶體管系列產(chǎn)品的不斷擴展，氮化鎵場效應(yīng)晶體管的性能標桿得以進一步提升。另外，這種新一代eGaN產(chǎn)品是業(yè)界首批不含鉛及符合RoHS要求的器件?！惫餐瑒?chuàng)始人兼首席執(zhí)行官Alex Lidow表示。

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場效應(yīng)晶體管(19268) 場效應(yīng)晶體管(19268)
宜普(7790) 宜普(7790)
eGaN FET(6986) eGaN FET(6986)
EPC2012(5360) EPC2012(5360)

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具有電平位移&可調(diào)轉(zhuǎn)換率控制的1.2V-8V，3A 聚合物薄膜場效應(yīng)晶體管(PFET) 高側(cè)負載開關(guān)數(shù)據(jù)表

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可以用鋁或多晶硅做柵極材料，是什么原因呢？

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一種集成低功耗pH傳感器的離子敏感場效應(yīng)晶體管（ISFET）

據(jù)麥姆斯咨詢報道，德國弗勞恩霍夫光子微系統(tǒng)研究所（Fraunhofer IPMS）開發(fā)出一種用于芯片式pH值測量的傳感層，并成功將其集成到離子敏感場效應(yīng)晶體管（ISFET）中。

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P溝道增強型場效應(yīng)晶體管 CJ2301數(shù)據(jù)手冊

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CGHV96050F1衛(wèi)星通信氮化鎵高電子遷移率晶體管CREE

CGHV96050F1是款碳化硅(SiC)基材上的氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。與其它同類產(chǎn)品相比，這些GaN內(nèi)部搭配CGHV96050F1具有卓越的功率附帶效率。與硅或砷化鎵

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晶體管場效應(yīng)管的·輸入輸出電阻是怎么求解的·？

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2024-01-15 18:06:15

氮化鎵mos管型號有哪些

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2024-01-10 09:32:15

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FET晶體管電路設(shè)計參數(shù)

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一文詳解MOSFET

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2023-12-28 15:47:15

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N溝道增強模式場效應(yīng)晶體管SDA09T英文手冊

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N溝道增強模式場效應(yīng)晶體管SDA09T規(guī)格書

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2023-12-13 14:36:44

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場效應(yīng)晶體管柵極電流是多大 場效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor，FET）是一種基于電場控制的電子器件，常用于放大、開關(guān)和調(diào)制等電子電路中。在FET中，柵極電流是其關(guān)鍵特性

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MOSFET結(jié)構(gòu)、原理及測試

MOSFET由MOS(MetalOxideSemiconductor金屬氧化物半導(dǎo)體)+FET(FieldEffectTransistor場效應(yīng)晶體管)這個兩個縮寫組成。即通過給金屬層(M-金屬

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華為公開“半導(dǎo)體器件”專利：提升場效應(yīng)晶體管電流驅(qū)動能力

根據(jù)專利摘要，該公開是關(guān)于半導(dǎo)體元件及其制造方法的。半導(dǎo)體器件包括電裝效應(yīng)晶體管。電場效應(yīng)晶體管包括柵極、漏極、源極和氧化物半導(dǎo)體溝道。漏極和源極分別位于氧化物半導(dǎo)體通道的兩端。

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場效應(yīng)管(MOSFET)如何選型呢？

場效應(yīng)管(MOSFET)也叫場效應(yīng)晶體管，是一種單極型的電壓控制器件

2023-10-08 17:23:34

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場效應(yīng)晶體管的基礎(chǔ)知識

場效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor，簡稱FET）是一種廣泛應(yīng)用于電子設(shè)備中的半導(dǎo)體器件。它的主要特點是具有輸入電阻高、噪聲低、功耗低等優(yōu)點。場效應(yīng)晶體管的工作原理是基于電場效應(yīng)，即在柵極和源極之間施加一個控制電壓，使得溝道區(qū)域的載流子發(fā)生漂移，從而改變電流的導(dǎo)通狀態(tài)。

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一文詳解場效應(yīng)晶體管

在半導(dǎo)體器件的講解中，場效應(yīng)晶體管應(yīng)該說最值得拿來詳細介紹一番的。

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干貨分享|高功率氮化鎵場效應(yīng)晶體管：高性能、高效率、高可靠性（上）

Nexperia(安世半導(dǎo)體)的高功率氮化鎵場效應(yīng)晶體管，共將分為(上)(下)兩期，包含其工藝、性能優(yōu)勢、產(chǎn)品及封裝等內(nèi)容。本期將先介紹 Nexperia(安世半導(dǎo)體)氮化鎵產(chǎn)品的成熟的工藝。

2023-09-25 08:19:00

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干貨分享|高功率氮化鎵場效應(yīng)晶體管：高性能、高效率、高可靠性（下）

的通信和工業(yè)基礎(chǔ)設(shè)施等領(lǐng)域。氮化鎵場效應(yīng)晶體管能夠以較低的系統(tǒng)成本，實現(xiàn)更小、更快、散熱性能更優(yōu)、更輕便的系統(tǒng)。

2023-09-25 08:17:54

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MOS場效應(yīng)晶體管(簡稱MOS管)是一種新型的半導(dǎo)體器件，圖1是N溝導(dǎo)MOS管芯結(jié)構(gòu)原理圖，即在P型硅基片上有兩個 N+擴散區(qū)，其中一個稱源，用S表示，另一個稱漏，用D表示，在D和S間的硅片上覆蓋了較薄的8iO。絕緣層和金屬層，并引出一電極，稱柵，用G表示。應(yīng)用中 D接正，8接地，G用正電源控制。

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絕緣柵雙極晶體管——IGBT，認識其原理及其應(yīng)用

絕緣柵雙極晶體管也簡稱為IGBT ，是傳統(tǒng)雙極結(jié)型晶體管(BJT) 和場效應(yīng)晶體管(MOSFET)的交叉體，使其成為理想的半導(dǎo)體開關(guān)器件。

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場效應(yīng)管MOSFET是mos管嗎？場效應(yīng)管mos管的區(qū)別？場效應(yīng)管和mos管有什么不一樣的地方？? MOSFET和場效應(yīng)管（FET）都屬于半導(dǎo)體器件中的一種，類似晶體管。MOSFET是MOS（金屬

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晶體管和場效應(yīng)管的區(qū)別? 晶體管和場效應(yīng)管是電子設(shè)備中常用的兩種元器件，它們都是半導(dǎo)體器件，用于放大和控制電流的流動。雖然它們在某些方面可能有一些相似之處，但它們也有很多明顯的不同點。下面將會詳細

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根據(jù)專利摘要，本申請?zhí)峁┘呻娐芳夹g(shù)領(lǐng)域，場效應(yīng)晶體管，可以簡化集成電路的制造過程，降低生產(chǎn)費用。集成電路由設(shè)置在基板和基板上的finfet組成。gaafet和/或forksheet fet;finfet包含第一個聲道層。

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2000 年代初就已開始，但 GaN 晶體管仍處于起步階段。毫無疑問，它們將在未來十年內(nèi)取代功率應(yīng)用中的硅晶體管，但距離用于數(shù)據(jù)處理應(yīng)用還很遠。 Keep Tops氮化鎵有什么好處？氮化鎵的出現(xiàn)

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場效應(yīng)晶體管簡稱場效應(yīng)管，它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件，具有輸入電阻高(107~1015Ω)、噪聲小、功耗低、動態(tài)范圍大、易集成、沒有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點。

2023-08-18 16:01:28

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mosfet和mos管的區(qū)別 MOSFET的工作原理

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第4代碳化硅場效應(yīng)晶體管的應(yīng)用

Qorvo （UnitedSiC）近宣布推出采用新型表面貼裝 TOLL 封裝的 750V/5.4mΩ SiC FET，擴大了公司的性能地位，并擴大了其突破性的第 4 代 SiC FET 產(chǎn)品組合

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區(qū)域組成：柵極、源極和漏極。與雙極晶體管不同，FET 是電壓控制器件。柵極處的電壓控制電流從晶體管的源極流向漏極。場效應(yīng)晶體管具有非常高的輸入阻抗，從幾兆歐 (MΩ) 到更大的電阻值。這種高輸入阻抗

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Transistors to Microfluidic Devices”的綜述文章，回顧了集成傳感器的主要研究進展，并重點介紹了場效應(yīng)晶體管在化學和生化分析器件開發(fā)中的潛在應(yīng)用。

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2023-07-17 15:52:50

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如何驗證 GaN 的可靠性

鑒于氮化鎵 (GaN) 場效應(yīng)晶體管 (FET) 能夠提高效率并縮小電源尺寸，其采用率正在迅速提高。但在投資這項技術(shù)之前，您可能仍然會好奇GaN是否具有可靠性。

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MOSFET是金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（Metallic Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）的簡稱，有時候我們也會簡寫成MOS。下面是一個典型的MOSFET結(jié)構(gòu)。

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NP160N055TUKMOS場效應(yīng)晶體管

2023-07-07 18:41:52

功率MOS場效應(yīng)晶體管設(shè)計過程

功率MOS場效應(yīng)晶體管電參數(shù)指標中規(guī)定的電參數(shù)一般分為三大類：直流參數(shù)、交流參數(shù)和極限參數(shù)。

2023-07-05 14:57:19

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while(1)到底占了多少CPU功耗呢？這些功耗去哪里了呢？

我們將CPU簡單看作場效應(yīng)晶體管FET的集合。這么多個FET隨著每一次的翻轉(zhuǎn)都在消耗者能量。

2023-06-29 17:30:42

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如何判斷場效應(yīng)管工作狀態(tài)

Oxide Semiconductor FET，簡稱MOSFET,1960年誕生）組成。 ? 2 場效應(yīng)管的分類及工作原理 場效應(yīng)管是一種單極型晶體管，與雙極型晶體管BJT都屬于晶體管。在雙極型晶體管中

2023-06-29 09:21:34

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MOSFET場效應(yīng)管的分類及工作原理

管（ Meta Oxide Semiconductor FET，簡稱MOSFET,1960年誕生）組成。 ? ? ? 2 場效應(yīng)管的分類及工作原理 場效應(yīng)管是一種單極型晶體管，與雙極型晶體管BJT都屬于晶體管。在雙極

2023-06-28 08:39:28

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有關(guān)氮化鎵半導(dǎo)體的常見錯誤觀念

功率/高頻射頻晶體管和發(fā)光二極管。2010年，第一款增強型氮化鎵晶體管普遍可用，旨在取代硅功率MOSFET。之后隨即推出氮化鎵功率集成電路- 將GaN FET、氮化鎵基驅(qū)動電路和電路保護集成為單個器件

2023-06-25 14:17:47

為什么氮化鎵比硅更好？

度為1.1 eV，而氮化鎵的禁帶寬度為3.4 eV。由于寬禁帶材料具備高電場強度，耗盡區(qū)窄短，從而可以開發(fā)出載流子濃度非常高的器件結(jié)構(gòu)。例如，一個典型的650V橫向氮化鎵晶體管，可以支持超過800V

2023-06-15 15:53:16

氮化鎵: 歷史與未來

，以及基于硅的 “偏轉(zhuǎn)晶體管 “屏幕產(chǎn)品的消亡。因此，氮化鎵是我們在電視、手機、平板電腦、筆記本電腦和顯示器中，使用的高分辨率彩色屏幕背后的核心技術(shù)。在光子學方面，氮化鎵還被用于藍光激光技術(shù)（最明顯

2023-06-15 15:50:54

什么是氮化鎵（GaN）？

鎵具有更小的晶體管、更短的電流路徑、超低的電阻和電容等優(yōu)勢，氮化鎵充電器的充電器件運行速度，比傳統(tǒng)硅器件要快 100倍。更重要的是，氮化鎵相比傳統(tǒng)的硅，可以在更小的器件空間內(nèi)處理更大的電場，同時提供更快的開關(guān)速度。此外，氮化鎵比硅基半導(dǎo)體器件，可以在更高的溫度下工作。

2023-06-15 15:41:16

什么是氮化鎵功率芯片？

eMode硅基氮化鎵技術(shù)，創(chuàng)造了專有的AllGaN?工藝設(shè)計套件（PDK），以實現(xiàn)集成氮化鎵 FET、氮化鎵驅(qū)動器，邏輯和保護功能于單芯片中。該芯片被封裝到行業(yè)標準的、低寄生電感、低成本的 5×6mm 或

2023-06-15 14:17:56

后羿hy1908 80V/90A mos管-hy1908場效應(yīng)晶體管參數(shù)

供應(yīng)后羿hy1908 80V/90A mos管，提供hy1908場效應(yīng)晶體管參數(shù) ，更多產(chǎn)品手冊、應(yīng)用料資請向深圳市驪微電子申請。>>

2023-06-08 14:05:12

功率MOSFET基本結(jié)構(gòu)：平面結(jié)構(gòu)

功率MOSFET即金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）有三個管腳，分別為柵極（Gate

2023-06-05 15:12:10

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鰭式場效應(yīng)晶體管FinFET

MOSFET是金屬－氧化物－半導(dǎo)體場效晶體管（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor，MOSFET）

2023-05-26 17:23:47

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場效應(yīng)管(FET)基本放大電路分析

FET是Field effect transistor的縮寫，稱為場效應(yīng)管。它是晶體管的一種，也被稱為單極晶體管。另一種晶體管是我們常說的雙極晶體管。它們的工作原理完全不同。

2023-05-25 17:27:36

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單向晶閘管的檢測

正常時陽值成為數(shù)下歐以值較小司圍2.2 VMOS場效應(yīng)品體管源極S、漏極D的判定 VMSO場效應(yīng)晶體管的R和R的檢測

2023-05-24 10:35:15

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絕緣柵雙極型晶體管IGBT結(jié)溫估算

柵型場效應(yīng)晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件。

2023-05-20 15:19:12

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場效應(yīng)晶體管的工作原理和結(jié)構(gòu)

　　場效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor，簡稱FET)是一種半導(dǎo)體器件，它是一種基于電場效應(yīng)的三極管。與普通的三極管相比，場效應(yīng)晶體管的控制電流非常小，因此具有高輸入阻抗和低噪聲等優(yōu)點。

2023-05-17 15:15:37

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場效應(yīng)晶體管的優(yōu)勢

場效應(yīng)管是利用控制輸入回路的電場效應(yīng)來控制輸出回路電流的一種半導(dǎo)體器件，并以此命名。僅靠半導(dǎo)體中的多數(shù)載流子導(dǎo)電，又稱單極型晶體管。

2023-05-16 15:24:34

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場效應(yīng)晶體管的作用

場效應(yīng)晶體管是電壓控制元件，因此和普通雙極型晶體管相比，場效應(yīng)晶體管具有輸入阻抗高、噪聲低、動態(tài)范圍大、功耗小、易于集成等特點，這就決定了場效應(yīng)晶體管與其它電子元件有異曲同工之妙。

2023-05-16 15:20:04

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場效應(yīng)晶體管的分類

場效應(yīng)晶體管是依靠一塊薄層半導(dǎo)體受橫向電場影響而改變其電阻（簡稱場效應(yīng)），使具有放大信號的功能。這薄層半導(dǎo)體的兩端接兩個電極稱為源和漏。控制橫向電場的電極稱為柵。

2023-05-16 15:14:08

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場效應(yīng)晶體管工作原理

場效應(yīng)晶體管是一種利用控制輸入電路的電場效應(yīng)來控制輸出電路電流的半導(dǎo)體器件，并以此命名。因為它只依靠半導(dǎo)體中的多數(shù)載流子來導(dǎo)電，所以又稱為單極晶體管。場效應(yīng)晶體管英文是Field Effect Transistor，縮寫為FET。

2023-05-16 15:02:23

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