蘋果新款iPad預(yù)計將在3月底或4月發(fā)布，具體時間還需等待蘋果官方確認。據(jù)多方消息透露，新款iPad將搭載最新的M3芯片，帶來更加強勁的性能和能效表現(xiàn)。同時，新款iPad還可能配備OLED顯示屏等先進技術(shù)，為用戶提供更加出色的視覺體驗。
2024-03-13 17:36:04
318 全球知名半導體解決方案供應(yīng)商Vishay日前宣布推出其最新型的多功能30V N溝道TrenchFET?第五代功率MOSFET——Vishay Siliconix SiSD5300DN。這款新型功率
2024-03-12 10:38:14102 近日，全球知名的半導體解決方案供應(yīng)商Vishay宣布推出新型80V對稱雙通道N溝道功率MOSFET，型號為SiZF4800LDT。這款新產(chǎn)品將高邊和低邊TrenchFET? Gen IV
2024-03-12 10:32:0293 近日，全球知名的半導體及組件制造商Vishay宣布推出五款新型半橋IGBT功率模塊，這些模塊采用了經(jīng)過改良設(shè)計的INT-A-PAK封裝。新款產(chǎn)品系列包括VS-GT100TS065S
2024-03-12 10:29:3891 搭載M3芯片的新款MacBook Air在北京時間2024年3月4日晚間正式發(fā)布。這次發(fā)布的新款MacBook Air在硬件配置上實現(xiàn)了全面升級，不僅搭載了蘋果自家研發(fā)的M3芯片，更在續(xù)航、網(wǎng)絡(luò)攝像頭、Wi-Fi網(wǎng)絡(luò)等方面進行了優(yōu)化。
2024-03-11 17:23:08526 Vishay近期發(fā)布五款新型半橋IGBT功率模塊，其改良設(shè)計的INT-A-PAK封裝備受矚目。這五款器件，包括VS-GT100TS065S、VS-GT150TS065S等，均運用Vishay領(lǐng)先
2024-03-08 11:45:51266 意法半導體（下文為ST）的功率MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動器旨在提供穩(wěn)健性、可靠性、系統(tǒng)集成性和靈活性的完美結(jié)合。
2024-02-27 09:05:36578 
在關(guān)斷狀態(tài)下，功率MOSFET的體二極管結(jié)構(gòu)的設(shè)計是為了阻斷最小漏極-源極電壓值。MOSFET體二極管的擊穿或雪崩表明反向偏置體二極管兩端的電場使得漏極和源極端子之間有大量電流流動。典型的阻斷狀態(tài)漏電流在幾十皮安到幾百納安的數(shù)量級。
2024-02-23 09:38:53343 
Vishay 推出多功能新型 30 V N 溝道 TrenchFET 第五代功率 MOSFET，進一步提高工業(yè)、計算機、消費電子和通信應(yīng)用的功率密度，增強熱性能。
2024-02-22 17:11:08353 
MOSFET功率放大器是一種使用MOSFET（金屬氧化物半導體場效應(yīng)晶體管）技術(shù)的電子設(shè)備，用于增強輸入信號的幅度。MOSFET放大器是音頻源如唱片播放器或CD播放器以及均衡器、前置放大器和揚聲器等其他設(shè)備的重要組成部分。
2024-02-19 15:50:56476 
引言：EV和充電樁將成為IGBT和MOSFET最大單一產(chǎn)業(yè)鏈市場！EV中的電機控制系統(tǒng)、引擎控制系統(tǒng)、車身控制系統(tǒng)均需使用大量的半導體功率器件，它的普及為汽車功率半導體市場打開了增長的窗口。充電
2024-02-19 12:28:04191 
英飛凌科技股份公司近日發(fā)布了全新的CoolSiC? 2000V SiC MOSFET系列。這款產(chǎn)品采用了先進的TO-247PLUS-4-HCC封裝，規(guī)格為12-100mΩ，旨在滿足高壓應(yīng)用的需求。
2024-02-01 10:51:00381 功率MOSFET是一種廣泛應(yīng)用于電力電子轉(zhuǎn)換器的高性能開關(guān)器件。它具有高輸入阻抗、低導通電阻、快速開關(guān)速度和良好的熱穩(wěn)定性等特點，因此在各種高壓、高頻、高效率的電源系統(tǒng)中發(fā)揮著重要作用。 結(jié)構(gòu)
2024-01-17 17:24:36294 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《FP6151內(nèi)置內(nèi)部功率MOSFET產(chǎn)品手冊》資料免費下載
2024-01-15 14:47:23
0 英飛凌推出業(yè)內(nèi)首款采用全新 OptiMOS 7 技術(shù)的 15 V 溝槽功率 MOSFET。這項技術(shù)經(jīng)過系統(tǒng)和應(yīng)用優(yōu)化，主要應(yīng)用于服務(wù)器和計算應(yīng)用中的低輸出電壓 DC-DC 轉(zhuǎn)換。英飛凌是首家推出15
2023-12-29 12:30:49362 
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/梁浩斌）在我們談?wù)摰谌雽w的時候，常說的碳化硅功率器件一般是指代SiC MOSFET（金屬-氧化物半導體場效應(yīng)晶體管），而氮化鎵功率器件最普遍的則是GaN HEMT（高電子
2023-12-27 09:11:361219 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《AT32F435 & AT32F437入門使用指南.pdf》資料免費下載
2023-12-18 11:13:131 如何避免功率MOSFET發(fā)生寄生導通?
2023-12-06 18:22:24522 
功率MOSFET在電力電子設(shè)備中應(yīng)用十分廣泛，因其故障而引起的電子設(shè)備損壞也比較常見。分析研究功率MOSFET故障的原因、后果，對于MOSFET的進一步推廣應(yīng)用具有重要意義。
2023-12-04 15:57:241113 
功率MOSFET雪崩特性分析
2023-12-04 14:12:36315 
問題1：在功率MOSFET管應(yīng)用中，主要考慮哪些參數(shù)？在負載開關(guān)的功率MOSFET管導通時間計算，通常取多少比較好？相應(yīng)的PCB設(shè)計，銅箔面積布設(shè)多大散熱會比較好？漏極、源極銅箔面積大小是否需要一樣？有公式可以計算嗎？
2023-12-03 09:30:40408 
功率MOSFET零電壓軟開關(guān)ZVS的基礎(chǔ)認識
2023-11-23 09:06:38407 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《用TrenchFET IV功率MOSFET系列設(shè)計更綠色、更小的電源.pdf》資料免費下載
2023-11-13 15:11:290 高壓功率MOSFET管早期主要為平面型結(jié)構(gòu)，采用厚低摻雜的N-外延層epi，保證器件具有足夠擊穿電壓，低摻雜N-外延層epi尺寸越厚，耐壓額定值越大，但是，導通電阻隨電壓以2.4-2.6次方增長，導通電阻急劇增大，電流額定值降低。
2023-11-04 08:46:121426 
MOSFET中文名為金屬-氧化物半導體場效應(yīng)晶體管，簡稱金氧半場效晶體管或MOS管，可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管。而功率MOSFET則指處于功率輸出級的MOSFET器件，通常工作電流大于1A。
2023-11-03 09:38:34196 
功率MOSFET是便攜式設(shè)備中大功率開關(guān)電源的主要組成部分。此外，對于散熱量極低的筆記本電腦來說，這些MOSFET是最難確定的元件。本文給出了計算MOSFET功耗以及確定其工作溫度的步驟，并通過
2023-11-01 08:24:31345 
1、SiC MOSFET對器件封裝的技術(shù)需求
2、車規(guī)級功率模塊封裝的現(xiàn)狀
3、英飛凌最新SiC HPD G2和SSC封裝
4、未來模塊封裝發(fā)展趨勢及看法
2023-10-27 11:00:52419 
功率MOSFET選型的幾點經(jīng)驗在此，根據(jù)學到的理論知識和實際經(jīng)驗，和廣大同行一起分享、探討交流下功率MOSFET的選型。由于相應(yīng)理論技術(shù)文章有很多介紹MOSFET參數(shù)和性能的，這里不作贅述，只對實際
2023-10-26 08:02:47373 
AT32F435 & AT32F437入門使用指南旨在讓用戶快速使用AT32F435xx /AT32F437xx 進行項目開發(fā)，AT32F437 相較于AT32F435 增加了以太網(wǎng)（EMAC）功能。
2023-10-26 06:58:03
在此，根據(jù)學到的理論知識和實際經(jīng)驗，和廣大同行一起分享、探討交流下功率MOSFET的選型。
2023-10-25 10:43:16765 
和小功率MOSFET類似，功率MOSFET也有分為N溝道和P溝道兩大類;每個大類又分為增強型和耗盡型兩種。
2023-10-25 10:42:27493 
AT32F435/437xx的通用功能I/O (GPIO)提供了一系列與外部環(huán)境通訊的接口，可用于MCU與其他嵌入式設(shè)備之間通過數(shù)字或模擬方式的通訊。AT32F435/437xx系列的GPIO還提
2023-10-25 08:23:14
AT32F435/437 ADC使用指南主要以ADC的特色功能進行講解和案列解析。
2023-10-25 08:08:34
AT32F435/437 Performance Improvement描述了如何通過軟件方法改善AT32F435_437的運行效能。
2023-10-25 07:37:21
AT32F435/437 EDMA使用指南本文主要就EDMA 的基本功能進行講解和案列解析。
2023-10-25 07:24:35
AT32F435/437 Security Library Application Note主要在闡述AT32F435/437系列安全庫區(qū)的應(yīng)用原理、軟件使用方法及范例程序。
2023-10-25 07:22:40
AT32F435/437 OTGFS Application Note主要描述AT32 OTGFS 外設(shè)特性，OTGFS 支持主機和設(shè)備模式。
2023-10-25 07:01:37
AT32F435/437時鐘配置主要介紹兩部分內(nèi)容：1、基于雅特力提供的V2.x.x 的板級支持包來進行時鐘源碼的配置及修改2、如何使用配套的時鐘配置工具來進行時鐘路徑及參數(shù)的設(shè)定，生成相應(yīng)的時鐘流程代碼并使用。
2023-10-25 06:18:06
這篇應(yīng)用筆記展示了 AT32F437 系列的各種功能，配有多個案例，每個案例均配有軟硬件設(shè)計，且有詳細注釋及說明。這些實例涵蓋了 AT32F437 大部分高級功能，并且提供很多實用級別的程序。所有實例在 MDK5 編譯器下編譯通過，只需下載程序到 AT-SURF-F437 開發(fā)板，即可實驗驗證。
2023-10-24 08:29:15
汽車電子MOSFET發(fā)展的一個最終方向是提高感測、控制和保護功率開關(guān)的性能。功率器件正集成到智能化車載系統(tǒng)中?，F(xiàn)在在最低功率級別，MOSFET可以與功率器件上的感測元件一起使用。
2023-10-20 11:44:58148 
眾所周知，由于采用了絕緣柵，功率MOSFET器件只需很小的驅(qū)動功率，且開關(guān)速度優(yōu)異?？梢哉f具有“理想開關(guān)”的特性。其主要缺點是開態(tài)電阻(RDS(on))和正溫度系數(shù)較高。本教程闡述了高壓N型溝道功率
2023-10-18 09:11:42621 
MOSFET也已經(jīng)發(fā)展到了第3代，新推出的650V和1200V電壓產(chǎn)品現(xiàn)已量產(chǎn)。其柵極驅(qū)動電路設(shè)計簡單，可靠性得到進一步的提高。 碳化硅MOSFET的優(yōu)勢 相同功率等級的硅MOSFET相比，新一代碳化硅MOSFET導通電阻、開關(guān)損耗大幅降低，適用于更高的工作頻率，
2023-10-17 23:10:02268 
中壓MOSFET，是美格納40~200V溝槽MOSFET的尖端產(chǎn)品組合。 在大功率設(shè)備中，能源效率對于降低功耗和確保穩(wěn)定性至關(guān)重要。利用美格納尖端的溝槽式MOSFET技術(shù)，這些新發(fā)布的第8代150V MXT MV
2023-10-12 17:15:09736 想入手一款示波器使用頻率很少 ，一個月可嫩只用一兩次。
但是還是挺需要的就看了一款二手的 ，示波器覺得可以用。
但是看了一些新款的感覺功能更多 有必要選擇新款的嗎 ？
沒用過所有需要請教一下
看了ds5000系列現(xiàn)在用過時嗎
組要用于看看一些簡單的模擬電路
和一些小的嵌入式 esp32 stm32等
2023-10-10 23:38:04
MOSFET功率損耗的詳細計算
2023-09-28 06:09:39
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《P溝道增強模式功率MOSFET G040P04M規(guī)格書.pdf》資料免費下載
2023-09-19 17:29:110 如何避免功率MOSFET發(fā)生寄生導通?
2023-09-18 16:54:35590 
V Vishay?推出新型 6 A、20 A 和 25 A microBRICK 同步降壓穩(wěn)壓器，用來提高負載點 (POL) 轉(zhuǎn)換器的功率密度和效率。 Vishay SiliconixSiC931
2023-09-15 10:41:09545 
SJ MOSFET是一種先進的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導通電阻的所有優(yōu)點，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明，
高性能適配器等。
2023-09-15 08:19:34
SJ MOSFET是一種先進的高電壓功率MOSFET，根據(jù)P&S的超結(jié)原理。報價設(shè)備提供了快速切換的所有好處并且導通電阻低，使其特別適用于需要更多高效，更緊湊，LED照明，高
性能適配器等。
2023-09-15 08:16:02
SJ MOSFET是一種先進的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導通電阻的所有優(yōu)點，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明，
高性能適配器等。
2023-09-15 06:19:23
這些超結(jié)快速恢復硅基功率MOSFET兼具超低恢復電荷（Qrr）和超快快恢復時間（trr），以及出色的品質(zhì)因數(shù)（RDS(on) x Qg），能夠為要求嚴苛的橋式拓撲和ZVS相移轉(zhuǎn)換器帶來極高的效率
2023-09-08 06:00:53
? 【 2023 年 8 月 3 日，德國慕尼黑訊】 小型分立式功率MOSFET在節(jié)省空間、降低成本和簡化應(yīng)用設(shè)計方面發(fā)揮著至關(guān)重要的作用。此外，更高的功率密度還能實現(xiàn)靈活的布線并縮小系統(tǒng)的整體尺寸
2023-09-06 14:18:431202 
功率MOSFET是便攜式設(shè)備中大功率開關(guān)電源的主要組成部分。此外，對于散熱量極低的筆記本電腦來說，這些MOSFET是最難確定的元件。本文給出了計算MOSFET功耗以及確定其工作溫度的步驟，并通過多相、同步整流、降壓型CPU核電源中一個30A單相的分布計算示例，詳細說明了上述概念。
2023-09-06 09:14:32446 
model 3新款什么時候出 今日特斯拉發(fā)布新款Model 3煥新版25.99萬 很多人都在關(guān)注model 3新款什么時候出？心心念念的Model 3煥新版今天終于來了。 今日特斯拉發(fā)布新款
2023-09-01 17:06:47808 
雪崩強度是MOSFET的一種特性。在MOSFET的漏極和源極之間施加超過VDSS的電壓，但是MOSFET的性能沒有被破壞。此時施加在其上的能量稱為雪崩能量[Avalanche energy]，流過的電流稱為雪崩電流[Avalanche current]。有些MOSFET的spec中不保證雪崩能力。
2023-08-31 10:18:24501 
為了劃分所涉及的功率并創(chuàng)建可以承受更多功率的器件，開關(guān)、電阻器和 MOSFET 并聯(lián)連接。
2023-08-29 11:47:48302 
垂直導電平面結(jié)構(gòu)功率MOSFET管水平溝道直接形成JFET效應(yīng)，如果把水平的溝道變?yōu)榇怪睖系?，從?cè)面控制溝道，就可以消除JFET效應(yīng)。
2023-08-28 10:10:392920 
功率MOSFET數(shù)據(jù)表參數(shù)
2023-08-24 09:13:06552 
隨著現(xiàn)代電子設(shè)備對小型化和高效率的要求不斷提高,對電源管理芯片的技術(shù)也提出了更高要求。針對此趨勢,安森德半導體公司推出了新一代異步整流MOSFET—ASDM100R090NKQ。這款100V N溝道功率MOSFET憑借其卓越的靜態(tài)和動態(tài)性能參數(shù),將助您的設(shè)計實現(xiàn)更高功率密度和轉(zhuǎn)換效率。
2023-08-14 15:04:45367 
這是Mosfet功率放大器5200W RMS的電路設(shè)計，原理圖是單通道的。該電路使用 16x IRFP250 在 2 歐姆負載下獲得 5200W RMS 功率輸出。
2023-07-31 16:18:07845 
使用AT32F437板上只預(yù)留了一個USB口，只有D+ D-兩根數(shù)據(jù)線，需要根據(jù)要求，切換主機或從機功能。
2023-07-31 15:04:45559 這是600W MOSFET功率放大器的電路圖。該電路將為阻抗為 4 歐姆的揚聲器提供超過 600 瓦的音頻輸出。該高功率放大器電路僅在輸出級使用6個N溝道MOSFET IRFP450，即可為您提
2023-07-28 17:04:191357 
MOSFET是電路中非常常見的元件，常用于信號開關(guān)、功率開關(guān)、電平轉(zhuǎn)換等各種用途。由于MOSFET的型號眾多，應(yīng)用面廣，本文將詳細介紹MOSFET選型原則以及mosfet選型要考慮的因素。
2023-07-20 16:33:44734 日前發(fā)布的Vishay General Semiconductor整流器首度采用Vishay新型Power DFN系列DFN3820A封裝，占位面積3.8 mm x 2.0 mm，典型厚度僅為
2023-07-07 10:00:39447 
及產(chǎn)業(yè)化項目、研發(fā)中心建設(shè)及第三代半導體功率器件研發(fā)項目等。 華羿微電成立于2017年，是一家聚焦高性能功率器件研發(fā)、設(shè)計、封裝測試、銷售為主的半導體企業(yè)，主要產(chǎn)品包括自有品牌的SGT MOSFET、Trench MOSFET等功率器件和硅基MOSFET及模塊、IGBT、二極管
2023-07-06 16:45:02520 
研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目、研發(fā)中心建設(shè)及第三代半導體功率器件研發(fā)項目等。 ? 華羿微電成立于2017年，是一家聚焦高性能功率器件研發(fā)、設(shè)計、封裝測試、銷售為主的半導體企業(yè)，主要產(chǎn)品包括自有品牌的SGT MOSFET、Trench MOSFET等功率器件和硅基MOSFET及模塊、IGB
2023-07-06 01:16:001409 
MOSFET的漏伏安特性（輸出特性）：截止區(qū)（對應(yīng)GTR的截止區(qū)）;飽和區(qū)（對應(yīng)于GTR的放大區(qū)）;非飽和區(qū)（對應(yīng)于GTR的飽和區(qū)）。功率MOSFET在開關(guān)狀態(tài)下工作，即截止區(qū)域和不飽和區(qū)之間的轉(zhuǎn)換
2023-07-04 16:46:37975 
功率MOSFET的UIS雪崩損壞有三種模式：熱損壞、寄生三極管導通損壞和VGS尖峰誤觸發(fā)導通損壞。
2023-06-29 15:40:541276 
功率 MOSFET 即金屬氧化物半導體場效應(yīng)晶體管（ Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor ）有三個管腳，分別為柵極（ Gate
2023-06-28 08:39:353665 
功率MOSFET最常用于開關(guān)型應(yīng)用中，發(fā)揮著開關(guān)的作用。
2023-06-27 17:41:20369 
UTC 10N65-ML是一款高壓功率MOSFET，它結(jié)合了先進的溝槽MOSFET，設(shè)計具有更好的特性，如快速開關(guān)時間、低柵極電荷、低導通狀態(tài)電阻和高崎嶇雪崩特性。這種功率MOSFET通常用于開關(guān)電源和適配器的高速開關(guān)應(yīng)用。?
2023-06-14 16:45:450 Vishay VOMDA1271 器件通過 AEC-Q102 認證 開關(guān)速度和開路輸出電壓（8.5V）達到業(yè)內(nèi)先進水平 Vishay? 推出一款業(yè)內(nèi)先進的新型汽車級光電壓輸出光耦，用于 MOSFET
2023-06-09 10:10:01426 
Vishay VOMDA1271 器件通過 AEC-Q102 認證 開關(guān)速度和開路輸出電壓（8.5V）達到業(yè)內(nèi)先進水平 Vishay? 推出一款業(yè)內(nèi)先進的新型汽車級光伏 MOSFET 驅(qū)動器
2023-06-08 19:55:02374 
功率MOSFET即金屬氧化物半導體場效應(yīng)晶體管（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）有三個管腳，分別為柵極（Gate
2023-06-05 15:12:10671 
我們將討論設(shè)計MOSFET功率放大器電路時必須考慮的各種參數(shù)，還分析了雙極結(jié)型晶體管（BJT）和MOSFET特性之間的差異，并了解了為什么MOSFET更適合功率放大器應(yīng)用并使其更有效。
2023-06-05 09:07:19737 
Vishay ?MCB ISOA 器件通過 AEC-Q200 認證 采用 SOT-227 小型封裝 可直接安裝在散熱器上 具有高脈沖處理能力 功率耗散達 120 W Vishay? 推出一款通過
2023-06-03 08:25:02533 
Vertical MOSFET（垂直MOSFET） 5. Power MOSFET（功率MOSFET） 6. Junction Field Effect Transistor (JFET)（結(jié)型場效應(yīng)晶體管
2023-06-02 14:15:36937 在這篇文章中，我們將討論設(shè)計MOSFET功率放大器電路時必須考慮的各種參數(shù)。我們還分析了雙極結(jié)型晶體管（BJT）和MOSFET特性之間的差異，并了解了為什么MOSFET更適合功率放大器應(yīng)用并使其更有效。
2023-05-24 17:25:422111 
分享功率MOSFET驅(qū)動保護電路方案大全，希望能幫助大家
2023-05-24 10:22:02
這款簡單的MOSFET功率音頻放大器電路具有TL071C和2個MOSFET（IRF9530和IRF530），可在45Ω揚聲器上提供高達8W的功率，在70Ω揚聲器上提供高達4W的功率。該原理圖
2023-05-23 16:50:331164 
半導體功率器件主要包括功率二極管、功率三極管、晶閘管、MOSFET、IGBT等。其中MOSFET和IGBT屬于電壓控制型開關(guān)器件，具有開關(guān)速度快、易于驅(qū)動、損耗低等優(yōu)勢。IGBT全稱是絕緣柵極
2023-05-18 09:51:583446 
同步整流技術(shù)就是用功率MOSFET代替普通二極管或者肖特基二極管進行整流,所以,研究同步整流技術(shù),就必須首先深入地了解同步整流器件,即功率MOSFET。
2023-05-18 09:10:06421 
功率MOSFET的雪崩強度限值是衡量器件針對于感性負載在開關(guān)動作應(yīng)用中的重要參數(shù)。 清楚地理解雪崩強度的定義，失效的現(xiàn)象及評估的方法是功率MOSFET電路設(shè)計必備的能力。 本文將以下面三個方面進行探討。
2023-05-15 16:17:451133 
在功率MOSFET的數(shù)據(jù)手冊中會有一個看似復雜的SOA（Safe Operation Area）圖片，這個安全工作區(qū)域圖告訴我們只有MOSFET工作在曲線內(nèi)才是安全可靠的。如下面的Nexperia的NMOS管PHB32N06LT的SOA圖。
2023-05-15 16:16:311174 
數(shù)據(jù)手冊就是電子元件的使用說明書，在電路設(shè)計之前，十分有必要通讀數(shù)據(jù)手冊，并了解產(chǎn)品的重要性能參數(shù)。在MOSFET的數(shù)據(jù)手冊中極限值表格中的總功率損耗Ptot就是一個十分有趣的參數(shù)。說它有趣是因為
2023-05-15 16:10:25626 
功率MOSFET怎樣關(guān)斷？能否用PWM實現(xiàn)？怎樣實現(xiàn)？
2023-05-08 16:16:27
NR系統(tǒng)消息SIB4/5的作用和SIB3類似，區(qū)別在于：
SIB3：僅提供與同頻小區(qū)重選相關(guān)的鄰區(qū)信息，包括具有特定重選參數(shù)的小區(qū)和黑名單小區(qū)信息。
SIB4： 包含與異頻小區(qū)重選有關(guān)
2023-05-08 15:50:39
5G NR系統(tǒng)消息SIB2的作用是：提供同頻、異頻和系統(tǒng)間小區(qū)（NR–LTE）重選的公共信息及同頻小區(qū)重選的特定信息。
此外，NR UE在執(zhí)行小區(qū)重選測量時，可以基于小區(qū)級別和波束級別測量
2023-05-08 15:21:12
在5G NR中，SIB1 攜帶了是否允許UE接入小區(qū)時相關(guān)的信息，并定義其他系統(tǒng)信息的調(diào)度；此外，它還提供所有UE共用的無線電資源配置信息和統(tǒng)一接入控制所需的禁止信息。
SIB1的發(fā)送方式
2023-05-08 15:04:53
在5G NR中，SIB1 攜帶了是否允許UE接入小區(qū)時相關(guān)的信息，并定義其他系統(tǒng)信息的調(diào)度；此外，它還提供所有UE共用的無線電資源配置信息和統(tǒng)一接入控制所需的禁止信息。
SIB1的發(fā)送方式
2023-05-06 14:17:49
我正在嘗試使用 ESP-01 驅(qū)動 MOSFET 來控制 12V 電源。附上原理圖。這是我的簡單代碼 -
代碼：全選#include
#define MOSFET 2
#define
2023-05-04 08:52:27
在本文中，我們將學習如何使用 P溝道和 N 溝道 MOSFET 構(gòu)建通用全橋或 H 橋 MOSFET 驅(qū)動電路，該電路可用于制造電機、逆變器和許多不同的功率轉(zhuǎn)換器的高效驅(qū)動電路。
2023-04-29 09:35:005288 
AM437X EVALUATION MODULE
2023-03-30 11:47:55
KIT IND DEV FOR AM437
2023-03-30 11:47:53
EVALBOARDNCP437FCT2G
2023-03-30 11:46:13
Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出加強版0805封裝抗浪涌厚膜電阻器Vishay Draloric RCS0805 e3，額定功率高達0.5
2023-03-29 17:00:06694 
MOSFET P-CH 8V 9A SC-75-6
2023-03-29 10:04:53
.437" PATCH PANEL HOLE PLUG
2023-03-23 00:55:26
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